Файл: Абрамов Г.В. Акустические прожекторные системы.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 25.06.2024

Просмотров: 69

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

периодом изменения. Некоторые

вопросы, поддающиеся теорети­

ческой оценке, мы здесь и рассмотрим.

 

 

 

 

К основным факторам, вызывающим неоднородности

интенсив­

ности и фазы

поля в ближней зоне А П С , относятся:

 

 

 

отличие профиля поверхности линзы от расчетного;

 

 

смещение излучателя

из фокуса

по оси системы;

 

 

 

смещение

излучателя

из фокуса в

направлении, перпендику­

лярном оси системы;

 

 

 

 

 

 

 

наличие просветляющего

слоя

и

неравномерность

его

тол­

щины;

 

 

 

 

 

 

 

 

неоднородность акустических свойств материала линзы;

 

отличие д и а г р а м м ы направленности

излучателя

от

идеальной;

д и ф ф р а к ц и я на к р а я х

линзы;

 

 

 

 

 

отражение

от стенок

бассейна;

 

 

 

 

 

вторичные

поля.

 

 

 

 

 

 

 

Некоторые

из этих источников

неоднородностен

у ж е

были

рас ­

смотрены. При исследовании остальных будем исходить

из

допу­

щения, что все характеристики

системы, кроме исследуемого

фак ­

тора, соответствуют расчетным данным . Пр и анализе фазовых не-

однородностей

воспользуемся

методикой,

приведенной в

[ 1 ] .

1. Отличие профиля поверхности линзы от расчетной

вызывает

неравенство длин акустических путей лучей

(см. рис. 5.3, а ) . Фазо ­

вые искажения,

обусловленные этим видом

неточности,

равны

 

Л'-р' =

4^- Лл'(1 — и).

 

(5.17)

Отклонение Ах

 

в

 

 

 

 

 

от расчетного

профиля

в

разных

точках может

иметь разный знак. Поэтому величину Дер' надо удвоить.

 

 

А ? ' = 41

Л * ( 1 — я ) -

 

( 5 л 8 >

2. Если первичный излучатель

смещен

из фокуса

вдоль оси лин­

зы (см. рис. 5.3,6), то вызванное этим смещением наибольшее фа ­

зовое искажение возникает

на краю

линзы.

Эти

искажения,

к а к

видно из рис. 5.3, б, будут

равны

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Дер =

 

 

д / _ і і ( г ' _ г ) .

 

 

 

 

(5.19)

 

 

 

 

А В

 

 

Л В

 

 

 

 

 

 

 

При

небольших значениях

Af

можно

считать г'—r — A\

cos

ср'=

^ Д /

cos ср. Тогда

Д?о =

-^-

Д / ( 1

- c o s с ? ) .

 

 

 

 

(5.20)

 

 

 

 

 

 

3.

В случае небольших

 

смещений

излучателя

в

направлении,

перпендикулярном

оси линзы

(см. рис. 5.3

в ) , фазовые

искажения

в раскрыве будуг

линейно

зависеть

от

координаты

у.

Вследствие

этого фронт волны повернется на угол

а',

равный

углу

а

поворо­

та излучателя-. Н а

такой

ж е

угол

повернется д и а г р а м м а

направ ­

ленности. М а к с и м а л ь н а я

(разовая

неоднородность,

 

ка к

 

видно и з

рис. 5.3, в, достигается на .краю

линзы и составляет

 

 

 

 

 

 

 

д ? 3

= £ 4 - т -

 

 

 

 

 

< 5 - 2 1 >


^•Расчетный профиль Фактический профиль

а)

В

Рис.

5.3.

К

определению

фазовых

иеоднородноістей

а — при

отличии

реального

профиля

лпнзы

от расчетного;

б — при

смещении излучателя

из

фокуса вдоль осп

лпнзы:

о — при

смеще­

нии

излучателя

п направлении,

перпендикулярном

оси линзы

4. Д л я металлической линзы наличие «просветляющего» слоя

обусловливает дополнительную

фазовую неоднородность. И з расче­

тов,

проделанных

в

§ 1.3, следует, что лишь в узком интервале уг­

лов

падения (0ч-

5°)

волны на

«просветленную» границу фаза коэф ­

фициента прозрачности остается неизменной. При определении угла

раскрытия рефракторной А П С максимальная неоднородность

фа­

зы,

обусловленная наличием

«просветляющего» слоя,

достигается

на

краях рефрактора и д л я

алюминиевой линзы

может

быть

определена по графику

рис. 1.7 с учетом того, что связь между уг­

лом

падения и углом

раскрытия в ы р а ж а е т с я формулой

2.1 За

(см. т а к ж е рис. 2.4, а ) .

Отметим, что обусловленная

этим

факто ­

ром

неравномерность

фазы невелика и при с р м < 2 5 °

не

превышает

6°.

Неравномерность

толщины просветляющего слоя

ЛЛ'І

влечет

за собой фазовую неоднородность, которая дл я двухстороннего по­ крытия линзы может быть рассчитана по формуле

где ti\

— показатель

преломления

для

материала

«просветляю­

щего»

слоя.

 

 

 

 

 

5. Существенные фазовые искажения

вызывает неоднородность

акустических

свойств

материала линзы,

которая может быть учте­

на введением

девиации показателя

преломления. Численная вели­

чина

неоднородности определяется по приближенной

формуле

 

 

 

А? 5 =

Anl,

 

(5.23)

где An — разность расчетного и действительного показателя пре­ ломления;

/— текущая толщина линзы.

6.Остальные факторы, упомянутые в начале раздела, в той или иной степени рассмотрены в предыдущих главах. Так, в главе I I подробно рассмотрена роль вторичных полей, обусловленных мно­ гократным отражением в материале линзы, в главе I V — характе­ ристики практически реализуемых излучателей. Влияние дпффрак - ции на краях линзы можно не учитывать при соответствующем выборе диаметра рефрактора .

Из рассмотрения физической природы источников неоднородностей поля с достаточным основанием можно заключить, что все фа ­ зовые неоднородности независимы, и для серии измерений (с юсти­ ровкой перед к а ж д ы м опытом) закон распределения неоднородностей поля можно считать нормальным . Следовательно, для каждой составляющей неоднородности поля справедливо соотношение [36]

 

 

 

A'fnmax

= Зз„,

 

 

(5.24)

где

оп и

Фитах соответственно

среднеквадратичная

п макси­

мальная

величины неоднородности, вызываемой п-ной

причиной.

 

С у м м а р н а я среднеквадратичная неоднородность,

обусловлен­

ная

всеми причинами,

может быть найдена

из

выражения

 

 

з 2 =

± ]/"а= +

о | + . . + =яя

=

±

 


Следует заметить, что формула (5.25) справедлива в случае, когда все неоднородности независимы между собой и равны по по­ рядку величины.

Исходя из специфики задачи исследования в к а ж д о м конкрет­

ном случае, можно определить оа и, используя формулу

(5.25), з а ­

дать

допустимую величину неоднородности,

обусловленную к а ж ­

дым

из перечисленных

источников. Затем,

пользуясь

формулами

настоящего п а р а г р а ф а ,

можно рассчитать допуск на изготовление

и юстировку элементов

системы.

 

 


ГЛАВА VI. ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ КУП В ЖИДКОСТИ

§ 6.1. И З М Е Р Е Н И Е А К У С Т И Ч Е С К О Г О Д А В Л Е Н И Я

К в а з и п л о с к ое ультразвуковое

поле, формируемое

с помощью

А П С , характеризуется размерами

и пространственным

распреде­

лением интенсивности и фазы . Поскольку приемники звука, приме­

няемые в настоящее время, реагируют на изменение

избыточного

(акустического) давления, то в практике акустических

измерений

исследуют распределение давления и фазы . Связь

ж е давления

и

интенсивности общеизвестна и в ы р а ж а е т с я для

плоской

волны

формулой (1.11). П р и н и м а я некоторые уровни интенсивности

(дав­

ления)

и фазы за нулевой, можно определить величины

неоднород-

ностей

этих параметров для тех или иных точек

К У П .

Измерив

в

р е ж и м е бегущей волны распределение давления и фазы в плоско­ сти, параллельной раскрыву А П С , мы тем самым получаем данные

ораспределении параметров поля в интересующем нас объеме. Известны следующие методы измерения акустического давления

[5, 16]: механический, оптический, калориметрический, термоэлек­ трический, магнитострйкционный, пьезоэлектрический.

Анализ показывает, что на частотах 14-5 мгц наиболее приемле­ мым является пьезоэлектрический метод. Остальные методы либо о б л а д а ю т малой чувствительностью, либо очень сложны и громозд­ ки (например, оптический метод) . При исследовании КУП, сфор­

мированных

А П С , представляют интерес как относительные, так и

абсолютные

измерения

акустического давления в раскрыве

А П С .

Относительные измерения позволяют оценить неравномерность

рас­

пределения

давления

(а соответственно и интенсивности) по

рас­

крыву. Абсолютные измерения акустического давления позволяют к а к определить значения давлений (интенсивностей) по периферии поля, что имеет значение для ряда применений К У П , так и оценить эффективность всей системы. Иными словами, абсолютные измере­ ния позволяют производить оценку к. п. д. излучателя и величину по­ терь при распространении звука в среде и материале линзы (в слу­ чае рефракторных систем) . К звукоприемникам, применяемым для относительных и абсолютных измерений акустического давления, 80


Такой приемник

может быть

применен и при относительных и

при абсолютных

предварительной

калибровкой)

измерениях.

Конструкция его

изображена на

рис.

6.1. Чувствительный элемент

приемника 1 выполнен в виде сферического слоя из керамики тнтаната бария толщиной около 0,05 мм, нанесенного на платиновый

шарик 2, оплавленный на конце

платиновой проволоки 3 диамет­

ром 0,05 мм.

Предварительно размельченная в порошок

керамика

размешивается в капле воды до

получения

кашицы, которая

на­

носится тонким слоем на шарик

и запекается на пламени

спиртов­

ки. Наносят последовательно несколько слоев. Температура

спе­

кания подбирается экспериментально, по

виду получаемого

слоя

(без трешип

и пор ) . Проволока

пропускается внутри капилляра 4,

являющегося продолжением стеклянной трубки 5. Ш а р и к вплавля ­ ется примерно на 20% диаметра в торец капилляра . Н а внешнюю поверхность трубки, капилляра и керамики наносится методом вжигання слой серебра, являющийся вторым электродом чувстви­

тельного элемента. Трубка вставляется

в патрон 6

и в месте выхо­

да из патрона герметически

запаивается . Платиновая проволока

выводится

через центральное

отверстие

патрона и

припаивается к

пустотелой

заклепке (пистону) 7.

 

 

На рис. 6.1.6 приведена фотография

приемника. Так как описан­

ный приемник имеет сравнительно высокое выходное

сопротивление,,

то для согласования его с кабелем применяется эмиттерный повто­ ритель с автономным питанием. Эмиттерный повторитель собран по

обычной

схеме на

транзисторе

1Т308В. Коэффициент передачи его

близок

к 1 вплоть

до

10 мгц,

выходное сопротивление

та 30 ом,

входное

сопротивление

«2І0 ком

(определяется

делителем

входа)-

В качестве источника

автономного питания применяется

элемент

316. Включение и

выключение

питания производится ввертыванием

и вывертыванием

приемника.

Д л я

увеличения

чувствительности

приемника напряжение источника питания подводится к внутрен­

нему

электроду

приемника

(согласно

поляризации

 

приемни­

к а ) .

Н а

рис. 6.2

приведена

конструкция

 

эмиттерного

повтори­

теля .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чувствительность сверхминиатюрного приемника изменяется or

экземпляра

к экземпляру

в

пределах

0,001—0,01 мкв/бар.

Частот­

ная

характеристика

горизонтальна вплоть

до частот около 10

мггц.

Н а

частотах

порядка

единиц

мегагерц

могут

быть т а к ж е

использо­

ваны

в ряде

случаев

и пьезоэлементы

в виде плоских пластин, сфер

и шаровых сегментов. В сущности они ничем

не отличаются от рас­

смотренных в главе IV излучателей. Способ крепления пластины

к

оправке

в диапазоне

1—5

мггц практически

не влияет

на

характе ­

ристики таких приемников, т. к. они узкополосны и рабочая

часто­

та

их

л е ж и т

далеко

от собственного резонанса системы

крепления.

Плоские

пластинки

имеют

узкую д и а г р а м м у

направленности,

а

д и а г р а м м ы направленности их в режиме приема не отличаются от диаграмм направленности в режиме излученияПри абсолютных из­ мерениях такими приемниками следует работать вдали от резонапс-

82