Файл: Троицкий О.А. Радиация и прочность твердых тел.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 21.07.2024

Просмотров: 98

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

дислокаций или переползание имеет место при средних л высоких температурах, а т а к ж е требует для своего раз­ вития длительное время. В процессе переползания дисло­ каций край лишней атомной плоскости укорачивается или удлиняется неодновременно на весь очередной ряд ато­

 

 

 

мов,

а постепенно, сту­

 

 

 

пеньками. Эти ступень­

 

 

 

ки

называются

порога­

 

 

 

ми. Одна и та ж е дисло­

 

 

 

кация своими порогами

 

 

 

может

 

находиться

 

 

 

одновременно

на

не­

 

 

 

скольких

плоскостях

 

 

 

скольжения. Н а

рис. 1

 

 

 

показан

 

пример

кра­

 

 

 

евой

дислокации

с по­

 

 

 

рогами на разных

плос­

 

 

 

костях

 

скольжения

Р и с .

16. Краевая дислокация с

поро-

О

1 1

2) .

 

 

 

 

гамн,

расположенными в разных

плос-

 

Пороги

на дислока-

 

костях скольжения.

 

ц н я

х

являются

источ­

 

 

 

никами

и местами

сто­

ка вакансий. З а счет движения

порогов

происходит по­

степенное переползание дислокации в другую плоскость, Порог обычно двигается вдоль линии дислокации и по­ степенно перетягивает ее на новую плоскость.

Скорость движения порогов определяется приложен­ ными напряжениями и температурой. Избыточные вакан­ сии при повышении температуры стремятся взаимодей­ ствовать с порогами, что приводит последние в движение.

Переползание дислокаций можно легко проследить на примере так называемых призматических дислокаций, которые образуются, например, при отсутствии в какомто участке решетки куска атомной плоскости. На рис. 17

Рис . 17. Призматическая дислокация.

G2


показана призматическая дислокация. Неконсервативное движение или переползание является единственно воз­ можным способом движения таких дислокации. Д в и ж е ­ ние происходит за счет расширения или сжатия дислока­ ционной петли. Приток вакансий расширяет петлю, а отток, наоборот, ее стягивает.

§ 5. Упругие свойства дислокаций

Вокруг каждой дислокации существует поле упругих напряжений. Это объясняется тем, что лишняя атомная плоскость в случае краевой дислокации сжимает область решетки выше плоскости скольжения и растягивает об­ ласть решетки ниже плоскости скольжения (для положи­ тельной дислокации) .

Вблизи винтовых дислокаций преобладают только сдвиговые компоненты напряжений, а простые растяги­

вающие и сжимающие напряжения отсутствуют.

 

 

Поле напряжений вокруг краевой дислокации

более

сложно. Оно содержит как сдвиговые (касательные

к

ка­

кой-либо плоскости), так и нормальные компоненты

на­

пряжений. Наибольшее нормальное напряжение в

этом

случае действует параллельно вектору Бюргерса,

т. е.

вектору сдвига. Д л я краевой дислокации максимальные сжимающие напряжения действуют непосредственно вы­

ше плоскости скольжения, а максимальные

растягиваю­

щие напряжения — непосредственно ниже

плоскости

скольжения. Это видно из рис. 12, где схематически пока­ зан изгиб атомных плоскостей вблизи линии дислокации выше и ниже плоскости скольжения. Именно в эти места высоких локальных перенапряжений стремятся попасть одиночные блуждающие по решетке атомы или вакансии. Это стремление связано с тем, что попадание точечных дефектов в такие перенапряженные места приводит к снижению энергии системы — происходит ослабление на­ пряжений сжатия (в случае оседания вакансий) или на­ пряжений растяжения (в случае оседания внедренных атомов) .

Центральная область вокруг линии дислокации диа­ метром примерно 5-М OA называется ядром дислокации-. Одним из замечательных свойств ядра дислокации явля­ ется то, что оно образует своеобразные трубки внутри твердого тела, по которым могут легко диффундировать


а т о м ы . В частности, по таким трубкам могут быстро про­ никать внутрь тела атомы поверхностно-активного ве­ щества.

Таким образом, дислокации несут на себе не только функции перемещений сдвигов в решетке и передачи ме­ ханических напряжений, но и являются своеобразными транспортными каналами дл я диффундирующего вещест­ ва в твердом теле. Следовательно, роль дислокаций в а ж ­ на не только д л я механических свойств кристаллов, но

т а к ж е для ряда других физико-химических

свойств

твер­

дого тела.

 

 

 

Упругая энергия

краевой дислокации

больше,

чем

упругая энергия винтовой дислокации. Она

равна

при­

мерно 5- 10~4 эрг/см2

или около 8 эв на кажду ю атомную

плоскость,-пересекающую дислокацию. Эта чрезвычайно •большая величина свидетельствует 6 том, что дислока­ ции не могут возникнуть в результате термических акти­ ваций, которые дают большей частью только доли эв. В я д р е дислокации содержится примерно 10—12% энергии дислокации. Остальную часть упругой энергии поглоща­ ю т упругие поля напряжений вокруг дислокации.

Если бы в кристалле к а ж д а я дислокация несла в себе всю «положенную» ей энергию, не затрачивая часть ее на взаимодействие с соседними дислокациями, то в сильно

деформированной решетке

при

плотности

дислокаций

10и -т-101 2 см~2 накопилось

бы 108 —109 эрг

в

единице

объема кристалла, что могло бы привести к

значитель­

ным тепловыделениям во время

отжига. Этого

на

прак­

тик е не отмечается. Следовательно, в кристаллах,

содер­

ж а щ и х много дислокаций, упругие поля отдельных

дисло­

каций стремятся скомпенсировать друг друга и о б щ а я

запасенная

упругая

энергия в скоплениях

дислокаций

уменьшается .

 

 

 

Упругая энергия дислокаций определяется простой фор­

мулой Е =

aGb-, где а — коэффициент,

равный

0 , 5 — 1,0;

<} — модуль

упругости,

равный ~ 1 0 й

дин/слР;

b — вектор

Бюргерса,

порядка ~

10~8 см.. Отсюда видно, что упругая

энергия дислокаций пропорциональна квадрату вектора Бюргерса . Было замечено, что дислокации охотно всту­ пают друг с другом в реакцию, если в результате возни­ кает новая дислокация с вектором Бюргерса, квадрат которого будет меньше суммы квадратов вектора Б ю р ­ герса двух исходных дислокаций. Это правило квадрата


вектора Бюргерса (правило Франка) позволяет безоши­ бочно определять, возможна ли та или иная дислокаци­ онная реакция.

Комплексы из нескольких дислокации обладают зна­ чительными полями напряжений, поскольку общее поле напряжений комплекса получается суммированием по­ лей напряжении отдельных дислокаций (с некоторой взаимной компенсацией). Протяженность полей напря­ жений комплексов зависит от числа дислокации, величи­ ны их векторов Бюргерса и от взаимной ориентации дислокаций.

§6. Силы, действующие на дислокации

Сдвижением дислокаций связано зарождение и разви­ тие пластической деформации кристаллов. При действии внешних сил на кристалл на каждую индивидуальную дис­ локацию также действует сила, заставляющая ее двигаться вперед. Эта сила определяется как работа, необходимая д л я перемещения единицы дли­ ны дислокации на единич­ ное расстояние. Она равна

F—xb, где т—приложенное внешнее напряжение в b — вектор Бюргерса.

Помимо этого па

дисло­

 

 

 

 

 

 

 

 

кацию

действует

сила

ли­

 

 

 

 

 

 

 

 

нейного натяжения.

Увели­

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

длины

дислокации

 

 

 

 

 

 

 

 

связано

 

с

увеличением

 

ее

 

 

 

 

 

 

 

 

упругой

энергии.

Это обус­

 

 

 

 

 

 

 

 

ловливает

наличие

натяже­

 

 

 

 

 

 

 

 

ния линии дислокации. Ли­

 

 

 

 

 

 

 

 

нейное

натяжение

измеря­

 

 

 

 

 

 

 

 

ется в единицах

энергии

на

 

Р и с .

18.

Действие силы

линейного'

единицу

длины,

 

например,

 

натяжения

Т на линию

дислокации.

эрг/см.

На рис. 18

показано

 

 

 

 

 

 

 

 

действие

 

силы

 

линейного натяжения Т на изогнутую

линию дислокации.

Сила

Т

 

стремится выпрямить

 

линию

дислокации и уменьшить

ее

упругую

энергию.

Сила

F

от

внешних

 

сил

 

действует

в

обратную сторону

и

стре­

мится

выгнуть

 

дислокацию.

От

соотношения

этих

сил

зависит, начнет ли дислокация движение или останется

непо-

5-

 

 

 

 

 

 

 

 

65

 

 

 

 

 

 


движнеш. Таким образом, напряжения, обусловленные сила­ ми линейного натяжения, действуют в обратную сторону тем, что возникает от внешних сил. Величина этих сил сопротивления очевидно должна возрастать при увеличении кривизны дислокации, определяемой радиусом /?. Напря­ жения, обусловленные силами линейного натяжения, можно

записать в в и д е ^ . Отсюда видно, что с увеличением кри­

визны дислокации возрастает сопротивление ее перемещению. Дислокации интенсивно взаимодействуют между со­ бой. Это, в частности, приводит к уменьшению запасен­ ных в кристалле упругих искажений решетки. Дислока ­ ции разных знаков ведут себя по отношению друг к другу как электрические заряды . Дислокации одного знака отталкиваются, дислокации противоположных знаков притягиваются. На рис. 14 было показано, как в резуль­ тате встречи двух противоположных дислокаций в одной плоскости скольжения они аннигилируют, и участок кристаллической решетки освобождается от дислокаций. Иная ситуация возникает, если при встрече двух про­ тивоположных дислокаций они оказываются разделен­ ными несколькими атомными плоскостями, параллельны ­ ми их плоскостям скольжения. В этом случае слияние приводит к возникновению участка незаполненной атом­ ной плоскости, эквивалентного скоплению вакансий

(рис. 19)^

Р и с . 19

а, б Взаимодействие краевых

дислокаций

противо­

положных

знаков в разных плоскостях

скольжения

с образо­

ванием

скоплений вакансий (а) и внедренных атомов (б).

Если

ж е дислокации

идут, наоборот, внахлест, то

вместо скопления

вакансий

может

возникнуть

участок

лишней

плоскости

или

скопление

внедренных

атомов

(рис. 19 б ) .

 

 

 

 

 

Сила,

действующая

между дислокациями,

обратно

пропорциональна расстоянию между ними. Теоретические расчеты и эксперимент показывают, что ряд краевых дислокаций одного знака находится в стабильном состоя­ нии, если дислокации выстраиваются вертикально друг под другом.

§7. Взаимодействие дислокаций

Вкаждой плоскости скольжения кристалла двигаются свои дислокации. Пересечение плоскостей скольжения приводит к пересечению дислокаций. Помимо этого в кристалле существует целая система дислокаций, кото­ рые возникли при росте кристалла и остаются практиче­ ски неподвижными в процессе пластической деформации. Пересечение этих дислокаций со скользящими дислока­ циями приводит к торможению последних. Торможение

дислокаций происходит т а к ж е при пересечении скользя­ щих дислокаций, когда они двигаются в разных плоскос­ тях скольжения.

Таким

образом, к а ж д а я

плоскость скольжения кри­

сталла пронизана многими

поперечно

расположенными

дислокациями. Эти дислокации часто

образно называют

«дислокациями леса». Действительно,

возникает

ситуа­

ция, когда

дислокациям в плоскости скольжения

прихо­

дится пробираться сквозь лес других дислокаций, рас­ положенных в плоскостях, перпендикулярных или наклонных к плоскости скольжения.

Если пересекаются две действующие системы сколь­ жения, то плотность «дислокаций леса» в обоих плоскостях резко возрастает. В этом и заключается ме­ ханизм упрочнения кристаллов в процессе пластической деформации. «Дислокации леса» сильно тормозят движе ­ ние скользящих дислокаций и приводят к возрастанию усилий деформации, т. е. к деформационному упрочнению.

Легкость скольжения в том или ином элементе сколь­ жения зависит от способа преодоления движущимися дислокациями препятствий, связанных с «дислокациями леса». Скользящие дислокации должны перерезать «дис-