ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 21.07.2024
Просмотров: 93
Скачиваний: 0
ность процесса является причиной малой распространен ности подобного способа размножения дислокаций. Го раздо легче и чаще дислокации зарождаются гетероген ным путем на каких-либо концентраторах напряжений. В качестве концентраторов напряжений могут выступать инородные включення, трещины, границы зереи и дефек ты на поверхности кристалла. К специальным источни кам, в которых могут рождаться дислокации, относятся так называемые источники Франка - Рида, схема действия которых показана на рис. 23.
|
Р и с . 23. Работа |
источника Франка-Рида. |
|
|
Линия |
дислокации АА, |
закрепленная по |
концам, ле |
|
жит в плоскости скольжения. Приложенное |
напряжение |
|||
изгибает |
ее до критического размера. Дислокация |
обра |
||
зует большую петлю в форме яблока. Затем |
сегменты в |
|||
точках Б |
и В встречаются и аннигилируют. |
При |
этом |
|
возникает |
большая петля |
и новая дислокация. Процесс |
повторяется и таким путем возникает множество дисло кационных петель.
При многократном переползании винтовых'дислока ций источниками новых дислокаций служат сегменты между прочно закрепленными порогами краевой ориен-
тацни. Дислокационные петли, рожденные таким путем* могут расширяться и размножаться, а скольжение будет захватывать все новые и новые плоскости.
§ 9. Упрочнение в процессе пластической деформации
Пластическая деформация растягиваемых или сжимае мых кристаллов начинается с того, что на диаграммах де формации появляется характерный зуб текучести или пере лом. Напряжения, отвечающие зубу текучести или резкому перелому диаграммы деформации, пересчитанные на дейст вующие плоскости скольжения, дают величину, так называе мого, критического скалывающего напряжения. Критичес кие скалывающие напряжения тК р являются основным физи ческим параметром прочности твердых тел. При достижении напряжениями критического уровня, отвечающего т к р , про исходит старт огромного числа дислокаций, определяющих зарождение и развитие пластической деформации кристал лов.
Следует отметить, что движение дислокаций начинается
не обязательно с момента достижения |
приложенными напря |
||||||
жениями критических значений. При |
т к р |
имеет |
место |
мас |
|||
совое |
движение дислокаций, |
а одиночные и относительно- |
|||||
небольшие |
группы дислокаций |
начинают |
движение уже при- |
||||
небольших |
приложенных напряжениях, |
намного |
меньших |
||||
Тцр. Эта область деформаций на диаграммах выглядит |
как |
||||||
крутой |
подъем деформирующего усилия |
Поскольку в |
этой- |
области образец деформируется также как упругое тело, то> происходит наложение микропластической деформации на упругую деформацию, и это обстоятельство приводит к тому, что наклон диаграмм в начальных участках уменьшается. По указанным причинам об этой области деформации при
нято говорить как о квазиупругой |
области, т. е. области, не |
|||||||
вполне |
подчиняющейся |
закону Гука. |
|
|
|
|||
|
На рис. 24 приведена характерная диаграмма |
растя |
||||||
жения |
металлических |
кристаллов, на |
которой |
у к а з а н ы |
||||
квазигуковский участок, зуб текучести, площадка |
легко |
|||||||
го |
скольжения и область деформационного упрочнения. |
|||||||
З а |
зубом |
текучести |
следует |
обычно |
область |
легкого' |
||
скольжения, |
когда пластическая |
деформация |
протекаег |
без существенного увеличения деформирующего усилия-. Существует ряд кристаллов, например, кристаллов оло ва, для которых в области легкого скольжения происхо-
д ит даже падение усилий деформации, т. е. имеет место
.деформационное разупрочнение. Область легкого сколь жения может иметь различную протяженность. Обычно •она велика для кристаллов с одной ярко выраженной плоскостью скольжения, на пример, кристаллов гексаго нальных металлов, и мала
|
|
|
|
для |
кристаллов |
со |
многими |
|||||||
|
|
|
|
плоскостями |
скольжения. |
|
||||||||
|
|
|
|
Следующие за |
областью |
|||||||||
|
|
|
|
легкого |
скольжения |
дефор |
||||||||
|
|
|
|
мационное |
упрочнение |
|
ха |
|||||||
|
|
|
|
рактеризуется |
резким |
подъ |
||||||||
|
|
|
|
емом |
деформирующего |
уси |
||||||||
|
Деформация |
|
лия |
(однако |
меньшим, |
чем |
||||||||
|
|
|
|
на квазигуковском |
участке). |
|||||||||
Р и с . 24. Характерная диаграмма |
Этот |
участок |
диаграммы |
|
де |
|||||||||
растяжения |
металлических |
крис |
формации |
дает |
сведения |
о |
||||||||
|
|
таллов |
|
процессах, |
происходящих |
в |
||||||||
I — квазигуковскнй участок; 2— зуб |
||||||||||||||
сильно деформированной |
|
ре |
||||||||||||
текучести; |
3 |
— площадка |
легкого |
|
||||||||||
скольжения; |
4 |
—ойласть деформацион |
шетке, |
когда |
пластическая |
|||||||||
ного |
упрочнения. |
|
деформация |
по |
отдельным |
|||||||||
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
пересекающимся |
|
системам |
скольжения начинает взаимодействовать между собой и •блокировать друг друга. В этом, частично, заключается процесс деформационного упрочнения.
Дислокации образуют поля напряжений в решетке, которые контролируют практически весь объем внутри решетки. Точечные дефекты, образующиеся при облуче нии или термофлуктуационным путем, имеют т а к ж е свои поля напряжений, которые взаимодействуют с полями •напряжений дислокаций и понижают энергии искажений решетки. Таким образом, точечные дефекты и дислока ции образуют прочный ансамбль, разрушить который можно, только приложив достаточно большие усилия. В этом заключается причина упрочнения кристалла за •счет появления в нем точечных дефектов. Если дислока
ция |
отрывается от дефектов, то блокирующее действие |
|
их |
исчезает, но стоит ей остановиться, как вновь она бу |
|
д е т |
затянута облаком примесных атомов, вакансий и |
|
внедренных собственных |
атомов. |
|
|
Появление зуба текучести при деформации кристал |
|
л о в |
связано со следующим |
процессом. После начала рас- |
т я ж е н ия образца с постоянной скоростью первоначальные небольшие напряжения не могут заставить существую щие дислокации двигаться быстро, поэтому напряжения возрастают. Это приводит к размножению и ускорению дислокаций. В результате напряжение перестает увели чиваться, т. к. деформация кристалла, обусловленная движением дислокаций, становится равной скорости де формирования, задаваемой испытательной машиной. В какой-то момент происходит сдвиг равновесия в дру гую сторону и дислокаций оказывается слишком много, поэтому напряжение упадет до уровня, когда движение дислокаций замедлится и скорость деформации кристал
ла вновь станет равной скорости растяжения |
машиной. |
|||
Таким образом, |
зуб текучести — это своего рода |
пласти |
||
ческая деформация «по инерции» или результат |
слишком |
|||
бурного размножения |
дислокаций на пределе |
текучести. |
||
Д л я появления |
зуба |
текучести необходимо, |
чтобы на |
чальная плотность дислокаций была мала, и они бы не
слишком быстро двигались при начальных |
напряжениях, |
а главное, чтобы дислокации быстро |
размножались . |
После облучения кристаллической решетки дислокации оказываются сильно блокированы и поэтому условия для появления зуба текучести становятся чрезвычайно бла гоприятными.
Упрочнение кристаллов во время деформации может происходить одновременно по нескольким механизмам. Одним из основных является упрочнение за счет упруго го взаимодействия полей напряжений отдельных дисло
каций, особенно в случае, когда |
дислокации за счет |
||
равномерного распределения |
в |
объеме |
контролируют |
весь кристалл. В этом случае |
дислокации, |
осуществляю |
щие пластическую деформацию кристалла, упруго взаи модействуют как с дислокациями в своих плоскостях скольжения, не приближаясь к ним вплотную из-за своей одноименности, так и с «дислокациями леса», которые пересекают данную плоскость скольжения. Наиболее сильное упрочнение происходит, когда начинают упруго взаимодействовать не отдельные дислокации, а скопле ния дислокаций. Обычно это происходит после окончания стадии легкого скольжения, когда в объеме кристалла сформируется достаточное число скоплений дислокаций.
Универсальным является правило, о котором уже |
упо |
миналось выше — ч е м меньше имеется R кристалле |
воз- |
можных плоскостей скольжения, тем меньше упрочнение. Если, например, в гранецентрнрованном кубическом кри сталле скольжение начинается одновременно в двух си стемах, то дислокации разных плоскостей скольжения начинают взаимодействовать между собой и образуют так называемые сидячие дислокации Ломера - Коттрелла . Такие сидячие дислокации в конце концов могут полно стью заблокировать скольжение в отдельных системах скольжения, и это приведет к сильному упрочнению кри сталла.
Около сидячих дислокации могут образовываться мощные скопления дислокаций, состоящие из десятков дислокации, суммарные упругие поля которых эквива лентны полям гипотетических гигантских дислокаций. Поскольку напряжения, которые необходимо приложить для продвижения одной дислокации мимо другой парал лельной плоскости скольжения, пропорционально вели чине ее вектора Бюргерса и обратно пропорционально расстоянию между ними, то гигантские дислокации тер
роризируют скользящие дислокации в других |
плоскостях |
и служат мощными барьерами для развития |
скольже |
ния. |
|
Позади движущихся винтовых дислокаций обычно остаются дислокационные сплетения, состоящие из ди полей краевых дислокаций и петель. Они могут быть причиной деформационного упрочнения, поскольку об разуются в местах, где началось скольжение, и препят ствуют движению остальных дислокаций. Наконец, деформационное упрочнение может быть связано с дви
жением вакансионных порогов на винтовых |
дислокациях |
с образованием цепочек вакансий вслед за |
движущейся |
дислокацией. Последующие дислокации могут оказаться заблокированными точечными дефектами.
Скорость деформационного упрочнения тесно связа на с изменением плотности дислокаций во время дефор мации. Наименьшая скорость упрочнения наблюдается в кристаллах с простым скольжением, как, например, в гексагональных металлах по плоскостям базиса. В этом случае большинство дислокаций свободно скользит сквозь кристалл, не создавая и не встречая на пути больших барьеров. Можно сказать, что дислокации, как ток в проводнике, проходят сквозь кристалл, образуясь примерно в таком ж е количестве, в каком сколько их
выходит из кристалла. В гранецентрированных кубиче ских кристаллах может наблюдаться своеобразное сту пенчатое упрочнение. Сначала происходит легкое сколь жение в одном наборе плотноупакованных плоскостей, затем оно перебрасывается в другой набор плоскостей и так постепенно оказывается продеформирован весь объем криеталла. Дислокационная структура таких об разцов представляет собой чрезвычайно густую сетку со многими скоплениями дислокаций. Таким образом, при множественном скольжении дислокации стремятся превратиться в свою противоположность и вместо облег чения пластической деформации твердого тела начинают
еезатруднять.
Г Л А В А IV
ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ
§1. Термодинамика точечных дефектов
Свозникновением точечных дефектов (вакансий, межузельных атомов и их комплексов) связано, с одной стороны, увеличение внутренней энергии кристалла, с другой,— увеличение конфигурационной энтропии. По нятие конфигурационной энтропии должно быть многим знакомо. Она характеризует степень беспорядка в, систе ме. Чем больше энтропия, тем меньше свободная энер гия кристалла, а поскольку свободная энергия опреде ляется разностью внутренней энергии и энтропийного фактора, то при каждой данной температуре свободная энергия минимальна лишь при некоторой определенной концентрации дефектов, что определяется балансом энер
гетической |
и энтропийной составляющей. |
||
В общем |
виде концентрация |
дефектов |
записывается: |
|
|
-Е/ |
|
|
n = N-A-e |
k T |
(II) ~ |
где N — число узлов в решетке;
А— предэкспоненциальный множитель, учитывающий вклад в энтропию;
Е( — энергия образования одного дефекта.
Вблизи дефекта меняется частота колебаний атомов и имеет место «нониусное» смещение атомов. В случае внедренного атома появляется сгущение, и частоты ко лебаний вокруг дефекта повышаются, поэтому соответ ствующий «локальный» вклад в энтропию будет отрица тельным. Наоборот, для вакансии частоты близлежащих атомов понижаются, и соответствующий вклад в энтро пию должен быть положительным.
§ 2. Энергия образования точечных дефектов
Если считать, что вокруг вакансии отсутствует пере распределение атомов и электронов, то энергия образо вания вакансии равна энергии решетки кристалла в рас
чете на один |
атом. Учтя |
целый ряд факторов |
атомной |
||||
и электронной |
релаксации |
(изменение энергии |
взаимо |
||||
действия электронов, энергию |
по-новому распределенно |
||||||
го заряда, кинетическую энергию неоднородно |
распреде |
||||||
ленного заряда, изменение |
энергии |
отталкивания |
остова |
||||
и т. д . ), можно определить, |
что |
энергия |
образования |
||||
вакансий в металле составляет примерно 1—2 |
эв. |
Энер |
|||||
гия образования межузельных |
атомов 5—6 |
эв. |
|
|
Энергию образования вакансий можно связывать так ж е с удельной поверхностной свободной энергией в пред положении, что образование вакансии эквивалентно соз данию новой поверхности с площадью, равной площади одного атомного объема, с учетом уменьшения поверх ностной энергии за счет некоторого сжатия вокруг дефек та. Этот метод дает завышенные величины в 1,5—2 раза и может быть применен только для грубой оценки энер гии образования дефектов в различных металлах.
§ 3. Искажения решетки вокруг точечных дефектов
К а к указывалось, вблизи точечных дефектов имеет место некоторое смещение атомов, находящихся в узлах решетки. Б л и ж а й ш и е к вакансии атомы релаксируют в сторону вакансии приблизительно на 25%, а релаксация соседей межузельного атома составляет в обратную сто рону 10%. Искажения при удалении от дефекта убывают немонотонно. Так, во второй координационной сфере во круг вакансии атомы смещаются не по направлению к вакансии, а, как ни удивительно, от нее.