Файл: Лодиз, Р. Рост монокристаллов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 14.10.2024

Просмотров: 161

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

V . СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТЕЙ РАЗДЕЛА И ПОВЕРХНОСТНАЯ КИНЕТИКА 4 2 9

вость некоторой

бесконечной плоской поверхности к разбиению

на микрограни

(или фасетки). На фиг. 15,а построен график из-

р=0

р,

рг

р0

 

 

р=0

р=р0

 

 

в

 

 

 

 

 

г

 

Ф и г . 15.

Удельная

(приходящаяся

на

единичную

площадь)

свободная

энергия базовой

поверхности р. (р) для

нескольких

возможных

преобразо­

ваний неустойчивой поверхности

[р =

0 и

р =

р 0 — особые (с угловыми точ­

 

 

 

ками)

ориентации]

[13].

 

 

менения удельной (приходящейся на единичную площадь) сво­ бодной энергии базовой поверхности

P(P)=(1+P 2 ) , / 2 Y(P)

(16-3)

в зависимости от наклона

 

 

Р

- ~ £

(16-4)

для кристаллической поверхности, описываемой функцией

 

z =

z(x,y).

(16.5)

Угловые точки при р = 0 и р = р0 соответствуют сингулярным поверхностям. Кабрера и Кольман [13] продемонстрировали, как, вычерчивая касательные к кривой Р(р), можно определить устойчивые ориентации. На фиг. 15,6 все ориентации между р = 0 и ро = 0 устойчивы. На фиг. 15, в все ориентации в


430

Р. ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

интервалах 0 — pi

и рг — ро

неустойчивы, однако

все ориентации

в интервале р\ — р2,

а также в точках р = 0 и р0

устойчивы. На

фиг. 15,г устойчивы

только

р — О и ро. (Хирс [144] показал, что

при других формах

зависимости |3(р)

графики могут приводить

к иному типу

распада.)

 

 

 

4. Химический

потенциал

и функции

у (6). Классическая фор­

мула Гиббса — Томсона определяет увеличение химического по­ тенциала малых жидких капелек с уменьшением их размера. За­ пишем эту формулу в виде

 

Au. = Q Y ( ^ + ^

) .

 

(16.6)

Для кристаллов с y — y{Q)

Херринг

[11] вывел

(см. Маллинз

[12]) следующую обобщенную формулу химического

потенциала

в некоторой

точке Р:

 

 

 

 

Ац (Р) = Q

 

 

 

(16.7)

где

 

 

 

 

 

 

К'^^г;

К'2 =

-^.

 

(16.8)

В формулах

(16.6) — (16.8)

К\ и К'ч суть главные

кривизны в

точке Р; R\

и R2 — соответствующие

радиусы

кривизны; Q —

атомный объем; 81 и 62 — соответствующие углы по отношению к точке Р. Новыми членами формул являются вторые производ­ ные от у. Для равновесной формы химический потенциал, опре­ деляемый формулой (16.7), должен, разумеется, быть одинако­

вым во всех точках

поверхности: в противном случае свободная

энергия могла бы

снизиться посредством перераспределения.

[В угловых точках

формула (16.7) теряет смысл, поскольку там

вторые производные не существуют.] Чернов [17] проанализиро­

вал связь между

формулой

(16.7) и теоремой Вульфа.

5. Неоднородные

системы;

диффузные фазовые границы. Как

уже отмечалось в гл. IV, посвященной зарождению, Кан и Хиллиард [16] (см. также работу Видома [145]) исследовали термо­ динамику неоднородных систем; они, в частности, показали, что энергию фазовой границы можно понизить, если допустить, что концентрация или плотность вещества на ней изменяется не скачком, а постепенно. Для доказательства они выбрали а качестве переменной состав С и разложили удельную (приходя­ щуюся на молекулу) локальную свободную энергию неоднород­ ной системы G(C) в ряд Тейлора относительно точки Go, т. е. удельной (приходящейся на молекулу) свободной энергии рас­ твора с однородным составом С. Отсюда они получили, что


V. СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТЕЙ РАЗДЕЛА И ПОВЕРХНОСТНАЯ КИНЕТИКА 431

свободная энергия G' малого объема неоднородной системы вы­ ражается в виде

G' = NV j [G0 + x(VC)2 + ...\dV,

(16.9)

v

где Nv — число молекул в единичном объеме, V — объем и

d2G

d2G

(16.10)

к = — [dC-d(V2C)

DLVCI

Из формулы (16.9) следует, что свободную энергию малого объема неоднородного раствора можно выразить как сумму двух слагаемых — свободной энергии однородного раствора и члена градиентной энергии, зависящего от локального состава. Если распространить эту теорию на плоскую фазовую границу между двумя сосуществующими фазами а и 6 составов Са и Cg для компонентов Л и В, то окажется, что удельная свободная энер­ гия фазовой границы

 

 

оо

 

 

 

 

 

 

y = Nv |

[AG(C) +

x ( - ^ ) 2

] d x ,

 

(16.11)

 

ОО

 

 

 

 

 

где

AG (С)—отнесенная

к

стандартному

состоянию

свободная

энергия равновесной смеси

а и В, определяемая

как

AG (С) =

=

GQ(C) — [Ср,в (С) + (1 — С)цА(С)].

Здесь

ц,А и

ц,в суть удель­

ные (приходящиеся на молекулу) химические потенциалы ком­ понентов А и В. Чем шире фазовая граница, т. е. чем более она размыта, тем меньше в формуле (16.11) член градиентной энер­ гии x(dC/dx)2, однако это уменьшение сопровождается повыше­ нием неравновесности состава у фазовой границы и, следова­ тельно, увеличением первого члена. Из условия минимума сле­ дует, что

y = 2Nv J [xAG(C)]'A rfC.

(16.12)

Для распространения этого термодинамического соотношения на конкретные системы необходимо сделать определенные предпо­ ложения относительно х и AG.

Структура и энергетика атомистических моделей. Введение. Как уже отмечалось, атомистический подход состоит в том, что строят различные атомные модели поверхностей или фазовых границ, делают предположения о характере сил взаимодействия атомов и рассчитывают энергетику и кинетику явлений на основе классической механики, статистической механики, кинетиче­ ской теории и теории переноса. Настоящий раздел посвящен в основном структурам и энергетике атомистических моделей,


' 432 Р. ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

Чтобы создать модель поверхностной структуры, необходимо провести, исходя из определенной геометрии этой структуры, не­ которые физические расчеты, которые согласуются с ней и пред­ сказывают ее некоторые измеряемые характеристики. Идеаль­ ной модели не существует вообще: правильнее всего было бы не постулировать модель, а рассчитать все свойства ab initio^, исходя из функций состояния и зная межатомные силы. Для та­

ких сложных систем многих тел, какими являются

кристаллы

или граничные слои кристалл — жидкость, методы

статистиче­

ской механики, разумеется, мало что дают. Широкое использо­ вание моделей, как это имеет место в работах по механизмам

роста кристаллов, служит до некоторой

степени

свидетельством

ограниченности наших познаний

в этой

области. Будь в наших

руках

микроскоп с разрешением

Ю - 9 см, который к тому же не

вносил

бы

искажений в наблюдаемый

процесс,

необходимость

в создании

все новых и новых моделей резко пошла бы на убыль.

Модельные расчеты должны давать численные предсказания измеряемых величин; к тому же с учетом произвольности и не­ доработанное™ большинства моделей результаты таких расчетов нужно стремиться сделать устойчивыми по отношению к не­ большим изменениям выбранной модели. Иными словами, не­ обходимо стремиться к тому, чтобы отделить предсказания мо­ дели, которые имеют общее значение, от выводов, справедливых лишь для данной конкретной модели (что редко делают). Кроме того, порой трудно доказать, что данная модель есть единствен­ ная модель, способная объяснить экспериментальные факты. На­ конец, встает извечный вопрос: чему отдать предпочтение — про­ стой, обеспечивающей строгое решение нереальной модели или же сложной, допускающей лишь приближенные решения, но зато реальной модели?

/. Модели поверхностной

шероховатости.

В таких моделях

основной вопрос сводится к тому, каким образом изменяется кон­ центрация поверхностных вакансий или адсорбированных по­ верхностью атомов (адатомов) по мере повышения температуры. Этот вопрос существен, поскольку атомно-гладкая поверхность, как принято считать (по крайней мере в модели Косселя), спо­ собна расти лишь в том случае, когда на ней образовались сту­ пени; следовательно, возникновение, число и характер движения этих ступеней имеет первостепенное значение для расчета ско­ ростей роста кристаллов. В другом случае, а именно для атом- но-шероховатых поверхностей нужды в ступенях нет (иначе говоря, предполагается, что ступени существуют повсюду) и ме­ ханизм роста сильно упрощается. Различные модели поверхност­ ной шероховатости отличаются одна от другой в зависимости от

') С самого начала. — Прим. перев.


V. СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТЕЙ РАЗДЕЛА И ПОВЕРХНОСТНАЯ КИНЕТИКА 433

того, какой принимается толщина поверхностного слоя, в кото­ ром, как полагают, образуются вакансии, а также от природы среды.

Теория Онсагера [29], а также Бартона и Кабреры [40]. Эти расчеты уже частично обсуждались в гл. I I . Модель основана на двумерной квадратной решетке с двумя уровнями, т. е. рас­ сматривается исходная поверхность и слой " адсорбированных на ней молекул. Расчет дает строгое решение. Для квадратной решетки с четырьмя ближайшими соседями

- ^ ~ 0 , 5 7 , (16.13)

где ф — энергия взаимодействия двух ближайших соседей, Тгкр

критическая температура поверхностного

плавления,

которая,

как принято считать, в случае плотноупакованных

(сингуляр­

ных) поверхностей металлов превосходит

температуру плавле­

ния объемного материала. Анализ поверхностной шероховато­ сти показывает, что при Т Т!кр на поверхности существуют лишь одиночные атомы, но отнюдь не их группировки и не сту­ пени.

В этом расчете не учитывается взаимодействие поверхности с внешней средой (жидкостью или паром). Предполагается, что любые адатомы выходят из самого поверхностного слоя.

Теория Джексона [42, 43]. Эта теория также обсуждалась в

гл. I I . Она основана на модели с двумя

уровнями и использует

приближение Брэгга — Вильямса

для

анализа поверхностного

слоя, контактирующего со второй

фазой (с расплавом) в со­

стоянии равновесия. Предполагается, что система находится при

температуре

равновесия — при температуре

плавления

(в слу­

чае контакта

кристалла с его расплавом) или близко

к темпе­

ратуре плавления (при контакте кристалла

с паром);

поэтому

вопрос о том, будет ли поверхность шероховатой (когда

она на­

половину покрыта адатомами) или гладкой (с малым числом адатомов) в зависимости от температуры, не исследуется. Ше­ роховатость исследуется в зависимости от скрытой теплоты превращения L и от относительной энергии связи атома с бли­ жайшими соседями в данной плоскости.

Джексон установил, что в случае контакта с паровой фазой плотноупакованные грани должны быть, вообще говоря, глад­ кими; однако при контакте с расплавом структура поверхности сильно зависит от природы вещества (подробнее об этом гово­ рится в разд. 19, посвященном поверхностной кинетике при ро­ сте из расплава). Джексон отметил, что .макроскопически на­ блюдаемая морфология фазовых границ расплав — кристалл в.