Файл: Лодиз, Р. Рост монокристаллов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 14.10.2024

Просмотров: 156

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

434

P. ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

однокомпонентных системах часто согласуется с этой моделью. Будучи, однако, приближенной, теория Джексона способна зна­ чительно завысить критическую температуру по сравнению со строгим решением Онсагера [146, 147].

Теория Маллинза [148]. Маллинз [148] разработал теорию поверхностного плавления, основываясь на модели Бартона — Кабреры, но используя при этом более простой метод Брэгга — Вильямса и решая задачу с тремя возможными уровнями (т. е.

2,0

sr 1,0

 

 

О

 

1,0

 

2,0

 

 

 

 

 

 

 

 

кТ/р

 

 

 

 

 

 

Ф и г .

16.

Кривые изменения поверхностной

шероховатости

Sr

в

зависи­

мости

от приведенной температуры

йГ/ср по

теории Маллинза

(сплошная) и

 

 

по теории

Бартона и

Кабреры

(штриховая)

[148].

 

 

учитывая

и адатомы,

и вакансии). Рассматривается

грань

(100)

простой

кубической

решетки,

причем

энергия

одной

атомной

связи между ближайшими соседями принимается равной ф/2. По­ лученный Маллинзом график для поверхностной шероховатости (т. е. числа параллельных поверхности связей на молекулу) при­ веден на фиг. 16; этот результат довольно близок к данным, по­ лученным Бартоном и Кабрерой. Сходный с ними вывод сделан и относительно поверхностного плавления. И в теории Маллинза взаимодействием поверхностного слоя с внешней средой пренебрегается.

Теория Темкина

[147]. Темкин

исследовал

по методу Брэг­

га— Вильямса равновесную структуру границы

кристалл—/рас­

плав для плоскости

(100) простой

кубической

решетки, считая,


V. СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТЕЙ РАЗДЕЛА И ПОВЕРХНОСТНАЯ КИНЕТИКА 435

что каждый атом имеет 6 ближайших соседей, из которых 4 ле­ жат в плоскости, параллельной (100). Рассматривается случай произвольного числа п уровней, причем получено численное ре­ шение. Установлено, что эффективная толщина граничного слоя плавно меняется в зависимости от параметра

Aw'

(16.14)

кТпл

 

где

Гпл температура

плавления

(фиг. 17). Здесь энергию w'

(названную Темкиным

удельной

поверхностной энергией

на

атом) можно, как

и в

теории

Джексона,

рассматривать

как

 

 

 

+ + + ио 1

 

 

 

 

1

 

 

 

 

+ +

о

о

 

+

у"= 0,446

 

 

 

 

 

О

 

0,769

 

 

0,8

 

 

+

+ О

 

 

1,889

 

 

0,6

 

 

 

+ +

 

 

3,310

 

 

0,4

 

 

 

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

\J—

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

 

 

 

 

 

о, г

 

 

 

 

О +

 

 

 

 

 

 

 

 

 

• •

+

 

 

 

 

 

 

 

 

-п

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-10

 

г

 

о. .о°°+

0 + + t10

 

Ф и г .

17. Ширина фазовой

границы по теории Темкина [147] (распределе­

ние концентрации «твердых» атомов Сп

в зависимости от положения слоя п

 

при

различных значениях параметра

у").

 

энергию связи, которую находят делением скрытой теплоты плав­

ления

на число ближайших соседей, т. е. в случае простой куби­

ческой

решетки w' = {I&L, где L — скрытая теплота

плавления.

[Отметим, что критерий Джексона а = 2 для грани

(100), у ко­

торой

fh = 2 /з, принимает

вид

&7'Пл/ф: =

2, где 6 ф ; = Ь .

Теория

Темкина дает /гГП л/а/ =

1,6.

Как уже

отмечалось,

w'

можно

также

отождествить с ll&L] В точке, для

которой

 

 

 

- g ^ . ~ 0 , 8 2 = ^ - ,

 

 

(16.15)

существует перегиб, однако нет резкого падения [по теории Джексона правая часть (16.15) равна единице]; следовательно, 1/у" = 0,41 (фиг. 18). В точке перегиба у" ж 2,4, откуда сле­ дует (фиг. 17), что толщина граничного слоя меньше одного


436

Р. ПЛРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

атомного диаметра. Этот вывод качественно согласуется с тео­ рией Джексона. Разумеется, при более высоких значениях у" теория Темкина предсказывает очень большие толщины гранич­ ного слоя.

Другие теории. Воронков и Чернов [149] исследовали атом­ ную шероховатость фазовой границы кристалл — раствор для однокомпонентного кристалла простой кубической решетки и идеального бинарного раствора. Они предсказали существова­ ние критической температуры перехода, зависящей от концен­ трации раствора.

Ю |

1

1

1

1

г—1

8

 

 

 

 

 

6

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

г

 

 

 

 

 

О

0,4

0,8

1,2

1,6

2,0

 

 

1/у"=хГпп/4ю

 

 

Ф и г . 18. Изменение

поверхностной

шероховатости

Sr в зависимости от

1/у" =

kTnn(Aw

по теории Темкина

[147].

Керр и Вайнгард [150] также исследовали бинарную систему исходя из модели Джексона [42, 43] для двух уровней; получен­ ные ими результаты они применили к структуре фазовых границ эвтектических сплавов висмута с серебром и висмута с оловом.

Мутафчиев

[151], пользуясь методом

Брэгга — Вильямса, ис­

следовал поверхностную шероховатость

границ кристалл — пар

и кристалл — жидкость. Однако

он рассматривал

в явном виде

поверхностную

шероховатость

(«автоадсорбцию»)

в зависимо­

сти от степени отклонения системы от равновесия или пересы­ щения.

Расчет свободной поверхностной энергии по атомным моде­ лям. В таких расчетах основное внимание уделяется определе­ нию поверхностной, или межфазной, свободной энергии и изме­ нению ее с ориентацией, т. е. анизотропии.


V. СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТЕЙ РАЗДЕЛА И ПОВЕРХНОСТНАЯ КИНЕТИКА 437

Маллинз. Маллинз [12] определял поверхностную энергию в зависимости от ориентации (график изменения у) при 0°С для двумерной простой кубической решетки в приближении ближай­ ших соседей. На фиг. 19 показана модель расчета и соответ­ ствующий (двумерный) график изменения у. Атомы изобра­ жаются квадратами. Для создания показанной поверхности с общей «площадью» 2/cos6 (в расчете на две стороны) необхо­ димо энергию связи ф умножить на число разорванных связей.

/;

Единичное

,

 

 

 

расстояние

*">

 

 

 

а

6

 

 

Ф и г .

19. Анизотропия

свободной поверхностной энергии

у (в) в

двумер­

ной

модели разорванных связей с учетом ближайших

соседей

[12'].

а — строение поверхности; б—график изменения у (8).

Это число (для единичного отрезка и атома со стороной а) со­ ставляет 1/а для свободных вертикальных и tg в/а для горизон­ тальных связей. Тогда для у получим

У ( Щ - * ( , " ^ Г , " ' " > - £ - ( с о . 0 + ^ Щ .

06.16,

где 0 — угол между нормалью к новой поверхности и положи­ тельной осью у. Формула (16.16) описывает окружность, прохо­ дящую через начало координат в верхнем левом квадранте фиг. 19,6. Учитывая симметрию выбранной атомной модели, по­ лучаем четыре такие окружности (фиг. 19,6), а кривая у (9) представляет их внешнюю часть. Таким образом, на кривой у(8) существуют четыре острых минимума, где производная dy/dQ терпит разрыв. Построение Вульфа, определяющее равновесную форму, также показано на фиг. 19,6; оно представляет собой попросту квадрат, проходящий через упомянутые четыре мини­ мума. Все иные плоскости, перпендикулярные другим значе­ ниям y{Q), не изменяют квадратную форму внутренней огибаю­ щей, поскольку они проходят через ее углы. Маллинз рассмот­ рел также другие следствия и ограничения этой очень простой