Файл: Лодиз, Р. Рост монокристаллов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 14.10.2024

Просмотров: 134

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

490

Р. ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

фронта, отказавшись от принятого Маллинзом и Секеркой [218] предположения о стационарности уравнений диффузии и тепло­ проводности и использовав вместо них уравнения общего вида, учитывающие зависимость температуры и концентрации от вре­ мени. Достаточно сложный метод расчета состоит в том, что не­ линейное граничное условие непрерывности потоков линеари­ зуется путем представления температуры и концентрации в виде суммы большой величины, удовлетворяющей стационарным уравнениям, и малой величины, зависящей от времени. Затем применяются преобразование Лапласа и преобразование Фурье. Чтобы вывести условие устойчивости для бинарного сплава, ко­ торое должно учитывать как тепловое, так и концентрационное поля, при отыскании решения пришлось предположить стацио­ нарность теплового поля. Найденное таким образом условие устойчивости согласуется с уже рассмотренным критерием Маллинза и Секерки [218], полученным в стационарном приближе­ нии.

Точное решение задачи с учетом зависимости от времени по­ лучено для плоского фронта кристаллизации из раствора при постоянной температуре [236]. Проведено сравнение результатов с данными, полученными как без учета зависимости от времени, так и в предположении справедливости уравнения Лапласа. Условие устойчивости по отношению к возмущению с длиной волны Я, оказавшееся одинаковым во всех трех случаях, запи­ сывается следующим образом:

Я < Я0

= 2я

 

 

 

 

Чг

(С,

 

0 )

 

(23.7)

 

 

c

v

 

Однако эти три метода предсказывают совершенно различное поведение возмущения с заданной длиной волны в зависимости от времени; так, эти расчеты дают разные значения длины волны и скорости роста амплитуды наиболее быстро растущего возму­ щения, хотя при достаточно больших величинах отношения D/V эти значения сближаются. Наконец, выполнен численный расчет изменения возмущения поверхности раздела фаз определенной формы [большой центральный выступ, сопровождаемый другими, уменьшающимися по мере удаления от этого центра; конфигу­ рация описывается функцией (s'mx)/x'\; оказывается, что от по­ добного возмущения по поверхности может распространяться волновое возмущение.

Дельвес [237, 238], также предложивший теорию направлен­ ной кристаллизации бинарного сплава с учетом зависимости от времени, нашел те же условия устойчивости, что и Маллинз с Секеркой [218].


Vt. МОРФОЛОГИЧЕСКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ

491

24.Э К С П Е Р И М Е Н Т А Л Ь Н Ы Е ИССЛЕДОВАНИЯ МОРФОЛОГИЧЕСКОЙ УСТОЙЧИВОСТИ

Количественное сравнение с теорией. Харди и Кориелл [239, 240] измерили скорость роста (или исчезновения) возмущений на цилиндрическом кристалле льда, растущем из дистиллиро­ ванной воды при малых переохлаждениях. Измеренные скорости сравнивались со скоростями, рассчитанными по теории морфо­ логической устойчивости [109]. Ось цилиндра была перпендику­ лярна грани базиса, направление роста — параллельно послед­ ней; кинетический коэффициент, соответствующий росту в этом направлении, как известно, довольно велик, так что переохла­ ждение, отбираемое кинетическими процессами, пренебрежимо мало. Поскольку переохлаждения и скорости кристаллизации в этих экспериментах малы, стационарное приближение, использо­ ванное в расчетах, справедливо. Условие устойчивости, отвечаю­ щее эксперименту, выводится из условия, сформулированного Кориеллом и Паркером [109]; следует только ввести обозначения, соответствующие тепловой задаче, и внести изменения и допол­ нения, учитывающие конечные размеры сосуда. В итоге полу­

чается следующее условие

устойчивости:

 

 

 

 

 

о/б

 

 

 

[*2 +

*

f - 1

]

( W

(HK

+ "IKS!KL)

 

Т

П

RtR~y

(

кк

'

 

 

 

( # // < -- lО)

 

'

 

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

HK

=

kz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

И - h

/k-l(kz)

+

Ik +

l{kz)

 

 

 

 

 

Здесь

Kk и h — функции

Бесселя

мнимого

аргумента;

/?0

 

— ра­

диус

сосуда

(цилиндрического);

Ks и Кь — температуропровод­

ности (остальные обозначения прежние).

 

 

 

 

 

Параметры,

стоящие в левой

части

условия

(24.1),

измерены

на опыте,

тогда

как

характеристики в правой

его части

можно

рассчитать, если известна свободная поверхностная энергия

границы лед —вода

и, следовательно,

fl* = TnJIySLjLv(Tnn

— Г,)

( L Y — скрытая

теплота плавления единичного объема)

и если

к тому же известна

температура термостата 7V Можно, наобо­

рот, рассчитать

у$ь

из условия (24.1)

и сравнить

это значение

со значениями,

найденными другими

способами.

На

фиг. 34


V I . МОРФОЛОГИЧЕСКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ

493

воспроизведены фотографии цилиндрического кристалла льда с возмущениями при АГ = —0,095 °С. Некоторые измеренные пара­ метры (б, Яг , R, R) и вычисленные на их основе значения поверх­

ностной

энергии,

которая

оказалась

равной в

среднем

1 6 - Ю - 3

Дж/м2 , приведены в табл.

1 [240]. По результатам иссле­

дований

зародышеобразования

[241] значения

ySL

составили

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 1

 

Данные о росте

цилиндрического кристалла

льда

 

6, см

%г, см

R, см

см/с

Нк-1

(Rib)

Wk)

V103 , Дж/м

0,0032

0,052

0,182

5,49

 

22,2

16,4

11,6

0,0030

0,057

0,168

6,00

 

19,0

12,3

19,3

0,0095

0,055

0,154

5,90

 

18,0

12,2

16,1

0.0072

0,052

0,135

6,25

 

16,8

10,6

17,1

0,0031

0,062

0,185

5,92

 

19,2

14,0

17,0

20 - Ю - 3 Д ж / м 2 при —40 °С и 24- Ю - 3 Д ж / м 2 при 0°С. Такое соот­ ветствие надо признать вполне удовлетворительным, особенно если учесть, что величина у, полученная из теории морфологиче­ ской неустойчивости, есть результат усреднения по всем плоско­ стям, параллельным оси с, в то время как значение, полученное из данных по зарождению, связано также с другими плоско­ стями.

Эксперименты типа «да нет». Как уже упоминалось, крите­ рий морфологической устойчивости, выведенный Маллинзом и Секеркой, сводится к критерию концентрационного переохлажде­ ния Тиллера и др. [221] [см. формулу (22.24)], если считать спра­ ведливым грубое предположение о равенстве градиентов тем­ пературы в кристалле и расплаве и не учитывать влияния поверхностной энергии. Следовательно, экспериментальная про­ верка критерия концентрационного переохлаждения, проведен­ ная Уолтоном и др. [222], подтверждает в тех пределах, в каких справедливы сделанные предположения, и теорию морфологиче­ ской неустойчивости плоского фронта кристаллизации разбав­ ленного сплава, предложенную Маллинзом и Секеркой. На фиг. 35 видно, что существует довольно резкая граница, отде­ ляющая область устойчивости (отсутствие ячеек) от области не­ устойчивости (фронт разбит на ячейки). Наклон этой границы, согласно соотношению (22.24), выражается формулой


494 Р. ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

где ko — равновесный коэффициент распределения примеси. Под­ ставляя в эту формулу параметры, измеренные при кристаллиза­ ции сплава олова со свинцом, для коэффициента диффузии свин­ ца в жидком олове получаем значение 2 , 0 - Ю - 5 см 2 /с Непосред­ ственное измерение коэффициента диффузии [243] с температур­ ными поправками, внесенными Уолтоном и др. [222], дает

Ф и г . 35.

Морфологическая

неустойчивость плоского фронта кристаллиза­

 

 

ции

разбавленного сплава.

Зависимость

исходной

концентрации

свинца в олове, выше которой возникают ячейки,

от отношения градиента

температуры

к скорости роста; получена в работе [222]; X — ячейки

 

есть; •—ячейки

исчезают; Д — пустулы; (_)— ячеек нет.

2,0-10~5 см 2 /с Оба значения хорошо согласуются друг с другом, хотя формула (24.2) приближенная и к тому же для измерения подставляемых в нее параметров был использован метод декан­ тации [243], сопряженный с известными трудностями.

Качественные наблюдения морфологической неустойчивости.

Аракава [244] фотографировал последовательные стадии роста и развития неустойчивости маленьких ледяных дисков при их росте параллельно плоскости базиса на поверхности переохла­ жденной воды. Такие диски остаются круглыми, пока их диаметр не достигает 1—2 мм. Затем на краю диска развиваются много­ численные (сотни) выступы. Сначала ось шестого порядка не


VI. МОРФОЛОГИЧЕСКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ

495

проявляется, но при дальнейшем росте одни выступы растут быстрее других, так что гексагональная симметрия становится заметной. Уиллиамсон и Чалмерс [245] также зафиксировали на фотографиях поведение ледяных дисков, прикрепленных к краю подложки.

Многие работы посвящены наблюдению дендритного роста, существование которого качественно подтверждает идею морфо­ логической неустойчивости. Из этих работ следует упомянуть классическую работу Папапетру [75], прекрасные фотографии снежинок, сделанные Накайей [5], работы Мейсона, также ис­ следовавшего лед [246, 247], обзор Тиллера [248] и монографии Чалмерса [80] и Саратовкина [249].

V I I

ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ НА МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

25. В В Е Д Е Н И Е

Влияние примесей на рост кристаллов проявляется весьма многообразно. Примеси в малых концентрациях влияют иначе, чем в больших. Эффекты могут быть равновесными, неравновес­ но-стационарными и нестационарными. В одних случаях при­ меси ускоряют рост кристаллов, в других замедляют его. При­ меси влияют на растворение, плавление и испарение. Укажем на ряд других эффектов: кристаллографические (статические, - структурные эффекты); кинетические или динамические; адсорб­ ционные (касаются фазовых границ с различными изотермами адсорбции); одни примеси неподвижны на фазовых границах, другие перемещаются; атомарные, молекулярные или ионные примеси образуют скопления в системах, причем более крупные из этих скоплений (но все еще субмикронных размеров) обра­ зуют примесные фазы. Примеси влияют на изломы, ступени, скопления ступеней и кинематические волны; примеси вызывают электрические эффекты на границах раздела, влияют на по­ верхностную и межфазную энергию и, следовательно, на вероят­ ности зародышеобразования.

Перечисленные эффекты чаще всего перекрываются, тем не менее мы решили здесь выделить две отдельные проблемы:

1)влияние примесей на сам процесс роста;

2)количество и распределение примеси, захваченной кри­ сталлом в процессе роста.

При анализе второй проблемы предполагается, что скорость роста кристаллов и равновесная диаграмма состояния в общем случае известны; рассчитываются эффекты оттеснения и диффу­ зии примесей, учитываются перемешивание среды, неустойчи­ вость фронта кристаллизации, определяется влияние этих факто­ ров на реальный коэффициент распределения примеси в кри­ сталле (см., например, обсуждение вопросов концентрационного переохлаждения в гл. V I , посвященной морфологической устой­ чивости). В этих расчетах мы обычно избегаем трактовок на атомно-молекулярном уровне, ограничиваясь макроскопическим (феноменологическим) анализом. Эта часть предмета за послед­ нее время неоднократно обсуждалась в литературе. Сошлемся здесь на книги и обзоры Чалмерса [80], Пфанна [250, 251], Зифа