ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 14.10.2024
Просмотров: 129
Скачиваний: 0
506 |
|
|
Т . ПАРКЕР . МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ |
|
|||
где |
а К р, |
оо — критическое |
недосыщение |
для максимального |
по |
||
крытия |
(0 = |
1). В случае лэнгмюровской изотермы 9 |
= |
||||
= |
Ci/(1//Ca + |
С,), ГДе Ка — ПОСТОЯННЭЯ, |
Получаем |
|
|||
|
|
|
°кр |
^гА а°кр, оо |
°кр, оо |
|
эта формула согласуется с экспериментами. Кроме того, адсорб ция ферроцианида на очень малых кристаллах NaCl была изме рена непосредственным образом. Измеренные таким путем по крытия не более чем в 10 раз отличались от тех, которые сле дуют из формулы (29.6') при известной растворимости.
30. КИНЕМАТИЧЕСКИЕ В О Л Н Ы И Р О Л Ь П Р И М Е С Е Й ПРИ РАСТВОРЕНИИ; ОБРАЗОВАНИЕ ЯМОК Т Р А В Л Е Н И Я
Хьюлетт и Янг [273] обнаружили, что их наблюдения за обра зованием ямок травления в кристаллах меди допускают удовлет ворительное истолкование на основе кинематической теории [13, 203, 204, 274]. Поверхности высокосовершенных кристаллов (плотность дислокаций 2-102—103 с м - 2 ) с ориентацией вблизи (111) подвергали анодному травлению в растворах НС1 при плотностях тока от 5 до 30 мА/см2 , причем растворы содержали примесь НВг в концентрациях от 0,03 до 1,0 М. Ямки травления образовывались на выходах дислокаций (это уже было хорошо известно [275]). Профили ямок травления в зависимости от вре мени измеряли с помощью интерференционного микроскопа. По построенным профилям ступеней у(х) определяли плотности ступеней k(x) = (-\-l/h)dy/dx, где h — высота элементарной сту пени. Из семейства кривых k(x), построенных для разных мо ментов времени, авторам удалось вывести (при постоянном зна чении k) зависимости х от времени, т. е. определить траектории движения точки с постоянной плотностью ступеней. Экспери менты показали, что такие траектории представляют собой пря мые линии, как того требует теорема Франка из теории кинема тических волн (см. гл. V) .
Затем на основе кинематической теории [см. уравнение (20.5)] определяли наклон dx/dt траектории точки с плотностью ступеней k в виде
ди |
dx |
= c(k). |
(30.1) |
1Г |
dk
(Это и есть скорость кинематической волны.) Здесь q[ — q(k)] — поток ступеней, выражающийся как число ступеней, проходящих за секунду через некоторую точку, где число ступеней на санти метр составляет k. По графику зависимости измеренных напло
VII. ВЛИЯНИЕ |
ПРИМЕСЕЙ НА МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ |
507 |
|||||
|
|
|
|
к |
|
|
|
нов от k |
определяется |
интеграл q = | |
с dk, |
откуда получают |
|||
|
|
|
|
и, |
|
|
|
основную |
(искомую) |
кривую |
зависимости |
поток — плотность- |
|||
ступеней |
q = q(k). |
Это |
было |
проведено |
при |
трех содержаниях |
примеси Вг~ (фиг. 39). Видно, что на характер кривых поток —
плотность сильно |
влияет |
концентрация |
примеси |
в растворе. |
||||
60 | |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
|
|
О |
100 |
200 |
300 |
Ш |
500 |
600 |
700 |
800 |
|
|
|
|
|
|
к, 1С'<'ступ/см |
|
|
|
|
||
Ф и г . |
39. |
График |
зависимости |
потока |
ступеней |
q от |
плотности ступеней k |
||||
при |
анодном растворении |
кристалла |
Си |
в 6М |
НС1 |
с плотностью тока |
|||||
|
|
5мА/см2 , иллюстрирующий влияние примеси |
НВг [273]. |
|
|||||||
|
|
|
А — 0,03 М; В — 0,25 М; С —1,0 |
М. |
|
|
|
||||
Форма этих кривых хорошо согласуется с предсказаниями |
Фран |
||||||||||
ка [203] и Кабреры [274]. Кабрера [274] (см. также |
[13]) |
отнес |
|||||||||
кривую |
А к типу I и отметил, что эта кривая |
имеет |
фактически |
форму, предсказанную теорией винтовых дислокаций для пре
дельного |
случая высокой чистоты. Кривая |
С, отнесенная к |
типу |
||
I I , была |
предсказана Франком [203] |
и Кабрерой |
[274]. Для |
нее |
|
характерна положительная кривизна |
(dzq/dk2 |
> 0) |
при малых к. |
Указанная форма кривой объясняется тем, что число частиц, ад сорбированных непосредственно перед ступенью, зависит от времени и, следовательно, сопротивление движению этой сту
пени зависит от интервала времени после прохождения |
предыду |
|||
щей ступени. Таким |
образом, чем больше |
разнесены |
ступени |
|
(т. е. чем меньше к), |
тем меньше |
скорость ступеней qjk, |
и наобо |
|
рот; следовательно, производная |
d2q/dk2 есть |
положительная ве |
||
личина. |
|
|
|
|
Другое следствие из кривой q(k) [273] состоит в образовании разрывов плотности ступеней у ведущего и хвостового краев
508 |
Р. ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ |
эшелона. Как показал Франк, в случае отрицательной производ ной dzqldkz при растворении профиль эшелона ступеней харак теризуется пологим ведущим краем и угловой точкой у хвоста; для положительной производной dzq/dk2 получается обратная картина. В последнем случае, когда угловая точка впереди, об разуется ямка травления с четкой периферией, что благоприят ствует наблюдению ее в микроскопе. И в самом деле, Хьюлетт и Янг убедились в том, что кривым типа I соответствуют ямки травления с размытой периферией; в случае же добавления при месей (тип I I , кривая С на фиг. 39) образуются ямки с резкими контурами.
31.МАКРОСКОПИЧЕСКИЕ ЧАСТИЦЫ
ВКАЧЕСТВЕ П Р И М Е С Е Й
Условия, при которых небольшие инородные частицы с раз мерами, превышающими молекулярные, захватываются или от тесняются фронтом кристаллизации, исследованы, по-видимому, гораздо меньше, чем случай с примесями молекулярных разме ров. Тем не менее эта проблема очень важна; как показали эксперименты Тернбалла [9] по зарождению, в большинстве жидкостей присутствует, по-видимому, множество инородных макроскопических частиц. Джексон [276] предположил, что эти частицы могут быть основной причиной возникновения дислока ций при выращивании кристаллов из расплава.
Ульман и др. [277] провели эксперименты по кристаллизации ряда органических веществ, в том числе салола, в который (преднамеренно) вводились инородные частицы различных ве ществ (Zn, MgO, алмаза и др.) с размерами приблизительно от I до 100 мкм. Макроскопические наблюдения показали, что при достаточно низких скоростях кристаллизации частицы почти всех исследованных материалов оттеснялись фронтом кристал лизации. Если скорость кристаллизации превосходила некото рую критическую величину (в типичном случае несколько ми кронов в секунду), то частицы захватывались кристаллом. Эта критическая скорость зависела от состава примесной частицы и кристаллизуемого вещества, но не зависела от размеров частиц, если они были меньше 15 мкм. По теории, разработанной этими авторами, сила, достаточная для оттеснения частицы, возникает в том случае, когда поверхностная энергия границы кристалл —
частица превосходит сумму энергий границ |
расплав — частица |
и расплав — кристалл. Однако при достаточно |
высокой скорости |
роста жидкость в узком зазоре между частицей и фронтом кри сталлизации не успевает продиффундировать или вытечь, вслед ствие чего частица замуровывается. Тот факт, что зависимость коэффициента захвата от размеров частиц не наблюдается, ав-
VII. ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ НА МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ |
509 |
торы объясняют присутствием на поверхности всех твердых ча стиц очень мелких (~0,03 мкм) неоднородностей, которые и определяют размерный масштаб процессов, протекающих на фронте кристаллизации.
Чернов и Мельникова [278, 279] независимо от Ульмана ис следовали с теоретической точки зрения очень близкую задачу роста из раствора и из расплава. Они рассчитали распределение концентрации при росте из раствора в присутствии постороннего шара у фронта кристаллизации. Уменьшение пересыщения в узком промежутке между шаром и фронтом кристаллизации ведет к возникновению на этом месте углубления, которое ча стично сглаживается благодаря анизотропии кинетических коэф фициентов. Но, как правило, существует критическое значение
aJR, |
такое, что при меньших значениях aJR |
образуется глубо |
кая |
ямка или включение (либо происходит |
захват частицы); |
здесь fl4 — расстояние от центра шара до поверхности кристалла,
a R — радиус шара. При |
линейной зависимости |
скорости |
роста |
от пересыщения это критическое значение aJR, |
однако, не |
зави |
|
сит от скорости роста. |
|
|
|
Чернов и Мельникова |
[279] исследовали также ситуацию при |
росте из расплава, уделяя основное внимание расчету тепловых потоков. Если температуропроводность шара больше температу ропроводности расплава, то получается такой же результат, как
и |
для роста из раствора. Таким |
образом, как отметили Чернов |
и |
Мельникова [278], полученные ими выводы не согласуются с |
|
наблюдением Ульмана и других |
исследователей. |