после каждой операции штамповки производят отжиг заго товок на воздухе в муфельных печах. При использовании бескис лородной меди отжиг заготовок можно проводить в водородных печах, при этом снятие окисной пленки не требуется. Точные раз меры фланца обеспечиваются благодаря операции вырубки. Лиш ний металл хвостовика удаляют при токарной обработке, которую можно совместить с нарезанием резьбы.
С такой конструкцией выпускают тиристоры средней мощности КУ201А—КУ201Л, Д235А—Д235Г, КУ203, КУ202 и др.
Конструкции корпусов 4—46, 4—2в аналогичны конструкции 4—4а и отличаются только геометрическими размерами и электри ческими параметрами (см. табл. 11.7).
13 г 4 5 в
Рис. 11.20. Конструкция корпуса для тиристора средней мощности
Основные параметры рассмотренных корпусов приведены
втабл. 11.7.
§11.6. Корпусы фотоприемников и источников света
Полупроводниковые источники света — класс приборов, который получает все более широкое распространение в устройствах опти ческой связи, точечной и цифровой индикации, в счетно-решающих устройствах. Приборы, работающие в ИК-области, используют для передачи и записи информации на фоточувствительные пленки. В зависимости от конструкции прибора и условий применения раз личают единичные и многоэлементные источники излучения для ви димой и ИК-области спектра.
Основная особенность корпусов фотоэлектрических приборов — наличие приемного (или выходного) окна.
На рис. 11.21, а и б представлена конструкция корпуса 5—1а полупроводникового источника излучения в ИК-области спектра. Основой конструкции и теплоотводом является кристаллодержатель 1 из медной проволоки, на который напаивают кристалл 2 с р-п-переходом и верхним выводом 3 из никелевой или серебряной плющенки. Кристалл выполняют в виде усеченного конуса, боко
вая поверхность которого является излучающей. Окончательную герметизацию приборов осуществляют пластмассой 4, прозрачной в ИК-диапазоне.
На рис. 11.22 дана конструкция корпуса 5—16 полупроводнико вого источника излучения в видимой части спектра, предназначен
|
|
|
|
|
|
|
|
ная для световой индика |
|
ции. Она состоит из кри |
|
сталла 2 с двумя гибкими |
|
выводами 1 и 4, припаян |
|
ными к омическим контак |
|
там |
кристалла 2. |
Гибкие |
|
выводы 1 и 4 |
изготавли |
|
вают из серебряной плю |
|
щении. Кристалл с припа |
|
янными выводами покры |
|
вают |
(герметизируют) |
|
прозрачной пластмассой 5. |
S) |
Со стороны |
|
излучающей |
|
Рис. 11.21. Конструкция корпуса полу |
поверхности |
|
кристалла |
для |
фокусировки |
|
излуче |
проводникового источника излучения |
|
в ИК-области спектра |
ния |
имеется |
линза 3 из |
|
стекла, |
которая приклеена |
|
в |
оптическом |
контакте |
|
с герметизирующей пласт |
|
массой и излучающей по |
|
верхностью кристалла. |
|
На рис. 11.23 показана |
|
конструкция корпуса 5—2 |
|
фотоприемника и источни |
|
ка излучения. Корпус со |
|
стоит |
из |
двухвыводной |
|
ножки и баллона с опти |
|
ческим |
окном. |
|
Ножка |
|
корпуса 1 |
|
изготовлена |
|
штамповкой |
из листового |
|
сплава 29НК. К ножке 1 |
|
конденсаторной |
сваркой |
|
приварен базовый вывод 9 |
|
из никелевой |
проволоки. |
|
В ножку 1 через |
|
стекло- |
Рис. 11.22. Конструкция корпуса полупро |
бусу 7 |
из |
стекла |
С49-2 |
впаян второй |
вывод 6 из |
водникового источника излучения в види |
мой части спектра |
сплава 29НК. |
Ножка име- |
|
ет гальваническое никеле вое покрытие для защиты от коррозии и для улучшения смачива
ния припоем при напайке полупроводникового кристалла. На ножКУ 1 напаивают полупроводниковый кристалл 4 из арсенида гал лия или карбида кремния без компенсирующей прокладки или че рез компенсирующую прокладку 8 из молибдена или вольфрама.
Верхний вывод кристалла с помощью никелевой плющенки 5 соеди няют с изолированным выводом 6 ножки. Никелевая плющенка может иметь золотое покрытие. Окончательную герметизацию кор пуса осуществляют конденсаторной электроконтактной сваркой. Для улучшения процесса и повышения надежности сварного шва ножка 1 имеет рельеф в виде зуба, представляющего в сечении
Рис. 11.23. Конструкция корпуса для фотоприемников и источни ков излучения
Рис. 11.24. Конструкция корпуса многоэлементного ис точника излучения
трапецию. Для окончательной герметизации используют баллон с окном для вывода излучения в виде линзы. Линзу 3 изготавлива ют из стекла С49-2, она образует герметичный металлостеклянный спай с баллоном 2 из сплава 29НК. Конструкция, показанная на рис. 11.23, разработана для индикаторов света с большим (свы ше 70°) углом обзора.
Наряду с единичными широко распространены многоэлемент ные источники излучения с числом элементов от семи (многоэле
заливки. Заливку корпуса производят пластмассой 7 путем шпри цевания. После заливки формы с приборами помещают в термо стат для полимеризации 'компаунда.
Конструкция корпуса |
плоских многоэлементных приборов по |
добна рассмотренной и |
имеет |
аналогичную схему герметизации. |
Размеры |
полупроводниковых |
источников |
излучения |
приведены |
в табл. |
11.8. |
|
приборов |
и особенно |
светодиодов |
Корпусы фотоэлектрических |
не достигли еще такой степени отработанности, как корпусы дио дов и транзисторов.
§ 11.7. Корпусы диодных матриц, интегральных и гибридных
схем
На рис. 11.25 представлена конструкция плоского корпуса 6—I для приборов малой мощности и небольших габаритов. Основание корпуса представляет собой металлостеклянный спай 2 из порош кового стекла С48-2, штампованного фланца 1 из коваровой ленты толщиной 0,15 мм и ленточных коваровых выводов 3. Выводы пред варительно вырубают в виде общего блока. Соединение фланца и выводов со стеклоизолятором производят методом горячего литья под давлением на машинах для литья керамических изделий. По лученную отливку предварительно отжигают для выжигания связ ки, а затем нагревают до образования металлостеклянного спая. После этого на основание наносят гальваническое покрытие нике ля или золота в зависимости от метода сборки и герметизации прибора. Четыре вывода корпуса, расположенные перпендикулярно
четырнадцати основным, соединены соответственно |
с выводами |
I, VII, VIII, XIV и являются вспомогательными. Они, |
как правило, |
срезаны и используются только при специальной коммутации в уст ройствах. Полупроводниковый кристалл 4 с р-/г-переходами наклеи вают на стеклянное дно основания и соединяют с выводами корпу са, используя тонкую золотую проволоку 5, термокомпрессионной сваркой. Окончательную герметизацию корпуса производят пайкой с помощью низкотемпературных припоев с предварительным облуживанием места пайки. Для окончательной герметизации применя ют штампованную крышку 6 из коварового или никелевого листа толщиной 0,15 мм.
Кроме рассмотренной конструкции, для диодных матриц име ются сходные конструкции с количеством выводов от четырех до шестнадцати—двадцати со сборкой и герметизацией на ленте мето дом трансферного литья под давлением. Эти конструкции можно использовать при монтаже на печатных платах. Получили распро странение гребешковые диодные матрицы с односторонним распо ложением выводов для печатного монтажа.
Основные параметры конструкций корпусов данного типа при ведены в табл. 11.9.
На рис. 11.26 показана наиболее распространенная в серийном производстве конструкция корпуса 6—2 для интегральных схем.
Рис. 11.25. Конструкция плоского корпуса для приборов малой мощности и небольших габаритов
Рис. 11.26. Конструкция корпуса для интегральных схем
