ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 15.10.2024
Просмотров: 132
Скачиваний: 0
СП И С О К ЛИТЕРАТУРЫ
1.Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. М., Гостехиздат, 1959.
2. |
Мартынов Г. А. «Электрохимия», 1965, т. 1, с. 557; |
«Усп. физ. |
наук», |
1967, |
|
3. |
т. 91, с. |
455. |
|
114, с. |
1210. |
Тябликов |
С. В., Толмачев В. В. «Докл. АН СССР», 1957, т. |
||||
4. |
Haggis G., Hosted J., Buchanan T. J. Chem. Pliys., |
1952, v. 20, |
p. 1452. |
ПРИЛОЖЕНИЕ V I
О ТЕРМИЧЕСКОЙ ИОНИЗАЦИИ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ
Рассмотрим низкотемпературную дебаевскую плазму, находящуюся в столь сильном магнитном поле, что плазму можно считать «замагничениой». Это не всегда означает, что магнитное поле Ж велико по абсолютной вели
чине. Условие замагпнчепности выглядит так: |
|
сот » 1, |
(VI.1) |
где 1Л — еЩ.1тс — ларморовская частота; т — обратно пропорционально частоте
столкновений заряженной частицы в плазме, т. е. обратно пропорционально плотности плазмы. Следовательно, достаточно разряженная плазма является замагничениой и при сравнительно .небольших магнитных полях.
В замагничениой плазме движение частиц определяется не только тем пературой. но и магнитным полем, которое должно сильно сказываться на термодинамических функциях системы, а также па ионизационном равнове сии. Характерным параметром задачи является отношение
ТЖ ~ |
<ьж |
(VI.2) |
-------- = ^ Р = Д Г - Г |
Р- |
|
kT |
2тс |
|
Этот параметр в реально существующих плазменных установках, как пра
вило, много |
меньше единицы. |
Так, |
при Ж ~ Ю5 э и 7' —^0,1 эв а поряд |
ка !0~2. Из |
общих соображений |
ясно, |
что термодинамические свойства плаз |
мы не могут зависеть от направления магнитного поля, поэтому поправки, обусловленные действием магнитного поля, должны быть порядка а2 [2].
Поскольку ларморовская частота обращения электрона много больше соответствующей частоты иона, то воздействию магнитного поля подверга ются .в основном электроны. Рассмотрим движение бесспиновоп частицы с за рядом е и массой т в магнитном поле Ж направленном по оси z. Можно
сразу же написать выражения для уровней этой частицы и кратности их вырождения при движении частицы в объеме V:
|
ehЖ |
Р* |
(VI.3) |
|
в = (п + 1/2)-------- + |
— , |
|
|
тс |
2т |
|
где |
п — целое число; pz— импульс частицы в |
направлении поля. Очевидно, |
|
что |
квантование поперечного движения имеет |
смысл учитывать |
лишь для |
электронов ввиду их малой массы. Учет спина электрона добавляет к е сла
гаемое |
Просуммируем теперь распределение Ферми |
|
(1 + ехр [(е — р) Р])-1 |
по всем значениям п, по двум ориентациям спина и импульсам pz. Тогда получим уравнение, описывающее химический потенциал р системы N невзаи модействующих электронов, находящихся в объеме V при температуре Р~‘:
|
00 |
, , , |
(VI.4) |
л_ = 2 ( т у/, у ч |
(- l) ^ 1• ехр (/р0) |
||
v |
V2nh2P/ Z j |
л/Т |
а |
th la |
|||
|
i=i |
' |
|