Файл: Клейнер, Э. Ю. Основы теории электронных ламп учебное пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 16.10.2024

Просмотров: 135

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

сеток. По своей структуре они уже не укладываются в схему, соот­ ветствующую выражению (3.62): все члены формулы зависят от ра­ диусов электродов. В табл. 3.2 приведены две формулы для случая цилиндрических электродов и указаны пределы их применимости. Первая по структуре и пределам применимости соответствует формуле Шоттки из табл. 3.1, вторая является модифицированной формулой Оллендорфа.

Этими формулами практически приходится пользоваться реже, чем формулами для плоской системы электродов, так как при боль­ ших радиусах кривизны электродов, например в лампах с катодом косвенного накала, систему электродов с достаточной точностью мож­ но рассматривать как плоскую.

§ 3.4. ДЕЙСТВУЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ ТРИОДА

3.4.1. Эквивалентный диод и понятие «действующего» напряжения

Для того чтобы получить возможность воспользоваться для рас­ чета характеристик триода закономерностями, найденными для дио­

да, нужно

попытаться

свести триод к диоду, Как уже указывалось

в 3.2.2,

при

плоской

системе

электро­

 

 

дов поле реального триода по обе

сто­

 

 

роны от сетки на

достаточно

большом

 

 

расстоянии

 

от

нее

можно

заменить

 

 

равномерными

полями

между

сеткой с

Un Ur

 

одной

стороны,

катодом

и анодом — с

 

другой.

Требуемые

градиенты

этих

 

 

«дальних» полей получаются, если на

о)

s)

место сетки

поставить

сплошной элект­

род с потенциалом, равным величине С

Рис. 3.9. Триод (а) и экви­

в уравнении

(3.5).

Основной

интерес

валентный ему диод (б)

в свете

поставленной

задачи представ­

 

 

ляет

катодная

половина

поля

триода,

 

катод­

так

как

полем

перед

катодом

определяется величина

ного тока лампы. С точки зрения поля у поверхности катода триоду, таким образом, эквивалентен диод, у которого анод расположен на месте сетки триода и имеет потенциал, равный величине С. Такой диод называют э к в и в а л е н т н ы м . Так как у триода и эквива­ лентного ему диода вследствие равенства полей у катода и катодные токи одинаковы, то понятию эквивалентного диода обычно дают сле­ дующее определение: эквивалентный диод— это диод, у которого анод расположен на месте сетки триода и анодный ток равен катод­ ному току триода (рис. 3.9).

Исходя из этих представлений анодное напряжение эквивалент­ ного диода нужно рассматривать как некоторое эффективное напря­ жение, действующее в плоскости сетки триода и заменяющее собой с точки зрения поля у катода совместное действие сеточного и анод­ ного напряжений. Это эффективное напряжение называется д е й с т -

111 .


в у ю щ и м н а п р я ж е н и е м в

плоскости сетки триода или д е й ­

с т в у ю щ и м н а п р я ж е н и е

м

триода. Его принято обозна­

чать

и по приведенным соображениям его значение равно величи­

не С из

(3.5)

 

 

 

и д=

с.

(3.64)

3.4.2. Действующее напряжение «холодного» триода

На основании (3.64) и (3.27) с учетом (3.51) и (3.52) действующее напряжение «холодного» триода выразится как

и*

D 'U K+ UC+ DU&

(3.65)

1 +

D + D'

 

 

Используя обозначение (3.57),

получаем

 

[/d = o(D't/K+ t/c + D£/a).

(3.66)

Если потенциал катода положить равным нулю, то выражение (3.65) принимает вид

у _

Up4~ DU*

(3.67)

д

1 + D + D' ’

 

а (3.66)

 

(3.68)

Ud =o{U e + DUJ

Уравнение (3.68) — наиболее распространенная форма записи U0 .

Если продифференцировать

0 б по Uc, то раскрывается

физиче­

ский смысл введенной ранее величины а

 

оUа

(3.69)

aUc

 

Величина а, таким образом, показывает, насколько сильно изме­ нение сеточного напряжения влияет на изменение действующего. Отсюда величину о принято называть о с т р о т о й у п р а в л е ­ н и я . Она зависит только от геометрических размеров системы элект­ родов.

Исходя из (3.26) можно определить разницу между действующим напряжением в плоскости сетки и самим сеточным напряжением.

Заменяя С на Ug и подставляя (3.28) и (3.29), получаем

Uд Uс = f (Ес(а) Есм)-

(3.70)

При определении численного значения этого различия нужно пра­ вильно учитывать направление векторов Ес (а) и Е0(к) относительно

поверхности сетки (см.

рис. 3.6). При Uo<l0 и Ua > 0 скобка равна

сумме, при Uс > 0 и

Ua > U c — разности их модулей.

112


I — в продольном сечении через вит­ ки сетки; 11 — в продольном сечении посередине между витками сетки

3.4.3. Действующее напряжение «горячего» триода при малых плотностях анодного тока

Для нахождения выражения для действующего напряжения «го­ рячего» триода необходимо сначала установить, каково при этом распределение потенциала в междуэлектродном пространстве. Кри­ вые распределения при горячем катоде приведены на рис. 3.10. За счет наличия в пространстве свободных электронов они по сравнению с соответствующими кривыми при холодном катоде (см. рис. 3.4) в значительно большей степени провисают вниз. Разница между по­ тенциалами при горячем и холодном катоде зависит от плотности

создаваемого

 

электронами

пространст­

 

 

 

венного

заряда,

т.

е.

от

температуры

 

 

 

катода

Т к,

анодного

 

тока

/ а

и

анод­

 

 

 

ного напряжения Uа. Величина этой

 

 

 

разницы и ее

зависимость от

электри­

 

 

 

ческого, режима

работы

лампы

различ­

 

 

 

ны

по обе стороны

от

сетки.

Между

 

 

 

сеткой

и катодом она

тем больше,

чем

 

 

 

больше Т к и

 

меньше I а, так как с

 

рос­

 

 

 

том Т„

и уменьшением

/ а

увеличива­

 

 

 

ются электронное облако

перед

като­

 

 

 

дом и глубина

обусловленного

им

ми­

 

 

 

нимума

потенциала.

На пространствен­

 

 

 

ный заряд

между

сеткой

и анодом в

 

 

 

основном влияют величины /-

и Uа:

 

 

 

пространственный заряд здесь тем мень­

 

 

 

ше,

чем меньше

/ а и

больше Uа.

Ког­

Рис. ЗЛО.

Распределение по­

да

анодный

 

ток мал

по

сравнению с

тенциала

в

реальном триоде

током

эмиссии

катода

и

значение

Uа

при горячем катоде и элект­

рическом режиме, соответст­

достаточно

велико,

 

пространственным

вующем

области пространст­

зарядом здесь

практически

можно пре­

венного заряда:

небречь.

Выражение для Ud при горячем катоде и любых режимах работы

лампы получить очень сложно. Остановимся на частном случае, когда пространственным зарядом между сеткой и анодом можно пренебречь. Предположим, что сеточное напряжение имеет отрицательное значе­ ние, анодное — относительно большое положительное, и анодный ток значительно меньше тока эмиссии. Этот режим является типич­ ным для большинства приемно-усилительных ламп. Для вывода выражения для в этом случае перейдем от кривой распределения потенциала с учетом структуры сетки к кривой распределения с по­ зиций дальней зоны. Эта кривая для данного режима приведена на рис. 3.11. Она состоит из двух участков: изогнутого, с минимумом между катодом и сеткой, и прямолинейного — между сеткой и ано­ дом. При «отпертой» лампе потенциал в плоскости сетки — положи­ тельный. Разность между этим потенциалом и потенциалом катода и составляет величину действующего напряжения.

5-286

L13


Приведенные до сих пор выражения для расчета выведены для

«холодной» лампы

и из-за

различия

в распределении

потенциалов

для «горячей» лампы непосредственно

непригодны.

Для

 

придания

им более общего вида, позволяющего

рассчитать Ud и при,горячем

 

 

 

катоде, обратимся к (3.70). Сог­

 

 

 

ласно (3.70)

разница

 

между

 

Ud

 

 

 

и

Uc

определяется

напряжен­

 

 

 

ностями

поля

по

обе

стороны

 

 

 

от поверхности

сетки

и

разме­

 

 

 

рами,

характеризующими струк­

 

 

 

туру сетки (2с, р), но не зави­

 

 

 

сит от междуэлектродных

 

рас­

 

 

 

стояний

clc„ н dac. Отсюда

сле­

 

 

 

дует,

что у

всех

 

триодов

с

 

 

 

одинаковой

структурой

сетки,

 

 

 

независимо

от

 

междуэлектрод­

 

 

 

ных

расстояний,

Ug будет оди­

 

 

 

наковым,

если

напряженности

 

 

 

поля

у поверхности

сетки оди­

 

 

 

наковы.

Это дает

возможность

 

 

 

заменить

триод

с

горячим

 

ка­

 

 

 

тодом некоторым эквивалентным

 

 

 

триодом с холодным катодом, к

Рис. 3.11. Распределение потенциала

которому применимы уже из­

вестные выражения

для Ud. Эк­

в плоском триоде без

учета влияния

вивалентность

 

заключается

в

структуры

сетки:

 

 

.---------- при горячем катоде н малой плот­

том,

что

триод

с

 

холодным

ности анодного тока; ---------- — при

холод­

катодом

при той же

 

структуре

ном катоде и том же Uq\

—--------в эквива­

сетки и тех же значениях

Ua и

лентном «холодном» триоде

 

 

 

 

Uc должен

иметь

то же

значе­

 

 

 

ние

Uд, т.

е.

те же

напряжен­

ности поля у поверхности сетки, что и триод с горячим катодом.

Это

достигается выбором величин dCK и dac, значения которых,в эквивален­ тном «холодном» триоде в общем случае будут отличными от их значений в исходном «горячем». В данном частном случае, т. е. при малых плот­ ностях анодного тока, можно считать, что между сеткой и анодом нет объемного заряда и поэтому da0 в обоих случаях одно и то же. У экви­ валентного «холодного» триода расстояние dCK будет меньше, чем у исходного «горячего», так как при горячем катоде напряженность поля у сетки с катодной стороны за счет пространственного заряда больше, чем при холодном (см. рис. 3.11).

Если расчет действующего напряжения эквивалентного «холод­ ного» триода вести по (3.67), то единственной величиной в этом вы­ ражении, зависящей от расстояния сетка — катод, является обрат-' ная проницаемость. Отсюда действующее напряжение для эквива­ лентного «холодного» триода можно записать как

а

(3.71)

+ D + D,

 

114