Файл: Клейнер, Э. Ю. Основы теории электронных ламп учебное пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 16.10.2024

Просмотров: 140

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

где Ds — обратная проницаемость сетки в эквивалентном «холодном» триоде.

Согласно (3.52) D3 связано с

обратной

проницаемостью

«горячего» триода Ь' соотношением

 

 

 

^скэ

 

 

(3.72)

 

 

 

где dcк и dCKS — расстояния сетка — катод

в

исходном «горячем»

и эквивалентном «холодном» триодах.

через

напряженности поля.

Отношение dCK/dCKB можно выразить

Если в исходном триоде ЕоМг и Е0(к)х — напряженности «дальнего» поля у катодной стороны сетки при горячем и холодном катодах и одинаковом значении Ug, то согласно рис. 3.11 Ес(к)х = tg а, а Е ^т = = tg (3, где а и (3 — углы наклона кривых распределения потенциала у катодной стороны поверхности сетки исходного триода при холод­ ном и горячем катодах. По треугольникам ОАС и О’АС тангенсы можно выразить через отношение катетов. Тогда

F , ,

_

. ид

(3.73)

 

 

 

^скз

 

F , ,

 

-

ид

(3.74)

С с(к)х

 

dcic

 

 

 

 

Отсюда

 

 

£ с(к)г

 

<^ск

 

 

(3.75)

^скэ

 

 

£ с(К)х

 

Если (3.72) и (3.73) подставить в (3.71), то для

действующего на­

пряжения исходного «горячего» триода при малых плотностях тока получаем

Uд

 

Н~ DU&

(3.76)

 

1 + о + D' £с(к)г

 

 

 

 

£с(к)х

 

Используя обозначение

 

 

 

 

 

 

 

„ _ ^С(к)г

(3.77)

 

 

к ~

F

 

 

 

 

с с(к)х

 

(3.76) можно представить в виде

 

 

 

Г!

__

U с “Ь DUа

(3.78)

 

 

1 +

D +

D'

 

 

 

откуда

 

 

I

 

 

0

=

 

 

(3.79)

-------------------------- .

 

 

1 +

Р +

хк D'

 

б*

 

 

 

 

115


По сравнению с холодным катодом расчет при горячем катоде сводится таким образом к дополнительному определению х1(. у.к —ко­ эффициент, характеризующий влияние на Ug объемного заряда в ка­ тодной половине триода (на принадлежность его к катодной половине указывает индекс «к»). Так как х „ > 1, то при прочих равных условиях и горячем катоде Ud меньше, чем при холодном (тогда хк = 1). Раз­ ница обусловлена тем, что в одном случае учитывается наличие от­ рицательного объемного заряда в пространстве между сеткой и като­

дом, а в другом считают, что там объемного заряда нет.

и (2.15)

Без учета начальных скоростей электронов согласно (2.14)

хк = 4/3.

 

Отсюда

 

 

 

ие+ DUа

(3.80)

1

+ D + A . D '

 

и

 

 

 

1

(3.81)

О= ------------------ .

1+

D + — D'

 

 

3

 

При учете начальных скоростей хк не является величиной постоян­ ной, а зависит от режима работы лампы. Для определения хн в этом

случае заменим в (3.77)

£ с(к)хвыражением

(3.74). Тогда

 

 

*K= d c K % ^ .

 

(3.82)

 

ид

 

 

 

Подстановка (3.82) в (3.78) дает

 

 

 

ц

______ Рс 4~

_____

 

 

l + 0 + D 'd CK:% > I.

 

 

 

с'а

 

Учитывая, что согласно (3.52)

 

 

 

и выделяя Ud, получаем

D' dCK= т

 

 

 

 

 

 

 

Vа =

Vc + DUa-

1 ЕсМг).

(3.83)

Фигурирующая здесь величина £ С(К)Г, очевидно, идентична с на­ пряженностью поля £ адг у анода «горячего» диода, у которого рас­ стояние анод — катод d равно расстоянию сетка — катод dCK исход­ ного триода. В свою очередь Еалг можно определить по функциям

-^3- = f (с,), вычисленным Ленгмюром. Результаты такогр расчета

[Л.3.6] можно представить как

116


Они приведены

на рис. 3.12 в виде

семейства кривых ^адг

d =

 

 

Uj

при

в качестве параметра.

Зная теперь Яс(к)г, по (3.83)

'

/оо

Рис. 3.12. Диаграмма для определения напряженности электрического поля у анода «горячего» диода:

d — расстояние анод — катод

можно рассчитать Uд 'и затем по (3.82) — соответствующее *к, Таким образом, может быть получена зависимость

-к = / -

 

 

 

которая на рис. 3.13 представлена в виде семейства—— =

при

.

\ '» /

 

- г - в качестве параметра. Незаполненное поле

в

верхней

части

00

 

 

 

графика до уровня — = 1 соответствует области насыщения.

117

Согласно рис. 3.13 хк при малых значениях-р- имеет отрицатель­

ный

знак, при больших — положительный. Для объяснения

появле­

ния

отрицательных значений

рассмотрим зависимость

от

Рис. 3.13. Диаграмма для определения коэффициента объемного заряда х|; при вычислении действующего напряжения в случае малых плотностей анодного

тока:

---------- значение 1/*к без учета начальных скоростей электронов (х|{ =

4 / 3 ) ;

----------------граница

между областями пространственного заряда и насыщения

(/к =

/ э )

в диоде (рис. 3.14,а). Согласно (3.77) хк равно отношению наклонов касательных к кривым распределения потенциала у поверхности анода при горячем и холодном катодах. В области начального тока, т. е.

при Ua<C UагР, наклоны кривых распределения потенциала у анода в

обоих случаях отрицательны (рис. 3.14,6) и х„>0. В точке Ua=U aгр, напряженность поля у анода при горячем катоде равна нулю (рис.

3.14,в) ихк=0.

В области пространственного заряда при Да гР<

Д а < О

напряженности

поля

в

обоих

случаях

имеют различный

знак

(рис. 3.14,г)

и хк <

0. При

= 0

напряженность холодного

поля

равна нулю (рис. 3.14,5)

и |хк|

— оо,

меняя при переходе Д а к

по­

ложительным

 

значениям

свое значение скачком о т —оо к +

оо.При

О > 0 (рис.

3.14,е) /.,< > 0 . На рис.

3.13

показан ход кривой ———

118


только для области пространственного заряда: ордината

1/х„ вместо х„ взята для того, чтобы избежать в этой области ухода кривой в бесконечность. Согласно сказанному в области пространст­ венного заряда отрицательные значения / к соответствуют отрица­ тельным значениям U(1, положительные — положительным.

При очень малых Ud'(< 0,1 В) для расчета Ud удобнее пользо­ ваться уравнением (3.83), а не (3.78).

Рис. 3.14. К объяснению хода зависимости

1/хк = I

(/к//оо):

а — *к= /(Сп) для диода; б — е— распределение потенциала в

диоде при

холодном (СД.) и го­

рячем (СД) катоде и различных значениях СД; 6 — 1Д < СЛ, гр|

в — £7а =

С/а гр;

е - Ua гр < 1Д < 0; д - U a = 0; с - Ua > 0

 

3.4.4. Действующее напряжение «горячего» триода при больших плотностях анодного тока

При больших плотностях анодного тока, т. е. таких, которые встречаются при работе ламп в импульсном режиме, объемный заряд в пространстве между сеткой и анодом может стать настолько боль­ шим, что здесь устанавливаются значительно более низкие потенциа­ лы, чем при холодном катоде. Поэтому при расчете Ug при больших токах объемный заряд учитывают не только между сеткой и катодом, но и между сеткой и анодом.

Для вывода соответствующего выражения возвратимся к формуле (3.78), в которой учитывался пространственный заряд только между

119

сеткой к катодом. Эта формула, очевидно, должна быть частным слу­ чаем выражения, учитывающего пространственный заряд по обе стороны сетки. Если на основании (3.51) и (3.52) для D' воспользо­ ваться выражением

 

D' = D-

 

(3.84)

то вместо (3.78) можно написать

 

 

 

и д =-

 

Uс + DUa

 

(3.85)

 

+ D(,+“ ^r)

Вводя коэффициент

 

 

 

 

 

 

х=

1

+ хк

 

 

можно представить

(3.85) в

виде

 

 

 

п

 

+ D Un

'

(3.8G)

 

Ud ~

1+*U

 

В отличие от хк коэффициент х относится

как к D, так и D ',

т. е. он

может быть связан

как с пространством сетка — катод, так

и с про­

странством сетка — анод. Как

показывает подробный теоретический

анализ, выражение вида (3.86) можно использовать для вычисления

Ud с учетом

пространственного заряда по обе стороны сетки [Л.3.7].

Ниже приводится наиболее распространенная формула для рас­

чета Uс1 при больших плотностях анодного тока,

выведенная

при

следующих

упрощающих предпосылках:

вносимая

этим

1) не учтены начальные скорости электронов;

ошибка незначительна, так как при больших плотностях тока Ud обычно велико по сравнению с глубиной минимума потенциала перед катодом;

2) предполагается, что потенциал сетки положителен и равен по­

тенциалу окружающего пространства

 

Uс = Ud.

(3.37)

Эта предпосылка не всегда выполняется, но в большинстве слу­ чаев близка к реальным условиям, так как для получения больших токов на сетку обычно подается положительный потенциал.

Если теперь в (3.86) вместо подставить Uc, то решение полу­ чающегося уравнения дает

X

и*

(3.88)

Ur

Найдем теперь значение UJU C при Uc — Uд. В этом случае рас­ пределение потенциала между катодом и анодом соответствует кри­ вой 1 на рис. 3.1, т. е. совпадаете распределением потенциала в диоде с таким же расстоянием между катодом и анодом и таким же анодным напряжением, как у триода. Тогда согласно (2.12)

120