Файл: Грабовски, К. Параметрические усилители и преобразователи с емкостным диодом.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 16.10.2024
Просмотров: 116
Скачиваний: 0
ГЛАВА ЧЕТВЕРТАЯ
НЕВЫРОЖДЕННЫЕ РЕЗОНАНСНЫЕ ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ УСИЛИТЕЛИ [25]
В предыдущей главе при обсуждении тех типов параметрических преобразователей, которые характеризуются протеканием тока с частотой ©j = шн — со0 через переменный эластанс, мы убедились, что в контуре, настроенном на эту частоту, при воздействии накачки возникает импеданс с отрицательной действительной частью. Это сра зу же [2, 8, 20, 53, 54, 67, 69, 83] приводит к практическому выводу, что мощность сигнала можно усиливать непосредственно во вход ном контуре, без необходимости в преобразовании частоты. Такой способ использования параметрического усиления значительно уп рощает схему приемного устройства, так как исключает необходи мость применения в приемнике дополнительных каскадов преобразо вания частоты после параметрического преобразования. Однако он имеет и некоторые недостатки, из которых наиважнейшими являются обратное излучение усиленной мощности сигнала в приемную ан тенну и, следовательно, чувствительность приемного устройства к согласованию антенн [39, 40].
Применение невзаимиых элементов типа вентиля циркулятора устраняет первый из упомянутых недостатков и улучшает стабиль ность усилителя [6].
Все рассуждения данной главы подчинены следующим предпо сылкам1 ':
1. Предполагается, что электрическая структура анализируемых схем допускает выделение в отдельных контурах мощности, соответ
ствующей частотам сигнала |
<д0, |
холостой со* = w n — fflo> а |
также |
прочим частотам со„ = ш0 + |
лсон |
(2.25), если предполагается |
нали |
чие контура, настроенных на эти частоты. Другими словами, это предположение указывает на возможность схемы разделять спектры, соответствующие названным частотам, мощности которых могут вы деляться в процессе параметрического преобразования. Таким свой ством характеризуются так называемые невырожденные параметри ческие усилители.
2.Контуры усилителя характеризуются селекцией избранных частот, т. е. они пропускают через р-п переход только токи указанных частот.
3.В процессе параметрического усиления принимает участие
«накачиваемый» р-п переход, изменение эластанса которого может быть
|
1 1 Эти предположения |
не обязательны. Достаточно допустить, что нормаль |
||
ные |
частоты колебательной |
системы с диодом совпадают с |
рабочими |
частотами |
ш 0 , |
<Bj, а также <вп = со0 + |
/ ш н , а других резонаисов нет. |
(Прим. |
ред.) |
108
описано рядом Фурье вида (2.23), где со,, — частота накачки, а комплексные амплитуды Sn не зависят от частоты, напряжения и тока усиливаемого сигнала. Потери в диоде представляются после довательным, линейным сопротивлении Rs, которое не зависит от времени и частоты.
4.1.УСЛОВИЯ ВОЗНИКНОВЕНИЯ УСИЛЕНИЯ
ВПРОСТЕРШЕМ ПАРАМЕТРИЧЕСКОМ УСИЛИТЕЛЕ
Соотношение частот в параметрическом усилителе показано на рис. 4.1, а схема простейшего параметрического усилителя пред ставлена на рис. 4.2, где Х(а0) и X(at), как и раньше, — резонан сные фильтры, представляющие собой короткое замыкание для токов частот сигнала со0 и холостой сог и разрыв для токов всех прочих частот со„ (2.25). Генератор сигнала Zr и нагрузка усилителя Z H a r p
-4
Рис. 4.1. «Частотная» схема пара- |
Рис. 4.2. Эквивалентная схема параметри- |
метрического усилителя. |
ческого усилителя. |
находятся в одном и том же контуре сигнала. В холостом контуре находится импеданс Zu величина которого, как будет показано, влия ет на величину мощности, выделяемой на частоте ©j, и тем самым влияет на параметры усилителя на частоте сигнала. Сопротивление потерь перехода Rs на рис. 4.2 показано дважды: один раз в сигналь ном контуре и второй — в холостом контуре, что возможно благо даря принятому ранее предположению о селективности этих контуров.
Согласно (2.39) система уравнений, описывающих схему рис. 4.2, идентична системе (3.33):
|
|
|
О-г |
z _ , , _ |
•1,0 |
|
|
|
«/о J |
|
0,0 |
где |
в |
соответствии с |
(2.27) |
|
|
Z0,a |
= |
RQ,O + |
j^o.o = |
Z r + Z H a r p + |
Rs + |
Z-i.o = |
J-^-i.o = —jSi/a>0 , |
|
|||
Z0, - i = }X0t |
- l = — J S A - i = J V ^ i . |
||||
Z-г, _ ! = # _ l f |
_ ! + j X - i , -x = Z_x + Rs + |
||||
= |
Z1 + |
RB-ilX(nA-(S0/<»i)}. |
|
X |
|
|
(4.1) |
|
о J |
|
|
j [X |
(co0) |
— |
( 5 0 / ( 0 0 ) ] , |
|
|
|
(4.2) |
] [X |
(и-О |
- |
(S0 /<0-i)] = |
109
Напомним, |
что |
в уравнении |
(4.1) комплексные |
амплитуды £/_х |
||
и / _ х |
относятся |
к напряжениям |
и токам с частотой со_1( а комплекс |
|||
ные |
амплитуды |
U0 |
и / 0 |
— к напряжениям и токам |
с частотой ш0 . |
|
Как покажем |
далее |
(4.б)1 ), |
необходимым (но |
недостаточным) |
условием появления отрицательного сопротивления в. сигнальном
контуре |
является' |
|
|
|
сон > |
con, |
(4.3) |
которое |
означает (2.25), что со_! < |
0. |
|
Для получения в (4.1) комплексных амлитуд тока It и напряже ния Ui, относящихся к фактической (положительной) холостой ча стоте coj, необходимо воспользоваться зависимостью (3.56). Анало
гично, основываясь |
на (3.57), в выражения для импедансов |
||
и Zo,-i в (4.2) можно |
подставить вместо |
со* величину |
Импеданс, |
который в сигнальный контур вносится |
«накачиваемым» |
эластансом |
совместно с холостым контуром, выражается согласно (4.1) и (4.2)
следующим |
образом: |
|
|
|
|
|
|
|
Z |
=r R 4--^° |
l S l | а |
|
|
- |
(4 |
4) |
|
в н |
s |
]С00 |
©о<В| 2 |
? |
J [ * ( < * > * ) - ( S 0 / f l > , ) ] |
v |
- / |
|
При настройке |
холостого контура в резонанс, т. е. когда |
|
|
|||||
|
Х_а , |
= |
+ |
(S0lm) |
- X |
= 0, |
(4.5) |
действительная часть импеданса, вносимого диодом в контур сиг
нала, |
имеет значение |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Я в н = |
RS-\S1 |
|
|2/со0сог [Ri + |
Rs] |
|
(4.6) |
или |
при |
использовании обозначений, введенных в |
(3.15) — |
(3.17) |
||||
и (3.57), |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
' в н р е з = |
1 — ^ / ( 1 |
|
|
(4.7) |
||
где qla > |
0. |
|
|
|
|
|
чтобы |
|
Для получения' усиления в схеме рис. 4.2 необходимо, |
||||||||
действительная часть |
вносимого |
импеданса |
была |
отрицательной, |
||||
т. е. условие возникновения |
усиления можно записать в виде |
|
||||||
|
|
|
<?< > |
1 + г ь |
|
|
(4.8) |
откуда становится ясной роль сопротивления2 1 Ri = Rsrt. Из (4.8) видно, что усиление в схеме проще всего получить при Rt = 0, а это означает отсутствие потерь во внешнем холостом контуре и наличие потерь для частоты со, лишь в сопротивлении Rs р-п перехода с накачкой. В этом случае условие (4.8) удобнее записать в более понятном виде:
I SJRa-f > со0©г = ©о (ю и — щ), |
(4.9) |
х > В этом можно убедиться и теперь на основе (3.61).
2 ) Далее покажем, что Ri влияет также и на другие параметры усилителя, например на величину усиления, температуру шума [19, 32, 36].
110
откуда уже явно видно, что для получения усиления в схеме при за данных потерях в диоде и частотах сигнала и накачки необходимо достаточно сильное «возбуждение» р-п перехода мощностью накачки, так как это гарантирует получение достаточно большой амплитуды гармоники эластанса S1. Если же условие (4.9) не выполняется, то отрицательное сопротивление в сигнальный контур схемы не вносит ся и усиления не возникает вообще. Условия (4.3) и (4.9) определяют интервал частот, для которых можно получить усиление в схеме с диодом
сзаданными динамическими пара
метрами | Sx | и Rs. |
Сказанное |
мож |
|
|
|
||||||
но представить |
графически, |
что^ и |
|
|
|
||||||
сделано на |
рис. 4.3. |
|
|
|
|
|
|
|
|||
Расчет |
величины |
|
коэффициента |
|
|
|
|||||
усиления параметрического |
усилите |
|
|
|
|||||||
ля с |
отрицательным |
сопротивлением |
|
|
|
||||||
зависит от |
способа |
его |
использова |
|
|
|
|||||
ния в схеме усилителя. Этомувоп- |
|
|
|
||||||||
росу |
посвящен |
§ |
4.4. |
|
|
|
|
|
|
||
Рис. 4.3. Зависимость частоты накачки от |
|
|
|
||||||||
частот |
сигнала, на |
которых |
существует |
тео |
№i |
ад |
|
||||
ретическая |
возможность |
|
внесения |
отри |
Ъ |
||||||
|
Ъ |
is |
|||||||||
цательного сопротивления |
в сигнальный |
кон |
|
ш0 |
|
||||||
|
|
|
тур. |
|
|
|
|
|
|
|
4.2. ОБМЕННАЯ ТЕМПЕРАТУРА ШУМА ОТРИЦАТЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ В ПРОСТЕЙШЕМ ПАРАМЕТРИЧЕСКОМ
УСИЛИТЕЛЕ
Рассчитаем обменную температуру шума отрицательного со противления, роль которого во входном контуре играет «накачивае мый» р-п переход вместе с холостым контуром. Примем, что переход находится при температуре Тя, а элементы холостого контура — при температуре 7V Пренебрежем шумами генератора накачки, вносимыми в схему. Это возможно, так как генератор накачки имеет достаточно узкую линию генерации. При необходимости в цепи на качки можно поставить узкополосный фильтр, практически полно стью устраняющий шумы генератора накачки.
Обменную температуру шума Т0 отрицательного сопротивления1 ) на частоте / определим [29, 59] из зависимости2)
|
|
T V ? = |
— Wm mv/k, |
|
(4.10) |
|
|
См. приложение П Л . |
|
|
|
|
|
|
а> В данном разделе, как и раньше, |
не будем |
заниматься |
проблемой поло |
||
сы |
пропускания параметрической схемы, |
поэтому |
определение |
(4.10) относится |
||
к |
так называемой |
дифференциальной |
температуре шума, которую можно изме |
|||
рить в бесконечно |
узкой полосе частот. Задаче проектирования |
широкополосных |
||||
параметрических |
усилителей посвящено |
много работ, например [46 — 48, 55] . |
Ш