Файл: Грабовски, К. Параметрические усилители и преобразователи с емкостным диодом.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 16.10.2024

Просмотров: 116

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

ГЛАВА ЧЕТВЕРТАЯ

НЕВЫРОЖДЕННЫЕ РЕЗОНАНСНЫЕ ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ УСИЛИТЕЛИ [25]

В предыдущей главе при обсуждении тех типов параметрических преобразователей, которые характеризуются протеканием тока с частотой ©j = шн — со0 через переменный эластанс, мы убедились, что в контуре, настроенном на эту частоту, при воздействии накачки возникает импеданс с отрицательной действительной частью. Это сра­ зу же [2, 8, 20, 53, 54, 67, 69, 83] приводит к практическому выводу, что мощность сигнала можно усиливать непосредственно во вход­ ном контуре, без необходимости в преобразовании частоты. Такой способ использования параметрического усиления значительно уп­ рощает схему приемного устройства, так как исключает необходи­ мость применения в приемнике дополнительных каскадов преобразо­ вания частоты после параметрического преобразования. Однако он имеет и некоторые недостатки, из которых наиважнейшими являются обратное излучение усиленной мощности сигнала в приемную ан­ тенну и, следовательно, чувствительность приемного устройства к согласованию антенн [39, 40].

Применение невзаимиых элементов типа вентиля циркулятора устраняет первый из упомянутых недостатков и улучшает стабиль­ ность усилителя [6].

Все рассуждения данной главы подчинены следующим предпо­ сылкам1 ':

1. Предполагается, что электрическая структура анализируемых схем допускает выделение в отдельных контурах мощности, соответ­

ствующей частотам сигнала

0,

холостой со* = w n fflo> а

также

прочим частотам со„ = ш0 +

лсон

(2.25), если предполагается

нали­

чие контура, настроенных на эти частоты. Другими словами, это предположение указывает на возможность схемы разделять спектры, соответствующие названным частотам, мощности которых могут вы­ деляться в процессе параметрического преобразования. Таким свой­ ством характеризуются так называемые невырожденные параметри­ ческие усилители.

2.Контуры усилителя характеризуются селекцией избранных частот, т. е. они пропускают через р-п переход только токи указанных частот.

3.В процессе параметрического усиления принимает участие

«накачиваемый» р-п переход, изменение эластанса которого может быть

 

1 1 Эти предположения

не обязательны. Достаточно допустить, что нормаль­

ные

частоты колебательной

системы с диодом совпадают с

рабочими

частотами

ш 0 ,

<Bj, а также <вп = со0 +

/ ш н , а других резонаисов нет.

(Прим.

ред.)

108


описано рядом Фурье вида (2.23), где со,, — частота накачки, а комплексные амплитуды Sn не зависят от частоты, напряжения и тока усиливаемого сигнала. Потери в диоде представляются после­ довательным, линейным сопротивлении Rs, которое не зависит от времени и частоты.

4.1.УСЛОВИЯ ВОЗНИКНОВЕНИЯ УСИЛЕНИЯ

ВПРОСТЕРШЕМ ПАРАМЕТРИЧЕСКОМ УСИЛИТЕЛЕ

Соотношение частот в параметрическом усилителе показано на рис. 4.1, а схема простейшего параметрического усилителя пред­ ставлена на рис. 4.2, где Х(а0) и X(at), как и раньше, — резонан­ сные фильтры, представляющие собой короткое замыкание для токов частот сигнала со0 и холостой сог и разрыв для токов всех прочих частот со„ (2.25). Генератор сигнала Zr и нагрузка усилителя Z H a r p

-4

Рис. 4.1. «Частотная» схема пара-

Рис. 4.2. Эквивалентная схема параметри-

метрического усилителя.

ческого усилителя.

находятся в одном и том же контуре сигнала. В холостом контуре находится импеданс Zu величина которого, как будет показано, влия­ ет на величину мощности, выделяемой на частоте ©j, и тем самым влияет на параметры усилителя на частоте сигнала. Сопротивление потерь перехода Rs на рис. 4.2 показано дважды: один раз в сигналь­ ном контуре и второй — в холостом контуре, что возможно благо­ даря принятому ранее предположению о селективности этих контуров.

Согласно (2.39) система уравнений, описывающих схему рис. 4.2, идентична системе (3.33):

 

 

 

О-г

z _ , , _

•1,0

 

 

 

«/о J

 

0,0

где

в

соответствии с

(2.27)

 

Z0,a

=

RQ,O +

j^o.o =

Z r + Z H a r p +

Rs +

Z-i.o =

J-^-i.o = jSi/a>0 ,

 

Z0, - i = }X0t

- l = J S A - i = J V ^ i .

Z-г, _ ! = # _ l f

_ ! + j X - i , -x = Z_x + Rs +

=

Z1 +

RB-ilX(nA-(S0/<»i)}.

 

X

 

 

(4.1)

 

о J

 

 

j [X

(co0)

( 5 0 / ( 0 0 ) ] ,

 

 

 

(4.2)

] [X

(и-О

-

(S0 /<0-i)] =

109


Напомним,

что

в уравнении

(4.1) комплексные

амплитуды £/_х

и / _ х

относятся

к напряжениям

и токам с частотой со_1( а комплекс­

ные

амплитуды

U0

и / 0

— к напряжениям и токам

с частотой ш0 .

Как покажем

далее

(4.б)1 ),

необходимым (но

недостаточным)

условием появления отрицательного сопротивления в. сигнальном

контуре

является'

 

 

 

сон >

con,

(4.3)

которое

означает (2.25), что со_! <

0.

 

Для получения в (4.1) комплексных амлитуд тока It и напряже­ ния Ui, относящихся к фактической (положительной) холостой ча­ стоте coj, необходимо воспользоваться зависимостью (3.56). Анало­

гично, основываясь

на (3.57), в выражения для импедансов

и Zo,-i в (4.2) можно

подставить вместо

со* величину

Импеданс,

который в сигнальный контур вносится

«накачиваемым»

эластансом

совместно с холостым контуром, выражается согласно (4.1) и (4.2)

следующим

образом:

 

 

 

 

 

 

Z

=r R 4--^°

l S l | а

 

 

-

(4

4)

в н

s

]С00

©о<В| 2

?

J [ * ( < * > * ) - ( S 0 / f l > , ) ]

v

- /

При настройке

холостого контура в резонанс, т. е. когда

 

 

 

Х_а ,

=

+

(S0lm)

- X

= 0,

(4.5)

действительная часть импеданса, вносимого диодом в контур сиг­

нала,

имеет значение

 

 

 

 

 

 

 

 

Я в н =

RS-\S1

 

|2/со0сог [Ri +

Rs]

 

(4.6)

или

при

использовании обозначений, введенных в

(3.15) —

(3.17)

и (3.57),

 

 

 

 

 

 

 

 

 

' в н р е з =

1 — ^ / ( 1

 

 

(4.7)

где qla >

0.

 

 

 

 

 

чтобы

Для получения' усиления в схеме рис. 4.2 необходимо,

действительная часть

вносимого

импеданса

была

отрицательной,

т. е. условие возникновения

усиления можно записать в виде

 

 

 

 

<?< >

1 + г ь

 

 

(4.8)

откуда становится ясной роль сопротивления2 1 Ri = Rsrt. Из (4.8) видно, что усиление в схеме проще всего получить при Rt = 0, а это означает отсутствие потерь во внешнем холостом контуре и наличие потерь для частоты со, лишь в сопротивлении Rs р-п перехода с накачкой. В этом случае условие (4.8) удобнее записать в более понятном виде:

I SJRa-f > со0©г = ©о (ю и щ),

(4.9)

х > В этом можно убедиться и теперь на основе (3.61).

2 ) Далее покажем, что Ri влияет также и на другие параметры усилителя, например на величину усиления, температуру шума [19, 32, 36].

110



откуда уже явно видно, что для получения усиления в схеме при за­ данных потерях в диоде и частотах сигнала и накачки необходимо достаточно сильное «возбуждение» р-п перехода мощностью накачки, так как это гарантирует получение достаточно большой амплитуды гармоники эластанса S1. Если же условие (4.9) не выполняется, то отрицательное сопротивление в сигнальный контур схемы не вносит­ ся и усиления не возникает вообще. Условия (4.3) и (4.9) определяют интервал частот, для которых можно получить усиление в схеме с диодом

сзаданными динамическими пара­

метрами | Sx | и Rs.

Сказанное

мож­

 

 

 

но представить

графически,

что^ и

 

 

 

сделано на

рис. 4.3.

 

 

 

 

 

 

 

Расчет

величины

 

коэффициента

 

 

 

усиления параметрического

усилите­

 

 

 

ля с

отрицательным

сопротивлением

 

 

 

зависит от

способа

его

использова­

 

 

 

ния в схеме усилителя. Этомувоп-

 

 

 

росу

посвящен

§

4.4.

 

 

 

 

 

 

Рис. 4.3. Зависимость частоты накачки от

 

 

 

частот

сигнала, на

которых

существует

тео­

№i

ад

 

ретическая

возможность

 

внесения

отри­

Ъ

 

Ъ

is

цательного сопротивления

в сигнальный

кон­

 

ш0

 

 

 

 

тур.

 

 

 

 

 

 

 

4.2. ОБМЕННАЯ ТЕМПЕРАТУРА ШУМА ОТРИЦАТЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ В ПРОСТЕЙШЕМ ПАРАМЕТРИЧЕСКОМ

УСИЛИТЕЛЕ

Рассчитаем обменную температуру шума отрицательного со­ противления, роль которого во входном контуре играет «накачивае­ мый» р-п переход вместе с холостым контуром. Примем, что переход находится при температуре Тя, а элементы холостого контура — при температуре 7V Пренебрежем шумами генератора накачки, вносимыми в схему. Это возможно, так как генератор накачки имеет достаточно узкую линию генерации. При необходимости в цепи на­ качки можно поставить узкополосный фильтр, практически полно­ стью устраняющий шумы генератора накачки.

Обменную температуру шума Т0 отрицательного сопротивления1 ) на частоте / определим [29, 59] из зависимости2)

 

 

T V ? =

Wm mv/k,

 

(4.10)

 

См. приложение П Л .

 

 

 

 

 

а> В данном разделе, как и раньше,

не будем

заниматься

проблемой поло ­

сы

пропускания параметрической схемы,

поэтому

определение

(4.10) относится

к

так называемой

дифференциальной

температуре шума, которую можно изме­

рить в бесконечно

узкой полосе частот. Задаче проектирования

широкополосных

параметрических

усилителей посвящено

много работ, например [46 — 48, 55] .

Ш