Файл: Грабовски, К. Параметрические усилители и преобразователи с емкостным диодом.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 16.10.2024

Просмотров: 121

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Ti = 0° К, - (4.26) и найдем, как будет влиять сопротивление холостого контура на об­

менную

температуру

 

шума отрицательного сопротивления.

 

При

выполнении

условия

(4.26)

зависимость

(4.13)

сводится

к виду

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т

1

SjRsl2

\ //

(l/<oo)|Si//?,l2

- l ) ,

(4.27)

 

 

 

+ l C 0 i { l + r t ) ] »

COj ( 1 + Г , -

 

 

3\lifi

2

О>0

№s/

 

Ti=0"K

§ / \

 

 

 

 

 

 

 

0,5

0,67

1,0

2,0

2,0

1,5

',0

0,5

 

 

1й>!"

 

 

Рис. 4.9.

 

Рис. 4.10.

Рис. 4.9. Зависимость

отношения оптимальной частоты накачки к сигнальной

частоте, обеспечивающего минимальную обменную шумовую температуру отри­ цательного сопротивления при холостом контуре с потерями от динамической доб ­

ротности варакторного диода на сигнальной частоте

(ось абсцисс), и от сопро­

тивления потерь холостого контура (параметр) при

условии, что холостой кон­

тур находится при температуре абсолютного нуля

(7\ - =0°К) .

Рис.

4.10. Зависимость относительной минимальной обменной шумовой темпера­

туры

отрицательного сопротивления от динамической

добротности варакторного

диода на сигнальной частоте при условии, что произведение холостой частоты и сопротивления нешумящего холостого контура подобрано оптимально в соот­ ветствии с (4.28).

откуда видно,

что

зависимость

Torv

от со;

(а. следовательно

от

шп ),

а также от Rt

проявляется

исключительно

в виде зависимости

от

про­

изведения COj (1 +

rt).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Затем можно искать минимум [59] обменной температуры

шума

отрицательного

сопротивления

в зависимости

от этого

произведения.

В результате

получим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

[сог(1 + П ) ] Т

- с о 0

[ /

l + i ^

^ l '

- i ]

,

 

 

(4.28)

Tl,P=Tn{\qUQf+{Y\

 

+ qt,0+

1 ] 2 ) / К о Г У 1

+

|<?*,ог\

(4.29)

117


Из (4.28) следует, что при данном сопротивлении потерь холос­ того контура Ri = const минимум обменной температуры шума (4.29) достигается при выборе частоты накачки в соответствии с формулой

 

С 0 ^ г =const = «о (г, +

] Л +

\Qi,o\2)/ (1 +

г,).

(4.30)

При сон

= const достижение минимума обменной температуры

шума обеспечивает

 

 

 

 

 

RLR=

const = Rs

0 V1 + 1 0f,oI я — »н)/( ш н —

о>о)-

(4.31)

Следует,

очевидно,

помнить,

что

приведенные

рассуждения

справедливы при предположениях (4.3) и (4.9), т. е. когда со„ удовлет­ воряет неравенству

с о 0 < с о н < со0 (1 + \qt,.0\),

(4.32)

которое является необходимым условием возникновения в парамет­ рическом усилителе отрицательного сопротивления. Зависимости (4.30) и (4.31) представлены на общем графике на рис. 4.9.

Из рассмотрения (4.29) следует интересный и интуитивно оче­ видный вывод, что минимальная обменная температура шума отри­ цательного сопротивления в случае холостого контура без потерь зависит только от динамической добротности диода на сигнальной частоте и от температуры, при которой находится р-п переход. Графи­ чески уравнение (4.29) представлено на рис. 4.10. Интересно сравнить этот график с графиком, представленным на рис. 4.8. Из уравнения (4.29) видна целесообразность охлаждения холостого кон­ тура с потерями для получения малых шумов.

4.3.4.ЗАВИСИМОСТЬ М И Н И М А Л Ь Н О Й О Б М Е Н Н О Й ТЕМПЕРАТУРЫ

ШУ М А ОТ М О Щ Н О С Т И НАКАЧКИ

В заключение рассмотрим зависимость этих условий работы усилителя, оптимальных с точки зрения ограничения до минимума шумов отрицательного сопротивления, от мощности накачки. Эта

мощность может быть ограничена либо отсутствием СВЧ

генератора

соответствующей мощности либо невозможностью

приложить] к пе­

реходу

достаточно

большую СВЧ мощность без

его повреждения.

До сих

пор предполагалось, что модуль

первой гармоники

эластанса

| Sx | не зависит от

частоты накачки.

По-существу, эта

зависимость

существует в косвенном виде, так как |5Х | зависит от СВЧ мощности, управляющей р-п переходом, которая обычно не является постоян­ ной из-за указанных причин. В результате в некоторых случаях мо­

жет

возникнуть вопрос, какими критериями следует

пользоваться

при

проектировании данного

параметрического усилителя, чтобы по­

лучить в

нем минимальную

обменную

температуру

шума

отрица­

тельного

сопротивления, если по ряду

причин невозможно

подвести

118


К р-п переходу достаточную мощность на оптимальной (4.18), (4.20) частоте накачки [38]х >.

В основу расчетов положим зависимость (4.17) для обменной тем­ пературы шума отрицательного сопротивления в простейшем пара­ метрическом усилителе с холостым контуром без потерь.

Рассмотрим два наиболее часто применяемых на практике типа переходов — линейный и резкий. Как будет показано (§ 4.4), в боль­ шинстве схем параметрических усилителей обменная температура шума всего усилителя при большом усилении близка к обменной температуре шума только самого отрицательного сопротивления.

Найдем минимум выражения

 

Тд

 

 

со*

\SJRt\*-(o0(Ot

 

e [ | < 7 * , o ] 2 - 0 )

(4.33)

 

 

 

 

 

в

котором

 

 

 

 

 

 

 

 

 

e =

M i

=

0 D

5

_ 1 >

п р

и ч ш о < е < | ? , 0 | а ,

(4.34)

в

зависимости

от

0

при

условии,

что

 

 

 

 

 

 

k i , o l 2 = | S i l V # S < o ?

(4.35)

является функцией частоты накачки, т. е. при постоянной частоте

сигнала,

квадрат

динамической

добротности

|^,0 |3 зависит от хо­

лостой частоты (т. е. от 0).

 

 

 

 

 

 

 

На основании [38, 59] эту зависимость можно записать для рез­

кого

перехода в

виде

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

l 9 i , o l 3 = W ( l + 0

) 2

 

 

 

(4-36)

и для линейного

перехода

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

K ' - i ' - r b j / T F

 

 

 

( 4 ' 3 7 )

где

Р—мощность

накачки,

рассеиваемая

в переходе,

 

 

 

 

Р, =

8Р„(щ/ав^,

 

 

 

 

(4.38)

ю пр=

I

!макс/-^з предельная динамическая

частота,

 

 

 

 

^=139/>*(ш 0 /а> п р )« .

 

 

 

(4.39)

 

х ) Практически частота накачки выбирается меньше оптимальной по мини­

муму шумов усилителя. Это связано

со следующими

причинами:

 

 

минимум оказывается довольно широким и

точное значение частоты

не очень

критично;

 

 

 

 

 

 

 

 

шумы диода являются

только частью шумов

приемного

устройства;

 

— в результате увеличения частоты накачки

увеличивается

мощность,

которую трудно получить, и повышается температура р-п

перехода;

 

 

— в результате увеличения боковой частоты

выше

частоты

параллель­

ного .резонанса уменьшается полоса.

(Прим.

ред.)

 

 

 

 

119


 

Параметр

PN

=

(Uav

+

Ф)2 //?8

имеет

размерность

мощности

и его называют [59] нормализованной

мощностью,

 

причем

Unp

напряжение пробоя

перехода,

а Ф —диффузионный

потенциал.

 

На

Типичная

зависимость

|<7;,0|

от

0

представлена

на

рис. 4.11.

частотах накачки,

лежащих слева

от

величины

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(92 -|- 1) =

а>т/щ,

 

 

 

 

 

 

 

(4.40)

к

переходу

можно

подвести

мощность,

обеспечивающую

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= | 5 1 м а к

0 |

=

const.

 

 

 

 

 

(4.41)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Эту

область

значений

ча-

 

 

Область

 

Область

 

стот накачки

назовем

областью

 

 

невозможного

возможного

 

полной

накачки

 

перехода.

Сп­

 

 

усиления

 

усиления

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

рава

от

нее, где

сон > сон г ,

на­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ходится

область

 

неполной

на­

 

 

\сП,о\м

 

 

 

 

 

 

качки перехода,к которой в

за­

 

 

 

 

 

 

 

 

висимости

от

 

.типа

перехода

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

можно применить соотношения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(4.36)

или

(4.37).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В области

полной

накач­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ки

справедливы

 

условия

мини­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мизации

 

Tmv,

 

 

приведенные в

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

§ 4.3.1—4.3.3. Для данного р-п

 

 

 

 

 

 

 

м4fo

перехода обычно

известны

сле­

 

 

 

 

 

 

 

дующие

предельные

величины:

 

 

 

(6Z+1)=

 

 

максимальный

эластанс

5 м а к с ,

 

 

 

 

 

 

 

максимальная

 

глубина

моду­

 

Рис. 4.11. Типичная

зависимость

дина­

ляции первой гармоники

М1млкс,

 

мической

добротности

 

варакторного

максимально

допустимая

мощ­

 

диода на

частоте

сигнала

от

отно­

ность

потерь

Р

м а к с ,

а

также

 

 

сительной

частоты

накачки.

величины

РА

и

 

PL в зависимо­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

сти

от

типа' перехода. Подста­

новка этих величин в (4.36) или~(4.37)

позволяет

найти

величину

(0Z

+

1) =

coHZ/co0,

соответствующую точке

излома на рис. 4.11.

 

 

Для резкого перехода она равна

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(Ogz

( 9 , +

1) =

1

 

 

•j

/

^макс

 

 

 

 

(4.42)

 

 

 

 

=

I 9i,о

Iмакс

V

 

Ps

 

 

 

 

а для

линейного

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

( в 2 + 1 )

=

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(4.43)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ш °

 

 

 

 

|<7г,о|макс

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Если рассчитанное в § 4.3.1—4.3.3

значение

со,^ удовлетворяет

неравенству

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

« и <

сои г ,

 

 

 

 

 

 

 

 

(4.44)

то условие (4.11), которое удовлетворяет лишь ранее введенным ус­ ловиям минимизации обменной температуры шума, считается выпол-

120