Файл: Грабовски, К. Параметрические усилители и преобразователи с емкостным диодом.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 16.10.2024

Просмотров: 117

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

где

Wm о т р

— спектральная плотность обменной

мощности шума

на

частоте

/

для отрицательного сопротивления,

к

постоянная

Больцмана.

 

 

 

 

 

Для простейшей схемы параметрического усилителя

(рис. 4.2)

спектральную

плотность обменной мощности шума № ш о т р

в сигналь­

ном контуре рассчитаем с учетом того, что тепловые шумы сопротив­

ления R s на

частотах

со0 и со* не коррелируют

друг

с

другом

и что

они также не коррелируют с тепловыми шумами сопротивления

по­

терь R t холостого контура. Поэтому можно

записать

 

 

 

 

 

 

 

 

Wm

отр =

WoORs

+

Wo iRg

+ WoiR.

 

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

2 _ L

Г/2

 

 

 

 

 

 

Af.

 

 

(4.11)

 

 

 

шОД

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Jo

 

 

 

la

y U

» ^

 

Рис.

4.4.

Эквивалентная

схема

пере­

 

 

 

 

 

 

 

 

менного эластанса и холостого кон­

 

 

 

 

 

 

 

 

тура

и эквивалентная

ей

шумовая

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

схема.

 

 

 

 

При

усилении вносимое

сопротивление

R B

n

отрицательно

и

вы­

ражается

зависимостью

(4.6).

В

уравнении

(4.11)

Wm0Rs

 

со­

ставляющая спектральной плотности обменной мощности шума

на

отрицательном

сопротивлении

R B n , возникающая

на

частоте

со0

из-за тепловых

шумов сопротивления R s р - п перехода

на той же ча­

стоте; WmiRs

— составляющая

спектральной

плотности

обменной

мощности шума на отрицательном сопротивлении

R

B H

,

возникающая

на частоте

со0

из-за

тепловых шумов сопротивления

потерь

R s р-п

перехода на холостой

частоте сог;

ш г

— составляющая

спектраль­

ной плотности обменной мощности шума на отрицательном сопротив­ лении R B U , возникающая на частоте со0 из-за тепловых шумов со­ противления потерь R i холостого контура на холостой частоте со/. В числителе правой части уравнения (4.11) находятся средние зна­ чения квадратов эквивалентных (в соответствии со схемой замеще­ ния Тевенииа) напряжений шума, соответствующих трем указанным источникам шумов (рис. 4.4).

Из зависимостей

(4.1)

и

(4.2)

 

получаем

 

 

 

I UmoRs\2

=

4А7у?,ДД

 

 

I VmiRs

I 2

=

[5х /сог (Rs

+ Rt)]2

MTRRsAf,

(4.12),

I UmiR.\2

=

ISM

(Rs

+

Rd?

AkTiRiAf.

 

После подстановки (4.12) в (4.11) с учетом (4.6) и (4.10) получим общее выражение обменной температуры шума отрицательного со­ противления в простейшем параметрическом усилителе при выполне-

112


( 4 . 1 3 )

нии

условия

настройки

в резонанс

холостого контура

{Z^Ri+Rs)

и справедливости

неравенства

( 4 . 8 ) :

 

 

т

_. Тп Rs

(1 +

[| St [/со;

(Rs +

Rj)?} ±Tj

Rt 1| S x I/on ( f l 8 + / ? t ) ] g

( 4 1 3 )

или после подстановки нормированных импедансов ( 3 . 1 7 ) и динами­

ческих добротностей

( 3 . 1 5 ) , ( 3 . 1 6 ) , ( 3 . 5 7 )

^ o . f p = ( ^ [ | ? o , i l 2 +

( l + / - t ) 2 ] + ^ ' - i k o , i | 2 ) / ( l + ' - i ) ( ^ - ' - i - l ) - ( 4 . 1 4 )

4 . 3 . МИНИМИЗАЦИЯ ОБМЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ШУМА ОТРИЦАТЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

в ПРОСТЕЙШИХ ПАРАМЕТРИЧЕСКИХ УСИЛИТЕЛЯХ

Выражения ( 4 . 1 3 ) и ( 4 . 1 4 ) в качестве исходных дают возможность [ 2 4 , 5 9 ] обсудить и оптимизировать шумовые свойства отрицательного сопротивления в зависимости от ряда параметров простейшего уси­ лителя. Эти шумы будем оценивать, пренебрегая потерями в р-п переходе.

Рассмотрим влияние потерь холостого контура на обменную температуру шума отрицательного сопротивления. Проанализируем

влияние

охлаждения параметрического

диода и холостого

контура

на шумы

отрицательного сопротивления,

а также возможность

выбора

оптимальной частоты накачки, обеспечивающей наименьшую темпе­ ратуру шума отрицательного сопротивления в простейшем парамет­ рическом усилителе. В заключение исследуем влияние мощности накачки на шумы отрицательного сопротивления р-п перехода при накачке.

4.3.1.ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ С Д И О Д О М БЕЗ ПОТЕРЬ

Условие Rs = 0 в приводит к очень простому выражению для обменной температуры шума отрицательного сопротивления в усилителе с диодом без потерь:

Т о т р = ((Oo/co,)7Y

(4 . 15)

Из выражения ( 4 . 1 5 ) следует, что чем сильнее охлаждается хо­ лостой контур и чем выше частота накачки, тем меньше обменная тем­ пература шумов, вносимых в сигнальный контур р-п переходом без потерь и холостым контуром.

4.3.2.ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ С Х О Л О С Т Ы М К О Н Т У Р О М

БЕЗ ПОТЕРЬ

Из упрощения уравнения

( 4 . 1 4 )

при условии Rt — 0

следует

Tmj> = ЗДо,

О 2 +

П/(^о ! ) •

(4 - 16)

Это выражение идентично выражению ( 3 . 7 2 ) для температуры шума двухчастотного преобразователя с нижней боковой в случае

113


подбора импеданса генератора для получения бесконечно большого обменного усиления. Зависимость (4.16) можно выразить через часто­ ты сигнала и накачки:

 

 

отр

1 д

 

соо

\ S J R , \ *

•>

 

( с о д - с о д ) »

(4.17)

 

х

 

— С0

I S i / ^ s |

 

( с о

 

— со

) со

 

 

 

 

( 0

Н

а

н

0

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

0

 

 

 

На

рис.

4.5

сплошными

линиями

 

 

показаны

кривые^. . ^ ^ Т„..о

т р

= const

в соответствии с (4.17) в координатах х> со0 и

сон. Из рисунка

 

 

 

 

 

 

видно,

что

в области

частот,

где

 

 

 

 

 

 

может

 

возникнуть

усиление

(4.3)

 

 

 

 

 

 

и (4.9)

(рис. 4.3),

каждой частоте

 

 

 

 

 

 

сигнала со0 соответствует некоторая

 

 

 

 

 

 

оптимальная частота накачки, при

 

 

 

 

 

 

которой

 

обменная

температура

/о'

 

\

 

-

 

 

 

отр

 

77Т\

о"к •

 

 

 

10'' 1 10 10Г 10.' 104.

Рис. 4.6.

Рис. 4.5. Зависимость постоянной шумовой температуры отрицательного сопро­ тивления от динамической добротности варакторного диода на сигнальной часто­ те (ось абсцисс), а также от отношения частот накачки и сигнала (ось ординат) для параметрического усилителя с холостым контуром без потерь и варакторным

диодом, находящимся при стандартной температуре

Г Д = 2 9 0 ° К .

Штриховая линия обозначает оптимальное

значение частоты

накачки, при которой обмен­

ная шумовая температура отрицательного

сопротивления минимальна.

Рис. 4.6. Зависимость минимальной обменной шумовой температуры отрицатель­ ного сопротивления от динамической добротности варакторного диода на сиг­

нальной частоте для параметрического усилителя с

холостым контуром без по­

терь и варакторным диодом, находящимся

при

стандартной температуре

Г д = 2 9 0 ° К и при температуре жидкого азота

Т Д = 7 7 ° К .

шума отрицательного сопротивлния достигает минимума. Простое дифференцирование (4.77) по соп и приравнивание производной нулю позволяет [59] определить эту частоту

1 ) На оси абсцисс для удобства нанесения шкалы вместо ш 0 принято о* 0 =

114


 

 

Ш н = и 0

/ l + l ^ . o IS

 

(4-18)

а также предельную температуру

шума

 

 

 

Ттотр =

{1 +

1 Л + К о I2 ) = Тя

.

(4.19)

Очевидно, что выражения (4.18) и (4.19) в результате подобия

(4.16) и

(3.72) идентичны с

соответствующими

величинами (3.74)

и (3.75)

для двухчастотного

преобразователя с

нижней

боковой.

На рис. 4.5 оптимальная частота (4.18) обозначена пунктиром. Гра­ фик зависимости (4.19) приведен на рис. 4.6.

4.3.3.ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ С ХОЛОСТЫ М КОНТУРОМ

СПОТЕРЯМ И

В случае, когда нельзя пренебречь потерями в холостом контуре (Rt Ф 0) и элементы этого контура работают при температуре Ti} оптимальная частота накачки, обеспечивающая минимальную об­

менную температуру шума

отрицательного

сопротивления,

равна

®тя = со0' Ts±Il£l

/ 1+ | q р .

Z k _

(4.20)

а соответствующая ей минимальная обменная температура шума

определяется следующим

выражением:

 

^ _ ! ^ { 1

+ ^ + 1 т ы Р _ ь _ - } .

( 4 . 2 1 )

Из-за большого числа параметров выражения (4.20) и (4.21) трудно представить в обобщенном графическом виде. В то же время относительно просто [59] представить эти зависимости для некоторых выбранных значений параметров Tt и Rt. Рассмотрим, например, часто встречающийся на практике случай, когда

 

 

Tt = Тя,

 

 

 

(4.22)

т. е. холостой контур работает

при той же самой температуре,

что и

р-п переход. При

этом

получим

 

 

 

 

Т„р

= Тк

(| q0ti |« +

1 + гШ

- 1 -

г,).

(4.23)

Зависимости

(4.20)

и (4.21)

в

этом

случае

упрощаются:

 

 

®1 = Щ У1+

1^, 0 | а /(1+^),

 

(4.24)

Графики зависимостей (4.24) и (4.25) представлены [59] соответ­ ственно на рис. 4.7 и 4.8, где параметром является относительное сопротивление потерь rt холостого контура, а Тж — Ti = 290° К. Как видно из них, увеличение потерь в холостом контуре при задан-

115


ной частоте сигнала (q^0 = const) вызывает в этом случае рост ми­ нимальной обменной температуры шума, которая достигается при уменьшенном значении частоты накачки по отношению к оптимальной частоте накачки, соответствующей холостому контуру без потерь (Rt = 0).

1

 

 

/

 

2,5|«,, •чГ

 

 

 

 

 

 

 

 

1000,

',%,0|

 

 

 

 

 

 

 

2.

 

4%,с

 

 

 

 

0,5

 

1,0

 

 

2,0

1.5

1,0

0,5

 

 

 

i v

r

 

 

Рис. 4.7.

Рис. 4.8.

Рис. 4.7. Зависимость

отношения оптимальной

частоты накачки к сигнальной

частоте, обеспечивающего получение минимальной обменной шумовой темпера­ туры отрицательного сопротивления при холостом контуре с потерями, от дина­ мической добротности варакторного диода на частоте сигнала (ось абсцисс) и от сопротивления потерь холостого контура (параметр) при условии, что холостой контур находится при той же температуре, что и варакторный диод.

Внешние кривые на графике обозначают теоретический предел частот накачки, при которых

возможно получение усиления в усилителе.

Рис. 4.8. Зависимость минимальной обменной шумовой температуры отрицатель­ ного сопротивления от динамической добротности варакторного диода на сигналь­

ной частоте (параметр) при

условии, что холостой контур и варакторный диод

находятся при стандартной

температуре ( Г д = Г , - = 2 9 0 ° К ) .

Рассмотрим еще один пример. Предположим, что холостой кон­ тур, хоть и имеет потери1 ' (Ri Ф 0), но охлажден до температуры аб­ солютного нуля

1 ) Очевидно, что условие не может быть никогда выполнено, однако на прак­ тике можно [32, 33] нагрузить холостой контур без потерь холодным рупором — антенной, направленной в такую точку неба, температура шумов которой очень мала. Цель, которая при этом достигается, заключается в увеличении полосы холостого контура, что часто приводит к расширению полосы всего усилителя.

116