Файл: Грабовски, К. Параметрические усилители и преобразователи с емкостным диодом.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 16.10.2024

Просмотров: 126

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Заметим (5.40), (5.41), что несмотря на одинаковое отношение мощ­ ности сигнала к мощности шума на выходе каждой из двух схем, при Те = Тафф разделение мощности сигнала на составляющие постоянную и с частотой, отличной от нуля, в обоих устройствах различно. Далее видно, что сравнение обеих схем возможно лишь тогда, когда будет уточнена процедура обработки сигнала на выходе после детектора.

Примеров, подобных рассмотренным, можно привести значительно больше [5]. Из их анализа вытекает общий вывод, что для однозначного определения уменьшения отношения сигнала к шуму на выходе вы­ рожденного параметрического усилителя с двумя боковыми по срав­ нению с отношением сигнал/шум на его входе необходимо уточнить помимо таких параметров самого усилителя, как усиление G n и эффек­ тивная температура дополнительные данные, касающиеся рас­ пределения фазы и амплитуды усиливаемого сигнала, типа детектора после усилителя и процедуры обработки сигнала после детектора.

5.6.ВЫРОЖДЕННЫЕ ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ УСИЛИТЕЛИ В РАДИОЛОКАЦИИ

ИРАДИОАСТРОНОМИИ

Конструкции вырожденных параметрических усилителей значи­ тельно проще конструкций невырожденных усилителей благодаря тому, что сигнальный контур одновременно выполняет функции холостого контура. На рис. 5.3 в качестве типичного примера представлен 111] разрез вырожденного параметрического усилителя, предназначенного для радиоастрономических наблюдений, частота сигнала 6,5 Ггц.

Рис 5.3. Эскиз вырожденного параметрического

усилители [ И ] ,

предназна­

ченного для

радиоастрономических наблюдений в

С-диапазоне:

/—волновод сигнала

уменьшенной высоты, 2—фильтр нижних

частот,

3— коаксиальный

трансформатор,

4 — коаксиальная линия,

подводящая

мощность накачки к диоду. 5 — вол-

повод накачки

диапазона Ки., Б — диод

XD-502, 7 — конденсатор,

S — слюдяная прокладка,

 

 

9— подача

напряжения

смещения.

 

 

178


Усилитель выполнен в виде волноводно-коаксиальной конструкции и охлаждается до температуры жидкого азота. Сигнал из антенны под­ водится к усилителю через прямоугольный волновод, соединенный с коаксиальным сигнальным контуром, в котором находится диод, с по­ мощью сложного перехода, состоящего из ступенчатого перехода к гребенчатому волноводу, далее из двухсекционного трансформатора импедансов, который заканчивается переходом к коаксиальной 50-

омной линии. От этого перехода к диоду ведет фильтр нижних

частот,

а также трехступенчатый четвертьволновый трансформатор,

который

Рис. 5.4. Внешний вид усилителя, изображенного на рис. 5.3.

понижает характеристическое сопротивление линии до 3 ом. Варакторный диод включен последовательно во внутренний проводник 3- омной линии, короткое замыкание которой осуществлено не сразу вблизи диода, а на некотором расстоянии от него для введения последо­ вательной индуктивности порядка 1,2 нгн для обеспечения резонанса на заданной частоте сигнала" контура, образованного из р-п перехода, элементов корпуса диода и этой индуктивности. Мощность накачки, порядка 100 мет, подводится к диоду от клистрона с помощью коак­ сиальной линии малого диаметра, связанной с прямоугольным волно­ водом, предназначенным для работы в диапазоне накачки.

Требуемая долговременная стабильность источников напряжения на резонаторе и отражателе составляет 0,01%, а источник питания на-

1 } Следует обратить внимание на малые размеры контура с диодом, что по ­ зволяет резко уменьшить запасаемую в контуре электрическую энергию. Практи­ чески емкость контура образована только р-п переходом и корпусом диода. От ­ сутствие паразитных емкостей необходимо для реализации широкой полосы.

(Прим. ред.)

J79

кала клистрона характеризуется долговременной стабильностью по­ рядка 0,05%. Оба волновода (сигнальный и накачки), ведущие к уси­ лителю, достаточно длинные (около 50 см), чтобы обеспечить возмож­ ность свободного погружения усилителя в сосуд Дьюара с жидким азотом.

На рис. 5.4 показан внешний вид усилителя, вынутого из сосуда Дьюара. Здесь также видна «холодная» нагрузка, используемая для калибровки усиления путем измерения известной мощности ее шумов.

СП И С О К Л И Т Е Р А Т У Р Ы

1.Б л е к у э л л Л . , К о ц е б у К. Параметрические усилители на полу­ проводниковых диодах. Изд-во «Мир», 1964.

2.

В и г а P. Degenerate

and Quasi-Degenerate Mode of P a r a m e t r i c

A m p l i f i ­

 

cations. I R E T r a n s . , v . CT - 7, № 3 , September 1960, p. 200—210.

 

3.

Д,а

в e и п о р т В.

Б.,

Р у т В.

Л . Введение в теорию случайных

сигна­

 

лов

и шумов . Изд-во

иностранной

литературы, 1960.

 

4. D a g 1 i s h H . N . et a l . A p p l i c a t i o n s of P a r a m e t r i c A m p l i f i e r s i n S a t e l l i t e

 

C o m m i n i c a t i o n .

Proc.

of

the J o i n t .

S y m p o s i u m

on M i c r o w a v e

A p p l i c a t i o n s

 

of Semiconductors,

L o n d o n

30 - th J u n e , 2-nd J u l y

1965, paper №

10.

 

 

 

5.

Э т к и н

В.

С ,

Г е р ш е н з о

и

E. M . Параметрические системы С В Ч

 

на полупроводниковых диодах. Изд-во «Советское радио»,

1964.

 

 

 

 

 

6.

F г е е d

С.

A

Survey

of

V a r a c t o r Diode

Parametric

A m p l i f i e r

Characte­

 

ristics . M . J . , v .

6, J a n u a r y

1963,

p. 75 — 80 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7.

G i I d e n

M .

et

a l . A

N e a r l y

O p t i m u m

W i d e - B a n d Degenerate

Parametric

 

A m p l i f i e r .

Proc.

I R E , v . 49, №

4,

A p r i l

1961, p. 833—834.

 

 

 

 

 

 

8.

G г e e n

e

J .

C. et a l . Radar

 

S e n s i t i v i t y w i t h

Degenerate P a r a m e t r i c

A m p ­

 

l i f i e r F r o n t

E n d . Proc.

I R E . v . 49,

A p r i l

1961, p.

804—807.

 

 

 

 

 

9.

H a u n

R.

D .

S u m m a r y of Measurement Techniques

of

P a r a m e t r i c

A m p l i ­

 

fier

and M i x e r

Noise

F i g u r e .

I R E

Trans . ,

v. M T T - 8 ,

4,

J u l y

1960,

p.

410 —

 

414.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10.

J a g e r

J .

T .

et

a l . S e n s i t i v i t y

of

the Degenerate

P a r a m e t r i c

A m p l i f i e r .

 

Proc. I R E , v .

49, №

7,

J u l y

1967, p. 1205—1206.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

11 .

J u r k u s

A .

Design and Construction

of

a Cooled

Parametric

A m p l i f i e r for a

 

C - Band R a d i o m e t e r . M . J . . , M v . 7, № 1, J a n u a r y

1964, p.

5 8 — 6 1 .

 

 

 

 

12.

K r o s z c z y n s k i

 

J .

MeTody

wspolczesnej

r a d i o l o k a c j i .

W y d .

K o m . i

 

Lacznosci,

Warszawa,

1966.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

13.

M о n t g о

m

e г у

 

G.

F .

P a r a m e t r i c A m p l i f i c a t i o n

w i t h a

L o w

frequency

 

p u m p . Proc. I R E , v . 49, №

7, J u l y

1961, p.

1214—1215.

 

 

 

 

 

 

14.

Penfield

P.

j r . et

a l . V a r a c t o r

A p p l i c a t i o n s .

The M . I . T . Press,

Cambridge,

 

Mass.

1962.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

15.

Rafuse

R .

P.

C h a r a c t e r i z a t i o n

 

of

Noise

i n R e c e i v i n g

Systems.

Lectures on

 

C o m m u n i c a t i o n

System T h e o r y .

E d i t o r

E . J . B a g h d a d y . M c G r a w - H i l l

Book

 

Co,

New Y o r k

1961, p.

396—399.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

16.

S e

i d

1 e t

J .

Wspolczesne

metody

o p t y m a l i z a c j i

systemow

 

t e l e k o m u n i -

 

k a c y j n y c h .

W y d . K o m . i Lacznosci,

Warszawa, 1965.

 

 

 

 

 

 

 

17.

«Вопросы

статистической

теории

радиолокации»,

под

ред. Тартаковского .

 

Изд-во «Советское радио», т. 1,

1953, т. I I , 1964.

 

 

 

 

 

 

 

 

18.

Б е р ш т е й н

И. Л . ,

Г о р о н и и а

К-

А.

О

чувствительности

прием­

 

ных

устройств.

«Известия

вузов»,

сер.

Радиофизика,

1964,

т.

7,

№ 3,

 

стр.

4 9 7 — 5 0 1 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 



ГЛАВА ШЕСТАЯ

НЕВЗАИМНЫЕ РЕЗОНАНСНЫЕ . ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА

Рассматриваемые в главах 3—5 параметрические устройства1 ' ха­ рактеризуются двунаправленной работой, т. е. они усиливают и сиг­ нал, поданный на выходные клеммы. Эти устройства, если они не со­ держат иевзаимного элемента типа изолятора или циркулятора, не обеспечивают развязки между своими входом и выходом. В зависи­ мости от его вида связь между выходом и входом в общем различна. Наибольшая паразитная связь наблюдается в параметрическом усилителе без невзаимного элемента, а также в преобразователе с ис­ пользованием нижней боковой полосы. Применение в таких устройствах циркуляторов или изоляторов может привести к полному устранению упомянутого недостатка. К сожалению, использование невзаимных элементов имеет и свои отрицательные черты, поскольку на практике они, не являясь устройствами без потерь, вносят собственные шумы, чувствительны к изменению температуры и отличаются ограниченным частотным диапазоном. В частности, для интервала нижних частот диапазона ультракоротких волн до сих пор еще не построены циркуляторы и изоляторы с хорошими рабочими параметрами. Далее будут рас­ смотрены схемы параметрических устройств, характеризующихся раз­ вязкой входа от выхода без помощи невзаимных устройств типа изоля­ торов либо циркуляторов3 '.

Известен ряд применяемых на практике разнородных направлен­ ных параметрических устройств, в которых используются часто совер­ шенно разные свойства параметрических схем. Поэтому-то не пред­ ставляется возможным привести единую теорию всех их. Тем не менее их можно разделить на несколько групп, заключающих в себе

1 5 Невзаимные параметрические системы исследованы очень мало. Это связано с тем, что с появлением ферритовых циркуляторов интерес к ним упал.

Однако

в настоящее

время эти

системы

привлекают внимание

специалистов

вновь. Дело в том, что в связи с появлением С В Ч

транзисторов параметрические

системы

на низких

частотах

имеют

смысл

только в том

случае, если

их шумы будут очень малы. Таким образом, шумы системы обусловлены в ос ­ новном шумами циркулятора . При микроминиатюризации циркулятора потери в нем растут и полоса уменьшается. При современных тенденциях перехода к ин­

тегральным

схемам

и

современной

технологии

получения

идентичных

диодов

(в особенности, если

оба р-п перехода выращены на одном

кристалле)

наличие

нескольких

диодов не

приводит

к

увеличению

размеров схемы, в то время как

применение

циркулятора может

быть нежелательно. (Прим.

ред.)

 

2 > Автор противопоставляет невзаимные параметрические устройства не­ взаимным ферритовым. По нашему мнению, эти пути получения невзаимности, однонаправленности скорее дополняют друг друга. (Прим. ред.)

181


достаточно близкие разновидности, для которых уже, в свою очередь, можно применить достаточно общий анализ.

В дальнейшем параметрические устройства, в которых наблюда­ ются свойства направленного усиления, разделим на следующие группы:

а) многодиодные схемы, направленное действие которых основано на сохранении симметрии и обеспечении специальных фазовых соот­ ношений на емкостных диодах на частоте накачки. Эти схемы исполь­ зуются в качестве направленных усилителей;

б) однодиодные схемы, в которых обеспечиваются особые фазовые и амплитудные условия на емкостном диоде на частоте накачки и ее второй гармонике. Эти схемы требуют наличия резонанса еще на одной частоте, кроме сигнальной и нижней боковой;

в) однодиодные схемы, в которых в качестве второго элемента (помимо переменной емкости) используется нелинейное сопротивле­ ние (проводимость), управляемое большим сигналом, и в которых со­ храняются определенные фазовые соотношения на частоте накачки на обоих нелинейных элементах.

6.1.НАПРАВЛЕННЫЕ ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ УСИЛИТЕЛИ

Параметрические схемы со свойствами направленного усиления соответствуют в общем определению п. а. Детальное различие между устройствами этой группы зависит от того, каким способом выбраны фазовые соотношения на обоих диодах иа частоте сигнала [ 1 , 2, 8, 13, 22, 24], либо от того, каким способом настраивается холостой контур [17—20], обычно общий для обоих диодов. Обсудим две, как нам пред­ ставляется, наиболее характерные, разновидности направленных уси­ лителей.

-6.1.1. Н А П Р А В Л Е Н Н Ы Й УСИЛИТЕЛЬ С Д В У М Я Д И О Д А М И , НА КОТОРЫЕ С И Г Н А Л И НАКАЧКА П О Д А Ю Т С Я В К В А Д Р А Т У Р Е

Такой усилитель можно представить в виде эквивалентной схемы [5, 8, 14, 15] с сосредоточенными параметрами (рис. 6.1), которая состоит из четырех звеньев. Индексы 1, 2, 3 на рисунке относятся к первым трем. Четвертое звено состоит из двух идеальных трансформа­ торов с коэффициентом передачи 1 : 1 и передающей линии, длина ко­ торой равна четверти длины волны сигнала. Оно непосредственно свя­ зывает первое звено со вторым и благодаря этому может быть просто учтено в анализе без необходимости построения системы уравнений, описывающих цепь усилителя. Роль четвертьволновой.линии с успе­ хом может также выполнять 3-дб направленный ответвитель, сдвига­ ющий фазу на 90°.

182