Файл: Грабовски, К. Параметрические усилители и преобразователи с емкостным диодом.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 16.10.2024
Просмотров: 126
Скачиваний: 0
Заметим (5.40), (5.41), что несмотря на одинаковое отношение мощ ности сигнала к мощности шума на выходе каждой из двух схем, при Те = Тафф разделение мощности сигнала на составляющие постоянную и с частотой, отличной от нуля, в обоих устройствах различно. Далее видно, что сравнение обеих схем возможно лишь тогда, когда будет уточнена процедура обработки сигнала на выходе после детектора.
Примеров, подобных рассмотренным, можно привести значительно больше [5]. Из их анализа вытекает общий вывод, что для однозначного определения уменьшения отношения сигнала к шуму на выходе вы рожденного параметрического усилителя с двумя боковыми по срав нению с отношением сигнал/шум на его входе необходимо уточнить помимо таких параметров самого усилителя, как усиление G n и эффек тивная температура дополнительные данные, касающиеся рас пределения фазы и амплитуды усиливаемого сигнала, типа детектора после усилителя и процедуры обработки сигнала после детектора.
5.6.ВЫРОЖДЕННЫЕ ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ УСИЛИТЕЛИ В РАДИОЛОКАЦИИ
ИРАДИОАСТРОНОМИИ
Конструкции вырожденных параметрических усилителей значи тельно проще конструкций невырожденных усилителей благодаря тому, что сигнальный контур одновременно выполняет функции холостого контура. На рис. 5.3 в качестве типичного примера представлен 111] разрез вырожденного параметрического усилителя, предназначенного для радиоастрономических наблюдений, частота сигнала 6,5 Ггц.
Рис 5.3. Эскиз вырожденного параметрического |
усилители [ И ] , |
предназна |
||||
ченного для |
радиоастрономических наблюдений в |
С-диапазоне: |
||||
/—волновод сигнала |
уменьшенной высоты, 2—фильтр нижних |
частот, |
3— коаксиальный |
|||
трансформатор, |
4 — коаксиальная линия, |
подводящая |
мощность накачки к диоду. 5 — вол- |
|||
повод накачки |
диапазона Ки., Б — диод |
XD-502, 7 — конденсатор, |
S — слюдяная прокладка, |
|||
|
|
9— подача |
напряжения |
смещения. |
|
|
178
Усилитель выполнен в виде волноводно-коаксиальной конструкции и охлаждается до температуры жидкого азота. Сигнал из антенны под водится к усилителю через прямоугольный волновод, соединенный с коаксиальным сигнальным контуром, в котором находится диод, с по мощью сложного перехода, состоящего из ступенчатого перехода к гребенчатому волноводу, далее из двухсекционного трансформатора импедансов, который заканчивается переходом к коаксиальной 50-
омной линии. От этого перехода к диоду ведет фильтр нижних |
частот, |
а также трехступенчатый четвертьволновый трансформатор, |
который |
Рис. 5.4. Внешний вид усилителя, изображенного на рис. 5.3.
понижает характеристическое сопротивление линии до 3 ом. Варакторный диод включен последовательно во внутренний проводник 3- омной линии, короткое замыкание которой осуществлено не сразу вблизи диода, а на некотором расстоянии от него для введения последо вательной индуктивности порядка 1,2 нгн для обеспечения резонанса на заданной частоте сигнала" контура, образованного из р-п перехода, элементов корпуса диода и этой индуктивности. Мощность накачки, порядка 100 мет, подводится к диоду от клистрона с помощью коак сиальной линии малого диаметра, связанной с прямоугольным волно водом, предназначенным для работы в диапазоне накачки.
Требуемая долговременная стабильность источников напряжения на резонаторе и отражателе составляет 0,01%, а источник питания на-
1 } Следует обратить внимание на малые размеры контура с диодом, что по зволяет резко уменьшить запасаемую в контуре электрическую энергию. Практи чески емкость контура образована только р-п переходом и корпусом диода. От сутствие паразитных емкостей необходимо для реализации широкой полосы.
(Прим. ред.)
J79
кала клистрона характеризуется долговременной стабильностью по рядка 0,05%. Оба волновода (сигнальный и накачки), ведущие к уси лителю, достаточно длинные (около 50 см), чтобы обеспечить возмож ность свободного погружения усилителя в сосуд Дьюара с жидким азотом.
На рис. 5.4 показан внешний вид усилителя, вынутого из сосуда Дьюара. Здесь также видна «холодная» нагрузка, используемая для калибровки усиления путем измерения известной мощности ее шумов.
СП И С О К Л И Т Е Р А Т У Р Ы
1.Б л е к у э л л Л . , К о ц е б у К. Параметрические усилители на полу проводниковых диодах. Изд-во «Мир», 1964.
2. |
В и г а P. Degenerate |
and Quasi-Degenerate Mode of P a r a m e t r i c |
A m p l i f i |
|||
|
cations. I R E T r a n s . , v . CT - 7, № 3 , September 1960, p. 200—210. |
|
||||
3. |
Д,а |
в e и п о р т В. |
Б., |
Р у т В. |
Л . Введение в теорию случайных |
сигна |
|
лов |
и шумов . Изд-во |
иностранной |
литературы, 1960. |
|
4. D a g 1 i s h H . N . et a l . A p p l i c a t i o n s of P a r a m e t r i c A m p l i f i e r s i n S a t e l l i t e
|
C o m m i n i c a t i o n . |
Proc. |
of |
the J o i n t . |
S y m p o s i u m |
on M i c r o w a v e |
A p p l i c a t i o n s |
|||||||||||||||||||||
|
of Semiconductors, |
L o n d o n |
30 - th J u n e , 2-nd J u l y |
1965, paper № |
10. |
|
|
|
||||||||||||||||||||
5. |
Э т к и н |
В. |
С , |
Г е р ш е н з о |
и |
E. M . Параметрические системы С В Ч |
||||||||||||||||||||||
|
на полупроводниковых диодах. Изд-во «Советское радио», |
1964. |
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||
6. |
F г е е d |
С. |
A |
Survey |
of |
V a r a c t o r Diode |
Parametric |
A m p l i f i e r |
Characte |
|||||||||||||||||||
|
ristics . M . J . , v . |
6, J a n u a r y |
1963, |
p. 75 — 80 . |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
7. |
G i I d e n |
M . |
et |
a l . A |
N e a r l y |
O p t i m u m |
W i d e - B a n d Degenerate |
Parametric |
||||||||||||||||||||
|
A m p l i f i e r . |
Proc. |
I R E , v . 49, № |
4, |
A p r i l |
1961, p. 833—834. |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
8. |
G г e e n |
e |
J . |
C. et a l . Radar |
|
S e n s i t i v i t y w i t h |
Degenerate P a r a m e t r i c |
A m p |
||||||||||||||||||||
|
l i f i e r F r o n t |
E n d . Proc. |
I R E . v . 49, |
A p r i l |
1961, p. |
804—807. |
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
9. |
H a u n |
R. |
D . |
S u m m a r y of Measurement Techniques |
of |
P a r a m e t r i c |
A m p l i |
|||||||||||||||||||||
|
fier |
and M i x e r |
Noise |
F i g u r e . |
I R E |
Trans . , |
v. M T T - 8 , |
№ |
4, |
J u l y |
1960, |
p. |
410 — |
|||||||||||||||
|
414. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10. |
J a g e r |
J . |
T . |
et |
a l . S e n s i t i v i t y |
of |
the Degenerate |
P a r a m e t r i c |
A m p l i f i e r . |
|||||||||||||||||||
|
Proc. I R E , v . |
49, № |
7, |
J u l y |
1967, p. 1205—1206. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
11 . |
J u r k u s |
A . |
Design and Construction |
of |
a Cooled |
Parametric |
A m p l i f i e r for a |
|||||||||||||||||||||
|
C - Band R a d i o m e t e r . M . J . . , M v . 7, № 1, J a n u a r y |
1964, p. |
5 8 — 6 1 . |
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||
12. |
K r o s z c z y n s k i |
|
J . |
MeTody |
wspolczesnej |
r a d i o l o k a c j i . |
W y d . |
K o m . i |
||||||||||||||||||||
|
Lacznosci, |
Warszawa, |
1966. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
13. |
M о n t g о |
m |
e г у |
|
G. |
F . |
P a r a m e t r i c A m p l i f i c a t i o n |
w i t h a |
L o w |
frequency |
||||||||||||||||||
|
p u m p . Proc. I R E , v . 49, № |
7, J u l y |
1961, p. |
1214—1215. |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
14. |
Penfield |
P. |
j r . et |
a l . V a r a c t o r |
A p p l i c a t i o n s . |
The M . I . T . Press, |
Cambridge, |
|||||||||||||||||||||
|
Mass. |
1962. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
15. |
Rafuse |
R . |
P. |
C h a r a c t e r i z a t i o n |
|
of |
Noise |
i n R e c e i v i n g |
Systems. |
Lectures on |
||||||||||||||||||
|
C o m m u n i c a t i o n |
System T h e o r y . |
E d i t o r |
E . J . B a g h d a d y . M c G r a w - H i l l |
Book |
|||||||||||||||||||||||
|
Co, |
New Y o r k |
1961, p. |
396—399. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
16. |
S e |
i d |
1 e t |
J . |
Wspolczesne |
metody |
o p t y m a l i z a c j i |
systemow |
|
t e l e k o m u n i - |
||||||||||||||||||
|
k a c y j n y c h . |
W y d . K o m . i Lacznosci, |
Warszawa, 1965. |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
17. |
«Вопросы |
статистической |
теории |
радиолокации», |
под |
ред. Тартаковского . |
||||||||||||||||||||||
|
Изд-во «Советское радио», т. 1, |
1953, т. I I , 1964. |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
18. |
Б е р ш т е й н |
И. Л . , |
Г о р о н и и а |
К- |
А. |
О |
чувствительности |
прием |
||||||||||||||||||||
|
ных |
устройств. |
«Известия |
вузов», |
сер. |
Радиофизика, |
1964, |
т. |
7, |
№ 3, |
||||||||||||||||||
|
стр. |
4 9 7 — 5 0 1 . |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ГЛАВА ШЕСТАЯ
НЕВЗАИМНЫЕ РЕЗОНАНСНЫЕ . ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА
Рассматриваемые в главах 3—5 параметрические устройства1 ' ха рактеризуются двунаправленной работой, т. е. они усиливают и сиг нал, поданный на выходные клеммы. Эти устройства, если они не со держат иевзаимного элемента типа изолятора или циркулятора, не обеспечивают развязки между своими входом и выходом. В зависи мости от его вида связь между выходом и входом в общем различна. Наибольшая паразитная связь наблюдается в параметрическом усилителе без невзаимного элемента, а также в преобразователе с ис пользованием нижней боковой полосы. Применение в таких устройствах циркуляторов или изоляторов может привести к полному устранению упомянутого недостатка. К сожалению, использование невзаимных элементов имеет и свои отрицательные черты, поскольку на практике они, не являясь устройствами без потерь, вносят собственные шумы, чувствительны к изменению температуры и отличаются ограниченным частотным диапазоном. В частности, для интервала нижних частот диапазона ультракоротких волн до сих пор еще не построены циркуляторы и изоляторы с хорошими рабочими параметрами. Далее будут рас смотрены схемы параметрических устройств, характеризующихся раз вязкой входа от выхода без помощи невзаимных устройств типа изоля торов либо циркуляторов3 '.
Известен ряд применяемых на практике разнородных направлен ных параметрических устройств, в которых используются часто совер шенно разные свойства параметрических схем. Поэтому-то не пред ставляется возможным привести единую теорию всех их. Тем не менее их можно разделить на несколько групп, заключающих в себе
1 5 Невзаимные параметрические системы исследованы очень мало. Это связано с тем, что с появлением ферритовых циркуляторов интерес к ним упал.
Однако |
в настоящее |
время эти |
системы |
привлекают внимание |
специалистов |
|
вновь. Дело в том, что в связи с появлением С В Ч |
транзисторов параметрические |
|||||
системы |
на низких |
частотах |
имеют |
смысл |
только в том |
случае, если |
их шумы будут очень малы. Таким образом, шумы системы обусловлены в ос новном шумами циркулятора . При микроминиатюризации циркулятора потери в нем растут и полоса уменьшается. При современных тенденциях перехода к ин
тегральным |
схемам |
и |
современной |
технологии |
получения |
идентичных |
диодов |
|
(в особенности, если |
оба р-п перехода выращены на одном |
кристалле) |
наличие |
|||||
нескольких |
диодов не |
приводит |
к |
увеличению |
размеров схемы, в то время как |
|||
применение |
циркулятора может |
быть нежелательно. (Прим. |
ред.) |
|
2 > Автор противопоставляет невзаимные параметрические устройства не взаимным ферритовым. По нашему мнению, эти пути получения невзаимности, однонаправленности скорее дополняют друг друга. (Прим. ред.)
181
достаточно близкие разновидности, для которых уже, в свою очередь, можно применить достаточно общий анализ.
В дальнейшем параметрические устройства, в которых наблюда ются свойства направленного усиления, разделим на следующие группы:
а) многодиодные схемы, направленное действие которых основано на сохранении симметрии и обеспечении специальных фазовых соот ношений на емкостных диодах на частоте накачки. Эти схемы исполь зуются в качестве направленных усилителей;
б) однодиодные схемы, в которых обеспечиваются особые фазовые и амплитудные условия на емкостном диоде на частоте накачки и ее второй гармонике. Эти схемы требуют наличия резонанса еще на одной частоте, кроме сигнальной и нижней боковой;
в) однодиодные схемы, в которых в качестве второго элемента (помимо переменной емкости) используется нелинейное сопротивле ние (проводимость), управляемое большим сигналом, и в которых со храняются определенные фазовые соотношения на частоте накачки на обоих нелинейных элементах.
6.1.НАПРАВЛЕННЫЕ ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ УСИЛИТЕЛИ
Параметрические схемы со свойствами направленного усиления соответствуют в общем определению п. а. Детальное различие между устройствами этой группы зависит от того, каким способом выбраны фазовые соотношения на обоих диодах иа частоте сигнала [ 1 , 2, 8, 13, 22, 24], либо от того, каким способом настраивается холостой контур [17—20], обычно общий для обоих диодов. Обсудим две, как нам пред ставляется, наиболее характерные, разновидности направленных уси лителей.
-6.1.1. Н А П Р А В Л Е Н Н Ы Й УСИЛИТЕЛЬ С Д В У М Я Д И О Д А М И , НА КОТОРЫЕ С И Г Н А Л И НАКАЧКА П О Д А Ю Т С Я В К В А Д Р А Т У Р Е
Такой усилитель можно представить в виде эквивалентной схемы [5, 8, 14, 15] с сосредоточенными параметрами (рис. 6.1), которая состоит из четырех звеньев. Индексы 1, 2, 3 на рисунке относятся к первым трем. Четвертое звено состоит из двух идеальных трансформа торов с коэффициентом передачи 1 : 1 и передающей линии, длина ко торой равна четверти длины волны сигнала. Оно непосредственно свя зывает первое звено со вторым и благодаря этому может быть просто учтено в анализе без необходимости построения системы уравнений, описывающих цепь усилителя. Роль четвертьволновой.линии с успе хом может также выполнять 3-дб направленный ответвитель, сдвига ющий фазу на 90°.
182