Файл: Синтез и свойства соединений ниобия, тантала и титана..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 16.10.2024

Просмотров: 147

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

гкристаллическое поле из ионов кислорода, вызывая эффект «за­ мораживания» орбитальных мо­ ментов. Это влияние настолько велико, что орбитальные мо­ менты Зй-слоя почти полностью теряют способность ориенти­ роваться во внешнем магнитном поле, II магнитный момент иона в основном определяется ре­ зультирующим спин-моментом s.

Зная электронную структу­ ру (термы) ионов переходных металлов, можно рассчитать их эффективные моменты по так называемой «спиновой» формуле

Рис. 132. Изменение интенсивности сигналов ЭПР в зависимости от тем­ пературы.

/ — ѴТаО.,; 2 — СгТаО,; 3 — Т іТ а04; 4 — FeTaOj.

1).

где g — фактор Ланде, для большинства ионов равный 2. В случае соединений Fe"1 сле­ дует ожидать, что влияние кристаллического поля будет малым, поскольку эти ионы находятся в s-состоянии

(6Ss/.-TepM) и, следовательно, в данном случае орбитальный момент равен 0.

Наоборот, основные состояния ионов Тіш , Ѵш и Сгш рас­ щепляются кристаллическим полем на два или более подуровня.

Например, основное состояние иона СгІП (4Л3/„-терм) в поле сим­ метрии Ок расщепляется на подуровни A2g, T2g и Tlg. Здесь са­ мым низким по энергии является невырожденный подуровень A2g, заполнение электронами которого приводит к стабильной элек­

тронной конфигурации dl. Вследствие этого опытные значения g -фактора для иона Сг111, так же как и для иона Fe"1, близки

Т а б л и ц а 93. Сравнительные

данные по спектрам ЭПР

ортотанталатов

Тіш , V111, Сгш и Fe111

 

 

Соединение

g -фактор

Ширина

Амплитуда,

сигнала

отн. ед.

FeTa04 ..............................................

1,921+0,02

2330 + 40

120

СгТа04 ...............................................

1,921+0,02

1825+40

190

ѴТа04 ..................................................

2,673 + 0,03

2190+40

40

Ш а 0 4 ..................................................

2,239 + 0,02

2920 + 40

2

276


к теоретической величине. Значения g-факторов дают непосредст­ венное указание о том, какое участие в магнетизме принимают спиновые и магнитные моменты. Из табл. 93 следует, что опыт­ ное значение магнитного момента Ѵш (3,29 М. Б.) в ѴТа04 пре­ вышает значение чисто спинового момента (2,83 М. Б). Это может

свидетельствовать о том, что в магнетизме иона V111 принимает некоторое участие и орбитальный момент.

Неполное «замораживание» орбитального момента не может быть причиной завышенного значения магнитного момента иона ванадия. В большинстве двойных окислов (шпинели, гранаты, перовскиты и т. д.) ионы переходных металлов могут окисляться и восстанавливаться без сопутствующего изменения фазы. Следо­

вательно, возможно также, что в ѴТа04 наряду с ионами V111 одновременно существуют в одних и тех же кристаллографиче­ ских положениях разновалентные ионы ванадия, возникающие

вследствие реакции диспропорционирования, например, ЗѴШ 7^

^ 2 Ѵ И + Ѵѵ. Тогда значение опытного момента (3,29 М. Б.) реали­ зуется при статистическом весе (0,86), энергетически более выгод­

ном разновалентном состоянии: V11 (rf3) и Vv (d°).

Кроме кристаллического поля, на магнитное поведение ионов переходных металлов оказывают влияние так называемые обмен­ ные эффекты. Магнитный момент иона ТіІИ в таких соединениях, как Ті20 3 [34] и YTi03 [35], несколько меньше ожидаемой для одного неспаренного электрона, что находит свое объяснение в существовании прямого Ті—Ті или косвенного обменного взаимо­ действия, осуществляемого через атомы кислорода.

Для

всех этих соединений так же, как

и для ТіТа04, вели­

чина 0 в законе Кюри — Вейсса,

учитывающая обменное взаимо­

действие, достаточно велика [34,

35]. Такая ситуация осуществ­

ляется

в ортотанталате

титана — поэтому

опытный магнитный

момент

иона Тіш в ТіТа04

(см.

табл. 92) несколько менееожи­

даемой величины (1,73 М. Б.)

для

электронной конфигурации 3d1,

т. е. s= V 2-

 

 

 

 

 

Электрические свойства

 

Электрические измерения

ортотанталатов титана, ванадия, хрома

и железа производили на установке, представляющей из себя кварцевую ячейку с платиновыми электродами и ряд измеритель­ ных приборов для снятия соответствующих характеристик. Ячейку с образцом подвергали нагреванию под вакуумом, что позволило производить исследование в достаточно широком температурном интервале. В результате измерений определены: тип проводимо­ сти, зависимость сопротивления и диэлектрической проницаемости

от температуры, а

также найдено, что ТіТа04, ѴТа04, CrTa04

и FeTa04 являются

сегнетоэлектриками.

277


 

 

 

Образцы готовили

по мето­

 

 

дикам

[36,

37].

Стехиометриче­

 

 

ские смеси окислов спрессовы­

 

 

вали в виде дисков различного

 

 

диаметра

 

под

давлением

 

 

2000 кГ/см2 и спекали при

 

 

1300—1350° С

в течение

30—

 

 

35

час.

Проводимость,

опре­

 

 

деленная

методом

термозонда

 

 

[38],

для

всех

исследованных

 

 

образцов была /і-типа.

 

 

 

 

 

Исследования электропровод­

 

 

ности

ортотанталатов

титана,

 

 

ванадия, хрома и железа пока­

 

 

зали, что с ростом температуры

 

 

сопротивление

образцов

резко

 

 

уменьшается

(рис.

133).

В то

 

 

же

 

время

наблюдаются

ники

 

 

возрастных сопротивлений, наи­

 

 

более

отчетливо

в

 

случае

 

 

СгТа04 и менее ярко для осталь­

 

 

ных образцов.

 

 

 

 

 

Рис. 133.

Зависимость

Ig Q от 1/7.

Поскольку

 

многие

соедине­

1 — ТіТаО.,;

2 — VTaO.,;

3 — CrTaO,; ния

на

базе

тантала

являются

 

4 — FcTaO j.

сегнетоэлектрпкамн

[39],

была

 

 

характер

 

предпринята

попытка

выяснить

изменения диэлектрической

 

проницаемости

образцов от

температуры. Это позволяет достаточно однозначно определить нали­ чие сегнетоэлектрических свойств. Диэлектрическую проницаемость вычисляли по данным измерения емкости образца [36]. Характер

изменения

диэлектрической

 

проницаемости

подтвердил

 

наличие сегнетоэлектрических

 

свойств

у

синтезированных

 

ортотанталатов (рис. 134). Се-

 

гнетоэлектрические

петли ги­

 

стерезиса

получены

на

уста­

 

новке, собранной по схеме

 

Сойера

и Тауэра [40],

кото­

 

рая достаточно подробно опи­

 

сана Курчатовым [41] и дру­

 

гими

исследователями

[42,

 

43]. Вид петель

гистерезиса

 

показан на рис. 135. Откло­

 

нение

луча по

горизонталь­

Рис. 134. Зависимость диэлектрической

ной оси пропорционально ве­

проницаемости от температуры.

личине

поля, приложенного

I — ѴТаО,; 2 — ТіТаО.,; 3 — FcTaO,; I —

CrTaOj.

278


Рис. 135. Сегнетоэлектрическне петли гистере­

P

P

зиса.

 

 

1 — ТІТаОЦ 2 — ѴТа04; 3 — СгТаОЦ 4 — FeTaO,.

E

E

 

к поликристаллическому образцу, а от­ клонение его от вертикальной оси про­ порционально величине поляризации.

Величина поляризации исследован­ ных образцов, отнесенная к одной на­ пряженности поля, неоднозначна и воз­

растает по рядуТіТа04, ѴТа04, СгТа04, FeTa04 (табл. 94). Такое положение при практически равнозначных параметрах элементар­ ных решеток нельзя отнести только к увеличению в этом же

ряду количества холостых d-электронов у ионов Тіш , V111, Сгш

и Fe"1. Необходимо также учитывать и особенности образования доменной структуры исследуемых образцов.

О влиянии искажения доменной структуры на сегнетоэлектрические свойства, например титаната бария, известно из дан­ ных [42].-

Несомненно, существует определенная аналогия между сегнетоэлектрическими и ферромагнитными свойствами, а влияние на последние доменной структуры подробно описано [44]. Размазы­

вание пика сегнетоэлектрического перехода на

кривой

зависимо­

сти удельного

 

сопротивления от температуры на различных образ­

цах СгТа04 представлено на рис. 136. Кривая

2 характеризует

зависимость lg q о т

обратной

температуры в случае обычно при­

готовленного

образца,

кривая

1

— зависимость

l g q о т

обратной

температуры для образца, сначала

синтезированного в обычных

условиях,

а

затем

измельченного,

вновь

спрессованного и ото-

Т а б л и ц а

94.

Э лектрические парам етры се гн е то эл е ктр и че ски х

петель

 

 

 

гистерезиса

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Напряженность на

 

 

 

 

Величина

Напря­

 

 

 

пластинах, в

 

Емкость

Заряд

Соединение

 

 

 

 

 

поляри­

женность

 

горизон­

вертикаль­

образца

образца

зации

поля

 

 

 

С.

пф

q - ІО10, к

 

Е , в / с м

 

 

 

тальных

ных Ѵу

 

 

 

 

к / с м *

 

 

 

 

ѵ х

 

 

 

 

 

 

 

 

Т іТ а 0 4 . . . .

 

22,5

5,75

 

 

6

0,34

0,53

187

Ѵ Т а 0 4 . . . .

 

31,2

43

 

 

6

2,58

3,80

312

CrTaÜ ! . . . .

 

1,1

17,7

 

 

3

0,53

0,69

10

FeT aO ] . .

.

20

 

20,6

 

 

26

5,35

7,65

20

279


ч/>

У г /

 

J /*

5

^

 

I—

I

1

I

 

 

 

1

2

3

10Э/ Т

Рис.

136.

Зависимость

lg q

от 1 для

образца

СгТа04

с

доменной структурой.

/ -

іш каж сіптя^структура;

2 -

жженного при этой же температуре. При этом доменная структура, полученная первоначально в процессе синтеза, измельчается п дезориентируется.

Конфигурация внутренних электро­ нов переходных металлов Згі-ряда — конфигурация аргона. Поскольку ион­

ный радиус Fe111 равен ионному радиу­

су V1", а ионный радиус Сгш наи­ меньший из рассматриваемых, очевид­ но, что плотность электронного облака

вданном ряду увеличивается, т. е.

увеличивается притяжение

электронов

к ядру, и силы

взаимного

отталкива­

ния электронов

уменьшаются. Морин

[20]считает, что специфичностью Ті,03

иѴ,03 является большой разрыв не­ прерывности кривой проводимости при температуре Нееля. Далее он полагает, что можно ожидать расщепления Зсі-зо-

ны во внутрикристаллическом поле на

d£- II

d^-подзоны, и

при этом Д,-зона

МОж е Т

раС Щ еП Л Я ТЬС Я

ОбмеННЫМ МЭГНИТ-

ным взаимодействием на низшую за­ полненную и высшую пустую зоны. И тогда в чистом стехиомет­ рическом образце при температуре ниже TN уровень Ферми будет

посередине между заполненной и пустой ^-зонами. Когда темпе­ ратура поднимается до T N, обе зоны сольются в одну частично заполненную зону, что вызовет металлическую проводимость. Так

как здесь также рассматриваются Тіш и V111, то можно конста­ тировать, что в случае ТіТа04 температура Нееля лежит в области 200° С, т. е. там же, где у Фокса, Лориенса [45] для Ті20 3. В случае ѴТа04 проводимость образца при комнатной температуре настолько превышает проводимость остальных рассматриваемых соединений, что позволяет отнести температуру Нееля в более низкий темпера­ турный интервал, что также совпадает с результатами Морина [20].

Интерпретация кривой электропроводимости FeTa04 представ­ ляется более сложной и требует измерений в области низких температур. Во всяком случае, анализируя зависимость l g q о т обратной температуры, можно предполагать, что для FeTa04 запре­ щенная зона лежит ниже комнатной температуры. Для СгТа04 характерен наименьший из рассматриваемых ионных радиусов переходных металлов Згі-ряда. Этот факт говорит о наиболее плот­

ном электронном облаке для Сгш и, как следствие такового, наибольшей энергии для отрыва электронов в зону проводи­ мости.

280