ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 18.10.2024
Просмотров: 82
Скачиваний: 0
Н аиболее и н тен си вн ы е линии ф осф ора для У Ф -области спектра
П р и м е ч а н и е . I — интенсивность линии в дуге; Е — потенциал возбуждения.
температуры атомизированного образца вызывают экспоненци альное изменение числа атомов, которые могут излучать свет, но оказывают лишь незначительное влияние на число атомов, кото рые могут его поглощать. Поэтому эмиссионные методы очень чув ствительны к изменениям температуры, в то время как на абсорб ционные методы эти изменения оказывают относительно малое влияние. Эта независимость от изменений температуры среды и вы сокая чувствительность определений являются положительными свойствами атомной абсорбции.
Широко начинают применяться на практике также рентгено спектральные методы определения фосфора с использованием как первичного, так и рентгенофлуоресцентного излучения.
Визуальные методы
Визуальные методы определения фосфора представляют боль шой интерес, так как они являются самыми быстрыми и эконо мичными в спектральном анализе. Однако это определение сопря жено с преодолением значительных трудностей в связи с тем, что в видимой области спектра имеются только линии ионов, требую щие для своего возбуждения сравнительно большой энергии.
Содержание фосфора при концентрациях от 0,02 до 0,2% опре деляют по линии PII 604, 305 нм [330].
В связи с нестабильностью линии фосфора в первые моменты горения искры оценку интенсивности следует производить через 20—30 сек. после включения источника света. Присутствие зна чительных концентраций углерода уменьшает интенсивность ли нии фосфора [196]. Оценка содержания фосфора производится по данным, приведенным в табл. 13.
|
|
|
|
Т а б л и ц а |
13 |
||
|
Признаки для определения фосфора |
|
|
||||
Фосфор, |
Интенсив |
Фосфор, |
Интенсив |
Фосфор, |
Интенсив |
||
% |
ность, уел. |
% |
ность, уел. |
% |
ность, |
уел. |
|
ед. |
ед. |
ед. |
|||||
|
|
|
|||||
<0,02 |
< 2 |
<0,055 |
3 |
0,13 |
> 5 ; |
< 6 |
|
<0,03 |
2 |
0,07 |
4 |
0,18 |
> 6 ; |
< 7 |
|
<0,04 |
< 3 |
|
|
|
|
|
Атомно-эмиссионные методы
Невакуумная ультрафиолетовая область спектра
Ограниченное количество линий фосфора в невакуумной уль трафиолетовой области спектра, используемой для проведения анализов, создает дополнительные затруднения вследствие на ложения мешающих линий. В качестве примера в табл. 14 приве-
70
Таблица 14
Линии, мешающие определению фосфора
|
|
Интенсив |
|
|
|
Интенсив |
|||
X, нм |
Элемент |
ность, отн. ед. |
X, iw |
Элемент |
ность, отн. ед. |
||||
Дуга |
Искра |
Дуга |
Искра |
||||||
|
|
|
|
||||||
Об ла с т ь P I 255, |
325 нм |
Об ла с т ь Р П |
317, |
516 |
НМ |
||||
255,350 |
Железо |
2 |
_ |
317,496 |
Железо |
|
5 |
4 |
|
255,338 |
Никель |
20 |
-------- |
317,502 |
Олово |
500 |
400 |
||
255,326 |
Марганец |
— |
50 |
317,504 |
Железо |
|
1 |
— |
|
255,325 |
Фосфор |
80 |
20 |
317,505 |
Молибден |
|
2 |
60 |
|
255,316 |
Вольфрам |
12 |
15 |
317,516 |
Фосфор |
|
— |
70 |
|
|
|
|
|
317,545 |
Железо |
200 |
200 |
||
дены мешающие линии, |
накладывающиеся на линии |
фосфора |
|||||||
PI 255, 325 и PH 317, 516 нм [886]. |
|
|
|
|
|
В связи с этим для определения фосфора приходится применять спектрографы со средней или большой дисперсией.
Как известно, фосфор обладает достаточно высоким сродством к кислороду, что обусловливает быстрое его окисление на обыскриваемом участке пробы в пределах пятна обыскривания [194]. Окислы фосфора весьма летучи, а большинство его соединений лег коплавки. В связи с этим процесс поступления фосфора в аналити ческий промежуток протекает весьма энергично. Вместе с тем ско рость диффузии фосфора в металле мала, поскольку он диффун дирует преимущественно в виде отрицательных ионов [52]. По этому при работе с искровыми источниками света [886] и низко амперной (2 —3 а) дугой переменного тока [194] получить устой чивые спектры фосфора в стали затруднительно, так как интен сивное расходование фосфора в обыскриваемом слое практически не будет восполняться диффузией из глубины пробы. Это ведет к выгоранию фосфора из этого слоя в начальной стадии обыскри вания. Наилучшие результаты при возбуждении в атмосфере воз духа дает дуга переменного тока (8 —12 а) и низковольтная искра (С = 6 мкф, L = 150 мкгн, Д = 1 ом). Повышение концентра ционной чувствительности при спектральном определении фосфора в основном определяется (при прочих равных условиях) повы шением силы тока дуги [189, 190, 194]. Однако с увеличением тока быстро возрастает интенсивность сплошного спектра, а также увеличиваются неконтролируемые перемещения столба разряда, поэтому работать с токами выше 12—14 а нецелесообразно.
Наиболее удобной для аналитических целей при анализе ме таллов в дуге переменного тока является линия PI 214,91 нм, практически свободная от наложений. Для сравнения обычно используется линия железа Fel 214,52 нм.
71
Рис. 4. Зависимость абсолютной (1) и относительной (2) интенсивности ана литической линии фосфора от продолжительности обжига для дуги перемен ного тока.
Рис. 5. Зависимость интенсивности линии фосфора от времени обжига фос фора в стали
Материал подставного электрода: 1 — графит; 2 — железо; з — никель
Поступление фосфора в облако разряда для дуги переменного тока и низковольтной искры на воздухе различно. На рис. 4 [189] представлены кривые обжига фосфора для стальной пробы. Кри вая 1 показывает временное изменение абсолютной интенсивности / аб0 аналитической линии фосфора PI 214,91 нм, кривая 2 — из менение ее относительной интенсивности AS (PI 214,91 — Fel 214,52 нм). Низковольтная искра имеет несколько иную зави симость поступления фосфора в облако разряда [886].
Важное значение при спектральном определении фосфора в стали на воздухе имеет правильный выбор материала подставного электрода [194, 886]. Если для этой цели применить материал, обладающий высоким сродством к кислороду, то значительная часть кислорода воздуха будет связываться этим материалом, что приведет к уменьшению скорости окисления фосфора. На рис. 5 приведены кривые, иллюстрирующие зависимость интенсивности линий PI 214, 91 нм от времени обжига и материала подставного электрода (дуга переменного тока, 12 а). Видно, что применение графитового электрода дает максимальную интенсивность для ли нии фосфора, а процесс выгорания фосфора из поверхностного слоя пробы протекает значительно медленнее, чем при работе с железным и никелевым электродами.
Микроспектральное определение фосфора ведут непосредствен но на шлифе в импульсной искре [164]. Неэлектропроводные вклю чения размером более 50 мк анализируют в импульсной искре при емкости рабочего конденсатора 0,01 мкф с микроэлектродами из меди или платины толщиной 0,15—0,20 мм. Для определения элементов, входящих в состав включения, наряду со спектрами
72
разрядов над поверхностью включения на ту ше пластинку фото графируют спектр участков шлифа, свободных от включений.
При анализе включений, избирательно растворенных в соответ ствующих реактивах, каплю раствора наносят пипеткой на медную пластинку и осторожно высушивают. Солевой осадок, выпавший на пластинке, анализируют в импульсной искре. При горении микроискры пластинку с осадком перемещают так, чтобы за время экспонирования весь солевой осадок, выпавший на пластинке, испарился под действием искрового разряда.
Наиболее характерные включения, выделенные электролити ческим способом в осадок, после изучения под микроскопом отби рают тонкой иглой и зачеканивают в медную изложницу. Анализ ведут в прямой импульсной искре.
Вакуумная ультрафиолетовая область спектра
Как уже отмечалось выше, в вакуумной ультрафиолетовой об» ласти спектра (50—200 нм) находятся наиболее чувствительные линии фосфора, а также гораздо меньше линий железа [118, 332, 655]. Наиболее употребительными линиями для определения фос фора являются линии Р IV 95,067 и PV 111,802 нм для далекой вакуумной ультрафиолетовой области, PI 177,499 и PI 178,287 цм—~ для ближней.
Работа в вакуумной части спектра налагает специфические тре бования к конструкции штативной, оптической и регистрирующей частей прибора.
Наиболее бедна линиями железа и других металлов далекая вакуумная область спектра (50—160 нм), что ведет к некоторому упрощению установки и позволяет производить анализ при срав нительно малой линейной дисперсии.
Приборы, применяемые в этой области спектра, должны быть откачаны до 1-10-6 мм рт. ст. и не иметь каких-либо материалов на пути света. В ка честве диспергирующего элемента применяют дифракционную решетку. Источником света служит высоковольтная конденсированная искра в ваку уме (скользящая искра) с параметрами: напряжение ~ 20 кв, емкость раз рядного конденсатора~2 мкф [118,1038—1040,1183]. Искровая камера снаб жена двумя воздушными шлюзами — одним для введения свежих проб в камеру без нарушения вакуума и вторым — для удаления использованных проб. Работа в вакууме удобна тем, что нет никаких принципиальных огра ничений для использования коротковолнового излучения и отсутствуют ма териалы (даже газ), контактирующие с анализируемым веществом.
Сравнительно недавно был разработан низковольтный вакуум ный источник света [280—282, 1041, 1042], который позволяет поиному подходить к рассматриваемой задаче. Оказалось возможным посредством низковольтного импульсного разряда получить спектр ионов металлоидов и других элементов. Такой источник света про ще и удобнее скользящей искры, в спектре которой всегда содер жатся линии материала вводимого в нее диэлектрика.
73
Низковольтный вакуумный источник работает на широко применяемом
принципе двойного питания и отличается тем, что у него основная энергия подводится от низкого напряжения (250—300 в); энергия же высокого напря жения (20—30 кв), рассеивающаяся при поджигании разряда, имеет ничтож ную величину.
Диапазон определяемых концентраций фосфора 0,1—1%. Средняя квад ратичная ошибка единичного определения 10—20 отн.%.
Более высокую чувствительность и точность определений фосфора можно получить, работая в ближней вакуумной области спектра (160,0—200,0 нм). Работа в этой области также налагает свои специфические требования на осо бенности конструктивного решения прибора. Оптическая часть прибора отка чивается до вакуума — 1,10~2 мм рт. ст. и изготовляется из материалов, не поглощающих излучений. Регистрирующая часть делается фотоэлектриче ской, чтобы исключить поглощение в слое желатина. Штативная часть выпол няется отдельно и заполняется газом, не поглощающим излучение в данной области спектра (обычно аргоном), а также облегчающим условия прохожде ния разряда.
Рис. 6. Распределе ние межэлектродного падения напряжения для разряда в атмо сфере аргона
В отличие от разряда ъ воздухе при возбуждении разряда в аргоне наблюдается ярко выраженное катодное падение напряже ния, анодное практически отсутствует. На рис. 6 представлено распределение падения напряжения от катода к аноду. Общее па дение напряжения составляет примерно 30 в. Как следует из ри сунка, почти вся энергия разряда выделяется исключительно у ка тода. Это ведет к тому, что температура непосредственно перед катодом достигает 10 000° С, в то время как противоэлектрод, включенный анодом, остается практически холодным. Благодаря этому поступление вещества в разрядный промежуток идет исклю чительно из катода, а анод не разрушается. Этим объясняется, почему, например, при анализе в атмосфере аргона в униполярном режиме необходимо менять противоэлектрод только через 100 обыскриваний и можно применять противоэлектрод из чистой меди при определении меди в стали (содержание меди менее 0,1 %),
В отличие от разряда в воздухе при одном и том же режиме воз буждения (униполярный искровой разряд с апериодическим кон туром: 10 мкф, 30 мкгн, 10 ом, 600 в) площадь зоны поверхности
74