Файл: Евдокимов, В. Д. Экзоэлектронная эмиссия при трении.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 19.10.2024
Просмотров: 113
Скачиваний: 0
=6
г
Рис, 52. Схема измерения фототока при окислении металла
1 - |
обойма с |
сеткой; 2 |
- образец; |
3 - лампа |
ПРК-4; 4 - |
свето |
фильтр |
УФС-1 |
|
|
|
|
|
через |
латунную |
сетку-анод |
попадает на |
образец, |
закрепленный |
в обой |
ме из оргстекла. Фототок, протекающий через воздушный промежуток образец - сетка, создает падение напряжения на высокоомном сопро тивлении. Регистрирующим прибором служит самопишущий потенциометр ЗППВ - 51 . Промежуток времени между зачисткой образца и началом
измерений |
можно свести к 15-30 |
сек, |
что позволяет |
определить, более |
|||
ранние стадии |
окисления, чем в случае поляризационных измерений, |
||||||
где время |
подготовки до первого отсчета составляет |
1-3 |
мин. |
||||
На рис. |
53 |
показаны кривые |
роста |
окисного |
слоя |
на |
'Al, снятые |
оптическим |
поляризационным методом |
(3 мин. |
до первого отсчета) и |
фотоэлектрическим методом (30 сек. до начала регистрации). Толщина окисла во втором случае больше, так как зафиксированы важные первые минуты окисления. Измерения окисных пленок по поглощению фото электронов просты, надежны, обеспечивают высокую точность. Крайне
важным является |
правильный подбор длины волны источника |
света. |
|
||||
Квантовый выход |
фотоэффекта прямо пропорционален |
величине |
( h v - |
h v Q ) 2 |
|||
где hv 0 |
- энергия |
кванта, соответствующая |
порогу |
фотоэффекта. |
Если |
||
использовать подсветку с энергией квантов |
h\>, |
близкой к поро |
|||||
говому |
значению, то |
изменения величины работы выхода <р |
металла |
при увеличении толщины окисла значительно изменят величину кванто вого выхода. Тогда величина фототока будет зависеть от двух факто
ров: от поглощения электронов в окисле и от |
непостоянства |
порогового |
|||||||
значения hv0 »<p. |
Простая зависимость |
(7.2) |
будет нарушена, и р а с |
||||||
чет |
толщины |
окисла |
L |
по убыванию |
фототока очень осложнится. |
||||
Чем |
больше |
величина |
hv |
по сравнению |
с |
hvQ , |
тем меньше |
влияют |
слабые изменения работы выхода на затухание фототока. Так, на алю
минии |
за первые |
24 |
часа окисления ф |
меняется |
от 3,65 до 3,72 |
эв |
[306J. |
При точности |
измерений 5Я0% достаточно взять (hv --hvQ ) £ |
1,5эв, |
|||
тогда |
изменения |
hvQ |
за первые 8 часов окисления практически не |
|
||
повлияют на величину фототока. По спектральным |
характеристикам |
|
||||
фотоэффекта установлено, что для обеспечения максимальной точности |
||||||
измерений удобнее выбрать hv = 4,5ч5 |
эв. |
|
|
118
Рис. 53. Рост окисной пленки на алюминии, измеренный опти ческим поляризационным мето дом ( 1 ) и по поглощению фо тоэлектронов (2)
Врепя, час
Величина |
L n зависит |
от средней энергии фотоэлектронов, и, значит, |
от энергии |
квантов hv. |
Поэтому для измерения толщины окисла луч |
ше брать монохроматическое освещение. Но опыты [305] показали, что
при облучении светом сложного |
спектрального состава |
(лампа |
ПРК-4 |
с фильтром УФ.С1) соотношение |
(7.2) также достаточно |
строго |
выпол |
няется. |
|
|
|
Недостатком метода поглощения фотоэлектронов является влияние освещения на скорость окисления [303, 305, 307 ]. Для уменьшения этого влияния приходится уменьшать световой поток, что в свою оче редь снижает величину фототока и усложняет его измерение. Несом ненное преимущество этого метода - возможность исследования окис ления на ранних его стадиях.
Оптический поляризационный метод, разработанный Друде [308] и
Тронстадом |
[309], основан на том, что луч поляризованного |
света, |
|||
отраженный |
от |
металлической |
поверхности, изменяет поляризацию в |
||
зависимости от |
угла падения, |
оптических |
свойств металла, |
наличия |
|
на поверхности |
окисной пленки, а также |
от свойств окружающей с р е |
ды. Определяя при сопоставимых условиях•оптические свойства чис
той металлической |
поверхности и поверхности, покрытой |
окислом, мож |
но узнать толщину |
окисной пленки. |
|
В настоящее время оптический поляризационный метод |
получил |
широкое распространение. Значительный вклад в методику поляримет рических исследований окисления металлов и полупроводников внесен Вашичеком [310]. Ряд исследований по изучению окисления оптическим поляризационным методом проведен Т.Н. Крыловой [311] и В.В. Андре евой [295, 312 Л
Если луч монохроматического света,, поляризованный в плоскости под некоторым углом к плоскости падения, отражается от металлической поверхности, то две составляющие, на которые он разлагается , претер певают различное отставание фаз и уменьшение амплитуд. В результате
конец электрического |
вектора отраженной |
волны в течение периода к о |
лебаний описывает в |
пространстве эллипс, |
т.е. свет становится эллипти |
чески поляризованным. Отношение коэффициентов отражения этих двух составляющих 2ф и разность фаз между ними А можно выразить
119
через оптические постоянные двух сред у поверхности, от которой про
исходит отражение. Параметры эллиптической поляризации чистой |
м е |
|||
таллической |
поверхности |
2^ЙД и поверхности, покрытой |
охисной |
пленкой |
2щ Д можно |
определить |
экспериментально. Подставляя |
эти значения |
|
в формулы, приведенные |
ниже, можно вычислить толщину окисной |
плен |
||
ки и ее показатель преломления |
|
|
г |
- д - Â" |
• |
а |
_ г |
, |
А |
2ц> - |
2ф |
c o s 2 у - а |
2 |
L |
- A d - l / n ' |
) ' |
n t |
- |
t 1 |
+ |
Л - |
д |
a,sin2^ |
1 / c o s ф |
.
'
|
д _ l u |
|
^ Q S T s i n 2 9 ( c o s 3 |
g>- a) |
_ 1-х2 |
|
_ |
2x |
|
|||||||||
|
" Л |
|
( c o s 2 9 - a ) + a2 |
|
; |
a " n 2 ( ] + X J ) 2 ; |
* ' " n * ( 1 + x y ' |
|
||||||||||
Здесь |
L |
- |
толщина |
окисной |
пленки |
на |
металле; |
п ^ - показатель пре |
||||||||||
ломления |
пленки; |
X |
- |
длина |
волны |
падающего |
монохроматического |
|||||||||||
света; |
гі - |
показатель |
преломления |
металла; х _ коэффициент погло |
||||||||||||||
щения |
металла; |
Д и |
2 у - |
параметры |
эллипса |
для чистой |
металличес |
|||||||||||
кой поверхности; |
Д |
и 2 ^ - аналогичные параметры |
при наличии |
окис |
||||||||||||||
ной |
пленки, |
9 |
|
- угол |
падения |
луча на поверхность металла. |
_ |
|||||||||||
Оптические |
постоянные |
металла |
п |
и х |
выражаются |
через |
А и |
|||||||||||
2ф |
следующим |
образом: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
sin |
ф tgqicos 2ф |
|
|
|
. |
— |
„ _ |
|
|
|
|
|
|
|||
п |
= |
1 + c o s S |
зіп2ф |
; |
х = |
S l |
n Л |
1 « 2 |
^ |
|
|
|
|
|
|
|||
Для |
определения параметров |
эллиптической |
поляризации |
отраженного |
от металла света в экспериментальной установке необходимы следующие элементы.
П о л я р и з а т о р - для получения плоско-поляризованного |
света . |
Ори |
ентация поляризатора определяет угол наклона плоскости колебаний |
па |
|
дающего линейно—поляризованного света к плоскости падения |
іу и ха |
рактеризует относительное изменение амплитуд компонентов света. Ну левая установка поляризатора P Q должна быть параллельна плоскости падения.
К о мп е н с а т ор С е н а р м о н а - пластинка толщиной 1/4 Л или 3/4ЛЕсли оси пластинки будут параллельны осям эллипса, то прошедший через нее эллиптически поляризованный свет превратится в линейнополяризованный. Тогда его можно погасить анализатором. При юсти
ровке |
оси пластинки |
устанавпиваются под углом 45 |
к плоскости па |
||
дения, |
что значительно |
упрощает вычисления. А н а л и з а т о р |
необходим |
||
для измерения угла |
Ѳ, |
определяющего положение |
плоскости |
поляри |
зации превращенного линейно-поляризованного света. При установке
компенсатора |
под углом 45 2Ѳ = |
Д. При юстировке |
нулевое |
положение |
анализатора |
іА0 устанавливается |
перпендикулярно |
плоскости |
падения. |
Параметры эллиптической поляризации определятся тогда следующим образом:
2у = 2 ( Р 0 - Р) ; А - 270 - 2 ( А 0 - А ) .
120
Рис. |
54. Схема поляризационного гониометра |
|
1 |
- осветитель ОИ-17; 2 - светофильтр; |
3 - щель; 4 - коллима |
тор; 5 - диафрагма; 6 - поляризатор с отсчетным лимбом; 7 - иссле дуемая поверхность; 8 - компенсатор; 9 - анализатор с отсчетным
лимбом; |
10 |
- |
|
конденсор; |
11 - |
деполяризатор |
- кварцевая матовая |
||
пластинка; |
12 |
- |
ФЭУ; 13 - |
блок |
питания ФЭУ; |
14 - |
усилитель; 15 - |
||
осциллограф; |
16 |
- милливольтметр |
|
|
|||||
Здесь Р |
и |
|
А |
- |
показания |
на лимбах поляризатора |
и анализатора |
соответственно при полном гашении света, отраженного от металли ческой поверхности.
Контроль |
за полным гашением света |
можно вести |
как визуально,так |
и с помощью |
фотоэлектронной приставки. |
Визуальный |
контроль требу |
ет тщательной полировки образцов, иначе невозможно определить мини мальную интенсивность светового пучка. Обычно образец тщательно
полируется сначала |
на наждачной |
бумаге, а |
затем на |
оптическом |
с т е к |
|||
ле с |
помощью паст |
ГОИ. В |
конце |
шлифовки |
для обезжиривания |
поверх |
||
ности |
обязательна |
промывка |
горячей водой, |
а потом |
ацетоном |
или |
эти |
ловым спиртом. Такая методика обеспечивает стабильность результатов, но зато приводит к заметному окислению поверхности. Применение фо тоэлектронного датчика (сочетание ФЭУ с милливольтметром и электрон ным осциллографом) позволяет упростить подготовку образца и при
этом повысить точность измерений вдвое. При |
обработке металлической |
|||||
поверхности |
можно ограничиться шлифовкой без |
паст ГОИ. Тогда |
некон |
|||
тролируемое |
окисление |
продолжается |
всего 1-2 мин. Схема эксперимен |
|||
тальной установки для |
исследования |
эллиптически |
поляризованного |
с в е |
||
та — поляризационный |
гониометр - |
показана на |
рис. 54. |
|
Методы отраженных бета-частиц, гамма-квантов и неведенного рент-, геновского излучения. Метод измерения толщины пленок на металле по отражению бета-частиц базируется на том, что эффект обратного
рассеяния приблизительно пропорционален Vz"1 , |
где |
z - атомный н о |
||
мер элемента [313-315]. Если мишенью является химическое |
соедине |
|||
ние, то берется средний атомный номер |
z. |
Для |
вещества с |
хими |
ческой формулой Ап В П 1 средний атомный |
номер определяется |
как z = |
121