Файл: Евдокимов, В. Д. Экзоэлектронная эмиссия при трении.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 19.10.2024

Просмотров: 113

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

=6

г

Рис, 52. Схема измерения фототока при окислении металла

1 -

обойма с

сеткой; 2

- образец;

3 - лампа

ПРК-4; 4 -

свето­

фильтр

УФС-1

 

 

 

 

 

через

латунную

сетку-анод

попадает на

образец,

закрепленный

в обой­

ме из оргстекла. Фототок, протекающий через воздушный промежуток образец - сетка, создает падение напряжения на высокоомном сопро­ тивлении. Регистрирующим прибором служит самопишущий потенциометр ЗППВ - 51 . Промежуток времени между зачисткой образца и началом

измерений

можно свести к 15-30

сек,

что позволяет

определить, более

ранние стадии

окисления, чем в случае поляризационных измерений,

где время

подготовки до первого отсчета составляет

1-3

мин.

На рис.

53

показаны кривые

роста

окисного

слоя

на

'Al, снятые

оптическим

поляризационным методом

(3 мин.

до первого отсчета) и

фотоэлектрическим методом (30 сек. до начала регистрации). Толщина окисла во втором случае больше, так как зафиксированы важные первые минуты окисления. Измерения окисных пленок по поглощению фото­ электронов просты, надежны, обеспечивают высокую точность. Крайне

важным является

правильный подбор длины волны источника

света.

 

Квантовый выход

фотоэффекта прямо пропорционален

величине

( h v -

h v Q ) 2

где hv 0

- энергия

кванта, соответствующая

порогу

фотоэффекта.

Если

использовать подсветку с энергией квантов

h\>,

близкой к поро­

говому

значению, то

изменения величины работы выхода <р

металла

при увеличении толщины окисла значительно изменят величину кванто­ вого выхода. Тогда величина фототока будет зависеть от двух факто­

ров: от поглощения электронов в окисле и от

непостоянства

порогового

значения hv0 »<p.

Простая зависимость

(7.2)

будет нарушена, и р а с ­

чет

толщины

окисла

L

по убыванию

фототока очень осложнится.

Чем

больше

величина

hv

по сравнению

с

hvQ ,

тем меньше

влияют

слабые изменения работы выхода на затухание фототока. Так, на алю­

минии

за первые

24

часа окисления ф

меняется

от 3,65 до 3,72

эв

[306J.

При точности

измерений 5Я0% достаточно взять (hv --hvQ ) £

1,5эв,

тогда

изменения

hvQ

за первые 8 часов окисления практически не

 

повлияют на величину фототока. По спектральным

характеристикам

 

фотоэффекта установлено, что для обеспечения максимальной точности

измерений удобнее выбрать hv = 4,5ч5

эв.

 

 

118


Рис. 53. Рост окисной пленки на алюминии, измеренный опти­ ческим поляризационным мето ­ дом ( 1 ) и по поглощению фо­ тоэлектронов (2)

Врепя, час

Величина

L n зависит

от средней энергии фотоэлектронов, и, значит,

от энергии

квантов hv.

Поэтому для измерения толщины окисла луч­

ше брать монохроматическое освещение. Но опыты [305] показали, что

при облучении светом сложного

спектрального состава

(лампа

ПРК-4

с фильтром УФ.С1) соотношение

(7.2) также достаточно

строго

выпол­

няется.

 

 

 

Недостатком метода поглощения фотоэлектронов является влияние освещения на скорость окисления [303, 305, 307 ]. Для уменьшения этого влияния приходится уменьшать световой поток, что в свою оче­ редь снижает величину фототока и усложняет его измерение. Несом ­ ненное преимущество этого метода - возможность исследования окис­ ления на ранних его стадиях.

Оптический поляризационный метод, разработанный Друде [308] и

Тронстадом

[309], основан на том, что луч поляризованного

света,

отраженный

от

металлической

поверхности, изменяет поляризацию в

зависимости от

угла падения,

оптических

свойств металла,

наличия

на поверхности

окисной пленки, а также

от свойств окружающей с р е ­

ды. Определяя при сопоставимых условиях•оптические свойства чис ­

той металлической

поверхности и поверхности, покрытой

окислом, мож­

но узнать толщину

окисной пленки.

 

В настоящее время оптический поляризационный метод

получил

широкое распространение. Значительный вклад в методику поляримет­ рических исследований окисления металлов и полупроводников внесен Вашичеком [310]. Ряд исследований по изучению окисления оптическим поляризационным методом проведен Т.Н. Крыловой [311] и В.В. Андре­ евой [295, 312 Л

Если луч монохроматического света,, поляризованный в плоскости под некоторым углом к плоскости падения, отражается от металлической поверхности, то две составляющие, на которые он разлагается , претер­ певают различное отставание фаз и уменьшение амплитуд. В результате

конец электрического

вектора отраженной

волны в течение периода к о ­

лебаний описывает в

пространстве эллипс,

т.е. свет становится эллипти­

чески поляризованным. Отношение коэффициентов отражения этих двух составляющих 2ф и разность фаз между ними А можно выразить

119


через оптические постоянные двух сред у поверхности, от которой про­

исходит отражение. Параметры эллиптической поляризации чистой

м е ­

таллической

поверхности

2^ЙД и поверхности, покрытой

охисной

пленкой

Д можно

определить

экспериментально. Подставляя

эти значения

в формулы, приведенные

ниже, можно вычислить толщину окисной

плен­

ки и ее показатель преломления

 

 

г

- д - Â"

а

_ г

,

А

2ц> -

c o s 2 у - а

2

L

- A d - l / n '

) '

n t

-

t 1

+

Л -

д

a,sin2^

1 / c o s ф

.

'

 

д _ l u

 

^ Q S T s i n 2 9 ( c o s 3

g>- a)

_ 1-х2

 

_

2x

 

 

" Л

 

( c o s 2 9 - a ) + a2

 

;

a " n 2 ( ] + X J ) 2 ;

* ' " n * ( 1 + x y '

 

Здесь

L

-

толщина

окисной

пленки

на

металле;

п ^ - показатель пре ­

ломления

пленки;

X

-

длина

волны

падающего

монохроматического

света;

гі -

показатель

преломления

металла; х _ коэффициент погло­

щения

металла;

Д и

2 у -

параметры

эллипса

для чистой

металличес­

кой поверхности;

Д

и 2 ^ - аналогичные параметры

при наличии

окис­

ной

пленки,

9

 

- угол

падения

луча на поверхность металла.

_

Оптические

постоянные

металла

п

и х

выражаются

через

А и

следующим

образом:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

sin

ф tgqicos

 

 

 

.

„ _

 

 

 

 

 

 

п

=

1 + c o s S

зіп2ф

;

х =

S l

n Л

1 « 2

^

 

 

 

 

 

 

Для

определения параметров

эллиптической

поляризации

отраженного

от металла света в экспериментальной установке необходимы следующие элементы.

П о л я р и з а т о р - для получения плоско-поляризованного

света .

Ори­

ентация поляризатора определяет угол наклона плоскости колебаний

па ­

дающего линейно—поляризованного света к плоскости падения

іу и ха ­

рактеризует относительное изменение амплитуд компонентов света. Ну­ левая установка поляризатора P Q должна быть параллельна плоскости падения.

К о мп е н с а т ор С е н а р м о н а - пластинка толщиной 1/4 Л или 3/4ЛЕсли оси пластинки будут параллельны осям эллипса, то прошедший через нее эллиптически поляризованный свет превратится в линейнополяризованный. Тогда его можно погасить анализатором. При юсти­

ровке

оси пластинки

устанавпиваются под углом 45

к плоскости па ­

дения,

что значительно

упрощает вычисления. А н а л и з а т о р

необходим

для измерения угла

Ѳ,

определяющего положение

плоскости

поляри­

зации превращенного линейно-поляризованного света. При установке

компенсатора

под углом 45 2Ѳ =

Д. При юстировке

нулевое

положение

анализатора

іА0 устанавливается

перпендикулярно

плоскости

падения.

Параметры эллиптической поляризации определятся тогда следующим образом:

2у = 2 ( Р 0 - Р) ; А - 270 - 2 ( А 0 - А ) .

120



Рис.

54. Схема поляризационного гониометра

 

1

- осветитель ОИ-17; 2 - светофильтр;

3 - щель; 4 - коллима­

тор; 5 - диафрагма; 6 - поляризатор с отсчетным лимбом; 7 - иссле ­ дуемая поверхность; 8 - компенсатор; 9 - анализатор с отсчетным

лимбом;

10

-

 

конденсор;

11 -

деполяризатор

- кварцевая матовая

пластинка;

12

-

ФЭУ; 13 -

блок

питания ФЭУ;

14 -

усилитель; 15 -

осциллограф;

16

- милливольтметр

 

 

Здесь Р

и

 

А

-

показания

на лимбах поляризатора

и анализатора

соответственно при полном гашении света, отраженного от металли­ ческой поверхности.

Контроль

за полным гашением света

можно вести

как визуально,так

и с помощью

фотоэлектронной приставки.

Визуальный

контроль требу­

ет тщательной полировки образцов, иначе невозможно определить мини­ мальную интенсивность светового пучка. Обычно образец тщательно

полируется сначала

на наждачной

бумаге, а

затем на

оптическом

с т е к ­

ле с

помощью паст

ГОИ. В

конце

шлифовки

для обезжиривания

поверх­

ности

обязательна

промывка

горячей водой,

а потом

ацетоном

или

эти ­

ловым спиртом. Такая методика обеспечивает стабильность результатов, но зато приводит к заметному окислению поверхности. Применение фо­ тоэлектронного датчика (сочетание ФЭУ с милливольтметром и электрон­ ным осциллографом) позволяет упростить подготовку образца и при

этом повысить точность измерений вдвое. При

обработке металлической

поверхности

можно ограничиться шлифовкой без

паст ГОИ. Тогда

некон­

тролируемое

окисление

продолжается

всего 1-2 мин. Схема эксперимен­

тальной установки для

исследования

эллиптически

поляризованного

с в е ­

та — поляризационный

гониометр -

показана на

рис. 54.

 

Методы отраженных бета-частиц, гамма-квантов и неведенного рент-, геновского излучения. Метод измерения толщины пленок на металле по отражению бета-частиц базируется на том, что эффект обратного

рассеяния приблизительно пропорционален Vz"1 ,

где

z - атомный н о ­

мер элемента [313-315]. Если мишенью является химическое

соедине­

ние, то берется средний атомный номер

z.

Для

вещества с

хими­

ческой формулой Ап В П 1 средний атомный

номер определяется

как z =

121