Файл: Евдокимов, В. Д. Экзоэлектронная эмиссия при трении.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 19.10.2024

Просмотров: 104

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ца 9

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Груп­ Эле- i

Таблич­

Начальная

штенсивность

эмиссии,

(имп/сек см')

па

мзнты 1 ное

значе­

 

 

с

зачисткой

без за­

 

 

ние

рабо­

 

 

 

 

 

 

чистки

 

i

ты

выхо­

hu

=3,87 эв

h ѵт

=

 

huт = 4,5 эв hvm

=: 4,5 ЭЕ

 

да [384]

эв

 

I

 

 

 

.п

= 3,96

 

 

 

1

Си

4,4

 

0

 

10

1

66500

1

212

 

 

 

 

 

Ag

4,3

 

0

 

20

 

34000

 

404

 

Ли

4,3

 

0

 

30

 

4900

 

340

 

Be

3,92

52000

80000

 

152000

 

524

II

R

3,64

78000

96000

 

нр

12250

M

4,24

37000

58000

 

121000

 

2250

 

Zn

 

 

 

Cd

4,1

 

1050

1160

 

102 000

 

325

 

I I -

4,52

22500

25000

 

нр

 

нр

III

ЛІ

4,25

95000

100000

 

нр

18400

In

3,3

 

350

4000

 

9900Û

 

5000

 

c:

4,7

 

0

 

0

 

10

 

10

 

Si

4,8

 

0

 

5

 

7050

 

130

 

Ti

3,95

 

0

 

0

 

2170

 

14

IV

Go

4,76

 

5

 

25

 

72000

 

100

 

Zr

3,9

 

1400

10500

 

132000

 

1500

 

Su

4,38

 

20

 

190

:

108000

 

800

 

РЬ

4,0

 

140

2200

94000

 

190

 

\ ь

3,99

1

0

 

0

I

16000

 

20

Y

i Sb

4,08

!

о

 

20

104000

 

725

Ta

4,12

!

 

 

0

 

60000

 

84

 

 

 

 

 

 

Bi

4,4

0

 

40

 

83000

 

860

 

!

20

 

 

 

 

Se

4,72

і

 

 

5

 

250

 

250

 

:

0

 

 

 

 

Mo

4,3

 

55

 

57000

 

150

VI

;

0

 

 

 

Te

4,73

0

 

0

 

250

 

230

 

 

 

 

 

 

w

4,5

 

55

 

58

 

15000

 

240

VIII

Fe

4,3

 

0

 

0

 

49000

 

180

Ni

4,5

 

0

 

0

]

96000

1

150

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

і

 

Поскольку

длинноволновые границы

фотоэффекта в вакууме

у р а з ­

личных элементов существенно различаются-, то следует ожидать, что и границы эффекта, связанного с зачисткой поверхности в атмосфер­ ных условиях, также лежат в довольно широком диапазоне энергий.

Поэтому в дальнейших исследованиях образцы освещались ртутной кварцевой лампой СВД-120А через фильтры УФСЗ толщиной 3 и 5 мм и УФС2 толщиной 2 мм. Коротковолновые границы пропускания этих фильтров на уровне 0,025 соответствуют энергиям квантов 3,87; 3,96 и 4,50 эв. При таком освещении интенсивность эмиссии на некоторых

133


металлах превышала величину ( I f 1,5) -10 имп/мин, при которой в о з ­ буждался непрерывный разряд в счетчике , чго обозначено в таблице значком "нр". Как видно из табл. 9, для большинства элементов с ч е т ­ чик регистрирует эмиссию лишь при энергиях квантов подсветки, пре ­ вышающих табличное значение работы выхода электрона (обычный фо­ тоэффект). Исключение составляют металлы, обнаружившие фотоэлект­

рическую чувствительность при подсветке

от

лампы накаливания

(они

уже перечислялись выше), а также Cd, Si,

и

Ge , На всех

исследо­

ванных образцах, кроме С, Se,

и Те . зачистка

увеличивает

эффект.

Следовательно, механическая

обработка, удаляющая слой окисла

и с о з ­

дающая дефекты структуры, резко изменяет эмиссионные свойства по ­ верхности.

При исследовании ртути слой окисла, плавающий на поверхности, снимался фильтровальной бумагой. Не исключено, что значительная

скорость счета импульсов, наблюдаемая при этом, вызвана не

э м и с ­

сией электронов, а испарением атомов

ртути в рабочий объем

с ч е т ­

чика. Известно, что счетчик Гейгера

чувствителен к парам различ­

ных веществ [ 340], так что он может

реагировать и на пары

ртути.

Итак, некоторые элементы обнаруживают длинноволновый фотоэф­ фект после механической обработки в атмосферных условиях - э к з о - электронную эмиссию. У одних сдвиг красной границы фотоэффекта в длинноволновую область значителен (алюминий), у других - очень н е ­ значителен (свинец). Поэтому для окончательных выводов нужны более детальные спектральные исследования.

Если выписать ряд металлов, обнаруживших экзоэлектронную эмис ­

сию, в порядке

увеличения теплоты образования их основного окисла,

то обращает на

себя внимание соответствие между этими величинами

и интенсивностями эмиссии. В табл. 10 интенсивность эмиссии с алю ­

миния принята

з а единицу, а значения теплот приводятся

для

случая

взаимодействия

металла с кислородом атмосферы при

298

° К

[330-333].

Интересно, что

скорость окисления этих металлов (за

исключением

Ag ) в течение первых, нескольких часов окисления примерно оди­

накова. Тогда,

считая равным число актов окисления

на них,

можно

прийти к выводу о справедливости химической гипотезы, объясняющей экзоэлектронную эмиссию. Действительно, чем больше выделяется энергии при окислении, тем выше эмиссия. Но такое заключение будет преждевременным, так как существует ряд металлов, у которых теп ­ лоты образования окислов велики, но экзоэлектронная эмиссия отсут ­ ствует (табл. 11). Так, скорость окисления титана в течение первых двух часов примерно в 1,5 раза выше, чем у алюминия [334 , 335], теплота образования окисла примерно та же, а работа выхода электро­ на существенно ниже, и тем не менее индуцированный зачисткой фо­ тоэффект отсутствует.

Можно сделать предварительные выводы: экзоэлектронная эмиссия наблюдается на металлах, образующих окислы n-типа; и большему тепловому эффекту окисления соответствует большая интенсивность эмиссии [ 304 ] .

Однако значительный тепловой эффект и образование окисла

п - т и ­

па если ' и являются необходимыми, то отнюдь не достаточными

у с -

134


ккал/моль
400,2
143,84
143,0
83,2
62,2
52,4
2,6
вания
окисла,

Элемент

AI

Mg

Be

Zn

Cd

Pb

Ag

Т а б л и ц а 10

ИнтенсивТеплота ность эмиссии, обраэо- усл. ед.

1

0,8

0,5

0,39

1,1-10"'

1.5-10"3

0

Т а б л и ц а 11

Элемент Теплота образования окисла, ккал/моль

Та

488,8

Nb

455,2

T i

362,9

w

182,4

Mo

162,0

ловиями для возникновения экзоэлектронной эмиссии. Свойства поверх­ ностных слоев, образующихся при взаимодействии с атмосферой, оп­ ределенным образом влияют на фотоэлектрические свойства металлов. Окисные и адсорбированные пленки могут подавить фотоэффект за счет создания потенциальных барьеров, увеличивающих работу выхода, а также за счет поглощения ими электронов. Мы полагаем, что необ­ ходимы опыты, которые четко разграничили бы влияние различных фак­ торов на интенсивность эмиссии и давали бы ответ на следующие воп­ росы. Есть ли связь между скоростью окисления (числом актов окис­ лениями интенсивностью экзоэлектронной эмиссии? Как связана ин ­ тенсивность фотоэффекта (обычного и индуцированного) с толщиной растущей окисной пленки? Как влияют параметры окислов на работу выхода окисленной поверхности? И, наконец, необходимо по возмож­ ности более четко разграничить фотостимулированную экзоэлектронную эмиссию и обычный фотоэффект.

Экзоэлектронная

эмиссия и скорость окисления

металлов.

Для т о ­

го чтобы выяснить

зависимость интенсивности

экзоэлектронной

эмиссии

от числа актов окисления в единицу времени,

было

поставлено

несколь­

ко опытов. Первая

группа экспериментов имела целью изменить ход окис­

лительного процесса на одном и том же металле. Сопоставлялись

эк ­

зоэлектронная эмиссия и скорость окисления алюминиевых пленок,

на­

пыленных в вакуумной камере при давлении 5-10"5

мм рт.ст.

Р е з у л ь ­

таты представлены

на рис. 62. Пленка алюминия напылялась

на

с т е к ­

лянную подложку и выдерживалась

в вакууме в течение 10 мин. Через

3 мин после впуска

воздуха пленка

исследовалась

открытым острий-

ным счетчиком при

подсветке лампой накаливания,-

Интенсивность

эмиссии была на уровне фона, прирост окисного слоя был незначитель­ ным. Та же пленка после механической зачистки лезвием окислялась

вдвое быстрее,

а интенсивность эмиссии через 1 мин после зачистки

составляла 10"

имп/мин. При напылении пленки на латунную подлож­

ку создавалась

гальваническая пара, способствовавшая

окислению

алюминия. Скорость окисления была в 20 раз больше,

чем у зачищен­

ного конденсата

на стекле, причем толщина окисла почти линейно на -

135


20

¥0

ВО

80

100

120

Врепя, пин

Рис. 62. Экзоэлектронная эмиссия с вакуумных конденсатов алюминия

1 - незалищенная пленка на стеклянной подложке; 2 - та же пленка после зачистки; 3 - незачишенная пленка алюминия на латунной под­ ложке

растала со временем. Даже без зачистки интенсивность эмиссии

ока­

залась

в 1,5 раза выше, чем у пленки на стекле.

 

 

 

 

 

 

 

Другая серия опытов была поставлена на образцах

из

сплавов

с и с ­

темы

Mg-Cd

[336]. Сопоставлялась интенсивность

экзоэлектронной

эмиссии со скоростью роста окисла, которая характеризовалась

толщи­

ной

окисной пленки,

образовавшейся через 24 часа после зачистки.

Результаты представлены на рис. 63. Подсветка была выбрана так,

что на магнии интенсивность фотостимулированной

экзоэлектронной

эмиссии была значительна, а кадмий не эмиттировал

экзоэлектроны.

По

мере

увеличения

процентного содержания

Cd

в сплаве

интенсив­

ность эмиссии в целом уменьшается. Но на общей тенденции спада

эмиссии

наблюдаются

отдельные пики. В области концентраций

0 f 55

атомных

процентов

Cd'

пики на

кривой "эмиссия

-

состав" в

т о ч ­

ности

соответствуют

пикам кривой

"толщина

окисной

пленки

-

состав"

и наблюдаются при переходе концентраций через точки 1/8,

1/4,

2/4 и

3/4

моля. Эти

точки

соответствуют интерметаллическим

соединениям,

свойства

которых, в

том

числе и коррозионная стойкость,

резко

отли-

136


Рис. 63. Толщина окисной пленки L и интенсив­ ность экзоэлектронной эмис ­ сии на образцах сплавов

Mg-Cd

Рис. 64. Зависимость ин­ тенсивности экзоэлектронной эмиссии, с алюминия от ско­ рости нарастания окисной пленки dL/ dt

SSSB WO Cd,am %

Z f

В

8 ГО

dL/dt,

атн.

ed.

чаются от сплавов с близкими концентрациями [337] . Некоторое р а с ­ согласование в ходе кривых для экзоэлектронной эмиссии и окисной пленки в области 7 4 т 7 6 атомных процентов Cd объяснено особен­ ностями окислительного процесса этих сплавов [302, 304].

Опыты показали, что при увеличении скорости окисления возрастает интенсивность экзоэлектронной эмиссии. Такой вывод согласуется с гипотезой хемоэмиссии, предполагающей прямую пропорциональную з а ­ висимость между числом актов окисления и интенсивностью эмиссии. Для проверки подобного предположения был построен график зависи­

мости

интенсивности эмиссии на алюминии от скорости его

окисления

d L / d t

(рис. 64). Зависимость оказалась нелинейной [ 304 ] .

Следова­

тельно, если акт окисления и происходит на внешней поверхности окис­

ной пленки, как это

доказано

для A I , Mg, Zn

и других

металлов, об­

разующих окислы

n - типа,

то экзоэлектрон

возникает

не на поверх­

ности окисла, как, например, по гипотезе "комплексов" Денисова и Ричардсона [ 4 6 ] . Тогда экзоэлектрон должен поставляться из окисной пленки или же из металла. Необходимо выяснить, каким образом пере­ дается энергия окисления этому электрону, пространственно разделен­ ному с образующейся молекулой окисла. Если электроны эмиттируют из окисла, то с увеличением толщины окисной пленки эмиссия должна возрастать. Если экзоэлектроны вылетают из металла, то эмиссия бу­ дет затухать при нарастании окисла.

137