Файл: Евдокимов, В. Д. Экзоэлектронная эмиссия при трении.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 19.10.2024
Просмотров: 104
Скачиваний: 0
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Т а б л и ца 9 |
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Груп Эле- i |
Таблич |
Начальная |
штенсивность |
эмиссии, |
(имп/сек см') |
||||||
па |
мзнты 1 ное |
значе |
|
|
с |
зачисткой |
без за |
||||
|
|
ние |
рабо |
|
|
|
|
|
|
чистки |
|
|
i |
ты |
выхо |
hu |
=3,87 эв |
h ѵт |
= |
|
huт = 4,5 эв hvm |
=: 4,5 ЭЕ |
|
|
да [384] |
эв |
|||||||||
|
I |
|
|
|
.п |
= 3,96 |
|
|
|
||
1 |
Си |
4,4 |
|
0 |
|
10 |
1 |
66500 |
1 |
212 |
|
|
|
|
|
||||||||
|
Ag |
4,3 |
|
0 |
|
20 |
|
34000 |
|
404 |
|
|
Ли |
4,3 |
|
0 |
|
30 |
|
4900 |
|
340 |
|
|
Be |
3,92 |
52000 |
80000 |
|
152000 |
|
524 |
|||
II |
R |
3,64 |
78000 |
96000 |
|
нр |
12250 |
||||
M |
4,24 |
37000 |
58000 |
|
121000 |
|
2250 |
||||
|
Zn |
|
|
||||||||
|
Cd |
4,1 |
|
1050 |
1160 |
|
102 000 |
|
325 |
||
|
I I - |
4,52 |
22500 |
25000 |
|
нр |
|
нр |
|||
III |
ЛІ |
4,25 |
95000 |
100000 |
|
нр |
18400 |
||||
In |
3,3 |
|
350 |
4000 |
|
9900Û |
|
5000 |
|||
|
c: |
4,7 |
|
0 |
|
0 |
|
10 |
|
10 |
|
|
Si |
4,8 |
|
0 |
|
5 |
|
7050 |
|
130 |
|
|
Ti |
3,95 |
|
0 |
|
0 |
|
2170 |
|
14 |
|
IV |
Go |
4,76 |
|
5 |
|
25 |
|
72000 |
|
100 |
|
|
Zr |
3,9 |
|
1400 |
10500 |
|
132000 |
|
1500 |
||
|
Su |
4,38 |
|
20 |
|
190 |
: |
108000 |
|
800 |
|
|
РЬ |
4,0 |
|
140 |
2200 |
94000 |
|
190 |
|||
|
\ ь |
3,99 |
1 |
0 |
|
0 |
I |
16000 |
|
20 |
|
Y |
i Sb |
4,08 |
! |
о |
|
20 |
104000 |
|
725 |
||
Ta |
4,12 |
! |
|
|
0 |
|
60000 |
|
84 |
||
|
|
|
|
|
|||||||
|
Bi |
4,4 |
0 |
|
40 |
|
83000 |
|
860 |
||
|
! |
20 |
|
|
|
||||||
|
Se |
4,72 |
і |
|
|
5 |
|
250 |
|
250 |
|
|
: |
0 |
|
|
|
||||||
|
Mo |
4,3 |
|
55 |
|
57000 |
|
150 |
|||
VI |
; |
0 |
|
|
|
||||||
Te |
4,73 |
0 |
|
0 |
|
250 |
|
230 |
|||
|
|
|
|
|
|||||||
|
w |
4,5 |
|
55 |
|
58 |
|
15000 |
|
240 |
|
VIII |
Fe |
4,3 |
|
0 |
|
0 |
|
49000 |
|
180 |
|
Ni |
4,5 |
|
0 |
|
0 |
] |
96000 |
1 |
150 |
||
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
і |
|
|
Поскольку |
длинноволновые границы |
фотоэффекта в вакууме |
у р а з |
личных элементов существенно различаются-, то следует ожидать, что и границы эффекта, связанного с зачисткой поверхности в атмосфер ных условиях, также лежат в довольно широком диапазоне энергий.
Поэтому в дальнейших исследованиях образцы освещались ртутной кварцевой лампой СВД-120А через фильтры УФСЗ толщиной 3 и 5 мм и УФС2 толщиной 2 мм. Коротковолновые границы пропускания этих фильтров на уровне 0,025 соответствуют энергиям квантов 3,87; 3,96 и 4,50 эв. При таком освещении интенсивность эмиссии на некоторых
133
металлах превышала величину ( I f 1,5) -10 имп/мин, при которой в о з буждался непрерывный разряд в счетчике , чго обозначено в таблице значком "нр". Как видно из табл. 9, для большинства элементов с ч е т чик регистрирует эмиссию лишь при энергиях квантов подсветки, пре вышающих табличное значение работы выхода электрона (обычный фо тоэффект). Исключение составляют металлы, обнаружившие фотоэлект
рическую чувствительность при подсветке |
от |
лампы накаливания |
(они |
||
уже перечислялись выше), а также Cd, Si, |
и |
Ge , На всех |
исследо |
||
ванных образцах, кроме С, Se, |
и Те . зачистка |
увеличивает |
эффект. |
||
Следовательно, механическая |
обработка, удаляющая слой окисла |
и с о з |
дающая дефекты структуры, резко изменяет эмиссионные свойства по верхности.
При исследовании ртути слой окисла, плавающий на поверхности, снимался фильтровальной бумагой. Не исключено, что значительная
скорость счета импульсов, наблюдаемая при этом, вызвана не |
э м и с |
|
сией электронов, а испарением атомов |
ртути в рабочий объем |
с ч е т |
чика. Известно, что счетчик Гейгера |
чувствителен к парам различ |
|
ных веществ [ 340], так что он может |
реагировать и на пары |
ртути. |
Итак, некоторые элементы обнаруживают длинноволновый фотоэф фект после механической обработки в атмосферных условиях - э к з о - электронную эмиссию. У одних сдвиг красной границы фотоэффекта в длинноволновую область значителен (алюминий), у других - очень н е значителен (свинец). Поэтому для окончательных выводов нужны более детальные спектральные исследования.
Если выписать ряд металлов, обнаруживших экзоэлектронную эмис
сию, в порядке |
увеличения теплоты образования их основного окисла, |
то обращает на |
себя внимание соответствие между этими величинами |
и интенсивностями эмиссии. В табл. 10 интенсивность эмиссии с алю
миния принята |
з а единицу, а значения теплот приводятся |
для |
случая |
|
взаимодействия |
металла с кислородом атмосферы при |
298 |
° К |
[330-333]. |
Интересно, что |
скорость окисления этих металлов (за |
исключением |
||
Ag ) в течение первых, нескольких часов окисления примерно оди |
||||
накова. Тогда, |
считая равным число актов окисления |
на них, |
можно |
прийти к выводу о справедливости химической гипотезы, объясняющей экзоэлектронную эмиссию. Действительно, чем больше выделяется энергии при окислении, тем выше эмиссия. Но такое заключение будет преждевременным, так как существует ряд металлов, у которых теп лоты образования окислов велики, но экзоэлектронная эмиссия отсут ствует (табл. 11). Так, скорость окисления титана в течение первых двух часов примерно в 1,5 раза выше, чем у алюминия [334 , 335], теплота образования окисла примерно та же, а работа выхода электро на существенно ниже, и тем не менее индуцированный зачисткой фо тоэффект отсутствует.
Можно сделать предварительные выводы: экзоэлектронная эмиссия наблюдается на металлах, образующих окислы n-типа; и большему тепловому эффекту окисления соответствует большая интенсивность эмиссии [ 304 ] .
Однако значительный тепловой эффект и образование окисла |
п - т и |
па если ' и являются необходимыми, то отнюдь не достаточными |
у с - |
134
Элемент
AI
Mg
Be
Zn
Cd
Pb
Ag
Т а б л и ц а 10
ИнтенсивТеплота ность эмиссии, обраэо- усл. ед.
1
0,8
0,5
0,39
1,1-10"'
1.5-10"3
0
Т а б л и ц а 11
Элемент Теплота образования окисла, ккал/моль
Та |
488,8 |
Nb |
455,2 |
T i |
362,9 |
w |
182,4 |
Mo |
162,0 |
ловиями для возникновения экзоэлектронной эмиссии. Свойства поверх ностных слоев, образующихся при взаимодействии с атмосферой, оп ределенным образом влияют на фотоэлектрические свойства металлов. Окисные и адсорбированные пленки могут подавить фотоэффект за счет создания потенциальных барьеров, увеличивающих работу выхода, а также за счет поглощения ими электронов. Мы полагаем, что необ ходимы опыты, которые четко разграничили бы влияние различных фак торов на интенсивность эмиссии и давали бы ответ на следующие воп росы. Есть ли связь между скоростью окисления (числом актов окис лениями интенсивностью экзоэлектронной эмиссии? Как связана ин тенсивность фотоэффекта (обычного и индуцированного) с толщиной растущей окисной пленки? Как влияют параметры окислов на работу выхода окисленной поверхности? И, наконец, необходимо по возмож ности более четко разграничить фотостимулированную экзоэлектронную эмиссию и обычный фотоэффект.
Экзоэлектронная |
эмиссия и скорость окисления |
металлов. |
Для т о |
|||
го чтобы выяснить |
зависимость интенсивности |
экзоэлектронной |
эмиссии |
|||
от числа актов окисления в единицу времени, |
было |
поставлено |
несколь |
|||
ко опытов. Первая |
группа экспериментов имела целью изменить ход окис |
|||||
лительного процесса на одном и том же металле. Сопоставлялись |
эк |
|||||
зоэлектронная эмиссия и скорость окисления алюминиевых пленок, |
на |
|||||
пыленных в вакуумной камере при давлении 5-10"5 |
мм рт.ст. |
Р е з у л ь |
||||
таты представлены |
на рис. 62. Пленка алюминия напылялась |
на |
с т е к |
лянную подложку и выдерживалась |
в вакууме в течение 10 мин. Через |
||
3 мин после впуска |
воздуха пленка |
исследовалась |
открытым острий- |
ным счетчиком при |
подсветке лампой накаливания,- |
Интенсивность |
эмиссии была на уровне фона, прирост окисного слоя был незначитель ным. Та же пленка после механической зачистки лезвием окислялась
вдвое быстрее, |
а интенсивность эмиссии через 1 мин после зачистки |
|
составляла 10" |
имп/мин. При напылении пленки на латунную подлож |
|
ку создавалась |
гальваническая пара, способствовавшая |
окислению |
алюминия. Скорость окисления была в 20 раз больше, |
чем у зачищен |
|
ного конденсата |
на стекле, причем толщина окисла почти линейно на - |
135
20 |
¥0 |
ВО |
80 |
100 |
120 |
Врепя, пин
Рис. 62. Экзоэлектронная эмиссия с вакуумных конденсатов алюминия
1 - незалищенная пленка на стеклянной подложке; 2 - та же пленка после зачистки; 3 - незачишенная пленка алюминия на латунной под ложке
растала со временем. Даже без зачистки интенсивность эмиссии |
ока |
|||||||||||||
залась |
в 1,5 раза выше, чем у пленки на стекле. |
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
Другая серия опытов была поставлена на образцах |
из |
сплавов |
с и с |
||||||||||
темы |
Mg-Cd |
[336]. Сопоставлялась интенсивность |
экзоэлектронной |
|||||||||||
эмиссии со скоростью роста окисла, которая характеризовалась |
толщи |
|||||||||||||
ной |
окисной пленки, |
образовавшейся через 24 часа после зачистки. |
||||||||||||
Результаты представлены на рис. 63. Подсветка была выбрана так, |
||||||||||||||
что на магнии интенсивность фотостимулированной |
экзоэлектронной |
|||||||||||||
эмиссии была значительна, а кадмий не эмиттировал |
экзоэлектроны. |
|||||||||||||
По |
мере |
увеличения |
процентного содержания |
Cd |
в сплаве |
интенсив |
||||||||
ность эмиссии в целом уменьшается. Но на общей тенденции спада |
||||||||||||||
эмиссии |
наблюдаются |
отдельные пики. В области концентраций |
0 f 55 |
|||||||||||
атомных |
процентов |
Cd' |
пики на |
кривой "эмиссия |
- |
состав" в |
т о ч |
|||||||
ности |
соответствуют |
пикам кривой |
"толщина |
окисной |
пленки |
- |
состав" |
|||||||
и наблюдаются при переходе концентраций через точки 1/8, |
1/4, |
2/4 и |
||||||||||||
3/4 |
моля. Эти |
точки |
соответствуют интерметаллическим |
соединениям, |
||||||||||
свойства |
которых, в |
том |
числе и коррозионная стойкость, |
резко |
отли- |
136
Рис. 63. Толщина окисной пленки L и интенсив ность экзоэлектронной эмис сии на образцах сплавов
Mg-Cd
Рис. 64. Зависимость ин тенсивности экзоэлектронной эмиссии, с алюминия от ско рости нарастания окисной пленки dL/ dt
SSSB WO Cd,am %
Z f |
В |
8 ГО |
dL/dt, |
атн. |
ed. |
чаются от сплавов с близкими концентрациями [337] . Некоторое р а с согласование в ходе кривых для экзоэлектронной эмиссии и окисной пленки в области 7 4 т 7 6 атомных процентов Cd объяснено особен ностями окислительного процесса этих сплавов [302, 304].
Опыты показали, что при увеличении скорости окисления возрастает интенсивность экзоэлектронной эмиссии. Такой вывод согласуется с гипотезой хемоэмиссии, предполагающей прямую пропорциональную з а висимость между числом актов окисления и интенсивностью эмиссии. Для проверки подобного предположения был построен график зависи
мости |
интенсивности эмиссии на алюминии от скорости его |
окисления |
d L / d t |
(рис. 64). Зависимость оказалась нелинейной [ 304 ] . |
Следова |
тельно, если акт окисления и происходит на внешней поверхности окис
ной пленки, как это |
доказано |
для A I , Mg, Zn |
и других |
металлов, об |
разующих окислы |
n - типа, |
то экзоэлектрон |
возникает |
не на поверх |
ности окисла, как, например, по гипотезе "комплексов" Денисова и Ричардсона [ 4 6 ] . Тогда экзоэлектрон должен поставляться из окисной пленки или же из металла. Необходимо выяснить, каким образом пере дается энергия окисления этому электрону, пространственно разделен ному с образующейся молекулой окисла. Если электроны эмиттируют из окисла, то с увеличением толщины окисной пленки эмиссия должна возрастать. Если экзоэлектроны вылетают из металла, то эмиссия бу дет затухать при нарастании окисла.
137