Файл: Бушминский, И. П. Изготовление элементов конструкций СВЧ. Волноводы и волноводные устройства учеб. пособие.pdf

Напыление титана производят примерно через 10 сек после его расплавления, так как титан — геттер и в на­ чале его испарения идет интенсивное газовыделение, что загрязняет осаждаемую пленку молекулами газов.

Чтобы исключить влияние остаточных газов, адсор­ бирующихся медью на воздухе перед напылением на подложку, как и при напылении титана, производится «отпыл» на заслонку в течение 10 сек. После окончания испарения меди диффузионный насос продолжает рабо­ тать при действующей азотной ловушке еще примерно 5—10 мин. Это вызвано тем, что при напылении подлож­

честве остаточных газов. После охлаждения подложки подача жидкого азота на ловушку и откачка прекраща­ ются. Разгерметизация установки происходит после того как температура подложек снизится до 40—50° С.

Металлизацию обратной стороны подложек произво­ дят аналогично.

Для микроминиатюрных полосковых волноводов, где диэлектрики — материалы с малым tg6 , доминирующее влияние на величину активных потерь оказывают поте­ ри в проводниках. Их величина зависит от структуры проводящей пленки, ее однородности, плотности, удель­ ного сопротивления, внутренних напряжений в пленке, чистоты токонесущей поверхности.

На рис. 5.10, а и б даны графики зависимостей внут­ ренних напряжений в медных пленках от их толщины и скорости осаждения. Видно, что величина внутренних напряжений уменьшается с повышением скорости осаж­ дения и увеличением толщины слоя. Внутренние напря­ жения возникают из-за различия ТКЛР пленки и под­ ложки, проявляющегося, когда температура подложки при нанесении пленки и измерении неодинакова.

Уменьшение внутренних напряжений в пленках ме­ ди при увеличении скорости осаждения объясняется, вопервых, тем, что при фиксированной толщине с ростом скорости осаждения и сокращением времени напыления пленки уменьшается температура поверхности подлож­ ки. Это уменьшает термическую составляющую внутрен­ них напряжений. Во-вторых, увеличение кинетической энергии испаряемых атомов повышает плотность пленок, совершенствует их структуру, т. е. снижает «собствен­ ную» составляющую внутренних напряжений.

253

S, кГ/см2

1500

1000

500

j - i . Voc^/cen

V

Рис. 5.Ю. Зависимость внутренних напряжений

впленках меди:

а— от толщины; б — от скорости осаждения

Постоянство величины внутренних напряжений (см. рис. 5.Ю, а) в широком диапазоне толщин при фиксиро­ ванной скорости осаждения соответствует общим зако­ номерностям кинетики формирования тонких пленок. Наблюдаемый спад величины внутренних напряжений при толщине пленки более 1 0 мкм связан с уменыне-

254

нием адгезии, т. е. ослаблением связи атомов пленки и подложки.

Плотность медных пленок мало зависит от скорости осаждения и в интервале Uoc— 100+1600 А/сек, при толщине пленки 6+7 мкм она равна 8,4—8,9 г/см3. Мик­ роструктура же пленки очень чувствительна к скорости осаждения (рис. 5.11). Высота зерна определяет чистоту поверхности пленки.

Рис. 5.11. Зависимость микроструктуры мед­ ных пленок от скорости осаждения

С увеличением скорости осаждения высота микроне­ ровностей на поверхности пленки уменьшается, несмотря на то, что размер кристаллитов в горизонтальной плос­

кости растет.

Затухание в несимметричном полосковом волноводе для дециметрового диапазона (рис. 5Л2) сопровождает­ ся уменьшением потерь с ростом скорости осаждения. Кривая получена для полоскового проводника толщиной

8+1 мкм.

Для получения необходимой конфигурации полоско­

химическое травление пленки медь — титан там, где ос­ таются места незащищенные маской из фоторезиста.

Процесс фотолитографии следующий:

1)декапирование;

2)промывка;

3)нанесение фоторезиста;

4)сушка в термостате;

5)совмещение и экспонирование;

6)проявление;

255

7)промывка;

8)сушка в сухом азоте;

9)контроль качества защитного слоя;

10)ретуширование;

11)термозадубливание;

12)защита обратной стороны подложки;

13)травление слоя меди;

14)промывка;

15)травление титана;

16)удаление фоторезиста;

17)промывка и сушка в сухом азоте.

Рис. 5.12. Зависимость затухания в несимметричном микрополосковом волноводе от скорости осаждения пленки меди при толщине полоскового проводника 8 мкм

Декапирование обеспечивает снятие окислов меди, возникших из-за разгерметизации камеры, оно происхо­ дит при повышенной температуре в 1%-ном растворе соляной кислоты.

Промывкой удаляют результаты реакции и остатки кислоты. Она производится дистиллированной (или деи­ онизованной) водой, затем этиловым спиртом. Фоторе­ зист наносят на центрифуге и высушивают в термостате при 90° С в течение 30 мин.

Высушенную подложку помещают в приспособление для совмещения и экспонирования. На нее укладывают фотошаблон эмульсионным слоем вниз и под микроско­

256

пом производят совмещение его с подложкой. Когда сов­ мещение достигнуто, фотошаблон прижимается к под­ ложке и фоторезист экспонируется и проявляется в рас­ творе тринатрийфосфата Na3P 0 4 0,9%.

При последующей промывке в дистиллированной во­ де с поверхности подложки удаляются продукты реак­ ции и остатки раствора тринатрийфосфата. Сушка ве­ дется током осушенного азота.

При экспонировании и проявлении могут быть про­ колы в рисунке микросхемы из-за пузырьков воздуха в фоторезисте, а также при наличии мелких, незаметных дефектов в фотошаблоне. Поэтому необходим контроль качества защитного слоя. Подложку просматривают под микроскопом и ретушируют лаком.

Термозадубливание проводят в два этапа. Вначале подложки выдерживают в течение 30 мин в термостате при 100° С, затем при 180° С.

После задубливания фоторезиста обратную сторону подложки, покрытую металлизацией, защищают от воз­ действия травителей лаком.

Подготовленную подложку передают на операцию травления меди. Оно ведется при комнатной температу­ ре и стационарном положении подложки без перемеши­ вания электролита, в состав которого входит:

хромовый ангидрит СгОа . . . . 150 г/л

азотная кислота HNOs .................35 мл/л соляная кислота Н С 1 .....................10 м л ) л

Окончание процесса травления определяют по изме­ нению цвета подложки с розового на темно-серый.

Травление титана производят в другом травителе. Для того чтобы его состав не изменился за счет остатка травителя для меди, подложку промывают в дистилли­ рованной воде.

Титановый подслой травится в разбавленном раство­ ре серной кислоты (1X1) при 80 — 90° С. Затем подлож­ ку промывают дистиллированной водой и смывают фо­ торезист 10%-ным раствором NaOIT и нейтрализуют в 1—2%-ном растворе соляной кислоты. После этого еще раз тщательно промывают в дистиллированной воде и этиловом спирте, высушивают в струе сжатого, осушен­ ного азота и передают на операцию химической защиты меди.

257

2,5—3 мкм.

В основе процесса химического золочения лежит ре­ акция восстановления золота из его комплексных солей гипофосфитом натрия. Данный процесс идет на поверх­ ности металлов, способных каталитически влиять на ре­ акцию восстановления (например, никель, серебро, медь).

Лучшим катализатором является никель, его плен­ ка обеспечивает дополнительную защиту меди от коррозии.

Подложки с напыленными резистивными и проводя­ щими пленками подвергаются тщательной очистке (обез­ жириванию) .

При обезжиривании пленки меди слегка окисляются. Частичное окисление меди происходит при удалении фоторезистивного слоя. Поэтому при декапировании сни­ мают окислы меди с пленки, обрабатывая ее в растворе персульфата аммония (30 г/л) и серной кислоты (5 г/л) при комнатной температуре в течение 5 сек.

Поскольку медь не является катализатором реак­ ции восстановления атомов никеля из его солей, прихо­ дится производить активацию медной поверхности для создания центров кристаллизации при осаждении нике­ ля. Для этого подложки помещают в раствор хлористого палладия (1 г/л) и соляной кислоты (10 мл/л) при 25— 30° С на 1—3 сек.

После этого производится химическое никелирование

На поверхности меди осаждается пленка никеля тол­ щиной 1,7—2,5 мкм, которая является хорошей защитой от коррозии, но, во-первых, она имеет микротрещины и поры, во-вторых, к ней можно присоединять контакты только с помощью импульсной пайки. Поэтому пленка никеля покрывается золотом, которое закрывает все по­ ры и трещины, имеющиеся в пленке.

258

Химическое золочение производится в следующем растворе г/л:

Причем pH раствора должна поддерживаться в пре­ делах 4—4,5, а температура 85—90° С, длительность про­ цесса 10 мин. При таких параметрах раствора процесс будет интенсивным. В результате на поверхности нике­ ля осаждается пленка золота толщиной 0,5—0,8 мкм, и суммарная толщина антикоррозионного покрытия до­ стигает 2,5—3,0 мкм.

После золочения подложку кипятят в дистиллиро­ ванной воде в течение 1 ч. Для устранения образования подтеков при высыхании воды на подложке ее промы­ вают в этиловом спирте и высушивают в струе осушен­ ного азота.

Осадки, полученные химическим способом, имеют аморфную структуру и нестабильны во времени. Для повышения их твердости и прочности, улучшения сцеп­ ления с основным металлом и друг с другом использует­ ся термоотжиг. При этом структура осадков из аморф­ ной превращается в кристаллическую, характеристики пленок стабилйзируются.

После химической защиты поверхности медных пле­ нок, образующих проводящий рисунок на подложке, и металлизации ее обратной стороны пассивная часть мик­ росхемы СВЧ готова. Установив ее в специальную армировку, можно произвести на ней все измерения, что­ бы выяснить характеристики и степень пригодности к эксплуатации.

Для использования в аппаратуре микросхема герме­ тизируется, стыкуется с помощью коаксильно полоско­ вых переходов и коаксиальных кабелей с другими в еди­ ный блок.

При с б о р к е на основание корпуса укрепляется ме­ таллизированное основание подложки. Для этого приме­ няют токопроводящий клей, или галлиевомедный припой (амальгама меди в галии). Иногда такого рода амаль­ гамы называют металлическим клеем (мекладин). Та­ кой клей затвердевает при 25° С в течение 4 ч. При этом образуются интерметаллические соединения, устойчивые

259