Файл: Федоров, Н. Д. Электронные и квантовые приборы СВЧ учебник.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 19.10.2024
Просмотров: 138
Скачиваний: 0
характер. Поэтому такое поглощение энергии электромагнитного поля в парамагнитном веществе называют электронным парамаг нитным резонансом (ЭПР)*.
На основании (11.6) и (11.8) поглощенная мощность в стационар ном состоянии
Аft с ѴРQi /іѴн |
|
(11.9) |
= |
|
|
При малой интенсивности поля (W 31« |
w) |
|
^ПОГЛ ttW 31AnyCThvlv |
(11.10) |
а вероятность вынужденных переходов пропорциональна плотно сти энергии поля щ, поэтому поглощенная мощность растет прямо, пропорционально плотности поля. При дальнейшем увеличении поля необходимо учитывать влияние знаменателя в (11.9), рост поглощаемой мощности замедляется и при достаточно большой плот ности поля Рпогл достигает предела, соответствующего выравнива нию населенности уровней (насыщение перехода). В последнем случае поглощаемая мощность оказывается равной мощности, из лучаемой при вынужденных переходах сверху вниз.
Исходное распределение населенностей подчиняется закону Больцмана, но при небольшом расстоянии между уровнями, соот ветствующем диапазону СВЧ (Д$ 31 < kT), его можно принять линейным. Тогда при насыщении перехода 3—1
Пі = п 3 = (N, + N з)/2.
Затем предположим, что населенность уровня 2 остается неизмен ной, так как внешнее поле накачки непосредственно на населен ность этого уровня не влияет из-за несовпадения частоты поля ѵн с частотой ѵ2і перехода 2—1. Изменением же населенности уровня 2 вследствие релаксационных переходов можно пренебречь. Поэтому после насыщения перехода 3—1 населенность уровня 2 станет больше населенности уровня 1 (A^2> « i), т. е. получается инверсия населенности перехода 2—1.
Когда уровень 2 расположен точно в середине между уровнями 3 и /, населенности всех уровней оказываются равными (пг — N 2 = = п 3) и инверсия населенности отсутствует. Очевидно, если уровень 2 расположен ближе к уровню 3, то при той же частоте поля накачки инверсия населенности будет получена в переходе 3—2, так как
N 2-
Обычно переход, в котором имеется инверсная населенность, называют рабочим или сигнальным, так как усиление возможно только при равенстве частоты сигнала частоте этого перехода. Дру
* В 1944 г. советский ученый Е. К* Завойский впервые эксперименталь но наблюдал ЭПР.
177
гой переход называют холостым. Условие получения инверсии на селенности можно записать в виде
|
ѵн > 2 ѵ с. |
(11.11) |
При V = |
2ѵс инверсии нет, так как уровень 2 находится на середи |
|
не между уровнями 1 и 3. |
что экспонента в законе |
|
При |
рассмотрении предполагали, |
Больцмана может быть при СВЧ заменена прямой линией. Это
справедливо, |
если Д$ ^ hv <С kT. Например, |
при А, = |
3 см |
hv/kfv0,4° К, |
поэтому даже при температуре |
жидкого |
гелия |
|
(4,2° К)hv/kT < 0,1. |
При повышении |
-температуры условие hv <С kT выпол няется еще легче.
Парамагнитные вещества имеют большое число уровней. Поэтому мо жет быть использована не только трех-, но и четырехуровневая система.
ѴИ1 |
На рис. 11.3 показаны два возможных |
|||
варианта получения |
инверсной |
насе- |
||
g—----- — |
ленности |
в такой системе. Накачку |
||
|
можно производить от двух СВЧ-ге- |
|||
Рис. 11.3 |
нераторов |
частотами ѵ.Hl |
и ѵ„ |
|
(см. рис. |
11.3, а). В результате этого |
|||
|
поле с |
частотой |
ѵп1 увеличивает |
населенность уровня^?, а с частотой ѵн2 уменьшает населенность уровня 2. Тем самым увеличивается разность населенностей уровней сигнального перехода 3—2. В частном случае, когда частоты пере ходов 1—3 и 2—4 совпадают (ѵн1 = ѵп2), для накачки можно ис пользовать лишь один генератор. Такой режим накачки называется
симметричным.
Режим накачки, соответствующий рис. 11.3, б, называется параллельным. Населенность уровня 1 сигнального перехода 2—1 уменьшается в результате действия поля накачки с частотой ѵн1.
Населенность уровня 3 должна увеличиваться. Но |
одновременно |
||
имеются переходы с уровня 3 на 4 под действием |
поля |
накачки |
|
с частотой ѵн2 (обеднение уровня 3), |
что способствует |
переходам |
|
с уровня 1 на 3 и получению меньшей |
населенности уровня 1 в ус |
||
тановившемся режиме. |
|
|
|
§ 11.3. Разновидности квантовых парамагнитных усилителей
Резонаторные КПУ. В КПУ этого типа парамагнитный кристалл помещен в объемный резонатор. На рис. 11.4 показаны отражатель ный и проходной резонаторные КПУ.
В отражательном КПУ сигнал с помощью циркулятора направ ляется в резонатор, где находится парамагнитный кристалл. К ре зонатору также подводится энергия от генератора накачки для по лучения инверсной населенности. Мощность сигнала в резона-
178
юре увеличивается в результате вынужденных переходов. Уси ленная волна сигнала с помощью циркулятора направляется в при емник. Приходящую в резонатор волну 1 сигнала можно считать падающей, а выходящую 2 (усиленную) — отраженной от резона тора. Соотношение между амплитудами этих волн должно зависеть от степени инверсии парамагнитного вещества. Неотражающая на грузка в плече циркулятора между приемником и источником сиг-
Неотражающая нагрузка
парамагнет ик |
проходной т |
Отражательный КПУ |
|
Рис. |
11.4 |
нала необходима для поглощения волны сигнала, отраженной от приемника, если на его входе недостаточно хорошее согласование. Попадание сигнала из приемника в место присоединения источника сигнала может привести к самовозбуждению КПУ.
В проходном КПУ отсутствуют циркулятор и неотражающая нагрузка, так как используется проходящая через резонатор волна. Для получения волны одного направления используют вентили.
Особенность |
резонатора КПУ состоит |
магнитная |
|
в том, что он |
должен возбуждаться на |
||
среда |
двух сильно отличающихся частотах — частоте сигнала ус и частоте накачки ѵи.
Наиболее простой расчет резонаторных КПУ основан на том, что выделение в ре зультате вынужденных переходов энергии можно представить как отрицательное за тухание, которое компенсирует собствен ные потери в резонаторе. Таким образом, если известен способ определения отрица
тельного затухания, то задача сводится к расчету электрических
цепей.
В отсутствие парамагнитного вещества объемный резонатор можно представить колебательным контуром с индуктивностью L0 и емкостью С0 и сопротивлением потерь в стенках R0 (рис. 11.5).
179
Пусть объем резонатора частично или полностью заполнен парамаг нитным веществом. Диэлектрические свойства вещества влияют на емкость резонатора, но будем считать, что дополнительная ем кость учтена в величине С0. Магнитные свойства вещества должны влиять на индуктивность, так как последняя характеризует способ ность колебательной системы запасать магнитную энергию. Наличие парамагнитного вещества можно рассматривать как частичное или полное «погружение» индуктивности резонатора L0 в магнитную
среду.
Магнитные свойства вещества принято характеризовать магнит ной восприимчивостью %, которая связывает магнитный момент единицы объема (намагничение) М с напряженностью магнитного поля Я:
М = хН = (ц -1 )Н , |
(11.12) |
где р — магнитная проницаемость. |
населенности, |
Если в парамагнитном веществе нет инверсии |
то в нем из-за вынужденных переходов происходит поглощение электромагнитной энергии внешнего поля сигнала (явление электрон ного парамагнитного резонанса). Увеличение потерь эквивалентно включению в контур резистора с сопротивлением R M> 0. При ин версии населенности вследствие вынужденных переходов происхо дит выделение энергии, и поэтому Ям < 0, что эквивалентно умень шению (компенсации) потерь.
Добротность резонатора без парамагнитного вещества
Qo = |
co0L0/R0, |
(11.13) |
где со0— собственная частота |
резонатора без |
парамагнитного ве |
щества. С учетом парамагнитного вещества и инверсии населен ности в нем можно ввести понятие полной добротности резонатора:
Ф п о л н |
^ L o ' R |
® ( Д о / ( - ^ о |
Я м о ) , |
(11.14) |
где RM0 — сопротивление RM на частоте сигнала, |
равной собствен |
|||
ной частоте резонатора со0. |
Выражение |
(11.14) |
можно записать |
|
в виде |
|
|
|
|
где |
І/Зполн - |
1/Qo — 1 Qm, |
(11.15) |
|
|
|
|
|
|
|
Q m |
- «„Lo/Ямо. |
|
(11.16) |
Величину QMпринято называть магнитной добротностью. Резонатор имеет связь с волноводом, поэтому в резонатор вно
сятся некоторые потери, которые можно характеризовать доброт ностью связи
Qcb « oLq/Pcb. |
(11.17) |
где RCB— пересчитанное к контуру сопротивление,
180
В общем виде с учетом (11.17) формула (11.15) принимает вид
где |
1/(Зполн ~ 1/Qo + 1/QoB УQm = 1/Qh — 1/Qm, |
(11.18) |
|
|
|
|
|
|
VQn r= l/Qo -r 1/QcB, |
(11.19) |
|
T. e. QH |
нагруженная |
добротность, учитывающая потери |
в ре |
зонаторе |
и в волноводе. |
Рассмотренную эквивалентную схему ре |
зонатора с парамагнитным веществом и понятие добротности можно использовать для определения коэффи
циента усиления |
и полосы пропуска- |
__ |
|
ния КПУ. |
|
*~ |
|
Эквивалентная схема отражательного |
1— |
|
|
КПУ приведена на рис. 11.6. Усиливав- |
**— 2 |
|
|
мый 1 и усиленный 2 сигналы в волно- |
__ |
|
|
водной линии распространяются в про- |
б м |
R |
|
тивоположных направлениях, так как |
рис |
|
|
усиленный сигнал |
можно рассматривать |
и ' |
|
как волну, отраженную от резонатора.
Поэтому коэффициент усиления по напряжению равен модулю коэффициента отражения, который при сопротивлении нагрузки линии ZHравен
Р _zH/z„— 1
( 11.20)
2ц/2о +1
где Z0— волновое сопротивление линии. Сопротивление ZH— пересчитанное к элементу связи (точкам а, b на рис. 11.6) сопро тивление резонатора Z с учетом активного парамагнитного ве щества.
Коэффициент усиления по напряжению определяется модулем коэффициента отражения (11.20), а по мощности К р — квадратом модуля
К р |
Г |
Z h /Z q- 1 2 |
(11.21) |
||
2r/Zq-f- 1 |
|||||
|
|
|
|||
Для упрощения будем считать, что частоты сигнала /, перехода |
|||||
ѵ0 и резонатора /0 совпадают, т. е. |
|
|
|
||
|
/ = /о = ѵ„. |
|
(11.22) |
||
Тогда (11.21) после преобразований с |
учетом (11.18) приводится |
||||
к виду |
|
|
|
|
|
|
(1 /Qcb — 1 'Qo Т 1 /Qm)2 |
(11.23) |
|||
|
(1/QcB Т l/Qo— |
1 /Qm)2 |
|||
|
|
Эта формула учитывает влияние на коэффициент усиления по терь в незаполненном резонаторе (Q0), активного вещества (QM) И связи резонатора с волноводом (QC,B). При отсутствии активного
181