Файл: Каплун, В. А. Обтекатели антенн СВЧ (радиотехнический расчет и проектирование).pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 19.10.2024

Просмотров: 138

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Ѵ 10. Амплитуда V ln находится

из системы уравнений

(4.20),

(4.21),

в которую входят в явном виде амплитуды Ѵ2і (і — 0,

+ 1, ±

2...),

характеризующие 2-ю решетку.

 

 

 

Физически взаимодействие между решетками легко объяснимо. Действительно, при данной поляризации падающей плоской волны каждый провод 1-й решетки излучает спектр плоских волн, направле­ ния распространения которых образуют конус с углом при вершине, равным рX, осью которого является сам провод. Так как эти плоские

волны имеют отличные

от

нуля

z2-

 

 

 

 

 

составляющие

векторов

электриче­

І7І2

 

 

 

 

ского поля,

они наводят в

проводах

 

 

 

 

 

2-й решетки токи,

возбуждающие в

 

 

 

 

 

свою очередь поля с Zx-составляю-

 

 

 

 

 

щими векторов

электрического

поля.

 

 

 

 

 

Эти поля и вносят свой вклад

в рас­

 

 

 

 

 

пределение тока вдоль проводов 1-й

 

 

 

 

 

решетки и т. д.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таким

образом,

подводя

итог

 

 

 

 

 

сказанному,

следует

подчеркнуть,

 

 

 

 

 

что

при перпендикулярной поляри­

 

 

 

 

 

зации падающей плоской электро­

Рис. 4.8. Коэффициент прохожде­

магнитной

волны

взаимодействие

ния для

диэлектрического

слоя

между двумя решетками

отсутствует;

с сеткой проводов.

 

при

параллельной

же

поляризации

Перпендикулярная

поляризация:

----------рассчитанная

кривая;

О О

С —

такое взаимодействие существует. Это

экспериментальные данные. Параллель­

взаимодействие тем больше,

чем боль­

ная п о л я р и з а ц и я :--------- без учета

взаимодействия (рассчитанная кривая);

ше

угол падения

плоской

волны

на

-------- —с учетом взаимодействия

(рас­

считанная

кривая);

Д Д Д

— экспери­

рассматриваемую

структуру

и

чем

ментальные

данные.

 

меньше толщина

 

слоя.

данные

подтверждают

полученные

выводы.

Экспериментальные

На рис. 4.8 показаны расчетные и экспериментальные данные для коэффициента прохождения диэлектрического слоя с сеткой проводов. Видно, что для перпендикулярной поляризации совпадение данных расчета с экспериментом хорошее при всех углах падения волны на слой; для параллельной поляризации хорошее совпадение во всем диа­ пазоне углов падения наблюдается лишь при условии учета взаимодей­ ствия решеток. Без учета взаимодействия решеток расхождение с экс­ периментом начинает существенно сказываться при углах падения плоской волны 40—50° и больше (ß х > 40°).

Таким образом, при расчете или синтезе таких конструкций разработчик должен учитывать особенности поведения реактивных сеток в зависимости от поляризации падающей электромагнитной волны.

В заключение этого раздела следует сказать несколько слов об огра­ ничении, наложенном на радиус проводов, т. е. об условии р На практике такое допущение в подавляющем большинстве случаев

вполне оправданно. Если же радиус проводов сравним с длиной вол­ ны, уже нельзя считать распределение тока по контуру поперечного сечения провода постоянным. В этом случае необходимо учитывать за­

137


висимость тока от угла ср (ср — полярный угол в цилиндрической сис­ теме координат, связанной с рассматриваемым проводом), что суще­ ственно усложняет весь расчет.

Перейдем теперь к рассмотрению случая, когда в слое диэлектрика расположена только одна решетка проводов.

4.3. ‘ДИФРАКЦИЯ ПРОИЗВОЛЬНО ПАДАЮЩЕЙ ПЛОСКОЙ ВОЛНЫ НА РЕШЕТКЕ ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ ПРОВОДОВ

В СЛОЕ ДИЭЛЕКТРИКА

Воспользуемся ранее полученными результатами, учитывая при этом, что вторая решетка (рис. 4.5) в диэлектрическом слое отсутствует (рис. 4.9). В этом случае ток в п-м проводе (4.8) описывается лишь одной нулевой гармоникой, т. е.

/

= V10 e - i w s cos “i е-/«>г c°s vi'.

Для нахождения

амплитуды тока У1о вместо системы линейных

Y

уравнений (4.20), (4.21) имеем сле­

дующее равенство:

 

d i

7777777777777/

и и

1

1

1

<’ 0

w

X

/ / / / / / / / / / / / / 7 ' / / / / / / / / / / / / / / / / .

~cL2

Рис. 4.9. Одномерная решетка прово­ дов в слое диэлектрика.

- у ^ioSin2?! |^ ö 2)(«iPsinvi') +

+ 2 J0(/Cj р sin у!) 2

o2) («i X

Ln = I

 

X n S s i n y D c o s t a / i S c o s a l ) +

l<i>

■1 n(i)„

1ImO

+

+ 2

m = — oo K1 ^ cos ßim0

+ H i + jBi)yo(«:iPsinvi') = 0. (4.45)

Выражения для коэффициентов прохождения и отражения будут

Т = т 1 Т г - \ - щ Т 2 +

 

| / /Г_е1

У.Іо “ —ГТ (,п 1 ^ 1 0 0 + Щ ^ 2 Оо);

 

 

 

 

 

 

cos р{

 

 

R

% R i + R 2

I

 

V

5ІП*Ѵі/я D(l) r

(4.46)

2S’ ■\ / fe

v

10 “ a ,

(n l К 100 T-

 

 

 

 

cos ß(

 

 

 

+

 

n2 R 2оo)

e - /2«*. cos

 

 

Из (4.45) с учетом (4.23) и представления цилиндрических функций для малых значений аргумента [80] легко получить выражение для амплитуды тока

Аі + Ві

Ѵ10 = -

п2,,Г ' • 1

' - S

 

; Ф (m)

 

sin2 у! (/ — ln-

K1S cos ß1in0

]

2

я

2яр

138


Далее можно рассмотреть два случая поляризации падающей пло­ ской электромагнитной волны: перпендикулярную и параллельную

(относительно плоскости падения).

поляризации cos у х =

cos у[ = О,

Для

случая перпендикулярной

cos а г =

sin ß x и cos а{ = sin ßi'.

Тогда из (4.32) следует,

что

а амплитуды А г, В ъ R L и Т 1 находятся из (4.34) и А \%0, А5то, ДІѴо и Т % — из (4.38).

Для случая параллельной поляризации cos а х = cos а[, cos ух = = sin ß x и cos yl — sin ßi'. Тогда коэффициенты прохождения и отра­ жения определяются соотношениями (4.43) и (4.44), в которых

Ѵю =

Ц К

- C O S 3 ß l

______________+ Ді__________________________

• 1

5

1+ Л<1тО + бІт О __ ■ф (т)' I

я

П 2 я р

т _

^

iC iS cos ß {m0

2 я

Г

 

 

 

 

 

 

 

(4.49)

Амплитуды А imOi АішО> ^ioo.

и

Т 100

находятся

из

системы

урав­

нений (4.14), а A lt В ъ

Rx и Т х — из выражений

(4.34), в которых

следует произвести замену (4.41).

При расчетах диэлектрических слоев с решетками проводов (а так­ же при синтезе таких структур) целесообразно пользоваться методом эквивалентных линий. Рассмотрим один из возможных методов^по-

строения эквивалентной схемы, соответст­

 

вующей исследуемой структуре стенки [81 ].

 

Известно [38],

что в передающей

ли­

 

нии, обладающей волновым сопротивлением

 

Zn и нагруженной

на сопротивление

ZH

 

(рис. 4.10), коэффициент отражения R бу­

 

дет равен

 

 

 

Рис. 4.10. Передающая линия

 

za—гл

 

 

 

(4.50)

с нагрузкой.

 

 

 

2н + Zji

Предположим, что рассматриваемая решетка проводов, располо­ женная в слое диэлектрика, может быть представлена эквивалентной схемой, показанной на рис. 4.11, а. Сопротивление Zg, шунтирующее линию, в общем случае — комплексное.

Такое построение схемы физически оправдано. Действительно, отрезки длинной линии, обладающие волновыми сопротивлениями

139


Z x и Z 2, характеризуют собой соответственно свободное пространство и диэлектрический слой, а сопротивление Zg — решетку проводов, расположенную в слое диэлектрика. Такая схема эквивалентна схеме, показанной на рис. 4.11, б, где

Zrfl = Z2

Zx cos t di cos ß() + /Z2 sin

(kxdx cos ß()

(4.51)

 

Z2cos (kxdx cos ß() -T jZx sin

(к^ dx cos ß()

 

Далее полученная схема может быть преобразована к виду, показан­ ному на рис. 4.11, б, где

zs z <u

cos (кх d2cos ß() -T /Z2.sin (kxd2 cos ß()

 

Zn z g + z dl

(4.52)

Zg z dt

 

Z2cos (Ki d2cos ß{) + j ---------— sin (kx d2cos ß()

 

z „+ Zdi

 

Коэффициент отражения в этом случае определяется

(4.50) при

Zj! = Z x.

 

Для нахождения шунтирующего сопротивления Zg нужно восполь­

зоваться выражением для коэффициента отражения

(4.46),

получен-

0-2

j

 

 

Р

(>

Р

о—

 

Р

>

Р

о -

5

Р

>

Р

 

 

V,

с

Я

 

 

В)

Рис. 4.11. Представление слоя с решеткой эквивалентной схемой.

ным в результате строгого решения задачи дифракции плоской элект­ ромагнитной волны, падающей на диэлектрический слой с решеткой проводов.

Подстановка выражений (4.46), (4.51) и (4.52) в (4.50) и решение полученного уравнения относительно Zg дает

Zg = Z2 (П cos -f / sin фх) - R (Qcos (p2 + j sin ф2) + (£2 cos ф2 — /sin

ф2)

j (1 — Q 2) sin (Фі + ф2) — R [2Й cos (фі +

фз) +

+

/ (1 + £22) sin (фі-4-фг)] 1

(4.53)

где

 

 

 

фх = к х d x cosßi';

ф2 = Kx d 2 cos .

(4.54)

^9.

 

 

Выведенное выражение для величины шунтирующего сопротивле­ ния позволяет однозначно построить эквивалентную схему с конкрет­ ными параметрами.

140


Рассмотрим, как и раньше, два случая поляризации падающей плос­ кой волны.

Для перпендикулярной поляризации из (4.47) и (4.48) следует, что

 

 

 

 

Ri

 

(А + Д1) # 1у„

 

Q—j sKd2cos ßj

 

 

 

 

Н-Л'і)0+5<Ѵо+ Д J

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C O

 

 

l+4<i>o + S^o

1

F =

/c1 S cos ß I

-

ln

s

 

У,

 

 

 

 

 

 

 

S cos ßi

2it I m I

 

 

 

 

it

 

2itp

m= —oo

 

 

 

j K l

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ImO

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(myt0)

 

 

 

 

 

 

 

С

учетом

(4.34)

и (4.35),

а

также

равенств

 

 

 

 

 

 

2 Ф =

 

-

 

1

.

 

ѵмч

1

 

 

 

 

 

 

 

cos ß(

 

Za>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

s

 

 

 

 

COS ß i

 

 

 

 

 

 

 

- /

4

 

cosßl,

Z(ll) =--COSßi

 

получается,

что

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Z<a>=Z2

 

 

Q cos фх +

/ sin Фі

 

 

 

tp2) Ri-

Q4i + Ді) RiVo

я

22ß cos (q)j. +

<p2) + / (1 +

Й2) sin (cpi +

І+^іѴо+^іѴо +/Д

 

 

 

 

(Q COSCp2 +

/ sin ф 2) e -

i2Kd 2cos ß,_j_

 

 

+

( Й

COS

ф 2 j

sin ф 2) \

 

1

 

 

+

ß io ’o + i F

e — j 2 K d 2 cos ß 1# ( 4 . 5 5 )

 

 

 

 

 

 

 

I

СД + Bi) -^iVo)

 

 

Имея

в виду,

что

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(i4x + B0 R\Vo e~iKd‘ cos P«= 4Q

 

 

 

 

 

Q cos Фі-Н’ sin

фх

 

2Q cos (Фі + ф 2) + / (1 + Й а) sin (Фі + ф2) .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 _|_ ^4(1>0 „L g<n

_ 2

jQsin (Фі- f ф2) + Q 2 cos ф! cos ф2—sin ф! sin Фа

 

 

 

 

 

 

 

2Й cos (фі +

ф2) +

/ (1 +£22) sin (Фі + ф2)

после ряда преобразований вместо (4.55) получим

 

 

 

 

 

 

 

 

Z'x) = j ^ - F .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

a

 

 

2

 

 

 

 

Отсюда следует,

что

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

± ) = /м--— Ь п

s

где

я r

2 w +/?S'± ,( | - ' P ;) + ' J“

 

 

^ Ч Д ' Д - т

2

.ІіЛ т

 

т — — оо

 

(т^О)

( t ' P U ‘ ' ,' s) } ' (4'56)

1

1

in -j-sin ß( J — 1

 

A < i )

4 - S < 1 ) „

 

Л ImO

I D ImO

m = — со

/ (t m-p-sin ß( — J

(m=^0)

141