Файл: Каплун, В. А. Обтекатели антенн СВЧ (радиотехнический расчет и проектирование).pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 19.10.2024
Просмотров: 138
Скачиваний: 2
Ѵ 10. Амплитуда V ln находится |
из системы уравнений |
(4.20), |
(4.21), |
в которую входят в явном виде амплитуды Ѵ2і (і — 0, |
+ 1, ± |
2...), |
|
характеризующие 2-ю решетку. |
|
|
|
Физически взаимодействие между решетками легко объяснимо. Действительно, при данной поляризации падающей плоской волны каждый провод 1-й решетки излучает спектр плоских волн, направле ния распространения которых образуют конус с углом при вершине, равным рX, осью которого является сам провод. Так как эти плоские
волны имеют отличные |
от |
нуля |
z2- |
|
|
|
|
|
||||||
составляющие |
векторов |
электриче |
І7І2 |
|
|
|
|
|||||||
ского поля, |
они наводят в |
проводах |
|
|
|
|
|
|||||||
2-й решетки токи, |
возбуждающие в |
|
|
|
|
|
||||||||
свою очередь поля с Zx-составляю- |
|
|
|
|
|
|||||||||
щими векторов |
электрического |
поля. |
|
|
|
|
|
|||||||
Эти поля и вносят свой вклад |
в рас |
|
|
|
|
|
||||||||
пределение тока вдоль проводов 1-й |
|
|
|
|
|
|||||||||
решетки и т. д. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Таким |
образом, |
подводя |
итог |
|
|
|
|
|
||||||
сказанному, |
следует |
подчеркнуть, |
|
|
|
|
|
|||||||
что |
при перпендикулярной поляри |
|
|
|
|
|
||||||||
зации падающей плоской электро |
Рис. 4.8. Коэффициент прохожде |
|||||||||||||
магнитной |
волны |
взаимодействие |
ния для |
диэлектрического |
слоя |
|||||||||
между двумя решетками |
отсутствует; |
с сеткой проводов. |
|
|||||||||||
при |
параллельной |
же |
поляризации |
Перпендикулярная |
поляризация: |
|||||||||
----------рассчитанная |
кривая; |
О О |
С — |
|||||||||||
такое взаимодействие существует. Это |
экспериментальные данные. Параллель |
|||||||||||||
взаимодействие тем больше, |
чем боль |
ная п о л я р и з а ц и я :--------- без учета |
||||||||||||
взаимодействия (рассчитанная кривая); |
||||||||||||||
ше |
угол падения |
плоской |
волны |
на |
-------- —с учетом взаимодействия |
(рас |
||||||||
считанная |
кривая); |
Д Д Д |
— экспери |
|||||||||||
рассматриваемую |
структуру |
и |
чем |
ментальные |
данные. |
|
||||||||
меньше толщина |
|
слоя. |
данные |
подтверждают |
полученные |
выводы. |
||||||||
Экспериментальные |
На рис. 4.8 показаны расчетные и экспериментальные данные для коэффициента прохождения диэлектрического слоя с сеткой проводов. Видно, что для перпендикулярной поляризации совпадение данных расчета с экспериментом хорошее при всех углах падения волны на слой; для параллельной поляризации хорошее совпадение во всем диа пазоне углов падения наблюдается лишь при условии учета взаимодей ствия решеток. Без учета взаимодействия решеток расхождение с экс периментом начинает существенно сказываться при углах падения плоской волны 40—50° и больше (ß х > 40°).
Таким образом, при расчете или синтезе таких конструкций разработчик должен учитывать особенности поведения реактивных сеток в зависимости от поляризации падающей электромагнитной волны.
В заключение этого раздела следует сказать несколько слов об огра ничении, наложенном на радиус проводов, т. е. об условии р На практике такое допущение в подавляющем большинстве случаев
вполне оправданно. Если же радиус проводов сравним с длиной вол ны, уже нельзя считать распределение тока по контуру поперечного сечения провода постоянным. В этом случае необходимо учитывать за
137
висимость тока от угла ср (ср — полярный угол в цилиндрической сис теме координат, связанной с рассматриваемым проводом), что суще ственно усложняет весь расчет.
Перейдем теперь к рассмотрению случая, когда в слое диэлектрика расположена только одна решетка проводов.
4.3. ‘ДИФРАКЦИЯ ПРОИЗВОЛЬНО ПАДАЮЩЕЙ ПЛОСКОЙ ВОЛНЫ НА РЕШЕТКЕ ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ ПРОВОДОВ
В СЛОЕ ДИЭЛЕКТРИКА
Воспользуемся ранее полученными результатами, учитывая при этом, что вторая решетка (рис. 4.5) в диэлектрическом слое отсутствует (рис. 4.9). В этом случае ток в п-м проводе (4.8) описывается лишь одной нулевой гармоникой, т. е.
/ |
= V10 e - i w s cos “i е-/«>г c°s vi'. |
|
Для нахождения |
амплитуды тока У1о вместо системы линейных |
|
Y |
уравнений (4.20), (4.21) имеем сле |
|
дующее равенство: |
||
|
d i
7777777777777/
и и |
1 |
1 |
1 |
<’ 0 |
w |
X |
/ / / / / / / / / / / / / 7 ' / / / / / / / / / / / / / / / / .
~cL2
Рис. 4.9. Одномерная решетка прово дов в слое диэлектрика.
- у ^ioSin2?! |^ ö 2)(«iPsinvi') +
+ 2 J0(/Cj р sin у!) 2 |
o2) («i X |
Ln = I |
|
X n S s i n y D c o s t a / i S c o s a l ) +
l<i> |
■1 n(i)„ |
1ImO |
+ |
+ 2 |
m = — oo K1 ^ cos ßim0
+ H i + jBi)yo(«:iPsinvi') = 0. (4.45)
Выражения для коэффициентов прохождения и отражения будут
Т = т 1 Т г - \ - щ Т 2 + |
|
| / /Г_е1 |
У.Іо “ —ГТ (,п 1 ^ 1 0 0 + Щ ^ 2 Оо); |
|
|||
|
|
|
|
|
cos р{ |
|
|
R |
% R i + R 2 |
I |
|
V |
5ІП*Ѵі/я D(l) r |
(4.46) |
|
2S’ ■\ / fe |
v |
10 “ a , |
(n l К 100 T- |
||||
|
|
|
|
cos ß( |
|
|
|
|
+ |
|
n2 R 2оo) |
e - /2«*. cos |
|
|
Из (4.45) с учетом (4.23) и представления цилиндрических функций для малых значений аргумента [80] легко получить выражение для амплитуды тока
Аі + Ві
Ѵ10 = - |
п2,,Г ' • 1 |
' - S |
|
; Ф (m) |
— |
|
|||
sin2 у! (/ — ln- |
K1S cos ß1in0 |
] 2л |
||
2 |
я |
2яр |
138
Далее можно рассмотреть два случая поляризации падающей пло ской электромагнитной волны: перпендикулярную и параллельную
(относительно плоскости падения). |
поляризации cos у х = |
cos у[ = О, |
|
Для |
случая перпендикулярной |
||
cos а г = |
sin ß x и cos а{ = sin ßi'. |
Тогда из (4.32) следует, |
что |
а амплитуды А г, В ъ R L и Т 1 находятся из (4.34) и А \%0, А5то, ДІѴо и Т % — из (4.38).
Для случая параллельной поляризации cos а х = cos а[, cos ух = = sin ß x и cos yl — sin ßi'. Тогда коэффициенты прохождения и отра жения определяются соотношениями (4.43) и (4.44), в которых
Ѵю =
Ц К
- C O S 3 ß l
______________+ Ді__________________________
• 1 |
5 |
-у |
1+ Л<1тО + бІт О __ ■ф (т)' I |
я |
П 2 я р |
т _ |
^ |
iC iS cos ß {m0 |
2 я |
Г |
|
|
|
|
|
|
|
|
(4.49) |
Амплитуды А imOi АішО> ^ioo. |
и |
Т 100 |
находятся |
из |
системы |
урав |
|
нений (4.14), а A lt В ъ |
Rx и Т х — из выражений |
(4.34), в которых |
следует произвести замену (4.41).
При расчетах диэлектрических слоев с решетками проводов (а так же при синтезе таких структур) целесообразно пользоваться методом эквивалентных линий. Рассмотрим один из возможных методов^по-
строения эквивалентной схемы, соответст |
|
|||
вующей исследуемой структуре стенки [81 ]. |
|
|||
Известно [38], |
что в передающей |
ли |
|
|
нии, обладающей волновым сопротивлением |
|
|||
Zn и нагруженной |
на сопротивление |
ZH |
|
|
(рис. 4.10), коэффициент отражения R бу |
|
|||
дет равен |
|
|
|
Рис. 4.10. Передающая линия |
|
za—гл |
|
|
|
|
(4.50) |
с нагрузкой. |
||
|
|
|
2н + Zji
Предположим, что рассматриваемая решетка проводов, располо женная в слое диэлектрика, может быть представлена эквивалентной схемой, показанной на рис. 4.11, а. Сопротивление Zg, шунтирующее линию, в общем случае — комплексное.
Такое построение схемы физически оправдано. Действительно, отрезки длинной линии, обладающие волновыми сопротивлениями
139
Z x и Z 2, характеризуют собой соответственно свободное пространство и диэлектрический слой, а сопротивление Zg — решетку проводов, расположенную в слое диэлектрика. Такая схема эквивалентна схеме, показанной на рис. 4.11, б, где
Zrfl = Z2 |
Zx cos (кt di cos ß() + /Z2 sin |
(kxdx cos ß() |
(4.51) |
|
Z2cos (kxdx cos ß() -T jZx sin |
(к^ dx cos ß() |
|
Далее полученная схема может быть преобразована к виду, показан ному на рис. 4.11, б, где
zs z <u
cos (кх d2cos ß() -T /Z2.sin (kxd2 cos ß() |
|
Zn z g + z dl |
(4.52) |
Zg z dt |
|
Z2cos (Ki d2cos ß{) + j ---------— sin (kx d2cos ß() |
|
z „+ Zdi |
|
Коэффициент отражения в этом случае определяется |
(4.50) при |
Zj! = Z x. |
|
Для нахождения шунтирующего сопротивления Zg нужно восполь
зоваться выражением для коэффициента отражения |
(4.46), |
получен- |
||
0-2 |
j |
|
|
|
Р |
(> |
Р |
о— |
|
Р |
‘> |
Р |
о - |
5 |
Р |
> |
Р |
|
|
V, |
с |
Я |
|
|
В)
Рис. 4.11. Представление слоя с решеткой эквивалентной схемой.
ным в результате строгого решения задачи дифракции плоской элект ромагнитной волны, падающей на диэлектрический слой с решеткой проводов.
Подстановка выражений (4.46), (4.51) и (4.52) в (4.50) и решение полученного уравнения относительно Zg дает
Zg = Z2 (П cos -f / sin фх) - R (Qcos (p2 + j sin ф2) + (£2 cos ф2 — /sin |
ф2) |
|
j (1 — Q 2) sin (Фі + ф2) — R [2Й cos (фі + |
фз) + |
|
+ |
/ (1 + £22) sin (фі-4-фг)] 1 |
(4.53) |
где |
|
|
|
|
|
фх = к х d x cosßi'; |
ф2 = Kx d 2 cos . |
(4.54) |
^9. |
|
|
Выведенное выражение для величины шунтирующего сопротивле ния позволяет однозначно построить эквивалентную схему с конкрет ными параметрами.
140
Рассмотрим, как и раньше, два случая поляризации падающей плос кой волны.
Для перпендикулярной поляризации из (4.47) и (4.48) следует, что
|
|
|
|
Ri |
|
(А + Д1) # 1у„ |
|
Q—j sKd2cos ßj |
||||||||
|
|
|
|
Н-Л'і)0+5<Ѵо+ Д J |
|
|
||||||||||
где |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
C O |
|
|
l+4<i>o + S^o |
1 |
|||
F = |
/c1 S cos ß I |
- |
ln |
s |
■ |
|
У, |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
S cos ßi |
2it I m I |
||||||||||
|
|
|
|
it |
|
2itp |
m= —oo |
|
|
|
j K l |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ImO |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
(myt0) |
|
|
|
|
|
|
|
|
С |
учетом |
(4.34) |
и (4.35), |
а |
также |
равенств |
|
|
||||||||
|
|
|
|
2 Ф = |
|
- |
|
1 |
. |
|
ѵмч |
1 |
|
|
||
|
|
|
|
|
cos ß( |
|
Za> |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
s |
|
|
|
|
COS ß i |
|
|||
|
|
|
|
|
|
- / |
4 |
|
cosßl, |
Z(ll) =--COSßi |
|
|||||
получается, |
что |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Z<a>=Z2 |
|
|
Q cos фх + |
/ sin Фі |
|
|
|
tp2) Ri- |
Q4i + Ді) RiVo |
|||||||
я |
22ß cos (q)j. + |
<p2) + / (1 + |
Й2) sin (cpi + |
І+^іѴо+^іѴо +/Д |
||||||||||||
|
|
|
|
(Q COSCp2 + |
/ sin ф 2) e - |
i2Kd 2cos ß,_j_ |
|
|||||||||
|
+ |
( Й |
COS |
ф 2 — j |
sin ф 2) \ |
|
1 |
|
|
+ |
ß io ’o + i F |
e — j 2 K d 2 cos ß 1# ( 4 . 5 5 ) |
||||
|
|
|
|
|
|
|
I |
СД + Bi) -^iVo) |
|
|
||||||
Имея |
в виду, |
что |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
(i4x + B0 R\Vo e~iKd‘ cos P«= 4Q |
|
|
|
|
|
Q cos Фі-Н’ sin |
фх |
|||||||||
|
2Q cos (Фі + ф 2) + / (1 + Й а) sin (Фі + ф2) . |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
1 _|_ ^4(1>0 „L g<n |
_ 2 |
jQsin (Фі- f ф2) + Q 2 cos ф! cos ф2—sin ф! sin Фа |
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
2Й cos (фі + |
ф2) + |
/ (1 +£22) sin (Фі + ф2) |
|||||||
после ряда преобразований вместо (4.55) получим |
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
Z'x) = j ^ - F . |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
a |
|
|
2 |
|
|
|
|
|
Отсюда следует, |
что |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4 |
± ) = /м--— Ь п |
s |
где |
я r |
2 w +/?S'± ,( | - ' P ;) + ' J“ |
|
|
^ Ч Д ' Д - т |
2 |
.ІіЛ т |
|
т — — оо |
|
|
(т^О) |
( t ' P U ‘ ' ,' s) } ' (4'56)
1 |
1 |
in -j-sin ß( J — 1
|
A < i ) |
4 - S < 1 ) „ |
|
Л ImO |
I D ImO |
m = — со |
/ (t m-p-sin ß( — J |
|
(m=^0) |
141