Файл: Виглин, С. И. Генераторы импульсов автоматических устройств учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 20.10.2024

Просмотров: 116

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

(Здесь

tp постоянная

времени

транзистора,

включенного по

схеме

с обидам aiMwrreipo^i). Тогдатаолучдам

 

 

 

 

 

Р\РЧ -

{К-\)\'

; 15.65)

 

 

 

 

 

где учтено

выражение

(15.62).

 

 

Введем

постоянную

времени лавинообразного

процесса

 

 

т 3

 

(15.66)

 

 

 

 

 

 

 

 

тогда

соотношение (15.65)

преобра­

 

 

зуется

так:

 

 

 

 

 

(15.67)

Операционному изображению (15.67) соответствует оригинал

К - 1

1

- £

\

 

(15.68)

 

 

 

При указанных

выше

упроще­

1

ниях напряжение

иа коллекторной

 

обмотке

 

( т,

 

Рис.

q* (К-

. \

г

i i u .

 

т _ 1

] н е g g \

 

мя

15.29.

Форма

iK и ик

во вре-

iu.a^.

т и р г а а

ь[( ri и.ц

op1

лавинообразного процесса.

По формулам (15.68) и (15.69) построены графики (рис. 15.29) изменения 1К и ик в течение лавинообразного процесса, причем

ик = — (Ек — и т к ) .

В самом начале лавинообразного процесса ((<^^л ) коллектор­ ный ток нарастает медленно. Разлагая экспоненциальную функ­ цию в ряд

А - г + ± +

± ( ± ) ' + ...

и ограничиваясь первыми тремя членами, найдем

a ST

t2

К -

(15.70)

1

59



Отсюда видно, что вначале ток / к нарастает по параболическому закону. С течением времени вследствие быстрого роста функции

е'л t

интенсивность изменения коллекторного тока становится

боль­

ше.

Лавинообразный процесс протекает в соответствии с линейной

 

схемой

(рис. 15.28)

до

тех пор,

пока

в

момент

t3

(рис. 15.29) на­

ступает

насыщение

транзистора,

причем токи

iK

и h

достигают

максимального значения

/ к м и /вм, а

напряжение

на

коллекторе

становится минимальным

иКм>ш-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Длительность фронта

определяется

промежутком

t\12,

в те­

чение которого ток

1К

нарастает

от

величины

0,1 / к м

до

0,9 / к м .

Определяя приближенно моменты

t]

и t2

по главному

экспоненци­

альному

члену в соотношении

(15.68),

получим

 

уравнения

 

о,1 / к « = - ^ т " « Т л ;

0 , 9 / к м = - ^ ^ " .

Отсюда

* ф = / 2 - / , = 2 , 2 т л .

(15 . 71)

Длительность фронта определяется постоянной времени т л <^тр . Согласно формуле (15 . 66),она зависит не только от постоянной времени транзистора тэ , но .и от коэффициента усиления К. Ве­ личина коэффициента усиления трансформаторного каскада имеет максимальное значение при

 

 

 

• опт

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Я к

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

причем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/^ . кс =

" I "

 

 

 

( 1 5 J 2 )

При

оптимальном коэффициенте

трансформации

дГот

постоян­

ная

времени

хл

и длительность

фронта

 

минимальны. Под­

ставляя выражение (15.72)

в формулу

(15.66)

и учитывая, что

Лмакс;> 1, получим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

• /.

_ о о г

= 4 4

 

l

/

^ б з

 

 

 

мин — ^! &1л мин —

 

|3

J

 

R

 

 

Согласно

основным соотношениям

для

транзистора

 

=Т.

60


— постоянной времени транзистора, включенного

по схеме с общей

б аЗой. Смедав-ателыгоу

 

Ар мин = 4,4 т а q1 ц п т .

(] 5.73)

Практически не всегда удается реализовать оптимальный коэф­

фициент трансформации. При

<?т><7топт

для коэффициента уси­

ления справедливо выражение

(15.59). Для этого случая

1 1

р

 

/ф =

2,2?т т„.

(15.74)

Таким образом, вследствие сильной положительной обратной свлзи ДЛИТРЛЫ-ЮСТЬ фронта определяется малой постоянной вре­

мени

т„,

а

не

постоянной

времени

^ з > т „ ,

как в

транзисторном

ключе и усилительном каскаде. Она

 

 

 

 

зависит

 

также

от

коэффициента

 

 

 

 

трансформации

qT.

найти

величи­

 

 

 

 

 

Рассмотрим,

как

 

 

 

 

ны

/ к м

 

и

/ б м -

 

Поскольку

лавинооб­

 

 

 

разный

процесс

протекает

быстро,

 

 

 

 

то

можно

считать

ток

намагничи­

 

 

 

 

вания 1„—0.

Поэтому, как

и

в схе­

 

 

 

 

ме

с

электронной

лампой,

в

рабо­

 

 

 

 

чей точке

блокинг-генератора

дей­

 

 

 

 

ствует

 

уравнение,

аналогичное

 

 

 

 

уравнению

(15.23),

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/км <7т/бм = 0.

 

 

(15.75)

 

 

 

 

Отсюда

 

видно,

 

что достаточно

най­

 

 

 

 

ти

предварительно

только

один

из

 

 

 

 

токов

 

/ к м или

 

/ б м ,

а другой

пэ

 

 

 

 

этому

уравнению.

Если

 

 

полагать

 

 

 

 

/ ? в э

=

const,

то величину

/,; м

прибли­

 

 

 

 

женно

 

можно

 

найти по

 

уравнению

 

 

 

 

динамической

характеристики

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ек

 

итк —= Ек -

 

1К

 

 

 

 

Рис. 15.30. Определение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

рабочей точки.

 

Соответствующее построение выполнено на рис. 15.30,а. Однако

из-за нелинейности входного сопротивления

RQS

надежнее пред­

варительно

найти максимальный

базовый ток / в м

непосредственно

по

входной

характеристике

(рис.

15.30,6),

определив

величину

с/б

из

соотношения

(15.55).

 

 

 

 

 

 

 

 

Покажем, что рабочая точка Р лежит в области глубокого на­

сыщения

транзистора. Подставляя

величину

/ К м =

р / б к р

в фор­

мулу

(15.75),

 

найдем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/ б м —

 

А

б кр-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

61


В

силу неравенства (15.59^)

/ б м > / о к р ,

что является условием на­

сыщения транзистора.

 

 

 

 

 

§

15.9. ПРОЦЕССЫ З А Р Я Д А

И Р А З Р Я Д А

К О Н Д Е Н С А Т О Р А В С Х Е М Е

С

Т Р А Н З И С Т О Р О М . ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДЛИТЕЛЬНОСТИ

И М П У Л Ь С А

 

И П Е Р И О Д А К О Л Е Б А Н И Й

 

 

Заряд

конденсатора

 

 

Составим эквивалентную

схему,

соответствующую

процессам

на этапе заряда конденсатора. Так

как транзистор

находится в

насыщенном состоянии, то отсутствует прямая связь между базо­ вой и коллекторной цепями внутри транзистора. Токи iK и h определяются только внешними напряжениями ик и щ. Поэтому транзистор следует заменить не активным четырехполюсником с генератором тока (3 4, а лишь входным и выходным сопротивле­ ниями, включенными в соответствующие цепи (рис. 15.31). Можно

полагать, что входное сопротивление равно гб , так

как в транзи­

сторе протекает большой ток эмиттера i3

и сопротивление гъ

весьма мало. В состоянии насыщения при изменении

iK и ик

рабо­

чая точка перемещается по линии насыщения

(рис.

15.32),

поэто-

 

Рис. 15.32.

К опргделению

Рис. 15.31. Схема заряда

выходного

сопротивления

конденсатора.

транзистора.

му

выходное

сопротивление

определяется внутренним сопротив­

лением насыщенного транзистора

 

 

 

 

 

Д Ик

 

 

 

 

r K« = -

w -

=

ctg а„,

где

а„ — угол

наклона линии

насыщения.

 

Из рис. 15.32 следует, чта

 

 

 

 

 

 

7"кн —

Чк мин

 

 

 

7

 

 

 

 

 

'км

 

Пересчитав элементы нагрузки г6 и С в первичную цепь транс­ форматора и заменив последний его эквивалентными параметра-

6 2