Файл: Виглин, С. И. Преобразование и формирование импульсов в автоматических устройствах учеб. пособие.pdf

-~0. При запертом диоде действует эквивалентная схема (рис. 13.31,6). Подставляя значение нвых в формулу (13.25), находим

Вследствие того, что при запертом диоде имеется падение напря­ жения на сопротивлении /?огр, порог ограничения Um оказыва­ ется больше Е.

Эквивалентная схема ограничителя при открытом диоде пока­

Характеристика ограничителя приведена на рис. 13.37. На рис. 13.38 показан процесс передачи синусоидального напряжения через ограничитель.

может применяться для двухстороннего ограничения. В этом слу­ чае в одной схеме соединяются два ограничителя — сверху и снизу/ причем в цепь включают источники смещения Е 1 и Е2 разной по­ лярности (рис. 13.39).

шунтирующему действию диода Д\ напряжение на выходе остает­ ся приблизительно постоянным и фиксируется на уровне Ех. Когда напряжение на входе, будучи отрицательным, достигает величины

118

Рис. 13.3ft. Ограничение синусоидального напряжения в схеме параллельного диод­

ного ограничителя сверху

При UrtB Ф 0.

Рис. 13.39. Двухсторонний ограничи­ тель с параллельным включением диодов.

Рис. 13.40. Характеристика двухстороннего ограничи­ теля с параллельным вклю­ чением диодов.

119

Характеристика ограничителя и графики, поясняющие процесс ограничения синусоидального напряжения, приведены на рис. 13.40 и 13.41. Так как характеристики па­ раллельной схемы ограничителя всег­ да проходят через начало координат, го сдвига кривой ивыХ не происходит.

Сравнение характеристик ограни­ чителей с последовательным и парал­ лельным включением диода показыва­ ет, что последовательная схема обла­ дает важным преимуществом, ибо да­ ет четкое ограничение. Но в парал­ лельной схеме не происходит смеще­ ния кривой ивых. Кроме того, здесь не требуется конструктивных изменений, поскольку диод включается парал­ лельно нагрузке. На практике исполь­ зуют обе схемы диодных ограничите­ лей. Так как они ослабляют сигнал, то наряду с диодами часто используют в качестве нелинейных элементов мно­ гоэлектродные лампы — триоды н пентоды, а также транзисторы, кото­

ограничение, но и усиление входных

§ 13.4. АНОДНОЕ ОГРАНИЧЕНИЕ

Как показано в § 3.2 *, анодное ограничение имеет место в уси­ лительном каскаде с пентодом (рис. 4.5) при достаточно большой амплитуде входного сигнала. Двухстороннее ограничение синусо­ идального напряжения поясняется рис. 3.20. Теперь определим по­ роги ограничения Un„ и U„B и построим характеристику ограничи­ теля. Как видно из рис. 3.20, ограничение сверху наступает при

120

Соотношение (13.30) показывает, что нижний порог ограниче­ ния Um можно регулировать изменением смещения E g и напря­

ласно уравнению (13.29) помимо смещения Es определяется так­

ничение сверху наступит ка.х при отрицательных, так и при поло­

работает как обычный усилительный каскад, для которого связь между напряжениями ил и ugK определяется зависимостью

анодного тока напряжение на аноде ограничено снизу, причем

Если uBX<U„„(ugK < E g0), то из-за нижней отсечки анодного тока напряжение на аноде ограничено сверху. Так как /а = 0, то

также вблизи линии критического режима, то характеристика огра­ ничителя имеет вид, показанный на рис. 13.42 пунктиром. Это

121