Файл: Кривоносов, А. И. Полупроводниковые датчики температуры.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 29.10.2024
Просмотров: 83
Скачиваний: 0
Применив обозначение N |
— V U K,с / А с |
|
и поделив обе части урав |
|||||
нения на Us ,a, |
получим: |
|
|
|
|
|
|
|
|
N |
|
I |
1 |
|
|
|
|
R a |
“б+ 1 - |
“б |
Я |
Ѵк.н |
Яд(1— аб) |
( 1- 102) |
||
|
|
|
ѴЭ |
|
|
|
||
Определим из этого уравнения величину статического сопротив |
||||||||
ления транзистора |
|
|
|
“бо |
|
|
||
|
RlaR/коо ^доо |
|
|
|
||||
Rot—[Ко -ГбГ) (1 - а б0 + |
ТбЛ+Л/] X |
|
||||||
|
X R l K o a |
|
+ ъТ) Д /г |
|
|
|
(1-103) |
|
|
^доо + ^ д со С1 — “бо +YeH |
|||||||
|
|
|||||||
Температурную характеристику со’п[ротивления |
R c t (T) |
получим, |
||||||
учтя температурные зависимости величинІЛІІЧИ |
|
R n < .n (T ), |
R n ( T ) |
и ас (Г): |
||||
|
|
а д . и(п м п п - |
|
|
||||
^сі — К (Г) [ 1 _ а6 (7-)] + N } |
|
(Г) /?д (Г) + |
|
|||||
|
_________ - М П ] |
|
|
|
(1-104) |
|||
|
+ R a { T ) Дд ( Г ) [1 - |
аб (7)J + R , R К.Е • |
||||||
|
|
Приведем это уравнение к удобной для исследования форме:
b i t |
Y'« Т + 1 |
R a — R äoae |
(1-105) |
|
Y "e(Y V 4- D + l ' |
В этом выражении
Rk™— |
^коо^ч^доо ( ' |
“бо) |
|
||
|
— “б0) + |
A1J #КООЯДОО+ |
|
||
600 Ко ( 1 |
|
||||
+ |
(1 — “бо) Ядоо#в.+ R * R W |
|
|||
|
|
Y б = ' |
' °0о |
|
(1-106) |
|
|
RrOO(2®б0 1) |
R3 |
||
Y" 6 = Я A“ [“бо (1 — “бо) + W] R ^ R n c o + |
|
||||
+ (1 — “бо) ЯЛООИ . + |
RaR' |
|
|||
|
|
да> |
|
|
|
У"'б = |
|
Rroo |
|
|
|
Rв |
RKm(2“бо |
1) |
|
Тогда температурную характеристику всей цепи можно записать в следующем виде:
sR« |
- V _____ teT_+l |
I |
, |
|
V |
JJ |
I vl I |
||
600 |
|
y"cT (y"cT + 1) + 1 |
+ |
1. |
R ot ( П |
|
Y ^ + l |
|
(1-107) |
|
|
+ 1 |
||
P R б с с Д Г ' YKT (y"tT+ 1) + |
4 7
Рассмотрим решение задачи синтеза для цепи с транзистором,
имеющей статическое |
сопротивление, описываемое выражением |
|
(1-107). |
|
|
З а д а ч а 1. Найт и |
парамет ры |
п р я м о й , л и н е а р и з у ю щ е й темпера |
т урную зависимост ь ц е п и в д а н н о м |
д и а п а з о н е температур. |
Для удобства нахождения параметров линеаризующей прямой рассмотрим разложение в ряд функции (1-107) в некоторой точ ке Т ап.
Предварительно необходимо упростить выражение для статиче ского сопротивления транзистора, так как разложение в ряд функции в полученном виде является весьма сложным. Для этого найдем кор ни следующего квадратного уравнения:
у " ъ Т ( Т \ ' " в + 1 ) + 1 = 0 |
(1-108) |
или |
1=0. |
\ '" й \" ' ъ Т - + ( у " â + y ' " ь ) Т + |
Решение этого уравнения будет иметь следующий вид:
_ |
- (Y"a + Yw6) + V (Т"б + Тш б)а - 4 у 'Ѵ Т Г |
(1-109) |
|
ІХЛ~ |
2Y"eY'"fl |
||
|
Это уравнение имеет рациональные корни:
1 -(Y "e + Y",«) + (Y"e-Y'"e)
Т =
2т " Л
- й ' ,б + Т", б ) - ( т " б - Т ,"б)_
T t = |
2Y"eY'"6 |
|
Учитывая полученные корни уравнения (1-108), ние для статического сопротивления транзистора
7 Г > I
6 I ( 1- 110)
-1
запишем выраже
в IT |
ч'бТ + 1 |
(1-111) |
к |
+ О ( т " ' б Т + |
1)’ |
где |
|
(1-112) |
Р'бсо = Poa>y"r>Y,//6. |
Тогда п функцию R a ( T ) |
можно представить в более |
удобном |
||
виде: |
|
|
|
|
, b j t |
Y'fiT + 1 |
+ i |
|
|
Po, (T)=g ^ б с о ^ (yV + 1 ) ( y''V + 1 ) |
(1-113) |
|||
|
||||
в iT |
і 6т+ 1 |
|
|
|
p R '^ |
(і"бТ + і)(Г'бТ+\) |
|
Разложение этой функции в ряд с помощью введения дополни тельных переменных позволяет найти выражение для общего члена ряда. Введем следующие переменные:
RT—
R t \ = ' |
(-f'V + D ’ |
(1-114) |
' n - ( Y " „ r + l ) |
|
P |
_ pr |
|
к тг — P 6ooö |
|
|
Выражение для n-ii производной |
функции R 0z [ T ) определяется |
|
формулой Лейбница и |
соответствует |
выражению (1-94). При этом |
48
выражение для (п —ш)-й производной величины R e * (R t ) соответ ствует, как для транзисторов в схеме с общим' эмиттером, выраже нию (1-55), а выражение для т -й производной определяется полу
ченным для этой схемы уравнением |
(-1-75). |
|
||||
При этом возникает необходимость в представлении этой функ |
||||||
ции в следующем виде: |
/?П = |
Ф, (7’)Ф г (Г), |
(1-115) |
|||
где |
||||||
|
■і'йТ + |
1 . |
|
|||
|
|
|
||||
Ф. (П = т"бТ + 1 ’ |
(1-116) |
|||||
ф2(Т) =■ |
|
|
||||
+ 1 |
|
|
||||
|
|
■І \ т |
|
|
||
Применим формулу |
Лейбница |
для |
произведения |
этих функций: |
||
d m ~ kR Tl = |
|
|
с1*ф ' |
а 'П~ к~ г ф 2 |
(1-117) |
|
d T m ~ h |
Ъ |
m ~ k d T % d T m ~ k ~ ‘ |
||||
|
B = [
Найдем высшие производные функций Фі(Г) и Ф2 (Г):
|
|
|
•jf ,_ »jfl |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
Ф', ( Т ) = |
Тб |
Y |
б |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(Y"e74- I) 2 ’ |
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
ф"> (Л =f"e |
yV—т"б |
|
|
|
|
|
|
||||
|
Сі”6Т + |
!)* ’ |
|
|
|
|
(1-118) |
|||||
|
ф*(т)= |
(г-—y"«)y;— 1 (—D- |
|
|
|
|||||||
|
|
('{"бТ + |
1) е + 1 |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Аналогично |
для функции |
/г—е ( Т ) |
имеем: |
|
|
|||||||
Ф!/п—А—е (Г) = |
(П — k — е )!Yg,,n |
k |
S(— t)т—к—г—\ |
(1-119) |
||||||||
|
|
|
|
|
(yV |
+ |
т—k—8—i |
|
|
|||
|
|
|
|
|
О |
|
|
|
|
|||
Выражение для /г-іі производной функции |
R T2 |
определяется ра |
||||||||||
нее полученной зависимостцо (1-51). |
|
|
|
|
|
|
||||||
Окончательно можно записать: |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
Яс'х(7') = |
5 ] |
С ( - |)т_П"‘Х |
|
|
||||||
|
|
|
|
т— 1 |
|
т |
|
/ k |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
■ |
|
||||
X |
д {5- р ) ^ - ш - ^ р - з ) \ у |
|
J у |
|
||||||||
|
(pRn + |
l)n- m+l |
|
Ъ |
т\ и |
1 |
} х |
|
||||
|
|
|
|
|
|
k = l |
|
s = |
|
|
||
|
|
|
|
в |
i t |
m—k |
|
|
|
|
|
|
|
|
'W öoo« К |
5 |
|
c ;_ ftX |
|
|
|||||
|
|
X ' |
|
|
|
|
|
|
||||
X s! (m — k — e)l |
|
|
|
8 — |
1 |
|
|
|
|
|
||
(Y"e — y" 'b) |
(—l) |
™ - |
" - 1 |
">m- k |
|
|||||||
Y;"-H(Y^+l)m~ft ( |
Y"b-b 1 |
Ѵ-И |
'9 |
(1-120) |
4 — 25 |
49 |
или
|
|
(т) |
= q ( р - s) ( f 0 - |
Y"„) ^'б00Л Г X |
|
|
|||
|
|
Xj] c " ' { - p ) * - |
|
( p — |
s)\ |
|
|
||
|
|
|
"________ V |
|
|||||
|
|
(Ptfc |
ljn -m + 1 |
/ \ |
|
||||
|
|
m=I |
|
|
/ * |
|
|
|
|
x |
\ V |
e - |
fe( - i)w— |
_j i_ ) |
|
||||
f V . |
|
||||||||
|
fc=l |
|
|
|
' / = 1 |
|
|
|
|
|
|
m—k |
e \(mI (/?г — kА; — z)\(6 |
-j"T+ l)e+1 |
|
|
|||
|
|
\ y \ \ |
|
|
( 1- 121) |
||||
|
|
£—\ |
fe + 1 ff" Г + 1)8+1 |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Вводя обозначения |
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
в u'ITn |
|
(1-122) |
|
|
Acx= q(P -s) Ci'a- r ' a)R'6ooe K on; |
|
||||||
|
|
|
|
П |
|
|
|
|
|
|
|
Et = 2 С ™ { - р у - > » - ' ( 1 - т ) 1 Х |
|
|
|||||
|
|
|
|
m=l |
|
|
|
|
|
|
£ |
Ѵэ |
(-1) m - M*1 |
|
|
|
|
|
|
|
CA |
|
|
|
(_1)i W |
X |
|
||
|
ГУ |
|
|
|
|
||||
|
m (Ѵ"ЛП+ l)m— |
|
|
||||||
X |
ft= l |
|
£ |
'/=i |
|
|
|
||
|
|
|
|
IT |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
p R ' 6o3e |
« «“ X |
|
|
|
|
|
|
m—k |
«! |
( Y " 'r a„ + |
1)E+ 1 |
|
|
||
|
|
X |
|
|
|
||||
|
|
|
y'”8+i (т"Г H- !)e+1 |
|
|
||||
|
|
i=l |
|
Ч'бТ'ап+ 1 |
|
|
|
|
(1-123) |
|
|
X- |
|
|
|
І - 7 П + 1 |
’ |
||
|
|
an + 1) (Ч'"бТвъ + 1) + 1 |
|
|
|||||
получаем функцию R { T ) в виде следующего ряда: |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
п |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ѳ1 |
|
(1-124) |
|
|
|
Я(7’) = Я ( 7 ’аП) + Л с * 5 ] 7 Г Е и |
|
і= 1
Из рассмотрения этого выражения можно сделать вывод, что синтез цепей с транзистором в схеме с общей базой аналогичен син тезу цепей с транзистором в схеме с общим эмиттером, но коэффи циенты ряда разложения определяются зависимостями (1 -1 2 2), (1-123).
5 0