Файл: Кривоносов, А. И. Полупроводниковые датчики температуры.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 29.10.2024

Просмотров: 83

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Применив обозначение N

— V U K,с / А с

 

и поделив обе части урав­

нения на Us ,a,

получим:

 

 

 

 

 

 

 

 

N

 

I

1

 

 

 

 

R a

“б+ 1 -

“б

Я

Ѵк.н

Яд(1— аб)

( 1- 102)

 

 

 

ѴЭ

 

 

 

Определим из этого уравнения величину статического сопротив­

ления транзистора

 

 

 

“бо

 

 

 

RlaR/коо ^доо

 

 

 

Rot[Ко -ГбГ) (1 - а б0 +

ТбЛ+Л/] X

 

 

X R l K o a

 

+ ъТ) Д /г

 

 

 

(1-103)

 

^доо + ^ д со С1 — “бо +YeH

 

 

Температурную характеристику соп[ротивления

R c t (T)

получим,

учтя температурные зависимости величинІЛІІЧИ

 

R n < .n (T ),

R n ( T )

и ас (Г):

 

 

а д . и(п м п п -

 

 

^сі — К (Г) [ 1 _ а6 (7-)] + N }

 

(Г) /?д (Г) +

 

 

_________ - М П ]

 

 

 

(1-104)

 

+ R a { T ) Дд ( Г ) [1 -

аб (7)J + R , R К.Е •

 

 

Приведем это уравнение к удобной для исследования форме:

b i t

Y'« Т + 1

R a R äoae

(1-105)

 

Y "e(Y V 4- D + l '

В этом выражении

Rk™—

^коо^ч^доо ( '

“бо)

 

 

— “б0) +

A1J #КООЯДОО+

 

600 Ко ( 1

 

+

(1 — “бо) Ядоо#в.+ R * R W

 

 

 

Y б = '

' °0о

 

(1-106)

 

 

RrOO(2®б0 1)

R3

Y" 6 = Я A“ [“бо (1 — “бо) + W] R ^ R n c o +

 

+ (1 — “бо) ЯЛООИ . +

RaR'

 

 

 

да>

 

 

 

У"'б =

 

Rroo

 

 

RKm(2“бо

1)

 

Тогда температурную характеристику всей цепи можно записать в следующем виде:

sR«

- V _____ teT_+l

I

,

V

JJ

I vl I

600

 

y"cT (y"cT + 1) + 1

+

1.

R ot ( П

 

Y ^ + l

 

(1-107)

 

 

+ 1

P R б с с Д Г ' YKT (y"tT+ 1) +

4 7


Рассмотрим решение задачи синтеза для цепи с транзистором,

имеющей статическое

сопротивление, описываемое выражением

(1-107).

 

 

З а д а ч а 1. Найт и

парамет ры

п р я м о й , л и н е а р и з у ю щ е й темпера­

т урную зависимост ь ц е п и в д а н н о м

д и а п а з о н е температур.

Для удобства нахождения параметров линеаризующей прямой рассмотрим разложение в ряд функции (1-107) в некоторой точ­ ке Т ап.

Предварительно необходимо упростить выражение для статиче­ ского сопротивления транзистора, так как разложение в ряд функции в полученном виде является весьма сложным. Для этого найдем кор­ ни следующего квадратного уравнения:

у " ъ Т ( Т \ ' " в + 1 ) + 1 = 0

(1-108)

или

1=0.

\ '" й \" ' ъ Т - + ( у " â + y ' " ь ) Т +

Решение этого уравнения будет иметь следующий вид:

_

- (Y"a + Yw6) + V (Т"б + Тш б)а - 4 у 'Ѵ Т Г

(1-109)

ІХЛ~

2Y"eY'"fl

 

Это уравнение имеет рациональные корни:

1 -(Y "e + Y",«) + (Y"e-Y'"e)

Т =

2т " Л

- й ' ,б + Т", б ) - ( т " б - Т ,"б)_

T t =

2Y"eY'"6

 

Учитывая полученные корни уравнения (1-108), ние для статического сопротивления транзистора

7 Г > I

6 I ( 1- 110)

-1

запишем выраже­

в IT

ч'бТ + 1

(1-111)

к

+ О ( т " ' б Т +

1)’

где

 

(1-112)

Р'бсо = Poa>y"r>Y,//6.

Тогда п функцию R a ( T )

можно представить в более

удобном

виде:

 

 

 

, b j t

Y'fiT + 1

+ i

 

Po, (T)=g ^ б с о ^ (yV + 1 ) ( y''V + 1 )

(1-113)

 

в iT

і 6т+ 1

 

 

p R '^

(і"бТ + і)(Г'бТ+\)

 

Разложение этой функции в ряд с помощью введения дополни­ тельных переменных позволяет найти выражение для общего члена ряда. Введем следующие переменные:

RT

R t \ = '

(-f'V + D ’

(1-114)

' n - ( Y " „ r + l )

 

P

_ pr

 

к тг — P 6ooö

 

Выражение для n-ii производной

функции R 0z [ T ) определяется

формулой Лейбница и

соответствует

выражению (1-94). При этом

48


выражение для (п —ш)-й производной величины R e * (R t ) соответ­ ствует, как для транзисторов в схеме с общим' эмиттером, выраже­ нию (1-55), а выражение для т -й производной определяется полу­

ченным для этой схемы уравнением

(-1-75).

 

При этом возникает необходимость в представлении этой функ­

ции в следующем виде:

/?П =

Ф, (7’)Ф г (Г),

(1-115)

где

 

■і'йТ +

1 .

 

 

 

 

Ф. (П = т"бТ + 1

(1-116)

ф2(Т) =■

 

 

+ 1

 

 

 

 

І \ т

 

 

Применим формулу

Лейбница

для

произведения

этих функций:

d m ~ kR Tl =

 

 

с1*ф '

а 'П~ к~ г ф 2

(1-117)

d T m ~ h

Ъ

m ~ k d T % d T m ~ k ~ ‘

 

B = [

Найдем высшие производные функций Фі(Г) и Ф2 (Г):

 

 

 

•jf ,_ »jfl

 

 

 

 

 

 

 

 

Ф', ( Т ) =

Тб

Y

б

 

 

 

 

 

 

 

 

(Y"e74- I) 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ф"> (Л =f"e

yV—т"б

 

 

 

 

 

 

 

Сі”6Т +

!)* ’

 

 

 

 

(1-118)

 

ф*(т)=

(г-—y"«)y;— 1 (—D-

 

 

 

 

 

('{"бТ +

1) е + 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Аналогично

для функции

/г—е ( Т )

имеем:

 

 

Ф!/п—А—е (Г) =

k — е )!Yg,,n

k

S(— t)т—к—г—\

(1-119)

 

 

 

 

 

(yV

+

тk—8—i

 

 

 

 

 

 

 

О

 

 

 

 

Выражение для /г-іі производной функции

R T2

определяется ра­

нее полученной зависимостцо (1-51).

 

 

 

 

 

 

Окончательно можно записать:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Яс'х(7') =

5 ]

С ( - |)т_П"‘Х

 

 

 

 

 

 

т— 1

 

т

 

/ k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X

д {5- р ) ^ - ш - ^ р - з ) \ у

 

J у

 

 

(pRn +

l)n- m+l

 

Ъ

т\ и

1

} х

 

 

 

 

 

 

 

k = l

 

s =

 

 

 

 

 

 

в

i t

m—k

 

 

 

 

 

 

 

'W öoo« К

5

 

c ;_ ftX

 

 

 

 

X '

 

 

 

 

 

 

X s! (m k — e)l

 

 

 

8 —

1

 

 

 

 

 

(Y"e — y" 'b)

(—l)

™ -

" - 1

">m- k

 

Y;"-H(Y^+l)m~ft (

Y"b-b 1

Ѵ-И

'9

(1-120)

4 — 25

49


или

 

 

(т)

= q ( р - s) ( f 0 -

Y"„) ^'б00Л Г X

 

 

 

 

Xj] c " ' { - p ) * -

 

( p —

s)\

 

 

 

 

 

"________ V

 

 

 

(Ptfc

ljn -m + 1

/ \

 

 

 

m=I

 

 

/ *

 

 

 

x

\ V

e -

fe( - i)w—

_j i_ )

 

f V .

 

 

fc=l

 

 

 

' / = 1

 

 

 

 

 

m—k

e \(mI (/?г — kА; — z)\(6

-j"T+ l)e+1

 

 

 

 

\ y \ \

 

 

( 1- 121)

 

 

£—\

fe + 1 ff" Г + 1)8+1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вводя обозначения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в u'ITn

 

(1-122)

 

 

Acx= q(P -s) Ci'a- r ' a)R'6ooe K on;

 

 

 

 

 

П

 

 

 

 

 

 

 

Et = 2 С ™ { - р у - > » - ' ( 1 - т ) 1 Х

 

 

 

 

 

 

m=l

 

 

 

 

 

 

£

Ѵэ

(-1) m - M*1

 

 

 

 

 

 

CA

 

 

 

(_1)i W

X

 

 

ГУ

 

 

 

 

 

m (Ѵ"ЛП+ l)m—

 

 

X

ft= l

 

£

'/=i

 

 

 

 

 

 

 

IT

 

 

 

 

 

 

 

 

p R ' 6o3e

« «“ X

 

 

 

 

 

m—k

«!

( Y " 'r a„ +

1)E+ 1

 

 

 

 

X

 

 

 

 

 

 

y'”8+i (т"Г H- !)e+1

 

 

 

 

i=l

 

Ч'бТ'ап+ 1

 

 

 

 

(1-123)

 

 

X-

 

 

 

І - 7 П + 1

 

 

an + 1) (Ч'"бТвъ + 1) + 1

 

 

получаем функцию R { T ) в виде следующего ряда:

 

 

 

 

 

 

 

 

п

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ѳ1

 

(1-124)

 

 

Я(7’) = Я ( 7 ’аП) + Л с * 5 ] 7 Г Е и

 

і= 1

Из рассмотрения этого выражения можно сделать вывод, что синтез цепей с транзистором в схеме с общей базой аналогичен син­ тезу цепей с транзистором в схеме с общим эмиттером, но коэффи­ циенты ряда разложения определяются зависимостями (1 -1 2 2), (1-123).

5 0