Файл: Комов, А. Н. Физические основы микроэлектроники учеб. пособие.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 29.10.2024
Просмотров: 84
Скачиваний: 0
При равенстве химических потенциалов какого-либо вещества, находящегося в двух соприкасающихся фазах, устанавливается равновесие, при котором не происходит направленного переноса частиц из одной фазы в другую. ІЗ частности, при равенстве хими ческих потенциалов двух соприкасающихся электронных проводни ков между ними устанавливается равновесие, при котором потокѵі электронов, идущце от одного проводника в другой, оказываются одинаковыми; р — называют также энергией Ферми.
При Е = р; /ф= ѴгСледовательно, энергии Ферми соответствует квантойые состояния, вероятность заполнения которых равна поло вине.
График функции Ферми-Дирака изображен на рис’. 17.
Рис. 17. График функции распределения ФермиДирака для абсолютного нуля и для какой-то достаточно низкой температуры.
§ 6. Понятие о вырождении электронного газа
Рассмотрим функцию распределения Максвелла-Больцмана, ко торую можно представить следующим выражением
/ - ’М - Е Н Т - ,1 « " " -
Как видно из этого соотношения, функция распределения f должна непрерывно возрастать с уменьшением Т, при этом следует учесть, что средняя энергия молекулы пропорциональна абсолют
ной температуре Т ■И | kT .
Это означает, что с понижением температуры скорость и импуль сы молекул уменьшаются и фазовые точки, выражающие состояния молекул, стягиваются к началу координат. При абсолютном нуле импульсы молекул обращаются в нуль и фазовые точки сосредота чиваются в бесконечно малом объеме, сливающимся с началом ко ординат.
42
Для свободных электронов в металле распределение Максвел ла-Больцмана заменяется распределением Ферми-Дирака
|
|
|
|
|
/Ф |
|
е кТ |
------- • |
|
|
|
( И — 4) |
|||
|
|
|
|
|
|
|
+ 1 |
|
|
|
|
|
|||
Функция распределения числа частиц f(t, \fo состоянию с энерги- |
|||||||||||||||
ей Е может переходить |
в |
больцмановское распределение, |
если |
||||||||||||
£ » ц „ > * 7 ’: |
|
|
|
|
|
го—1 |
Е |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|||||
|
|
/Ф |
|
|
|
~ |
r |
kT |
— Ае |
kTУ |
|
(II — 5) |
|||
|
|
|
В—Го |
|
|
||||||||||
|
|
РО |
|
е |
кт |
+ |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
где |
А |
—энергия |
Ферми |
при |
Т=0°К. |
При |
£ < р о |
||||||||
екГ' |
|||||||||||||||
функция |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(II |
4) |
|||
ІФ— Н ; |
действительно, |
разность |
Е-- р о < 0 |
и выражение |
|||||||||||
можно записать в виде |
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
V |
|
|
/ ф |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
------ЕГ" З- I |
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
го—в |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
е kT |
|
|
|
|
|
|
|
|
При |
Т |
И0--Е |
|
|
|
|
|
|
, а следовательно |
|
|||||
*0 член£ |
|
kT |
->ос, |
Т. К. |
|
— |
\О/ ц-1 |
|
|||||||
|
|
■ |
|
|
|
|
|
|
|||||||
Если же £ = р0. ТО |
|
|
1 |
~ |
|
1 |
|
|
|
|
|||||
/ф ~: е» + 1 |
2* |
|
|
дан |
на |
||||||||||
Вид кривых функции / |
при различных температурах |
||||||||||||||
рис. |
17. |
абсолютном |
нуле |
все состояния с энергией |
£ ^ р 0 |
заняты |
|||||||||
При |
полностью, и /ф= 1; для £ > р о —/ф = 0, т. е. вероятность заполнения уровней, энергия которых выше ц0, равна нулю (уровни свободны).
С повышением температуры энергия частиц растет и распределе ние изменяется — часть состояний с энергией £-<ро оказывается свободной, а с энергией £ > Р о — занятой.
Значение энергии Е, равной энергии Ферми ро, определяет ту максимальную энергию, которую могут иметь свободные элёктроны при абсолютном нуле.
Можно показать, что средняя величина этой энергии равна
£ = 9- ІО-19 дж=ЬДэв. ' '
В классической статистике такой энергией может обладать иде альный газ при температуре в несколько десятков тысяч градусов. Столь резкое расхождение в свойствах электронного газа в метал лах и идеального молекулярного газа приводит к понятию вырож дения электронного газа (не подчиняется классической статистике). При абсолютном нуле электронный газ полностью вырожден. Од нако при определенных условиях газ может переходить из вырож денного состояния в невырожденное.
Эти условия вытекают из соотношения (II—4), когда экспонен-
43
E —l'O
циалыіый член е kT , стоящий в знаменателе, будет значительно больше 1, тогда распределение Ферми-Дирака переходит в распре деление Максвелла-Больцмана и гцз подчиняется классической статистике, как обычный молекулярный газ.
J'-PQ |
Е |
|
|
|
|
|
. екТ |
|
|
|
|
||
Выражение е кТ |
—~ ^ |
может быть |
значительно |
больше |
1 |
|
лишь в том случае, |
если |
|
!-'0 |
Величину |
кТ |
|
„kT |
кТ |
|||||
|
|
eK1 <ц 1 т. е. |
е kT > 1. |
— |
- •-■■j е |
можно определить. Для этого необходимо определить число электро нов в единице объема металла, энергия которых лежит в интервале от Е до Е + dE.
Построим в пространстве импульсов две концентрические сфе ры с радиусами р и p + dp. Этим сферам соответствуют энергии Е
и E + dE. Объем шарового слоя между сферами равен |
4л;p2dp. В |
|||
|
h 3 |
7 |
Іукр^йр |
|
|
z |
h 3 |
Так как |
|
нем разместится Z элементарных ячеек -у— |
||||
2mE и dp—[—■'j |
dE, то для Z получим следующее выражение |
|||
Z |
2*v (2m)l Е dE . |
|
|
(II—6) |
Поделив правую и левую части этого выражения на объем ме талла V, определим число квантовых состояний (число ячеек) в
единице металла, приходящихся на интервал от Е до E + dE: з_ і_
2,т (2m)2 Ег dE
Zo h'i
Число электронов в единице объема металла, энергия которых ле жит в интервале от Е до E + dE, получим, умножив число ячеек на
/,[, и коэффициент 2 |
(учитывая спин) |
і_ |
•, |
|
||
|
|
4* |
з_ |
|
||
|
|
h3 |
k T |
|
|
|
dn (E) |
2 /. Z„ |
|
(2m)2 |
Е2 dE |
7) |
|
|
|
E —no |
(I |
|||
|
|
|
|
e -- |
-t- |
|
Эта формула выражает закон распределения электронов по энерги ям. Таким образом
dn (Е) = 2 L A = 4л h3 |
|
Е1 UAE. |
|
|||
|
(2т) |
|
|
|
|
|
При выполнении соотношения |
_ ц о |
|
|
|
||
е |
kT А> 1 |
|
||||
|
|
|
з |
ИЧ) |
Е_ і_ |
|
f^ = e kr е kT и dn (Е) |
4- (2т)2 |
|||||
ekT е |
kT Е2 dE. |
|||||
|
ТГ3 |
|
||||
|
|
|
|
|
4 4
Интегрируя последнее выражение по энергиям в пределах от 0 де ос, получим число электронов в единице объема
з_ м *
„ |
о 1 |
ЪкткТ |
2 |
„kt |
П |
2 х--- |
Р --- |
I |
е ■ |
Из этого выражения получаем |
|
L0 |
9 |
2-mkT |
|
|
' кТ |
—: ^ |
|||
|
|
|
|
п |
А2 |
Отсюда находим условие снятия вырождения |
|||||
1 |
( 2nmkT |
з |
, |
|
|
\2 |
|
(II—8 |
|||
п |
\ А2 |
) |
» *• |
|
|
При выполнении обратного неравенства |
|
|
|||
1 / 2-mkT |
з |
|
|
|
|
.2 |
« * |
|
(11—9 |
||
|
h2 |
) |
|
электронный газ будет вырожденным и применять к нему стати стику Максвелла-Больцмана нельзя.
Как видно из соотношение II—9, вырождение в газе наступит тем раньше, чем меньше масса его частиц т, больше концентрация п и ниже температура Т.
Оценим выражения II—8, II—9, для этого примем т = 9-10"31 кг.,
п = 1023 м~3 и, |
используя |
значения |
постоянных k= 1,38 • IO“23 |
f |
h = 6,626• IO-34 |
дж сек, |
получим |
для комнатной температуры |
(7’ = 300°Ю |
з |
|
|
п |
ІО-4 |
|
Таким образом, полу- г-, ценная величина зиачи- L тельно меньше единицы, а, следовательно, газ при такой температуре явля ется вырожденным.
На рис. 18 показана зависимость энергии элек тронного газа от темпера туры. Вырождение снима ется при температурах по рядка 7’к> ІО4 град, (уча сток ВА). Ниже этой тем пературы Тк энергия электронов почти не зави сит от температуры, эле ктронный газ вырожден ный (участок СВ). Исхо-
оо і_ лг—
* I е~х X2 dx --- - т р -
о
4
Рис. 18. Зависимость энергии элект ронного газа от температуры Тк — температура вырождения.
45
дя из этого, можно определить понятие выраждения следующим образом: состояние свободных электронов называется вырожден ным, если их энергия не зависит от температуры (или какого-либо другого параметра) и вырождение снимается, если энергия начи нает зависеть от температуры (или другого параметра).
§ 7. Распределение для вырожденного газа бозонов
( р а с п р е д е л е н и е Б о з е-Э й и ш т е и н а )
В природе кроме систем частиц электронов, протонов, нейтро нов, имеющих полуцелый шин, существуют еще и системы частиц (фононы, фотоны и др.) с целым или нулевым спином.
Первые из них, как известно, описываются распределением Ферми-Дирака, поэтому такие частицы названы фермионами. Для вторых частиц применима статистика Бозе-Энштейна/В статистике Бозе-Эйнштейна частицы считаются неразличимыми и имеют дис кретные значения энергии. Функция распределения имеет вид
/ б . э . = |
е—е в |
’ |
|
|
e~kf~ |
1 |
|
где Ев — играет аналогичную |
роль |
в статистике Бозе, |
что и уро |
вень Ферми. Частицы, к которым применима статистика |
Бозе-Эйн |
штейна, называются бозонами; а системы таких частиц можно рас сматривать как газ бозонов или бозе-газ.
В отличие от фермионов, бозоны не подчиняются принципу Пау ли. Так например, в одном состоянии может быть сколько угодно совершенно одинаковых фотонов. Если фотоны это — квант поля электромагнитного излучения, то фонон это—квант поля колебаний кристаллической решетки. Возбужденное состояние решетки пред
ставляется идеальным газом фононов. |
Бозе частицами |
являются |
|||||
также заряженные и нейтральные л-! |
и л° — мезоны со спином 0 и |
||||||
отличной от нуля массой покоя.- |
|
|
|
|
|||
|
|
|
Л И Т Е Р А Т У Р А |
|
|
||
М. А. Л е о н т о в и ч. «Статистическая физика». Гостехиздат, |
1948. |
|
|||||
В. |
Г. Л е в й ч. «Введение в статистическую физику». ГИТТЛ, |
1954. |
|||||
Г. |
И. |
Е п и ф а н о в . |
«Физика твердого |
тела», «Высшая школа», |
1965. |
||
I В. |
Ф. |
Н о з д р е в, А. |
А. С е н к е в и ч. |
«Курс статистической физики», «Выс |
шая школа», 1969.
I
46
ОСНОВЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА
Глава III. ВНУТРЕННЯЯ СТРУКТУРА ТВЕРДЫХ ТЕЛ И СИЛЫ СВЯЗИ
Все материалы (металлы, полупроводники), с которыми нам придется иметь дело, относятся к кристаллическим телам. Известны и некоторые так называемые аморфные полупроводники (например, сажа и черный селен), которые видимо, обладают известной сте пенью «кристалличности», по крайней мере, в атомном масштабе.
t
§ 1. Кристаллическая решетка и силы связи в кристаллах
Кристалл может быть определен как вещество с периодической структурой, обладающей свойствами симметрии. Опишем строение ^ кристалла, 'воспользовавшись понятием о пространственной решет ке.
Для этого воспользуемся тремя векторами ах, а2, аз (не лежащи ми в одной плоскости), исходящих из одной точки А. Построим век тор Т= «!аі -fn2a2 + n3a3, где п\, п2, п3 принимают все положитель ные и отрицательные целочисленные значения, тогда создается бе сконечная система точек, образующих пространственную решетку, получившей название решетки Бравэ (рис. 19). На этом рисунке показана плоская решетка, определяемая двумя векторами а.\ и а2. Полученная решетка будет обладать периодичностью по трем на правлениям. Параллелепипед, построенный на векторах аь а2, а3, называется элементарной или примитивной ячейкой. Для описания кристалла достаточно знать элементарную ячейку, т. е. модули векторов аі, а2, а3 и углы между ними. Путем переноса или повторе нием элементарной ячейки можно получить модель всей кристалли ческой структуры. Эту операцию перемещения кристалла парал лельно самому себе, описываемую вектором 1 = П\&\ + п2а2 + п3аз, бу- дем называть трансляцией.
Элементарная ячейка может иметь различные формы — форму прямоугольного или косоугольного параллелепипеда, куба или приз мы. Размер ребра элементарной ячейки вдоль одной из осей назы вают постоянной решетки. В общем случае постоянные решетки в различных направлениях будут разными.
47
•о
О9
9
Рис. 19. Трансляции fli, о2 и элементарная ячейка двумерной
/решетки.
Необходимо отметить, что в каж дой точке (узле) решетки Бравэ обязательно находится атом, однако не исключается нахождение внутри элементарной ячейки и других ато мов. Такие решетки будут сложны ми и построить их можно путем выдвижения друг в друга нескольких простых решеток, взаимно смещен ных на определенную величину. На рис. 20 представлена такая решетка для двумерного пространства, где показана также (возможность выбо ра элементарной ячейки.
Рассмотрением классификаций возможных типов кристаллических структур занимается кристаллогра-
Рис. 20. Плобкая сложная решетка.
фия. Различные экспериментальные исследования показали, что одноатомный кристалл имеет структуру простой решетки, в узлах которой расположены однородные атомы; двухатомные, трехатом ные и четырехатомные кристаллы имеют сложную решетку, состоя щую соответственно из двух, трех или четырех вдвинутых друг в друга простых решеток.
Чтобы понять, как атомы удерживаются в кристалле, рассмот рим упрощенную картину межатомных сил. При сближении атомов настолько, что происходит взаимное перекрытие электронных обо лочек, становятся существенными силы притяжения. Если атомы сближать еще на более близкие расстояния, то начинают преобла дать силы отталкивания. Природа этих сил может быть различной.
48