ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 08.02.2024
Просмотров: 46
Скачиваний: 0
СОДЕРЖАНИЕ
1. Аналитический обзор литературы
1.1 История развития солнечные элементы
1.2 Солнечные элементы и их основные параметры
1.3 Перовскитовые солнечные элементы
1.4 Метод магнетронного напыления
1.7 Теоретические основы численного моделирования
1.8 Программа численного моделирования SCAPS-1D
2. Разработка модели перовскитного солнечного элемента
2.1 Сравнение различных материалов
2.2 Сравнение различных тыльных контактов
3. Моделирование характеристик и параметров
3.1 Численный метод моделирования
3.2 Исследование влияния толщины перовскита на эффективность солнечного элемента
4. Разработка технологии изготовления перовскитного солнечного элемента
Тепловая скорость электронов и дырок составляет 107 см/с. Моделирование проводится при освещенности 1000 Вт/м2, температуре 300 К и массе воздуха 1,5 G. Напряжение на солнечном элементе устанавливается от 0 В до 1,2 В.
Таблица 2.2 - Основные параметры элемента
№ п/п | Параметры | Фронтальный контакт | Тыльный контакт |
1 | Поверхностная рекомбинация электронов (см/с) | 105 | 105 |
2 | Поверхностная рекомбинация дырок (см/с) | 107 | 107 |
3 | Работа выхода из металла эВ | 4,7 | 5 |
4 | Высота барьера для основных носителей заряда относительно EF (эВ) | 0,32 | 0,4 |
5 | Высота барьера для основных носителей заряда относительно EV или EC (эВ) | 0,37 | 0,29 |
Подвижность дырок и ширина запрещенной зоны являются двумя наиболее важными параметрами, которые необходимо рассматривать в качестве критериев при выборе слоя НТМ.
Таблица 2.3 - Параметры, используемые при моделировании
-
№ п.п
Параметры
Условное обозначение
Значение
1
Температура
Т
300 K
2
Толщина перовскита
L
400 нм
3
Ширина запрещенной зоны
1,3 эВ
4
Коэффициент поглощения
1.0Е+5
5
Плотность состояния
1.0Е+16
6
Относительная диэлектрическая проницаемость
10
7
Подвижность электронов
1.6 /Vs
8
Подвижность дырок
1.6 /Vs
2.1 Сравнение различных материалов
При разработке структуры солнечного перовскитного элемента были созданы модели в программе SCAPS-1D с различными структурами ITO / TiO2 / CH3NH3PbI / Spiro-OMeTAD/ Au и Glass/ITO/TiO2/CH3NH3PbI3/Cu2O. Чтобы выбрать наиболее производительный материал для НТМ слоя были рассмотрены два полупроводника Сu2O и Spiro-OMeTAD. . Они имеют относительно большую ширину запрещенной зоны. Энергия запрещенной зоны Сu2O -2,17 эВ, а у Spiro-OMeTAD- 2,9 эВ. Чтобы уменьшить потери энергии и получить высокую производительность, необходимо иметь небольшую валентную зону смещения (-0,2 эВ до 0,2 эВ) между НТМ слоем и слоем перовскита. Кроме того, Сu2O проявляет высокую подвижность дырок до 80 см2В-1с-1, по сравнению с органическими материалами (Spiro-MeOTAD – 0,0001 cм2В-1с-1) [33]. Коэффициент поглощения для каждого слоя составлял 105 см-1 при стандартном спектре плотности потока фотонов AM1.5G. Толщина перовскитного слоя варьировалась от 400 до 700 нм. Основные физические параметры материалов, используемые при моделировании солнечного элемента, приведены в таблице 2.4.
Таблица 2.4 - Физические параметры для материалов HTM слоя
Параметры | Spiro-OMeTAD | Cu2O |
Толщина (нм) | 250 | 250 |
Плотность акцепторов. NA (см-3) | 1019 | 1018 |
Плотность доноров, ND (см-3) | – | – |
Ширина запрещенной зоны, Eg (эВ) | 2,9 | 2,17 |
Сродство к электрону, χ (эВ) | 2,2 | 3,2 |
Относительная диэлектрическая проницаемость, ε | 3 | 7,11 |
Эффективная плотность зоны проводимости NC (см-3) | 2,2·1018 | 2,2·1018 |
Эффективная плотность валентной зоны, NV(см-3) | 1,8·1019 | 1,8·1019 |
Подвижность электронов µn(см2/В·с) | 10-4 | |
Подвижность дырок, µp (см2/В·с) | 10-4 | 80/80 |
Плотность дефектов Nt (см-3) | 1015 | 1015 |
На рисунке представлены вольт-амперные характеристики, полученные в результате моделирования структур солнечных элементов с дырочным проводящим слоем Spiro-OMeTAD и Cu2О. Показано, что солнечный элемент с дырочным проводящим слоем Cu2O обладает лучшими параметрами по сравнению со слоем Spiro-OMeTAD и имеет эффективность (η) равную 20,47%.
Рисунок 2.7 – ВАХ для Сu2O и Spiro-OMeTAD в качестве НТМ слоя
Результаты работы структур приведены в таблице 2.5, учитывая перовскитный слой толщиной 400 нм, плотность валентной зоны состояния 1*1018 см-3, а плотность дефектов 1*1012 см-3.
Таблица 2.5 – Производительность устройств для разных НТМ слоев.
Материал | Isc мА/см3 | Voc B | FF % | КПД % |
Cu2О | 24,01 | 1,128 | 80,67 | 21,87 |
Spiro-OMeTAD | 30.928 | 0.8107 | 65.33 | 16.38 |
Исходя из результатов моделирования можно сказать что модель с Сu2O в качестве НТМ слоя показывает КПД 21.87% и значение спросить Isc 24.01 мА/см3, а также Voc 1.128 B, нежели модель с Spiro-OMeTAD в качестве НТМ слоя.
Когда подвижность дырок у Spiro-OMeTAD увеличивается до 5е-3см2/Вс, КПД доходит до максимального значения 16.38 % и стабилизируетcя.
В этой работе мы использовали оксид одновалентной меди (Сu2O) в качестве НТМ-слоя, потому что сравнение двух материалов показало, что неорганический материал Сu2O имеет лучшую производительность, чем Spiro-OMeTAD.
2.2 Сравнение различных тыльных контактов
Производительность моделируемых солнечных элементов увеличивается с увеличением работы выхода, но после определенного значения она насыщается. С увеличением работы выхода металла высота барьера уменьшается из-за изгиба зон на границе раздела металл-полупроводник. По мере того как работа выхода металла увеличивается, Voc становится больше. Следовательно, эффективность солнечного элемента перовскита также возрастает. Энергетически невыгодно, чтобы дырки продвигались к электрону, потому что электрическое поле вблизи HTM тыльного контакта станет отрицательным. По этой причине можно ожидать, что более низкая рабочая функция ответственна за более низкую эффективность
Для подтверждения адекватности и точности результатов моделирования была создана модель солнечного элемента в программе SCAPS-1D со структурой ITO / TiO2 (50 нм) / CH3NH3PbI3-xClx (400 нм) / Spiro-OMeTAD (250 нм) / Au и проведено сравнение результатов моделирования её характеристик с экспериментальными данными, представленными в работе [21]. Результаты моделирования показывают близкое совпадение с экспериментальными данными
Таблица 2.6 - Теоретические и экспериментальные параметры солнечных элементов
| Jкз, мА/см3 | Vхх,В | FF, % | η, % |
ITO/TiO2/ CH3NH3PbI3-xClx/ Spiro-OMeTAD/Au (эксп. [17]) | 22,75 | 1,13 | 75,01 | 19,30 |
ITO/TiO2/ CH3NH3PbI3-xClx/ Spiro-OMeTAD/Au (теор.) | 22,39 | 1,12 | 76,21 | 19,19 |
ITO/TiO2/ CH3NH3PbI3-xClx/ Cu2O/Au (теор.) | 22,53 | 1,12 | 80,79 | 20,47 |