Файл: Лапицкий Е.Г. Радиопередающие устройства. Основы теории нелинейных цепей [учебное пособие].pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 04.04.2024

Просмотров: 68

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

цепи по постоянному току, так как - контур третьего вида не пропускает постоянную составляющую анодного тока. По этой же причине отпадает необходимость в разделительном конденсаторе в цепи автоматического смещения (рис. 3.20).

Иногда, особенно в диапазоне СВЧ, вместо индуктивностей и емкостей, образующих трехточечную схему, включают коле­ бательные контуры (рис. 3.21). Как известно, реактивное сопротивление контура имеет индуктивный характер (т. е. положительно! на частотах меньше резонансной частоты <о„ и ем­ костный (т. , е. отрицательно) на час­

тотах выше резонансной (рис. 3.10). Если выполнить условия <%,<©г

‘V ->w и ш«я->и) (r^e V ’ l'W 11 "V '

резонансные частоты соответствую­ щих контуров, а ©-—генерируемая ча­ стота), то схема ■будет эквивалентна трехточечной с автотрансформаторной

Рис. 3.20. обратной связью. Если же ©eg<w, oj,,a.< w и © акО , то схема эквивалентна трехточечной с емкостной обратной связью. Схемы, аналогичные

рассмотренным выше ламповым схемам, могут быть выполнены и на транзисторах. На рис. 3.22а, б и в изображены схемы авто­ генераторов на транзисторах: а) схема с трансформаторной об­ ратной связью; б) с автотрансформаторной связью; в) с емкост­ ной связью. Теория ламповых автогенераторов, рассмотренная в предыдущих параграфах данной главы, может быть распространена и на полупроводниковые автогенера­ торы. Однако при этом необходимо учитывать некоторые особенности по­ лупроводниковых триодов. В полу­ проводниковых триодах реакция кол­ лекторной (анодной) цепи практически отсутствует, и условие стационарности в общем виде может быть записано так:

A -4 p - z8 = 1 .

(1 2 0 )

Отсюда получаем условие баланса амплитуд и баланса фаз:

ft ,SCp21 ,

( 121)

(2~а).

Характерной особенностью транзисторных автогенераторов является комплексность коэффициента обратной связи и сред­ ней крутизны даже на сравнительно низких частотах. Коэф­

.90


фициент обратной связи в полупроводниковом автогенера­ торе (к) можно представить как произведение двух, коэффи­ циентов передачи (коэффициент передачи есть отношение на­ пряжения на выходе четырехполюсника к напряжению на его входе):

/Cj коэффициента передачи колебательной системы (коэф­ фициент обратной связи в ламповом автогенераторе);

Кш- коэффициента передачи входной цепи транзистора

к = К1Ких. -

■ (1 2 2 )

На рис. 3.23 изображена-аквивалентиая схема входной цепи транзистора на высоких частотах. Пользуясь обозначениями,,

принятыми на рисунке, найдем выражение для АГВХ:

 

 

___

 

 

 

 

ГУ

_ U в ы х

gs0\jb.эб

^

1 '

 

Ав:

 

 

 

1

Ь -Г Г;(ЙЗГ; >bj

 

 

 

 

 

 

 

 

 

g^-\-jba6)

 

 

' (1 -r r tgSt) 2rJr6bZ

У ( 1 ^ r eg~)*+ ф \ эб

JVKb

&КВ

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ё э б

*.

 

 

 

 

 

 

' эб

 

 

 

 

 

 

ЬЭб-~ШСэбг

 

 

 

— arctg

ГбЬэб

arc tgu)

 

 

-r6gs6

 

 

 

 

 

1 т

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Г*6

 

или ©*вх = —arc tg®T — фаза

коэффициента

передачи

входной

 

гбСаб

цепи

транзистора;

 

 

 

 

 

 

времени

входной цепи.

 

т— ---------- постоянная

\ ± L jl

' Гэб

Так как коэффициент передачи колебательной системы (К%), как правило, вещественный, то выражение для коэффициента обратной связи ( 1 2 2 ) можно записать так:

k ~ K iK BXe1*Кв

Кхе- -j a rc t g ю т

(123)

 

V { \-~ r 6g 3t f - r r 6>b\6

Отсюда видно, что коэффициент обратной связи на любых частотах (ш=£0) имеет комплексный характер. Величина реак-

91


тинной составляющей будет тем больше, чем больше постоян­ ная времени входной цепи г.

Комплексный характер средней крутизны в автогенераторах на транзисторах обусловлен конечным временем „дрейфа11 не­ основных носителей тока. Если время дрейфа известно, то фаза средней крутизны может быть

найдена по формуле:

<Pi=4Ф> (I24)

где *др—время дрейфа неосновных носителей.

С учетом выражений (123) и (124) условие баланса фаз (121) принимает вид:

-arctgwt—ш^р^О. (125)

Так как ©2 =^0, то частота ге­ нерируемых колебаний в авто­ генераторе на транзисторе не равна резонансной частоте кон­ тура. В силу этого и сопротивле­ ние контура на генерируемой ча-

Рис. 3.22.

Рис. 3.23.

стоте не равно эквивалентному сопротивлению контура в момент резонанса, т. е.

2 э Ф R30={y = ?Q

и связано с ним следующим равенством:

2 9 ~ /?3oCOS<?*,

> (126)

где <в. —фаза сопротивления контура на частоте генерируемых колебаний определяетс'я из уравнения (125).

К особенностям автогенераторов на транзистррах необходимо отнести и малое входное сопротивление транзистора, которое

32

будет оказывать шунтирующее действие на колебательный контур. Входное сопротивление транзистора переменному току может быть выражено через параметры входной пени следую­ щим образом (см. рис. 3.23):

эб

( 1 2 7 )

1 + 0» » r V ^

Это сопротивление подключается параллельно колебатель­ ному контуру (рис. 3.24) с некоторым коэффициентом вклю-

х,

чения р —- — , поэтому пересчи- + ~ гхг

таем его параллельно всему кон­ туру:

п

* вх

Г вх ( + Т - + ) “

* вх"/>2 ~

Х22

или, принимая во внимание, что

Х'2

X, = K it

получим

Рис. 3.2-1.

 

П _ rBx(l+^l)2

( 128)

 

Таким образом, эквивалентное сопротивление контура с учетом шунтирующего действия входного сопротивления тран­ зистора будет равно

£э-#вх

RaOCOS <f>г-Гнх (1

+ /C +

гэ +^ВХ

R s OCOS '-pz + r BX ( 1

+ K , f

 

 

K?

или

 

 

/?эОТвх (1 I ~ ^ l ) 2 COS

(129)

 

 

R s o K *

COS ? 2 + + x (1 f A 'l) 2

При определении амплитуды установившихся колебании из условия баланса амплитуд

Scp/ez+-=l

необходимо учитывать, что

______ Кг____ _

V (1 + г бё*)*+гб'Ь*9б

a z3 определяется равенством (129).

93


Все отмеченные особенности автогенераторов на транзисто­ рах должны учитываться при технических расчетах.

При использовании в качестве лампы автогенератора пен­ тода появляется возможность получить колебания за счеттока экранирующей сетки. Управление током экранирующей

 

сетки может быть осуществлено как

 

по

управляющей,

так и по защит­

 

ной

сетке.

 

 

 

 

Управляющее действие напряже­

 

ния на защитной сетке по отно­

 

шению к току экранирующей сетки

 

противоположно

(противофазно)

 

действию напряжения, приложенно­

 

го к управляющей сетке. Например,

 

при увеличении напряжения на пер­

 

вой сетке ток экранирующей сетки

 

возрастает, при увеличении же на-

 

Еа пряжения

на третьей

(защитной)

 

сетке, за счет перераспределения ка­

Рис. 3.25.

тодного тока между анодом и экра­

 

нирующей

сеткой,

ток

ig•> умень­

шается. Следовательно, в случае использования третьей сетки как управляющего электрода в ламповом автогенераторе на­ пряжение обратной связи, подаваемое на третью сетку, должно быть синфазно с напряжением на экранирующей сетке. По­ скольку управляющее действие напряжения защитной сетки на ток igi значительно меньше управляющего действия напря­ жения первой сетки, то напряжение обратной связи должно быть значительно большим, чем в обычном автогенераторе. Учи­ тывая указанные обстоятельства (синфазность напряжения, и боль­ шая обратная связь), в автоге­ нераторах. построенных по этому принципу, экранирующая и защит­ ная сетки,но высокой частоте сое­ диняются накоротко (рис. 3.25), т. е. все переменное напряжение, развиваемое на колебательном контуре, является напряжением

обратной связи. Генераторы такого типа называются транзитронными (рис. 3.25). Преимущество таких генераторов состоит в том, что колебательный контур подключается к лампе авто­ генератора не тремя, а только двумя точками, что в ряде слу­ чаев является конструктивно удобным.

Часто при анализе транзитронных автогенераторов исполь­ зуют понятие отрицательного сопротивления. Сопротивление называется отрицательным, если при увеличений напряжения