Файл: Смирнова Н.А. Методы статистической термодинамики в физической химии учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 221

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Теплоемкость как функция температуры записывается в виде

Cv=bTs,

'

(XI 1.78)

где

 

 

 

Ь =

12JVfen*

 

 

О .

 

 

 

563D

 

 

Зависимость (XI 1.78) при Т ->-0,

согласующаяся

с

эксперименталь­

ными данными для многих простых кристаллов, носит название за­ кона Т3 Дебая.

Хорошее согласие экспериментальных данных о теплоемкости од­ ноатомных кристаллов и значений, вычисленных согласно теории Де­ бая, обычно наблюдается во всей области температур, хотя имеются и некоторые расхождения, о которых речь будет идти позднее. Теория успешно описывает температурную зависимость теплоемкости не толь­ ко одноатомных кристаллов, но и ионных, если массы атомов не силь­ но отличаются (например, KCl).

Для расчета теплоемкости требуется знать характеристическую температуру Дебая 9D . Одна из возможностей определения этой ве­ личины — по формуле (XI 1.67) на основании данных о плотности кристалла и его упругих характеристиках, через которые выражаются скорости сг и ct. Можем также определить температуру Ѳо исключи­ тельно на основании экспериментальных данных о теплоемкости крис­ талла. Действительно, если известно экспериментальное значение теплоемкости при некоторой температуре Т, которое ложится на вос­ ходящую ветвь кривой Сѵ (779D ), то можем найти (по графику или

таблицам) соответствующую

приведенную температуру 779D , а следо­

вательно, и величину 9D . Значения QD для

некоторых

кристаллов

приведены

ниже.

 

 

 

 

 

 

 

 

Pb

Ag

Си

N a C l

Be

С (алмаз)

 

 

Ѳ0

88

215

315

306

1 000

1 860

 

Высокую характеристическую температуру имеют бериллий и

алмаз; для

них

значения теплоемкости

при

комнатной

температуре

попадают на восходящую ветвь кривой и сильно отличаются от клас­ сического значения 3R.

Характеристическая температура Дебая используется не только

при расчетах теплоемкости, но и для определения энергии

нулевых

колебаний, которая дает вклад в энергию кристаллической

решетки

(см. § 1). Связь между величинами Е0кол

и 9D выражается следующей

зависимостью, вытекающей из формулы

(XII.70):

 

£0 кол = - 9 - NkQD .

(XII.79)

о

 

 

Несмотря на то, что теория Дебая в общем очень хорошо описывает температурную зависимость теплоемкости большинства одноатомных кристаллов, имеются экспериментальные факты, свидетельствующие о неточности теоретических зависимостей. Если с помощью экспе-

366


риментальных данных о теплоемкости рассчитать значения 9D крис­ талла при различных температурах, то обнаруживается, что эта ве­ личина заметно меняется с изменением температуры: Ѳо = QD(T), хотя, согласно модели Дебая, характеристическая температура крис­ талла должна быть постоянной. Не объясняет теория Дебая и экспе­ риментальный факт линейной зависимости Су (Т) в области высоких температур. Теория неприменима к сильно анизотропным кристаллам (например, кристаллам со слоистой структурой).

Причина расхождений теории и опыта — в тех упрощениях, ко­ торые были использованы при описании колебаний в кристалле со­ гласно модели Дебая. Прежде всего, это предположение о гармониче­ ском характере колебаний. Как было показано выше, постоянство

теплоемкости

кристалла

при

высоких

температурах

(классическое

значение

Сѵ

= 3R)

вытекает

из

формул

гармонического

приближе­

ния самого общего вида и не

сѵ

 

 

 

 

 

 

 

связано

с

 

предположением

 

 

 

 

 

 

 

о характере

распределения

~R

 

 

 

 

 

 

 

 

частот.

Объяснить

 

завися-

j j .

 

 

 

 

 

 

 

мость

Су

 

~

Т при

высоких

 

 

 

 

 

 

 

 

 

температурах

удается

только

 

 

 

 

 

 

 

 

 

при

учете

ангармоничности

 

 

 

 

 

 

 

 

 

колебаний.

Далее,

 

в

теории

 

 

 

 

 

 

 

 

 

был

сделан

ряд

допущений

 

 

 

 

 

 

 

 

 

относительно вида

спектраль­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ной функции g (ѵ).

 

Дискрет­

 

О 0,2 0,4 0ß 0ß 1ß 1ß Ц

1ß 1ß ЦП

 

1

ность

структуры

кристалла

 

г

 

 

 

 

 

 

 

 

0,75ѲП

при этом

 

не

была

 

учтена.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рассмотрение

колебаний

ато­

Рис.

51. Кривые Дебая

(сплошная)

и Эйн­

мов

как

 

колебаний

непре­

 

штейна (пунктирная)

при Ѳо =

0,75Ѳв

рывной упругой среды

обос­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

нованно

 

лишь

для

 

длинных

 

волн

(^>-R0 )>

т -

е -

Для

об­

ласти

малых

частот.

 

В

теории

Дебая спектр

упругих

 

коле­

баний

экстраполируется

также

и

на

высокие частоты.

На

при­

мере вольфрама (рис. 50, б)

можно

видеть, в каком отношении

нахо­

дятся колебательный спектр кристалла по Дебаю и спектр, рассчи­ танный значительно более строго, с учетом дискретности структуры (теория решетки Борна и Кармана). Весьма грубым упрощением в теории Дебая является также допущение об изотропности кристалла, в силу которого скорость распространения упругих колебаний в раз­ личных направлениях принимается одинаковой. В анизотропных те­

лах скорость распространения

колебаний зависит

от направления,

и распределение частот должно

быть значительно

более сложным,

чем распределение (XII.60). Таким образом, что касается спектраль­ ной функции g (ѵ), модель Дебая чрезвычайно груба. Успех теории в описании зависимости С (Т) простых кристаллов при низких темпе­ ратурах объясняется тем, что в этой области температур возбужда­ ются, главным образом, низкие частоты, т. е. существенна именно та область частот, которая достаточно точно описывается спектральной

367


функцией Дебая. Вообще следует заметить, что теплоемкость не очень чувствительна к виду спектральной функции. С этим благоприятным обстоятельством связан и тот факт, что теории Эйнштейна и Дебая, использующие совершенно различные спектральные функции, дают близкие (рис. 51) и хорошо согласующиеся с опытом зависимости С (Т) (в приближении Эйнштейна заметные расхождения наблюдают­ ся лишь при низких температурах).

Дальнейшее продвижение в теории теплоемкости кристаллов было связано с развитием общей динамической теории кристаллических решеток, основоположником которой является Макс Борн. Современ­ ный этап характеризуется использованием последовательно квантовомеханического подхода, что позволило по-новому решить ряд проблем динамической теории кристаллов. Тепловые колебания решетки описывают в квантовой теории твердого тела как движение квазичас­ тиц — фононов. Гармоническому приближению соответствует пред­ ставление о свободно движущихся в решетке невзаимодействующих фононах.

§ 4. Дефекты решетки

Дефектами решетки называют любые отклонения от правильного расположения атомов, молекул или ионов, т. е. нарушения в струк­ туре решетки. При их рассмотрении мы не будем принимать во внима­ ние колебательное движение атомов.

Правильная структура кристалла характеризуется тем, что все узлы решетки заняты частицами, все междоузлия свободны. Если структурными элементами кристалла являются частицы двух типов, А и В, количества которых находятся в стехиометрическом соотноше­ нии, то для частиц каждого типа имеются свои правильные положе­ ния, своя подрешетка. Можно выделить подрешетку частиц А и подрешетку частиц В. Например, в кристалле NaCl имеются подрешетки ионов Na+ и ионов С1~. Правильные положения атомов А будем назы­ вать а-положениями, правильные положения атомов В — ß-положе- ниями*.

Атомарными дефектами называют такие нарушения правильной структуры, когда «неправильная» область во всех трех измерениях обладает атомарными размерами (микротрещины, например, в эту категорию дефектов не входят). Можно определить следующие основ­ ные виды атомарных дефектов:

1)вакансия («дырка»), т. е. незанятое место в решетке;

2)промежуточный атом, т. е. атом в междоузлии;

3)«неправильный» атом, т. е. атом А на ß-месте или атом В на а-месте;

4)примесь, т. е. атом, отличный от тех, которые образуют основ­

ную массу кристалла.

* Для определенности считаем, что структурные элементы — атомы, нейт­ ральные или ионизованные, хотя рассматриваемые далее результаты можно применить также к системе с более сложными структурными элементами.

368


В кристалле AB (например, в кристалле NaCl) возможны дефекты следующих типов: вакансии двоякого рода, на местах а или ß (1); междоузельные атомы двух видов, А и В (2); неправильные атомы двух видов (3). Неправильные атомы не встречаются в значительной степе­ ни в солях; однако в металлических сплавах такого рода нарушения правильной структуры играют важную роль. Возможны состояния полной неупорядоченности сплава, когда различие между а- и ß-узлами исчезает. Подобные явления в сплавах рассматриваются уже не теорией дефектов, а так называемой теорией кооперативных явлений (см. § 5).

 

 

©

© ѳ ѳ ѳ ѳ Ѳ ©

© ѳ © /ѳ © ѳ ©

Ѳ © Ѳ © J 3 © ѳ

ѳ © ѳ/ © ѳ © ѳ

ѳ ѳ сгѳ<э ѳ ©

© ѳ о ѳ © ѳ ©

ѳ © ѳ © ѳ © ѳ

ѳ © ѳ © ѳ © ѳ

© ѳ © ѳ © © ©

© ѳ © ѳ © ѳ ©^ѳ

ѳ © ѳ © ѳ © ѳ

ѳ © ѳ © Сг-© ѳ

© ѳ © ѳ © ѳ ©

© ѳ © ѳ © ѳ ©

а

 

s

Рис. 52. Решетка с дефектами по

Френкелю (а) и дефектами

по

Шоттки

(б)

В настоящем параграфе будет уделено внимание дефектам первых двух типов в ионных кристаллах.

В случае ионных кристаллов различают дефекты по Френкелю и дефекты по Шоттки.

Дефекты по Френкелю состоят в наличии вакансий и междоузельных ионов в эквивалентных соотношениях. Механизм образования дефекта по Френкелю заключается в том, что ионы, испытывающие время от времени большие смещения под влиянием тепловых флуктуа­ ции, покидают свои нормальные положения в узлах и переходят в междоузлие, результатом чего является возникновение вакансии («дырки») в решетке (рис. 52, а). Междоузельный ион движется в кристалле, переходя из одного междоузельного положения в другое; вакансии также подвижны. При встрече междоузельные ионы и ва­ кансии рекомбинируют друг с другом. Между процессом образования вакансий и процессом рекомбинации устанавливается динамическое равновесие. Равновесная концентрация вакансий и междоузельных ионов в кристалле зависит от температуры (по условию электронейт­ ральности системы концентрации вакансий и междоузельных ионов при любой температуре одинаковы). Как правило, дефекты по Френ­ келю образуют в кристалле ионы лишь одного рода, тогда как ионы другого рода прочно удерживаются в узлах; выход их в междоузлия практически исключен. Так, в кристаллах AgCl, AgBr дефекты, обу-

369