ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 10.04.2024
Просмотров: 136
Скачиваний: 2
Г л а в а 3
ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫИ КОНДЕНСАТОР КАК ИСТОЧНИК СВЕТА И ОСНОВНОЙ ЭЛЕМЕНТ ПРИБОРОВ НОВОГО ТИПА
3.1. ЭЛЕКТРО ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ КОНДЕНСАТОР КАК ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СИСТЕМА
Классификация электролюминесцентных приборов по режимам работы
Главным элементом всех электролюминесцентных устройств является электролюминесцентный конденса тор (ЭЛК). Он представляет собой плоский конденса тор (рис. 3.1), у которого один электрод прозрачен. Форма электродов может быть разнообразной: узкие
полоски, образующие плоскую I f f f 1 двумерную матрицу; фигурные электроды, образующие в раз личных сочетаниях знаки или цифры; электроды в виде букв
ицелых надписей и т. д. Основ
Рис. ЗА. Схематическое ное назначение электролюми
изображение ЭЛК: |
2 — |
несцентных приборов состоит |
1 — стеклянная пластина; |
в преобразовании электриче |
|
прозрачный электропроводящий |
||
слой; 3 — электролюминофор |
ской энергии непосредственно |
|
в диэлектрической среде; |
4 — |
в световой поток. Поэтому наи |
металлический электрод. |
|
|
|
|
более очевидно их примене |
|
|
ние в качестве источников све |
та, например светильников, подсветки шкал, световых указателей и т. п. Однако значительно более интерес ным и перспективным является применение таких при боров для преобразования электрических и других сиг налов в световые. В этом случае ЭЛК должен опреде ленным образом реагировать на амплитуду, частоту, форму и скважность воздействующего на него электри ческого сигнала,
104
В зависимости от характера поступающего на ЭЛК сигнала, возбуждающего свечение, электролюминесцентные приборы можно разделить на следующие две боль шие группы.
-К первой группе относятся устройства, в которых все участки электролюминесцентного слоя или элемен тарные ЭЛК возбуждаются одновременно и излучают свет в течение всего периода работы. К таким устрой ствам кроме источников света относятся также усили тели и преобразователи изображения, которые осуще ствляют преобразование типа входной световой поток — электрический сигнал — выходной световой поток. К этой группе также относятся многоканальные устройства, в которых возбуждение элементарных ЭЛК происходит по независимым каналам, допускающим их одновре менное возбуждение, как это обычно и делается в та ких устройствах. Для всех приборов этой группы наи более эффективным является-возбуждение синусоидаль ным напряжением, позволяющим изменять в широких пределах частоту и амплитуду, определяющие яркость (иногда цвет) свечения ЭЛК. Кроме того, формирова ние синусоидального напряжения наиболее экономично с энергетической точки зрения. Такой способ возбужде ния обеспечивает получение в приборах этой группы практически любой требуемой яркости свечения, дости жимой с помощью электролюминесценции.
Ко второй группе относятся устройства, имеющие поочередное возбуждение элементарных ЭЛК, осущест вляемое так, что повторное возбуждение каждого ЭЛК происходит после возбуждения группы,остальных ЭЛК устройства. Примерами таких устройств являются теле визионные и радиолокационные приборы, некоторые ин дикаторные экраны, в том числе знаковые, запоминаю щие устройства и другие приборы. В соответствии с принципом работы устройств этой группы возбужде ние ЭЛК в них носит импульсный характер, причем фор ма импульсов, их частота и амплитуда могут широко изменяться. Поскольку в этих устройствах каждая ячей ка возбуждается непродолжительное время, трудно по лучить достаточную среднюю яркость их свечения. Для решения этой проблемы оказывается необходимым вве дение в устройства дополнительных элементов со спе циальными свойствами и значительное усложнение внешних управляющих устройств.
105
Эквивалентные схемы
Импеданс ЭЛК определяется главным образом егб емкостью. Однако поглощение энергии в нём таково, что даже в простейшем случае его нередко приходится рассматривать как емкость с параллельно присоединен ным сопротивлением утечки. Необходимо отметить так же, что свойства ЭЛК зависят от приложенного напря жения, а также предыстории. Поэтому его приходится рассматривать как нелинейный элемент цепи. Особенно
•сильно зависит от напряжения сопротивление утечки. Его уменьшение с ростом возбуждающего напряжения объясняется увеличением концентрации свободных но сителей заряда под влиянием возбуждения.
Если возбуждающее напряжение синусоидально и не слишком велико, ток через ЭЛК довольно точно опи сывается синусоидой, при этом емкость и сопротивление электролюминесцентного конденсатора можно считать постоянными во времени, но зависящими от амплитуды приложенного напряжения и его частоты. Это сильно упрощает расчеты схем, в которых применяется ЭЛКПри больших возбуждающих напряжениях, однако, от клонения тока от синусоидальной формы становятся весьма заметными: амплитуда второй и третьей гармо ник может составить десятки процентов от амплитуды основной частоты. Как указывалось выше, ЭЛК как эле мент электрической цепи в простейшем случае может быть представлен эквивалентной схемой, состоящей из параллельно соединенных конденсатора и активного ре зистора (сопротивление электродов R мало).
Импеданс такой цепи может быть описан с помощью
комплексной диэлектрической проницаемости |
[1] |
г —г'—is", |
(3.1) |
i
где е' действительная, а г"-— мнимая части комплекс ной диэлектрической проницаемости. Величина « не остается постоянной при изменении режимов возбужде ния ЭЛК, обе составляющие е возрастают при умень шении частоты и амплитуды приложенного напряжения. Однако в звуковом диапазоне частот при обычной ве личине возбуждающего напряжения емкостная проводи мость значительно превосходит активную составляющую, а ЭЛК без опасения внести существенные ошибки в рас четы схем нередко может быть представлен эквива-
106
лентной емкостью. В табл. 3.1 для примера приведены некоторые характеристики типичных ЭЛК с люминофо ром ЭЛ-510.
Т а б л и ц а 3.1
Характеристики ЭЛК
Рабочее |
Связующий |
Концент |
Толщина |
Яркость |
Емкость, |
напряжение |
рация |
в рабочем |
|||
при частоте |
диэлектрик |
люмино слоя, мкм |
режиме, |
пф/см2 |
|
400 Гд, В |
|
фора |
|
кд/ма (нт) |
|
220 |
ЭП-96 |
1,5:1 |
60—70 |
30—40 |
150—200 |
220 |
ВС-530 |
2,5:1 |
100— 120 |
30-40 |
200—400 |
115 |
ВС-530 |
2,5:1 |
50—60 |
30—40 |
400—600 |
Активная проводимость ЭЛК особенно сказывается на низких частотах возбуждения и высоких возбуждаю щих напряжениях. Необходимо учитывать также нели нейность активной составляющей.
Большинство авторов для описания свойств ЭЛК предлагало использовать эквивалентные схемы с линей ными компонентами [2—4]. Простейшая схема содержит три элемента (рис. 3.2,а). Так нелинейные схемы по зволяют получить результаты, качественно соответст вующие опыту. Они пригодны для расчета перераспре деления напряжения, приложенного к слою электролю минофора, защитным слоям, электродам.
В ряде случаев целесообразно использовать линей
ную |
эквивалентную схему из |
четырех |
элементов |
|
(рис. |
3.2,6), параметры которой |
(Ru R2, Cu |
С2) |
опреде |
ляются по диэлектрическим характеристикам |
(г, |
tg6noT) |
исходных веществ (люминофоры, связующие вещества), полученным при независимых измерениях на однород
ных образцах. |
вид вытянутого |
прямоугольника |
Если ЭЛК имеет |
||
с контактами вдоль |
меньшей стороны |
(как, например, |
в матричном экране), на слое электролюминофора па дает лишь часть напряжения, приложенного к конден сатору, причем эта часть тем меньше, чем дальше от контакта удалена рассматриваемая точка. В этом* слу чае свойства ЭЛК хорошо описываются эквивалентной схемой, представленной на рис. 3.2,в. В любой момент времени вдоль длинного электрода будет существовать заметный градиент потенциала (в особенности при вы-
107
соких частотах возбуждающего напряжения), а следо вательно, и градиент яркости. Расчет распределения электрического поля в такой системе приведен в рабо те [2].
Для получения лучшего количественного совпадения расчетных данных с экспериментальными простейшие линейные эквивалентные схемы усложняются введением параметрических зависимостей их элементов от условий возбуждения. Так, схема рис. 3.2,а осложняется тем, что
Рис. 3.2. Эквивалентные схемы ЭЛК:
а) Яэл, Сэл — активное сопротивление и емкость гетерогенного слоя; R — со
противление электродов; б) R], Ci — активное сопротивление и емкость элек тролюминофора; i?2, С*2 — активное сопротивление и емкость связующего веще
ства; |
в) |
R'dJl, |
С'э л — распределенное сопротивление |
и емкость |
гетерогенного |
||
слоя; |
R — распределенное сопротивление |
электрода; |
£ / 0 > |
U ь U2, |
U х — напря |
||
жения |
в соответствующих точках ЭЛК; г) |
Со — емкость |
обкладок ЭЛК, С — |
||||
емкость, эквивалентная емкостям в цепях отдельных |
зерен; Д\, Дг — p-я пере |
||||||
ходы в зернах |
электролюминофора; R\ — активное сопротивление |
зерен люми |
|||||
нофора; |
Дд1, |
/?д2 — активное сопротивление диэлектрика; i? — сопротивление |
электродов.
только две ее составляющие — сопротивление электродов R и емкость Сэл слоя электролюминофора считают ся независимыми от частоты. Активное сопротивление этого слоя Дэл принимается зависящим от частоты воз буждения f по закону
Яэл = R * rP\ |
(3.2) |
где R * и ро — постоянные, либо по закону |
|
^3n=l^?*o/(fo+ f)Pl>+ uRoo, |
(3.3) |
где R * о, ро, /о и Roo — постоянные, определяемые |
опыт |
ным путем. |
|
108
Таким образом, в последней формуле активное со противление слоя электролюминофора складывается из двух частей: первая, характеризуемая частотной зави симостью, интерпретируется как сопротивление барье ров,- вторая (Roо), не зависящая от частоты, — как со противление объема. Такие параметрические схемы по существу не являются нелинейными, так как в них не линейность вольт-амперных характеристик не учитывает ся. Их можно рассматривать как набор линейных схем, каждая из которых применяется в определенном ча стотном диапазоне.
Нелинейные эквивалентные схемы более детально описывают процессы, происходящие в ЭЛК, чем линей ные схемы. Однако они более сложны, требуют громозд ких расчетов, и поэтому такие схемы непригодны для расчета электрических цепей, содержащих несколько ЭЛК. Примером нелинейной эквивалентной схемы ЭЛК [3] может служить схема, в которой учтен барьерный характер прохождения тока через кристаллы в ЭЛК (рис. 3.2,г). С помощью данной эквивалентной схемы можно объяснить большой круг явлений. В некоторых случаях схему можно упростить, исключив /?дi и RR2,
учитывая, что обычно Rai<^Ri и Rj$^>Ri- Для анализа сложных цепей ЭЛК предлагалось задавать их вольтамперные характеристики с помощью аналитических вы ражений. Это позволяет рассматривать активное сопро тивление с вольт-амперной характеристикой в явном виде и применять для расчета схем, содержащих ЭЛК, методы анализа нелинейных цепей [4].
Активные утечки
Нелинейная связь между током и напряжением в ЭЛК хорошо видна из вольт-амперной характеристи ки. При снятии вольт-амперной характеристики не обходимо учитывать комплексный характер проводимо сти ЭЛК путем компенсации емкостной составляющей тока.
Типичный вид вольт-амперной характеристики пред ставлен на рис. 3.3. Гистерезис характеристики, снятой на переменном токе, объясняется несовпадением фазы1 активного тока с фазой приложенной} напряжения. Вольт-амперной характеристикой описываются свойства слоя электролюминофора в целом, а не свойства актив-'
109
ных областей кристаллов, однако ее форма является весьма важным доказательством существенной роли разного рода барьеров в процессе возбуждения электро люминесценции [5].
Вольт-амперная характеристика ЭЛК подобна ха рактеристике нелинейной цепочки, состоящей из двух встречно включенных р-п переходов (см. рис. 3.2,г). При этом в течение каждого периода действующего напря жения концентрация поля и возбуждение центров све чения происходит на том переходе, для которого напря жение действует в запорном направлении. Когда к кри сталлу приложено достаточное напряжение, наступает
1,отн.ед. 1,отн.ед.
Рис. 3.3. Типичные вольт-амперные характеристики ЭЛК:
а — снятая на постоянном токе; б — снятая на переменном токе.
обратимый пробой р-п перехода и появляется значи тельный ток. Этот процесс можно заметить по харак терным выступам на осциллограмме активного тока. Если одновременно с вольт-амперной характеристикой снимать зависимость яркости свечения ЭЛК от прило женного напряжения [6], то можно заметить, что свече ние достигнет максимума при напряжениях, соответст вующих пробою р-п перехода.
Аналитическое выражение вольт-амперной характе ристики [7] может быть представлено в виде
/~<§2ехр (-&'/<§), |
(3.4) |
где Ь' — постоянная, а <§— напряженность электриче ского поля. При больших значениях <g формула дает квадратичную зависимость тока от напряженности. Предложены и другие аналитические выражения [8, 9]. иа
В некоторых случаях для описания вольт-амперной характеристики удобно пользоваться выражением ти па (2.3):
J ^ U a+l, |
(3.5) |
где величина и медленно и непрерывно возрастает с ро стом U, оставаясь меньше четырех.
Выпрямляющие свойства
Для всех ЭЛК характерно возникновение постоянно го тока, протекающего через конденсатор при возбужде нии его симметричным синусоидальным напряжением. Появление выпрямленного тока можно рассматривать как результат несимметричности вольт-амперной харак теристики активных токов (рис. 3.3,а). Причина этой несимметричности заключается в том, что частицы суль фида цинка имеют неправильную форму с острыми угла ми и выступами. На таких выступах происходит концен трация поля, и если здесь же расположен барьер, то он работает в условиях повышенного поля: к концентрации поля в барьерах прибавляется концентрация поля на остриях. Каждый барьер пропускает ток в одном на правлении, делая вклад в одну из ветвей вольт-ампер ной характеристики. Если барьер расположен в плоской части кристалла электролюминофора, то ток через него будет меньше, так как поле в нем ниже.
Таким образом, обе ветви будут симметричны только в том случае, когда кристаллы электролюминофора рас положены совершенно хаотически. В работе [2] показано, что в процессе изготовления ЭЛК сила тяжести ориен тирует определенным образом каждый кристалл. Напри мер, острые углы могут ориентироваться в сторону одно го электрода, создавая преимущественно выпрямленный ток в одном направлении. Кроме того, из-за инерцион ности рекомбинации неравновесных носителей заряда вольт-амперная характеристика ЭЛК имеет заметный гистерезис при переменном напряжении (рис. 3.3,6).
Эквивалентная схема (рис. 3.2,г), в которой учиты вается барьерный характер прохождения тока через кристаллы в ЭЛК, моделирует также выпрямляющее действие ЭЛК, если предположить, что характеристики диодов Д \ и Дг несколько различны. Полярность выпрям ленных токов такова, что диод, эквивалентный двум
111