Файл: Прикладная электролюминесценция..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 137

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

встречно включенным диодам Д\ и Дч, необходимо вклю­ чать «плюсом» в сторону электрода, который был ниж­ ним в процессе изготовления.

Выпрямленные токи могут изменить режим работы всего устройства. Это изменение возможно не только при несимметричном возбуждающем напряжении, но и при синусоидальном. При конструировании электролюминесцентных устройств с этим необходимо считаться.

Сопротивление электродов

В любом ЭЛК по крайней мере один из электродов* должен быть прозрачен для излучения электродиоминофора. Основными требованиями к такому электроду являются высокая прозрачность и хорошая проводи­ мость, а также достаточное их постоянство по всей пло»- щади ЭЛКПостоянство прозрачности и сопротивления; электрода по всей площади панели особенно важно для; устройств типа телевизионного экрана или преобразо­ вателя изображения, в которых яркость свечения каж­ дого элемента должна строго соответствовать величине поданного на него сигнала. Наиболее широкое приме­ нение получили прозрачные электроды на основе окисной пленки SnQ2. Такие электроды имеют прозрачность до 90% и хорошую однородность прозрачности и сопро­ тивления на большой площади (колебания в 2—3% на площади 200X300 мм). Тем не менее из-за сравнительно . высокого сопротивления окисных пленок на стекле - в электролюминесцентных устройствах возможно иска­ жение яркости свечения элементов по площади панели;. Рассмотрим этот вопрос подробнее.

Если в эквивалентной схеме (рис. 3.2,в) можно пре­ небречь нелинейной утечкой R3л, то при синусоидальном возбуждающем напряжении U0, напряжение U в любой точке ЭЛК останется синусоидальным. Тогда можно за­ писать; что

 

Т/= (1/Гг)t/0e-/4>,

(3.6)

где

Yi — величина, характеризующая уменьшение

моду­

ля

вектора напряжения, а <р — сдвиг фазы в данной

точке линии. Яркость свечения слоя электролюминофора не зависит от фазы приложенного напряжения, и поэто­ му в данном случае, изменение яркости связано только с изменением К;. Расчет, проведенный для эквивалентной,

112


Схемы (рис. 3.2,в), показал, что величины У; и <р можно вычислить по формулам для . простейшей Л(С-цепочки

+

(3.7))

rp = arctg (oRaCw

(3.8);

где

 

/?э = 0,48/?„.

(3.9)

Здесь Ra — полное сопротивление электрода от подводя­ щей шины до данной точки, а Сп — емкость соответст­ вующего участка ЭЛК.

Уменьшение эффективного сопротивления при пере­ ходе к цепочке с сосредоточенными параметрами вызва­ но тем, что в длинной линии весь емкостный ток прохо­ дит лишь через начальные сопротивления (рис. 3.2,в). В эквивалентной ЯэСа цепочке весь емкостный ток про­ ходит через сопротивление Яэ. Естественно, что при том же падении напряжения на нем его величина должна быть меньше. Обычно удельное поверхностное сопротив­ ление рпов прозрачного электрода задается в ом/Ш, и; определяется, как сопротивление электрода квадратной; формы, измеренное между противоположными сторона­ ми квадрата. Для любых размеров квадрата сопротив­ ление остается постоянным, так как одновременно уве­ личивается расстояние между сторонами и длина самих, сторон квадрата. Первое увеличивает сопротивление, второе его уменьшает. Легко видеть, что яркость ЭЛК зависит от его длины и не зависит от ширины, так как при изменении ширины Ru и Сп изменяются в противо­ положных направлениях в равное число раз *. Безраз­ мерный параметр ЭЛК равен

о й / ? э С п = 0 , 4 8 р п о в ^ 2э л С у д с о , ( З Л О )

где Суд — емкость 1 см2 ЭЛК.

Для конкретизации задачи будем считать, что яркость свечения ЭЛК не должна меняться по его длине более чем на 10%. Полагая примерно S ~ t / 3, получаем значение Уг=1,04. По формуле (3.7) на­ ходим, что со^эСп не должно превышать 0,26. Отсюда на оснований (3.10) получаем

0,7/К" рйо^Суд •

(3.11)

Здесь Суд выражено в фарадах.

 

* Ширина ЭЛК прямоугольной формы определяется размером

подводящей шины, а длина — размером конденсатора

в направле­

нии, перпендикулярном шине.

 

8—419

113


Ёсли рпов = 20 Ом/П и Суд = 300 пф/см*, то предельная Длина

конденсатора /пР«=103/ К / ,

-где f — частота в герцах, При f —

= 400 Гц величина /Пр= 50

см. Однако сопротивление прозрачного

электрода мало изменяет напряжение на электролюминесцирующем слое только если рабочие частоты малы.

Матричный экран с внешним накоплением имеет частоту рабо­ чего напряжения 30—50 кГц. Для рПов=20 Ом/D имеем /Пр= 7 см, а рабочие частоты экрана без внешнего накопления должны дости­ гать нескольких мегагерц и его длина не может быть более 1 см. Очевидно, что при конструировании экранов необходимо учитывать величину рПОв и стремиться к ее уменьшению.

Если напряжение подается на прозрачный слой с двух сторон, то допустимые размеры экрана увеличатся не­ сколько более чем вдвое и минимальная яркость свече­ ния будет в центре экрана.

3.2. ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭЛЕКТРОЛЮМИНОФОРОВ ПРИ СИНУСОИДАЛЬНЫХ РЕЖИМАХ ВОЗБУЖДЕНИЯ

Методика измерения характеристик ЭЛ К

Наиболее распространенным методом исследования электрических характеристик ЭЛК является мостовой метод. Сложность их измерения обусловливается нели­ нейностью электролюминофора. При исследовании ха­ рактеристик ЭЛК мостовым методом элемент включает­ ся в одно из плеч моста. Подбором емкостей и со­ противлений второго плеча схемы добиваются равнове­ сия моста; по известным величинам подобранных эле­ ментов определяют параметры измеряемого ЭЛК [10].

Основным недостатком простого мостового метода измерений является невозможность получения точного равновесия моста вследствие резко выраженной нелиней-

\ности ЭЛК. Поэтому при исследовании характеристик ЭЛК чаще используют метод частично компенсирован­ ной мостовой схемы, где измерения осуществляются пу­ тем уравновешивания только емкостных составляющих. Эта методика основана на предположении, что нелиней­ ность ЭЛК определяется нелинейностью активной части проводимости (хотя имеются работы, отмечающие нели­ нейность емкостной составляющей проводимости ЭЛК, однако эта нелинейность невелика [11]).

Предложенный в [12] метод двойного моста, когда ЭЛК включается в мостовую схему, на которую может

114


одновременно и независимо подаваться измерительное и возбуждающее напряжения с резко разнесенными ча­ стотами. позволяет параллельно определять изменение активной и емкостной составляющих проводимости пои различных режимах синусоидального возбуждения. Ча­ стота измерительного напряжения выбирается высокой (до 10 мГц), а величина — малой, чтобы исключить его влияние на параметры ЭЛК. После подачи измеритель­ ного напряжения мост уравновешивается. Сигнал разба­ ланса моста, возникающий при подаче возбуждающего напряжения, поступает на узкополосный усилитель, на­ строенный на частоту измерительного напряжения, и выпрямляется синхронным детектором. Сдвигая фазу опорного напряжения синхронного детектора, определя­ ют активную и емкостную составляющие сигнала разба­ ланса моста.

Мостовые методы позволяют измерять активную и реактивную составляющие проводимости ЭЛК при си­ нусоидальных возбуждающих напряжениях. Активную составляющую проводимости ЭЛК мойшо также иссле­ довать методом постоянного тока [131, используя при измерениях слабое постоянное поле. При этих измере­ ниях основную роль играют те зерна люминофрра (или цепочка зерен), которые имеют непосредственный кон­ такт с обкладками ЭЛК. Некоторые искажения резуль­ татов при измерениях методом постоянного тока могут быть отнесены за счет неомичности контактов, однако полученные результаты качественно совпадают с резуль­ татами измерений другими методами. Практически изме­ рения сводятся к замерам тока, протекающего через об­ разец, при приложении к нему постоянного электриче­ ского поля.

Д)ля измерения средней мощности потерь в ЭЛК при­ меняется также осциллографический метод фигур Лиссажу, который пригоден как пои синусоидальных, так и при несинусоидальных процессах в широком диапазо­ не частот. Он свободен от принципиальных' погрешно­ стей и осуществим сравнительно простыми техническими средствами. Так как ЭЛК является нелинейным элемен­ том, активный ток через него существенно нёсинусоидален при синусоидальном возбуждающем напряжений” Измеряемая средняя за период входного напряжения: мощность W (т. е. площадь Фигуры Лиссяжу) пропор­

циональна

средней мощности, выделяющейся в ЭЛК.

8*

I t s

\


При синусоидальном возбуждающем напряжении можно применять еще более простой метод измерения поглощаемой мощности, состоящий в определении экви­ валентного сопротивления утечки ЭЛК при помощи ре­ зонансного моста переменного тока, настроенного на ча­ стоту возбуждающего напряжения. Этот метод основан на том, что при синусоидальном напряжении средняя величина поглощаемой ЭЛК мощности определяется только основной гармоникой.

Все остальные компоненты ряда Фурье в кривой тока дают при усреднении нуль. Поэтому, измерив эквива­ лентное сопротивление утечки электролюминесцентного конденсатора на частоте возбуждения, можно опреде­ лить поглощаемую мощность.

Яркость — это основная эксплуатационная характе­ ристика ЭЛК. Точное измерение этого параметра явля­ ется важным фактором для правильной оценки качества электролюминесцентных приборов. Измерять яркость можно с помощью различных светотехнических прибо­ ров, субъективным и объективным методом. В качестве приемников излучения в фотометрических установках можно использовать селеновые и вакуумные фотоэле­ менты, фотоумножители. В связи с тем, что излучение ЭЛК различного типа отличается по спектральному со­ ставу, большое значение при измерении их световых па­ раметров приобретает качество исправления спектраль­ ной чувствительности приемника излучения под функцию относительной видности. Для некоррегированных селе­ новых фотоэлементов вызываемая этим погрешность мо­ жет достигать 30—40%', для фотоэлементов с индивиду­ ально подобранными светофильтрами она не превышает

3 -5% [14],

Серийные яркомеры АФМ-57 для измерения ЭЛК можно использовать с некоторыми ограничениями. Так, например, погрешность АФМ значительно возрастает, если светящаяся поверхность имеет растровую структу­ ру. Кроме того, для измерения яркости ЭЛК с различ­ ным цветом свечения желательно более высокое качест­ во исправления спектральной чувствительности прием­ ника под функцию относительной видности. Яркомер ВФМ-57 имеет сравнительно большое поле зрения, вследствие чего при измерении растровых и знаковых приборов не удается получить его заполнение. Наилуч­ шими характеристиками для измерения ЭЛК обладает

116

яркомер ЭЯ-67, с фотоумножителем ФЭУ-27 в качестве приемника излучения.

Яркомер выделяет и фиксирует измеряемый участок

диаметром 0,5—10

мм. Чувствительность прибора

0,005

кд/м2 (нт) на деление при максимальной диафраг­

ме и

0,25 кд/м2 (нт)

на деление при минимальной. По­

грешность измерения

не более '±15%'.

Вольт-яркостные характеристики

Вольт-яркостная характеристика ЭЛК (зависимость яркости В от напряжения U) хорошо описывается эмпи­ рической формулой

В = ’В0exp (— bjVU),

(3.12)

где b — постоянная (для данных температуры

и часто­

ты), а Во слабо зависит от напряжения. Иногда эту за­ висимость аппроксимируют степенной функцией

 

5csэ V ,

(3.13)

где s — постоянная

(2 < s< 8 ).

 

Зависимость вида

(3.12) можно объяснить

теоретически, связав

ее с соответствующей моделью процесса возбуждения. Так, если принять, что электрическое поле концентрируется в слое, где плот­

ность пространственного заряда

постоянна (барьер Мотта — Шотт-

ки), то максимальная величина

напряженности электрического поля

<§ m пропорциональна корню квадратному из приложенной к барьеру разности потенциалов. Если все приложенное напряжение сосредото­

чено в барьере, то в формуле (3.12) можно

заменить <U на § т,

в результате получится, что

 

Sooexp(const/5m ).

(3.14)

Точно так же во многих случаях зависит от поля и вероятность ионизации. Поэтому формулу (3.14) можно получить теоретически, если предположить, что число актов излучательной рекомбинации пропорционально числу актов ионизации.

Простейшие рассуждения, которые приводят к выражению типа (3.14) , для вероятности ударной ионизации следующие.

Для того чтобы электроны могли приобрести в сильном поле энергию Е, достаточную для ионизации, необходимо, чтобы они про­

шли без рассеяния путь

1 = Е Ц е § )

(3.15)

 

 

— заряд электрона).

Вероятность того, что электрон пройдет без

рассеяния путь I,

экспоненциально убывает с ростом /:

 

 

 

® ~ ехр (—l/tо),

(3.16)

где U — средняя

длина

свободного

пробега. Подставив

выражение

(3.15) в (ЗЛА'

получим формулу,

аналогичную (3.14),

но с той

117