Файл: Красюк Н.П. Электродинамика и распространение радиоволн учеб. пособие.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 10.04.2024
Просмотров: 232
Скачиваний: 9
му для каждого уединенного проводника справедливо соотношение
(4.18)
где С — емкость уединенного проводника. Она характеризует спо собность проводника накапливать электрический заряд и численно равна заряду, при котором потенциал проводника относительно бес конечно удаленной точки равен единице. Очевидно, емкость в ко нечном счете определяется размерами и формой проводников и не зависит от q и U3.
В системе проводящих тел имеется взаимное влияние, которое заключается в том, что распределение заряда на каждом из провод
ников обусловлено |
|
всеми остальными проводниками. .Заряд /-го |
||||||||
проводника линейно связан с потенциалами всех проводников: |
||||||||||
Qi |
— |
С n {Uэі — U эХ)-\-С12{Uэ1 — U л )-\-. . . -\-Сп |
X |
|||||||
|
|
X |
(£Л»г — 0) + •••+ |
C ik (і/ы |
—- |
U 9k). |
|
|||
|
|
|
|
|
|
(4.19) |
||||
Коэффициент |
Сц |
называется собственной емкостью /-го провод |
||||||||
ника, а коэффициент С Х — взаимной емкостью. |
проводников в |
|||||||||
Необходимо отметить; что собственные |
емкости |
системе отличаются от емкости уединенных проводников. Подобно этому взаимные емкости отдельных пар проводников определяются не только этими, но и всеми остальными проводниками системы.
Чтобы найти емкость, необходимо воспользоваться равенством
Гаусса — Остроградского (2.6) и выражением (4.5) |
или |
(4.6). |
|
В результате получим соотношение, выражающее |
q |
через |
потен |
|
циал или разность потенциалов. Затем, подставляя в (4.18) вместо q указанное соотношение, находим емкость С. В некоторых случаях для этого приходится пользоваться методом зеркальных изобра жений.
В качестве примера определим емкость плоского и цилиндриче ского конденсаторов, а также емкость на единицу длины двухпро водной линии. При расчете емкости конденсатора будем предпола гать, что расстояние между обкладками конденсатора настолько мало по сравнению с их линейными размерами, что влиянием неод нородности поля на краях обкладок можно пренебречь.
Емкость плоского конденсатора
Если к обкладкам плоского конденсатора приложить напряже
ние (разность |
потенциалов) |
U 12 |
(рис. 4.6, |
а), |
то через некоторое |
|||
время на одной из обкладок конденсатора накопится заряд |
+ q , |
а |
||||||
на другой — |
q. |
вокруг одной |
из обкладок |
замкнутую поверхность |
||||
Построим |
так, чтобы одна ее часть была плоской и проходила внутри ди электрика параллельно обкладке конденсатора, а другая часть охватывала обкладку со всех остальных сторон. Так как напряжен ность поля Е перпендикулярна к обкладке и имеет место лишь в
84
t
промежутке между обкладками, то поток вектора смещения будет отличен от нуля только через первую (плоскую) часть поверхности на площади, равной площади обкладки:
(J)D dS= |
aE S k= q . |
J eaEdS = s |
|
S |
Sfo=ab |
Разность потенциалов будет равна
U №— Ed.
По (4.18) находим емкость
п |
Ч |
E S k |
С = |
—2— = & . |
і - = е |
|
U 12 |
|
|
|
Ed |
a |
S k |
(4,20) |
|
.d |
|||
я —- |
|
Емкость цилиндрического конденсатора
В этом случае напряженность поля Е направлена по радиусам, проведенным от оси цилиндров. Как и в плоском конденсаторе, часть замкнутой поверхности интегрирования в равенстве Гаусса — Остроградского, где Е=/=0, выберем совпадающей с эквипотенци альной поверхностью. Это будет цилиндрическая поверхность ра диуса г, проходящая между обкладками конденсатора (рис. 4.6, б). Тогда на этой части поверхности интегрирования вектор Е = const и нормален к поверхности. В остальных же частях замкнутой поверх ности (на рис. 4.6, б сечение замкнутой поверхности интегрирова ния показано пунктиром) Е = 0. Тогда согласно равенсту Гаусса — Остроградского
DdS: eaEdS = sa£2nr/~ ■ q или Е--
Jh ü r
85
По (4.6) находим разность потенциалов:
|
г |
|
|
|
Tt |
|
- |
|
|
U 12 = |
|
L U r |
|
q |
гV"J, |
-dr |
е32я / |
ту |
|
Гі1 рнг |
— |
еа2я/ |
г^ иг |
||||||
|
J |
|
|
\ |
|
— |
q Іи |
Л2 |
|
|
Г |
|
|
|
|
|
По (4.18) находим емкость
С = |
-Un |
пі г\ |
2лI |
(4.21; |
In г |
||||
3 - |
Іп-^ |
2 |
|
|
|
а2 |
|
Емкость двухпроводной линии на единицу длины
Для определения этой емкости найдем потенциал, создаваемый двухпроводной линией, предполагая радиусы проводов а одинако выми, а заряды равными по величине, но противоположными по знаку (+ q и —q, рис.
U3 = const
3> I
S)-.^777777777,
о7 |
jf ; |
I |
|
|
) |
|
|
|
|
|
Рис. |
4.7 |
Г1\ |
|
|
Е , |
Я |
тI |
|
|
еа2я/ |
еа2яI |
где т — линейная плотность заряда. Находим потенциалы:
Ѵ 'э = 1 dr —
*' 2jt£o
4.7, а )•
Принимаем L^>a. Это дает возможность пола гать, что заряды на по верхности проводов рас пределены равномерно, а следовательно, для опре деления потенциала мож но воспользоваться пре дыдущими результатами.
Тогда напряженность поля, создаваемого заря женным проводом 1 в точке Р, будет равна
1
Гі 2яЕд Гі
2яSc (ln rx— ln a),
(4.22)
U э |
? -— — • — |
|
d r = — — ( l n r 2 — I n a ) . |
|
а 2Я£а |
I |
2Я£я |
Потенциал суммарного поля
u9= u ’a+ u l= - ln rr
2яе
Т . r2 = |
X |
|
|
ln |
----- ln-ÜL |
(4.23) |
|
2я£а |
Гі |
||
2я е |
|
|
|
86
Пользуясь выражением (4.23), определим емкость двухпровод ной линии. Для этого вначале найдем потенциалы проводов в точ ках 1' и 2
U |
31 = |
% І П — И U s2- |
х |
, а |
|
2Яе |
2яе, |
ІП — |
Разность потенциалов между проводами
и 12= и э1- и э2 |
= |
2 |
х |
l n { ± V |
CL |
||
|
\ |
CL |
) |
||||
|
|
|
яе а |
|
|
Емкость на единицу длины двухпроводной линии
Т |
ЗТ |
(4,24) |
Un |
|
Чтобы определить емкость однопроводной линии, подвешенной параллельно поверхности Земли на расстоянии k^>a (рис. 4.7, б), найдем выражение для разности потенциалов между линией и по верхностью Земли.
Для решения этой задачи следует воспользоваться методом зер кальных изображений. Тогда потенциал поля однопроводной линии в верхнем полупространстве может быть определен по (4.23).
Потенциал провода
U |
ЭІ |
т j - 2аh] |
|
2 л е а |
Потенциал поверхности Земли
и * |
т In — = 0 . |
Разность потенциалов |
2Яе |
|
U a = U al- U 9i= - l ~ \ n - 2h
2іГ£д
Следовательно, емкость
С |
1(Г |
|
а |
2яей |
(4.25) |
||
X , 2 А |
іп- |
2 |
h |
|
|||
|
|
||||||
|
2 я е а |
|
|
|
|||
|
--------- I n --------- |
|
|
|
Если условие малости радиуса провода не выполняется, то ем кости Сі и Сю будут определяться выражениями [16]:
87
С учетом влияния поверхности Земли при сравнительно малом радиусе провода емкость двухпроводной линии (рис. 4.7, в) на 1 м длины находят по формуле
С 1 |
(4.26) |
V 4Л2+ I 2)
При 2h^>L выражение (4.26) переходит в формулу (4.24), вы веденную без учета влияния поверхности Земли.
§ 4.4. ЭНЕРГИ Я ЭЛ ЕК ТРОСТАТИ ЧЕСКОГО ПОЛЯ
Общее выражение для определения энергии электрического по ля было получено в главе 2:
WB= ± - ^ E D d V .
V
Преобразуем это выражение применительно к определению электростатического поля через заряды и емкость. Для этого, поль зуясь (4.2), выразим Е через потенциал. Тогда
^ 8 = _ " M D grad U J V . |
(4.27) |
Воспользуемся векторным тождеством
D grad £/3= d iv (7/3D) — £Â,div D.
Тогда
2 |
V |
U 3é iv D d V |
—■ |
J |
div (£/9D) |
d V . |
*) |
|
|
V |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
Заменяя в первом слагаемом div D на рэ, а во втором объемный интеграл на поверхностный, находим
Vj p ^ ^ - “ |
s^ s DdS- |
(4.28) |
Если заряд сосредоточен в ограниченной области Ѵо, то при уда лении поверхности 5 в бесконечность поверхностный интеграл исче зает, так как площадь этой поверхности растет, как г2, а произве дение (t/3D) уменьшается аналогично произведению для поля то чечного заряда, т. е. как 1/г3 [см. формулы (4.11) и (4.11а)]. Поэто му электростатическая энергия зарядов, находящихся в ограничен ной области Ѵо, будет равна
^ в= - М рsV J V - |
(4.29) |
Ѵо
88