В практических приложениях установившуюся скорость рас пространения сигнала обычно принимают равной групповой скоро сти игр, которая представляет собой скорость движения максимума сигнала, состоящего из группы гармонических волн, образующих весьма узкий частотный спектр:
Д(й (й,
где о — средняя круговая частота гармонических составляющих
сигнала.
При указанном условии фазовые скорости гармонических со ставляющих сигнала сравнительно мало отличаются одна от дру
гой.
Из физики известнр, что групповую скорость рассчитывают по формуле
da> |
(7.26) |
^rp |
В случае недисперсной среды [идеальный |
диэлектрик (уэ = 0), |
параметры которого р,а и еа не зависят от частоты] групповая и фа
зовая скорости совпадают |
У |
^ага— “ j : |
|
|
|
|
Ѵгр_____ 1_ |
|
|
|
|
= |
ѵф= ѵ . |
|
|
|
~ dß/doi |
|
|
|
|
|
|
|
|
в дру |
Выражение для групповой скорости можно представить |
гом виде, принимая dво внимание, что Ф |
а > = |
и |
dvß = - ^ - : |
|
|
|
(Р^ф) |
|
d |
|
|
|
|
. |
ф |
(7.27) |
гр- |
|
|
dv. |
|
|
|
X----- |
|
=«ф+Р- |
|
Р |
|
-'Ѵл, — |
V. |
|
1 І |
|
|
|
|
dl |
|
|
|
|
|
|
|
ф |
|
|
|
Из (7.27) следует, что если при увеличении длины волны фазо- |
|
|
|
dv |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
dlф |
|
|
и групповая скорость ока- |
вая скорость Оф возрастает, т о ------ > 0 |
зывается меньше фазовой.
Дисперсия, при которой групповая скорость меньше фазовой, называется нормальной (например, дисперсия в ионосфере за счет зависимости ее диэлектрической проницаемости от частоты элек тромагнитных колебаний).
На основании анализа формул (7.25) и (7.27) приходим к вы воду, что дисперсия, обусловленная проводимостью среды, будет аномальной.
Электромагнитная волна в проводнике. Явление поверхностного эффекта
При |
прохождении |
электромагнитной волны по |
проводнику |
|
коэффициент фазы равен коэффициенту затухания;. |
Волновое сопротивление среды |
характеризуется |
(7.28) |
аргументом |
— |
и модулем: |
|
|
|
|
|
Z c = |
—~ г = = ' \ / ' |
-^ [о л с ]. |
(7.29) |
|
V 2а2 г |
|
Вследствие больших тепловых потерь, характеризующихся величиной а, электромагнитное поле в проводнике быстро затухает. Это приводит к тому, что ток высокой частоты, проходя по провод нику, сосредоточивается главным образом у его поверхности. Указанное явление носит название поверхностного эффекта, или скин-эффекта.
Изучение поверхностного эффекта начнем с процесса распро странения электромагнитной волны в проводнике, проникшей из окружающего его диэлектрика.
Пусть проводник имеет плоскую границу и заполняет нижнее полупространство (рис. 7.6, а). Направление распространения элек тромагнитной волны в проводнике предполагаем нормальным к его поверхности, что, как увидим в § 7.6, соблюдается практически не только при нормальном падении электромагнитной волны из ди электрика на поверхность проводника, но и при широком диапазо
не наклонных углов падения. При этом условии векторы В и Н будут параллельны границе раздела сред.
Пусть у этой границы амплитуды векторов поля соответственно равны Е т и Н т. Тогда на расстоянии г от поверхности проводника комплексные векторы в соответствии с (7.20), (7.28) и (7.29) будут следующими:
Е = Е я,е _ “ге- -'“г и Н — Н т е ~ аге-■ Кяг+т )
где Н т = ^ ~ .
Распространение электромагнитной волны в проводнике сопро вождается тепловыми потерями электромагнитной энергии. Най дем мощность, теряемую в объеме прямоугольного параллелепипе да, основание которого (B C F G , рис. 7.6, а) лежит на поверхности проводника, а боковые грани простираются вниз до бесконечности.
Очевидно, эта мощность равна мощности, поступающей в провод ник из диэлектрика через основание параллелепипеда, и ее среднее за период значение может быть найдено путем умножения среднего значения вектора Пойнтинга П Ср у поверхности проводника на пло
щадь |
основания |
bd |
параллелепипеда. Принимая в |
(7.24) |
2 |
= 0, |
= — |
и беря Zc из (7.29), находим |
|
|
|
|
П ср |
2 У1 |
2 |
P &= K cvbd. |
|
(7.30) |
|
|
|
|
|
|
(7.31) |
Активное сопротивление, оказываемое параллелепипедом про хождению через него переменного тока с амплитудой Іт, равно
2Ря
Яа
Чтобы найти эт<^ сопротивление, выразим ток Іт через напря женность магнитного поля Н т. Для этого применим закон полного тока к контуру A D C B A . Стороны A B и C D перпендикулярны к век
тору Н, на стороне же A D , удаленной в бесконечность, Н =0 .
Поэтому
<J> Hdl = H mb = I m.
ABCDA
Активное сопротивление будет равно
n __ |
а |
|
__ |
|
1 |
d |
~ш/~ |
(7.32) |
2 |
/ |
|
V |
Н |
т2 Ь |
|
|
|
2 Ь |
|
ъ |
Для характеристики поверхностного эффекта вводится понятие толщины эквивалентного поверхностного слоя или эквивалентной глубины проникновения электромагнитной волны, под которой по нимается толщина проводника, отсчитанная от его поверхности, когда образованный таким путем слой проводника обладает сопро тивлением постоянному току, равным активному сопротивлению всего проводника при переменном токе. Найдем выражение для эквивалентной глубины проникновения А.
С этой целью напишем выражение для сопротивления постоян ному току проводника длиной d, шириной b и высотой А при удель ной проводимости уэ:
Сопротивления равны друг другу (R&= R) при условии
Д |
1 |
_аі _ _ |
X |
(7.34) |
ß 2зх |
м1Ча7э
2
В качестве примера приведем длину волны К = — и эквивалент
ную глубину проникновения электромагнитного поля для провод ника из меди (уэ = 5,7- \07 сим/м, р =1) при двух частотах:
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
/ — 50 |
гц, |
Х = 6 |
см, |
д я ; 1 |
см; |
|
/ — |
1 |
Мгц, |
Xя=0,04 |
см; |
0,0063 |
см. |
|
|
|
|
|
Следует отметить, что амплитуды векторов поля в проводнике на расстоянии от его поверхности, равном эквивалентной толщине поверхностью слоя, в е= 2,72 раза меньше, чем аналогичные вели чины у поверхности проводника:
1
рр — а ( 2+ Д )
Величина вектора Пойнтинга соответственно меньше в е2 раз. Подобным образом находят реактивную мощность Р і в объеме параллелепипеда по мнимой части комплексного вектора Пойн-
Тинга:
P t = bd п г = bd Y Im {ÈH).
Величину Pi можно трактовать так же, как амплитуду реактив
ной мощности. Так как для проводника <К — — и, следовательно, 4
cos i|)c = sin фс, то:
Im (£7/) — Re {ÈH) и P t = P a.
Реактивная мощность внутри проводника, как известно из курса «Основы теории цепей», связана с внутренним индуктивным сопро тивлением выражением
|
|
|
|
|
|
|
|
|
■Лвнутр---- |
Р і |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 ” • |
|
|
|
|
|
|
|
Учитывая, что Р ,= Р а, находим |
Р,- |
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
■ Увнутр---- |
|
|
|
|
|
|
При расчетах, связанных с поверхностным эффектом, пользуют |
ся понятием поверхностного сопротивления |
(активного и индуктив |
ного) [2, |
|
16, |
19], представляющего собой соответствующее погонное |
сопротивление (на единицу длины проводника |
d = |
1 ж), |
отнесенное |
к |
единице |
длины |
периметра поперечного |
сечения |
проводника |
(6 = 1 |
му |
рис. 7.6, |
а). |
и последним |
соотношением, |
находим |
|
Воспользовавшись (7.32) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R S= X S= |
|
|
|
|
|
|
(7.35) |
|
D R s — bRsx~ |
активное |
поверхностное |
сопротивление; |
R Si — |
гдеd |
|
|
|
|
|
|
X s — |
= —— погонное ' активное |
поверхностное |
сопротивление; |
|
|
, vr |
|
— |
|
|
|
|
|
|
|
|
vr |
|
|
2ГвНуТр |
= |
bX Sl |
|
_ |
индуктивное поверхностное сопротивление; лГ51 = |
|
------ — |
погонное индуктивное поверхностное сопротивление. |
|
|
d |
|
Комплексное поверхностное сопротивление |
|
|
|
|
|
|
Модуль |
|
z s = t f s + Ä = ( i + y ) j / " - g - / |
равны |
соответ |
|
I Z s ] |
= |
и аргумент |
|
|
ственно модулю (7.29) и аргументу волнового сопротивления про водника Z c. Следовательно,
(7.36)