Файл: Бокштейн Б.С. Термодинамика и кинетика диффузии в твердых телах.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 145

Скачиваний: 4

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Рассмотрим теперь последовательность трех скачков: б/х, б/2 и

бls. Возможны четыре случая: а) все три скачка параллельны: б) тре­ тий скачок антипараллелен двум первым; в) второй скачок антипараллелен, а третий параллелен первому и г) второй и третий скачки

антипараллельны первому.

 

В случаях (а) и (в) cos 02 =

1 (соответствующие вероятности Wi

и Wl),

 

а в случаях (б) и (г)

cos 02 = —1 и вероятности WiW2 и

W х.

Таким образом:

 

(cos 02)

=

(+ 1)(Г? +

1) 2 W iW2= ( W i - W 2)2= ( cosQi)\

Продолжая это рассмотрение, можно показать, что вообще

(cos©*) =

(cos0i ) \

(255)

если вектор бlt имеет ось симметрии не менее чем второго порядка. В соответствии с выражением (255) можно написать вместо (254)

/ = 1 + 2(cos0i) + 2(cos0i>4--------h 2 (cos 0i)fe,

т. e. получить бесконечную геометрическую прогрессию, знаменатель которой cos 0Х<С 1. Сумма прогрессии

f = д+ <cos9i>

(256)

'1 — (cos Gj)

Результат (256) справедлив для любой изотропной системы и ва-

кансионного механизма диффузии [125].

Для других механизмов диффузии схема вывода и его физическое содержание остаются теми же, но результаты меняются. Для анизо­ тропного кристалла возникает несколько различных факторов корре­

ляции.

Во всех случаях расчет/сводится к расчету < cos 0Х>или анало­ гичным для решеток и механизмов разного типа. Были предложены три основных метода таких расчетов:

1. Метод диффузии вероятности [3]. В этом методе строят диа­ грамму возможных положений атома в кристалле. С ее помощью можно в принципе проследить за дефектом, совершающим любое число скачков, но достижение высокой точности связано со сложными чис­ ленными расчетами.

2. Матричный метод [125] аналогичен по смыслу методу диффу­ зии вероятности. Использование матрицы вероятности вместо непо­ средственного прослеживания пути атома сильно упрощает расчеты особенно при учете симметрии кристалла. Расчет сводится к решению задачи на собственные значения матрицы методами матричной ал­

гебры.

3. Метод электрических аналогов [123]. В этом методе решетка кристалла моделируется электрической цепью, а поток дефектов (ва­ кансий, межузельных атомов) аналогичен электрическому току в этой цепи. Благодаря свойствам симметрии цепи оказываются достаточно простыми. Тогда для них можно написать систему уравнений Кирх­

138


гофа и решить их. Однако наиболее эффективен этот метод, если усло­ вий симметрии нет. Тогда цепь собирают и параметры определяют экспериментально. В практическом отношении этот способ удобнее всех остальных.

Для самодиффузии в кубических кристалла / — геометрическая константа, зависящая только от механизма диффузии и структуры кристалла и не зависящая от температуры. Некоторые результаты расчетов [123] приведены в табл. 21.

 

 

 

Т а б л и ц а 21

Факторы корреляции для самодиффузии

 

 

Механизм диффузии

Структура кристалла

 

f

Вакансионный

Кубическая (типа алмаза)

 

0,50000

 

Простая кубическая

 

0,65311

 

О. ц. к.

 

0,72722

 

Г. ц. к.

/

0,78146

 

Гексагональная (все частоты

0,78121 (1с)

Вытеснения:

перескоков одинаковы)

\

0,78146 ( || с)

AgCl (г. ц. к.)

 

0,6667

коллинеарный

 

неколлинеарный

То же

 

0,9697

коллинеарный

CsCl (о. ц. к., межузельные по-

J

?

неколлинеарный

ложения — в центре граней)

1

1

Для самодиффузии в большинстве некубических кристаллов и по бивакансиям во всех структурах выражения (255) и (256) неверны. При расчете / вводят скачки разных типов, так что для диффузии в направлении х:

 

 

П

СО

 

fx =

1 -f- 2

са

{XrxXa , i)lxa,i

(257)

 

 

a = l

i= 1

 

где

ca — доля

скачков типа

a;

xa — проекция смещения при скачке ос-типа на ось х; х„, (. — то же при г'-том скачке после скачка а-типа.

Если все скачки эквивалентны, то формула (257) переходит в (254). Таким образом, были рассчитаны факторы корреляции для вакансионной диффузии в простых тетрагональных, о. ц. к. тетрагональ­ ных и гексагональных решетках, а также для диффузии меченых ато­

мов по бивакансиям и пар вакансия — примесный атом.

В некубических кристаллах f перестает быть чисто геометриче­ ским фактором и зависит не только от направления в решетке, но также от соотношения частот скачков по разным направлениям (на­ пример, в гексагональной решетке — в плоскости базиса и под углом к ней).

139



Эффект корреляции для примесных атомоб

Физически ясно, что при большой энергии связи между вакансией и атомом примеси частота, с которой они обмениваются местами между собой,сильновозрастает, а среднеквадратичное смещение атома сильно уменьшается по сравнению с рассчитанным в модели случайных блуж­ даний. Этот результат формально эквивалентен малым значениям фактора корреляции для примесного атома: / 2 1- При детальном рассмотрении необходимо выразить фактор корреляции через раз-

Рис. 44. Виды скач­

ков вакансии

в рас­

творе

с ,г. д.

к. ре­

шеткой

(изображена

плоскость решетки):

1 — вакансия;

2

атом

растворителя;

3 — атом примеси

□ 7 о 2 • 3

личные частоты скачков атомов, окружающих вакансию. Если счи­ тать раствор разбавленным, а силы — короткодействующими (учи­ тывается взаимодействие только с соседями в ближайшей координа­ ционной сфере), то в г. ц. к. решетке следует ввести пять различных частот (рис. 44) обмена вакансии: со0 — с атомом растворителя, не

являющимся ближайшим соседом атома примеси,

с атомом рас­

творителя — соседом атома примеси (вакансия

была

до скачка и

остается после соседом атома примеси); со2 — с атомом примеси (по­ ворот пары на угол я); со3 —- с атомом растворителя (в результате обмена вакансия уходит от атома примеси, диссоциативный скачок); (о4 — с атомом растворителя (вакансия становится соседом атома при­

меси, ассоциативный скачок).

Без учета со4 фактор корреляции в этой модели впервые рассчи­

тали в работе

[125]. Было показано, что

,

,

7

“з

'

“ i + w2+

у

 

В частном случае сильной связи (все вакансии находятся около атомов примеси, ю3 = 0)

(259)

140


В металлах это бывает редко; наоборот, для диффузии двухвалентных катионов в щелочно-галлоидных солях такая ситуация типична, осо­ бенно при низких температурах, когда между вакансией и катионом

существует сильная связь.

Коэффициент диффузии примеси можно записать в виде формулы

(253) D 2 = -^-f2r 2A2. Здесь частота перескоков атома (Г2) пред­

ставляет

произведение частоты со2 (обмен вакансии с атомом примеси)

на долю

атомов примеси по

соседству с вакансией (Nvp

р):

Г 2 = со jp.

_

(260)

В г. ц. к. кристаллах А =

а/У 2, так что

 

 

Рассмотрим предельные случаи.

 

 

а)

со2 >

(©! + y

©з) — вакансия значительно

чаще обмени­

вается с атомами примеси, чем с атомами растворителя. Это случай

сильной

корреляции,

фактор корреляции минимален,

в пределе

 

0:

 

 

 

 

D,

12

COi +

(О,

 

(262)

Коэффициент диффузии примеси определяется частотой обменов меж­ ду вакансией и атомом растворителя и не зависит от частоты обмена вакансии с атомом примеси:

б)

со2 <

>1 +

со3) — случай

слабой

корреляции; в пределе

f 2->

1:

 

 

 

 

 

 

 

 

а2

 

 

 

 

 

 

(263)

D, = р -12

 

 

 

 

 

 

 

Это можно

написать в модели случайных

блужданий: коэффициент

диффузии определяется

частотой скачков

примесного атома;^

в)

случай самодиффузии. Роль примеси

играет меченый атом:

(о1 =

ю2 =

(о3 =

со0;

р = р 0 = \2NV, где

Nv — атомная доля ва­

кансий (Z =

12 — координационное число г. ц. к. решетки):

D* =

12NV

со0 =

fa2N0со0.

 

 

(264)

Таким образом, f =

~

= 0,8181.

Для

самодиффузии в г. ц. к.

решетке (см. табл. 21) /

должно быть 0,7815. Расхождение — след­

ствие того, что в формуле (258) не учтены скачки о>4 — ассоциативного типа. Маннинг [115] включил со4 и получил вместо (258):

h =

®! + ~2F<°3

(265)

 

Mi + м2 + ~ F a 3

 

 

 

141