Файл: Туровский Я. Техническая электродинамика.pdf

ноля на его поверхности H s w m или пропорциональным

ей

магнитным

потоком

Ф-алт,

сосредоточенным вблизи

по­

верхности массивной

плиты.

Ввиду

отсутствия

вихревых токов в экране

напря­

женность магнитного

поля

внутри шихтованного

экрана

его поверхности ( H s m = H e =

H s w m

= F i m ) .

Учитывая это и

(4-6), можно сделать следующие выводы:

1.

Если н. с. Fim, действующая

вдоль

исследуемого

элемента, постоянна, то потери

в

массивном

стальном

элементе останутся после -экранирования

такими

же, ка­

кими они были перед экранированием. Экран

в

таком

случае не дает никакого эффекта,

кроме

увеличения

результирующего потока Ф 1

т (рис. 4-4).

2.

Если результирующий

поток

Ф 1 т а в

рассматривае­

как и до него, то потери

мощности

в результате

экрани­

рования уменьшатся

в отношении,

выраженном

коэффи­

циентом магнитного

экранирования:

2

Re

ф.

Re -f-

Rw

_

I

(4-11)

р м = ; 2/j(]/2 + cdf + сЧ%

(4-11а)

форматорной

стали шириной d, расположенных ребром

к массивной

стене.

Для

технических

целей достаточно предположить,

что ц, и

у постоянны.

Полагая, что средние значения

— 1 ООО • 4п • Ю - 7

Г/м;

проницаемость

внутреннего

мас­

сивного

пространства

|.iw =400 • 4тт, • Ю - 7

Г/м; частота

по­

ля / = 50 Гц, получаем согласно (4-10а)

с=

1 000-4*• 10-'1/2*-50-8.108 /(400-4*- Ю)~7

=

= 2,82 - ЮЧ/м .

На

рис. 4-5

приведен

график коэффициента рм для

постоянной

с = 2,82-Ю3

1/м. Заметим,

что если

экраны

выполнены

из

трансфор-

маторнои стали

толщиной

const

0,35 мм, то для одного

0,5

листа

безразмерный

ко­

эффициент

cd

будет

ра­

вен

cd = 2,82 • 103 - 0,35 X

Х Ю ~ 3

~ 1 ,

а для

п

ли­

0,3

стов — числу

листов

в

экране

(cd=n).

При

та­

ком допущении

(4-11а)

приобретает вид:

р м

=

2/[(1/2+

cd

+

//)2 +

//2 ]

~

1//?Л

E

<• 6 8 10 IB П 16 IS 20

(4-116)

Число

листов(0,35мм)

Формулы (4-11) сле­

Рис. 4-5. Коэффициент идеального

дует

рассматривать

как

магнитного экранирования.

соответствующие

идеаль­

Уменьшение

потерь в массивной

стальной плите в зависимости от

ному экранированию,

ког­

числа

листов

трансформаторной

да

магнитный

поток

па­

стали толщиной 0,35 мм в про­

раллелен

поверхности

дольном экране.

экранирования.

В

реаль­

ных

конструкциях

поток

1. Проницаемый

экран

при

одностороннем

падении

волны

Этот вопрос

решим

с помощью волнового

метода

расчета

электромагнитных

процессов в

металлах

с комплексным волновым

сопротивлением

материала

(2-90) Z2 , окруженный с обеих сторон двумя

различными

средами

с комплексными

волновыми сопротивлениями

Zi и Z 3

(рис. 4-6). Положим, что на экран

падает с од­

Эта волна, встречая на своем пути поверхность

среды

с иным волновым сопротивлением, отражается

от нее

лексными

коэффициентами

отражения

(рис. 4-6):

от

поверхности 2: M2 =

Hmo^2/HmDaA2=:

=

-^тотрг/^тиадг =

=

(^а

Z3 )/(Z2

-f- Z3 );

(4-12)

от

поверхности /: М1 =

Я т о т р , / Я т п а Д 1 =

= =

^moTPi/^mnafli =

=

(Z2

Zl)j(Z3

-*}- Zj),

j

векторов,

а

только

мо­

гут

изменять

их

знак,

поэтому

вместо

соот­

ветствующих

векторов

Е т

и Н т

можем

рас­

сматривать

только

их

векторные

модули.

На рис. 4-6

показа­

ны

схематически

оги­

бающие

амплитуды

магнитной

составляю­

щей

волны,

проникаю­

щей

в

экран

сквозь

плоскость

г = 0,

а

так­

же

ее

отражений

от

граничных

поверхно­

стей. Здесь

Hmsi озна­

чает

максимальное

значение

(во

времени)

напряженности

маг­

нитного

поля,

прони-

Р и с - 4 '6 - ?тражения

магнитной

со-

'

г

ставляющеи электромагнитной

вол-

кающего

сквозь

эту

Н Ы ) проникающей в

экран с одной

поверхность

в

точке

стороны.