Файл: Туровский Я. Техническая электродинамика.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 276

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

4-9. ЭКРАНИРОВАНИЕ ШИН И ПРОВОДНИКОВ

Экранирование шин и проводников осуществляется с целью ослабления внешнего поля в непосредственной близости шины; получения радиального поля и умень­ шения, таким образом, электродинамических усилий, действующих на проводник; уменьшения электрических напряжений; повышения безопасности установки (защи­ та от переброски дуги и возникновения многофазного короткого замыкания), повышения безопасности персо­ нала (заземление кожухов шин); защиты внешнего про­ странства от действия сильных полей токов; модельных исследований и т. п.

Магнитное экранирование проводников, хотя и воз­ можно, не нашло широкого применения в области пере­

менных

токов. Более полезным

оказалось электромаг­

нитное

экранирование.

 

 

 

1. Цилиндрический

экран

уединенного

проводника

Э л е к т р о м а г н

и т н о е

п о л е .

Рассмотрим электро­

магнитное поле и потери мощности в проводящем ци­ линдрическом экране, охватывающем уединенный про­

водник с переменным током

 

 

 

(рис. 4-23). Положим при

 

 

 

этом, что второй провод на­

 

 

 

ходится

на

таком

 

расстоя­

 

 

 

нии,

что

его

поле

не оказы­

 

 

 

вает

никакого

влияния

на

 

 

 

явления, происходящие

 

в ис­

 

 

 

следуемом

экране.

 

Такая

 

 

 

простая

пространственная

 

 

 

система

является

 

хорошей

 

 

 

моделью

для

основных

ис­

 

 

 

следований

вихревых

токов

 

 

 

в массивном

теле

[Л.

4-18].

 

 

 

Расчеты проведем

в систе­

Рис. 4-23. Схема распределения

ме цилиндрических

коорди­

нат

(рис. 2-4),

ось г

которой

вихревых

токов i B H i p

в экране

уединенного проводника, наве­

совпадает с

осью

проводни­

денных

собственным

магнит­

ка и имеет направление, сов­

ным ПОТОКОМ Фсобств

шины.

падающее

с

направлением

 

 

 

тока в рассматриваемый момент времени. В такой си­

стеме

электромагнитное

поле

проводника согласно

рис.

4-23 имеет внутри

стенки

экрана исключительно

215


осевую составляющую напряженности электрического поля EZ = E, направленную вдоль линий вихревых токов. В это же время магнитное поле имеет только касатель­ ную составляющую к окружности, охватывающей про­ водник H6 s=H, поверхностное значение которой благо­

даря осевой симметрии

системы можно

рассчитывать

на основании закона полного тока

 

Я о т =

К 2 / / ( а д о ) .

(4-80)

Уравнения Максвелла (2-1) и (2-2), записанные для проводящей среды (dD/dt-\- pv — 0), при постоянной про­ ницаемости ([А = const) и монохроматической волне (2-44)

Бт = Ёте1ю1 и Я т о = Я т е ; ш '

приобретают вид:

 

 

г о т . Н т о = : у Е т ;

 

1

(4 81)

 

rot Ёт=

— /а>и,Нт .)

 

Учитывая

условие divE = 0 с

помощью простых

пре­

образований,

приведенных

в

§

2-6,

получаем:

 

 

V 2 E m

=

a2 Em ,

(4-82)

где

 

 

 

 

 

 

а =

]//шц,у = (1 -\-j)k

и k=

]/(0[л.у/2.

 

Так как оба вектора Е т и Н т имеют только по одной составляющей и взаимно перпендикулярны, в дальней­ шем можно ограничиться исследованием их векторных модулей Ет и Нт, а также скалярного уравнения

Применяя теперь

подстановку

(2-58)

 

 

 

р = г]Л— a3 = ja,r =

xjYT,

где

х =

г"[Лоо^у,

т.

е.

 

 

 

 

 

.

тс

 

P = Hl+j)rVaw/2=-(l-j)rk

 

 

=

- x e —/ \

(4-84)

получаем уравнение типа (2-60):

 

 

 

 

dp* ^

р

др

1

 

 

 

 

решение которого может иметь вид (2-60а) с комплекс­ ным аргументом xj ] / " / .

Решение уравнения Бесселя с комплексным аргумен­ том xj Yi можно выразить с помощью функций Томсона

216


(Кельвина) первого, второго и третьего рода, для кото­ рых существуют таблицы [Л. 4-4] в виде

 

ber х -f-/ bei х =

I 0 (xj У] );

 

 

kerjt +

/keiA:==Ko(*V7);

( 4 " 8 5 )

 

h e r x - f - / h e i x =

Hj 1 ' (X/]//),'

 

причем

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

2

 

herjc = — k e i x и h e i x = — — kerx.

(4-86)

Так как аргумент

(4-84) содержится только в

первом

и третьем уравнениях

(4-85), выгоднее будет пользовать­

ся второй формой

решения

(2-60а),

содержащей

функ­

ции Ганкеля:

 

 

 

 

 

 

Ёт

(р) = 6\Н<1

> (р) +

С2 Н<2 ) (р).

(4-87)

При

бесконечных

значениях комплексного аргумента

функции

Ганкеля приобретают нулевые значения, а имен­

но: НМ=0, когда мнимая часть аргумента положитель­ на, и Н(2>=0, когда она отрицательна [Л. 2-3]. В обрат­ ном случае обе функции возрастают до бесконечности.

Так как увеличение магнитного

поля

до бесконечности

невозможно, функция Н 0 ( 2 ) в

 

(4-87)

должна

исчезнуть,

т. е. постоянная С 2 = 0 , откуда

 

 

 

 

 

Ёт (р) = С.Н*0 (xj У\) =

С1

(her х - f / hei х).

(4-88)

После подстановки (4-86)

в

(4-88)

имеем:

 

 

£ „ = = ^ i ( k e i j c

/ker*) .

 

(4-89)

Из (4-89) и (4-81) получим:

 

 

 

 

 

# m = _ -L JEjn _ _ • l / T

2 С ^ ( k e i / х

_ j k e r '

л).

(4-90)

На внутренней поверхности экрана x = x0~—Roy~w\>.4 , следовательно,

Я о т -

- /

Щг < k e i ' x o - / ker' x„),

откуда

 

 

 

2 Ci

_ ;

Нот

.

я

 

r Y kei' x, — / ker'

x e '

217


В результате подстановки 2СУя в (4-89) и (4-90) имеем:

Ет=iY~' Y

а также

Нт — Н ° m

ker х + j kei х ° m ker' x 0 + /kei ' x0

ker' x + / kei'x ker' x0 + / kei' x0 '

Волновое сопротивление материала экрана

Я„

Y ker' x + / kei' x

(4-91)

(4-92)

(4-93)

Зависимость функций Томсона ker x

и kei x

и их про­

изводных

от х показана

на рис. 4-24 :[Л. 4-4]. Из рис. 4-24

следует,

что амплитуды

напряженности

 

электрического

Ет

и магнитного Нт

полей

очень быстро

убывают

с ро­

 

 

 

 

 

стом

расстоянии

от оси

 

 

 

 

 

проводника

и

несколько

 

 

 

 

 

медленнее

с увеличением

 

 

 

 

 

частоты,

проницаемости и

 

 

 

 

 

удельной

 

проводимости.

 

 

 

 

 

По мере удаления от оси

 

 

 

 

 

проводника

изменяется

 

 

 

 

 

фаза

векторов

Е т

и Н т .

 

 

 

 

 

Увеличение

поля

к

беско­

 

 

 

 

 

нечности

при

г—>-0 (и

 

 

 

 

 

Ro>-0) является вполне

 

 

 

 

 

обоснованным,

 

 

если

 

 

 

 

 

учесть безразмерную нить

 

 

 

 

 

тока.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чтобы

ориентировать­

 

 

 

 

 

ся в

значениях

 

аргумен-

 

 

 

 

 

ся х, положим для стали

 

 

 

 

 

ц,= (500-н1 ООО) -0,4

• я Х

 

 

 

 

 

Х Ю - 6 Г/м; уот = 7-106 Г/м

 

 

 

 

 

(при 20 °С), а для алюми­

Рис. 4-24. Графики функций Том­

ния

Y A I = 3 5 - 1 0 6

 

Г/М, / =

сона

и их производных [Л. 4-4].

= 50 Гц. Тогда получим:

для

стали

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

х[г = У™Я =

11,9-5- 16,7

1/см;

 

 

 

(4-94)

для

алюминия

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

x / r ^ Y ^ l

=

1.2

1/см,

 

 

 

 

 

 

218


При частоте моделирования 100 Гц числа эти состав­ ляют соответственно 17—24 1/см и 1,7 1/см. Как показа* ли простые проверочные расчеты, далее при значениях л;= 1 можно приближенно (с точностью до нескольких процентов) пользоваться асимптотическими формулами, полученными для х>100 . При увеличении х свыше 1 ошибка эта быстро уменьшается. Так как на практике обычно х^>\ (г^>1 см), ошибка пренебрежимо мала.

Следовательно, можно написать:

ker А"

 

 

-/У2

sin

 

У

 

 

 

V2

 

 

 

 

 

 

I

1

.

/

X

п

 

 

+ E T s

r a

 

 

[Tf~-

 

 

 

 

 

 

 

— sin \ / 2

 

,

1

 

(

Зге

ker' A

 

 

 

x/VT

 

 

 

 

 

 

sin

V2

 

 

 

 

 

 

 

 

.

3

.

/

x

, 5TC

 

+8 * - S m ( W + i r

kei'

A :

- x / ^ 2

sin

 

 

4 K T

 

 

8x -sin

/ 2

 

Из (4-95) —(4-98) после нескольких получаем:

1 +

(4-95)

(4-96)

3n

(4-97)

+

(4-98)

преобразований

1

I

•<

l

у

/

~

(i

+ O xiV"2

/я/а

v

ker А +

/ Kei х~

 

 

£ Г

 

 

 

 

 

 

 

X

 

 

 

8 / 2 х

 

 

(4-99)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

kerx — / kei А :

 

 

 

 

- ( 1 - / )

 

1

- 1 + /

. / т с

 

 

 

U —

/и/

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8 ^ 2 х

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(4-100)

219