Файл: Физика магнитных диэлектриков..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 11.04.2024

Просмотров: 270

Скачиваний: 3

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Ф (р, Т, rj), как легко убедиться, вообще не имеет второго минимума (при т^О), если В2 <С 4/1С. Если В2 О 4/1С, то второй минимум возникает при

В + у/ в -і — 4/16'

(2. 255)

 

Однако при этом сначала, пока

 

16

(2.256)

— ЛС>52>4ДС,

минимум Ф (т)2) лежит выше минимума Ф (0) (рис. 2.5, верхняя кривая), так что состояние с т)= tj2 метастабиль­ ное, а равновесное состояние по-прежнему соответствует парамагнитной фазе (-/)=0). И наконец, при

А = ВЦР, Г ) - 4 р /1 ( Д , Т)С{р, Т) — 0

(2.257)

оба минимума выравниваются (рис. 2.5, средняя кривая), так что затем происходит переход в упорядоченную фазу (рис. 2.5, нижняя кривая), а парамагнитная фаза стано­ вится метастабильной. Итак,

Л (/;,

Т) < 0 — парамагнитная

фаза,

 

Л (р,

jP )> 0 — упорядоченная

фаза,

 

А (р,

Г(.) •-= 0 — точка

Гс (р) (фазового перехода I рода)

(-■ 2oS)

 

4

магнитного упорядочения.

 

Поскольку

всегда парамагнитная

фаза — высокотем­

пературная, то

 

 

 

 

 

РД\

/

дВ 16

дЛ 16

 

(2. 259)

РТ~)С= \

д Т ~ 3 С дТ ~ 3 А

 

 

 

Индекс С означает, что величина берется в точке пере­

хода (при Т = Т С)-

 

__

^

В самой точке перехода

(из (2.255)

и (2.257))

 

 

 

і 2с = ч2( Г с ) = т ( т ) с -

 

<2-260)

Теплота перехода из упорядоченного в парамагнитное состояние

Г/г)Ф\»

/г)фуп

(2. 261)

А? = Гс (S" - S*)c =

Г с I ( Д

- ( ^ ) J c .

143


(Лг)п и (Х)л — значения величины X в парамагнитной и магтштоупорядочешгой фазах, S — энтропия. При вычислении

производной

можно не учитывать

зависимость пара­

метра упорядочения от температуры, так

как

 

 

/ <?Ф\ _ [дФ\

( дФ\

 

ді)

/ дФ\

 

 

\ W ) P= \ d r ) Pin + [1^ )рі т~дТ ~ \ІТ )Р'П>

 

ибо дФ/dt] — 0

в силу условия

равновесия. После

этого

легко получить,

учитывая

(2. 257),

(2. 260)

и (2. 259),

 

Как it следовало

ожидать, при

переходе в парамагнит­

ное состояние энтропия растет, так что Д(7)>0.*

 

Выше было

показано,

что

условие

 

отрицательности

члена

четвертого порядка

является необходимым

усло­

вием

осуществления

фазового

перехода

первого

рода.

В связи с этим укажем на те физические условия, которые способствуют*' убыванию коэффициента четвертого по­ рядка.

Допустим, что чисто магнитная часть термодинамиче­ ского потенциала имеет вид (2. 166) с Ь > 0 (к а к , например, в теории молекулярного поля).

Однако магнитная спстема существует в кристалле не сама по себе, опа связана с прочими характеристиками физического состояния кристалла. Например, из-за за­ висимости обменного интеграла от расстояния между ионами возпикает объемная магиитострикция — изме­ нение объема кристаллической ячейки при возникновении намагниченности.** Пусть например, в отсутствие магнит­

* Положительность AQ связана с тем, что (дА/дТ)с < 0, т. е.

с тем, что упорядоченная фаза (т^О) реализуется при более низких температурах, чем неупорядоченная. Если бы существовал переход, в котором, наоборот, упорядоченная фаза соответствовала более высоким температурам, то при таком переходе выделялось бы тепло при переходе в неупорядоченное состояние (существующее при бо­ лее низких температурах). Т. е. тепло выделяется всегда при пере­ ходе в низкотемпературную (и поглощается при переходе в высо­ котемпературную) фазу, что соответствует увеличению энтропии

сростом температуры.

**Кроме того, из-за зависимости анизотропных магнитных взаимодействий от симметрии решеткп меняется и симметрия пос­ ледней при магнитном упорядочении,' т. е. возникает эффект Я н а - Теллера [26]).

144


ного упорядочения объем кристалла есть F0. Это означает, что термодинамический потенциал «упругой системы» Фу

имеет при F = F 0 минимум, и потому, если рассматривать его как функцию от относительного изменения объема (SF/F„), то фу должен иметь вид

Фу (х) = | к 2 ( І = ^ і ) , X > 0.

(2.263)

Поэтому полный термодинамический потенциал маг­ нитной и упругой системы есть

Ф = у \ х - + у ат,2 + J - Ц 4 + ■■•

(2. 264)

В силу указанной зависимости обменного взаимодей­ ствия от расстояния между ионами коэффициенты а и b в (2. 264) должны зависеть от объема кристалла, т. е. от X, а коэффициент X— от if. При этом в наипизшем приближении можно ограничиться разложением одного лишь

коэффициента а по х,

а коэффициент Ъ взять при х —0 и

X— при р=0, т. е. положить

 

так что

а =

а о — 2 а х ,

(2.265)

1

1

 

1

(2. 266)

Ф = у Х.т2 + у

а ц 2 а х і ] 2 -j- у Ьт)4.

Минимизируя полученное выражение термодинамиче­ ского потенциала по х, определим выражение для отно­ сительного изменения объема при намагничении кристалла

а

(2. 267)

Используя равновесное значение х (2. 267), получим из выражения (2. 266) зависимость термодинамического потенциала от параметров магнитной системы

1

1 I

а2 \

(2.26S)

< J = y a r i2 +

y ( ö . - - r J f + . . .

Т. е. из-за магнитострикции при возникновении на-

магнпченности происходит уменьшение (ДФ =

----а '

термодинамического потенциала, пропорциональное if. Таким образом, магнитострикционные эффекты способ-

10 Физика магнитных диэлектриков

145


ствуют уменьшению коэффициента при tf, т. е. созданию условий для перехода первого рода.

Хотя здесь рассматривался магпитострикционпый ме­ ханизм, однако совершенно ясно, что выражение типа (2. 266) должно иметь место и для взаимодействия на­ магниченности с другими подсистемами, например, с «не­ магнитными» электронами кристалла. В таком случае параметр х характеризовал бы перестройку состояния этой второй системы при магнитном упорядочении.*

В заключение отметим еще условия, при которых фазо­ вый переход первого рода будет близким к переходу вто­ рого рода. Для этого нужно, очевидно, чтобы значение параметра упорядочения в точке перехода rjc (2. 260) было мало.** Так как т] безразмерно, то это условие сво­ дится к тому, что

Тогда из формулы (2. 257), определяющей точку фазово­ го перехода, следует

(2. 270)

Таким образом, согласно (2.269), переход будет близ­ ким к переходу второго рода либо если аномально велик коэффициент (С) при if, либо, если аномально мал коэф­ фициент (В) при if. Но, как следует из (2. 270), в обоих этих случаях переход будет происходить близко от «точки Кюри» Т0, в которой А (7’о)=0, причем в точке перехода

^ ( Т с) < в (тс ) < с (тс).

' (2- 271)

§ 5. МАГНИТНАЯ СИММЕТРИЯ

То обстоятельство, что в различных точках ячейки кристалла существуют отличные от нуля спиновые моменты, можно выразить, приняв, что в кристалле суще­

*Параметр х может быть и многокомпонентным или даже непрерывным, как например, в случае, если он характеризует изменение функции распределения зонных электронов. При этом Ф будет уже функционалом от такого неперывногопараметра.

**Строго говоря, только для таких переходов и можно пользо­ ваться термодинамическим потенциалом вида (2. 253), в котором отброшены члены более высокого порядка по тр

146

ствует плотность тока (микроскопическая!) j (ѵ), с которой связана локальная микроскопическая плотность магнит­

ного момента

(г)= I j (г) г]. Для ферромагнитных

(или слабоферримагшггиых) тел интеграл j ji(v) d3r, взятый

до элементарной ячейке (и по объему всего кристалла), отличен от пуля, так что в кристалле существует макро­ скопический спонтанный магнитный момент. Для (антиферромагпитных тел макроскопический спонтанный маг­

нитный момент отсутствует, т. е. интеграл J р, (г) d3?- обра­

щается в нуль при интегрировании по одной либо по не­ скольким ячейкам (для спиральных антиферромагиитных структур — по объему всего кристалла).* Магнитное упорядочение в кристаллах приводит к новому типу сим­ метрии этих кристаллов — так называемой магнитной симметрии.

Как уже отмечалось, все уравнения движения меха­ ники остаются инвариантными при изменении знака вре­ мени (замене t на —I). Обозначим эту операцию символом R. Очевидно, так как токи пропорциональны скоростям элек­ тронов, действие операции R на микроскопическую плот­ ность момента сводится к изменению его знака /Дт (г) = = —[л (г). Поскольку в предыдущих разделах роль этих моментов играли спины ионов, то можно сказать, что R является операцией изменения знака спинов

7?S(=

—Sj.

(2.272)

Приналичиимагнитного

поля уравнения

движения

инвариантны лишь, если одновременно с заменой t на

—t меняется на обратное и магнитное поле

(II -*■ —Н).

Поэтому можно сказать, что операция R изменяет также

знак магнитного поля:

(2.273)

УШ = —И.

Чтобывыяснитьсвойства симметриикристалла, рас­ смотрим ситуацию без внешнего магнитного поля. Сна­ чала остановимся на парамагнитной фазе. В этой фазе все S4.=0, так что операция R не меняет состояния кри-

* При этом макроскопический ток отсутствует, так что для иеех магнитных структур j j(r)d 3r = 0 (Q — объем кристалличе-

2

свой ячейки).

10* 147


сталла. Поэтому в парамагнитной фазе элементами сим­ метрии кристалла являются все элементы симметрии G его кристаллической решетки, а также элемент R (и, конечно, все произведения G,./?).* И наоборот, если среди

элементов симметрии кристалла есть элемент R, кристалл парамагнитный, так как

S,. = 7?S,. = —S т. е. S,. = 0.

Таким образом, в магиитоупорядочениом состоянии операция R не.может являться операцией симметрии кристалла.

Группы симметрии, в число элементов которых не вхо­

дит операция R, называются группами магнитной сим­ метрии.

В соответствии со сказанным выше симметрия магпитоупорядочеиных кристаллов описывается одной из магнит­

ных групп симметрии, и операция R не является элемен­ том симметрии таких кристаллов. Хотя среди элементов

группы магиитиой симметрии не может быть элемента Я самого по себе, но могут быть элементы вида AjR (Aj

один из «пространственных» элементов симметрии, т. е. вращение, трансляция, отражение и т. д.). Таким обра­ зом, каждая из магнитных групп симметрии состоит из некоторой совокупности «пространственных» элементов

А г, А 2,

. . ., А к и совокупности элементов

А'М, . . .).

Полный

перечень всех возможных групп

магнитной

симметрии и принципов их построения можно найти, на­ пример, в работах [27, 28]. Среди этих групп есть, в част­ ности, группы, не содержащие вообще элементов типа

т. е. чисто «пространственные группы» G.**

Прежде чем обсуждать следствия из того, что группа симметрии магнитных кристаллов есть магнитная группа симметрии, отметим следующее обстоятельство. Выше

говорилось, что операция R эквивалентна операции обра-

* Т. е. группа симметрии кристалла есть прямое произведение группы G симметрии решетки па группу, состоящую из единичного

элемента Е и элемента Н (І\г=Е).

** Подчеркнем, однако, что это именно магнитные группы сим­ метрии, ибо в парамагнитной фазе группа симметрии кристалла есть прямое произведение группы G на группу, состоящую из единичного

элемента и элемента Й.

148