Файл: Слабкий Л.И. Методы и приборы предельных измерений в экспериментальной физике.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 11.04.2024

Просмотров: 102

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

ті 2

r / 2 , r / 2

k T

Q o ^ g R g

(2.124)

и г

= £/* + ^др = — +

~4 Y ^ .

Как видно из этой формулы, величина f/1

уменьшается с ростом

входной емкости с, однако при этом будет возрастать и постоянная времени усилителя, т. е. в конечном счете то время, которое необ­ ходимо затратить на проведение измерения.

Проведем оценку минимального значения тока / т1о, который может быть зарегистрирован электрометрическим усилителем с па­

раметрами /?г=1013 Ом, lg =

ІО-14 А,

с — ІО-11 Ф, Т = 300° К.

На основании (2.124)

находим

 

1 0 -М ,3 8 -1 0 -10-3.102

4,8- 10-10- ІО-14- ІО13 _

 

10-11

 

3-10S-2-10-11

 

 

 

= 3,1810'5ß,

т. е.

 

 

 

I min.

иг

, 3,2-ІО-17А.

 

Rg

'

 

Для сравнения укажем, что величина тока, который возникает в проводнике при прохождении одного электрона в 1 с, равна 1,6- , 10-іэ т е / тШ соответствует току в 200 электронов в секунду через сопротивление Rg. При этом постоянная времени электромет­ рического усилителя т 0 = Rgc = 100 с.

В заключение приведем формулу для среднеквадратического значения напряжения лампового каскада с резонансным контуром, которые часто применяются в схемах с преобразованием постоянно­ го тока в переменный и последующим усилением этого тока:

Нрез =8 kT {Rg + R g(Ig))3

I

I 2 Q(/—/„) \2 =

 

 

'• 1+

(------

T.

 

 

------ )

 

 

= 2 я kT

(RS+ RHIS) ) - ^ ,

(2.125)

где RI (Ig) — эквивалентное шумовое сопротивление,

опреде­

ляемое сеточным током во входной цепи лампы; Q — добротность

резонансного контура; f 0 — его

резонансная частота.

 

С первого взгляда может показаться, что, применяя низкочастот­ ные резонаторы с большим значением добротности Q, можно зна­ чительно понизить уровень шумов каскада. Однако это не совсем так. В действительности, повышая значение Q //0, мы тем самым сужаем полосу пропускания усилителя, т. е. увеличиваем время, необходимое для проведения измерений.

Поскольку постоянная времени такого каскада теперь опреде­ лится как

Q

(2.126)

t о

я / о

77


то, вводя эквивалентную емкость сэ= x 0IRg, получим

Ü*pes ~ { R g+RI(Лг)) + 2 £ ( 1 +

) , (2.127)

т. е. это величина того же порядка, что и для нерезонансного элект­ рометрического усилителя.

§6. Флуктуационные явления

всверхпроводящих устройствах. Гистерезисные явления и Фуко-потери

вжестких сверхпроводниках

Впоследнее время в некоторых лабораторных исследованиях начинают применяться различного рода сверхпроводящие устрой­ ства — приборы для измерения тока, напряжения, а также сверх­ проводящие болометры, усилители с криотронными вентилями и др.

Целесообразность их использования очевидна, если речь идет об измерениях предельно слабых сигналов, поскольку тепловые шумы в них либо вовсе отсутствуют (R |ш=0 = 0), либо ничтожно малы, если такие приборы работают в области «промежуточного» состояния.

Представляет интерес, таким образом, рассмотрение основных типов шумов в сверхпроводящих устройствах, имея в виду их ра­ боту именно в «промежуточном» состоянии. При этом мы не будем касаться ряда случаев, когда возможно существование нетепловых (избыточных) шумов, например, типа шума Баркгаузена в тран­ сформаторах с железными сердечниками, либо фотонного шума равновесного излучения, а остановимся лишь на собственных шумах сверхпроводящих приборов.

Рассмотрим шумы сверхпроводящих болометров.

Одной из возможных конструкций сверхпроводящего болометра является устройство, состоящее из тонкой нитридо-ниобиевой лен­ ты в жидком водороде, температура которой поддерживается по­ стоянной в области перехода в сверхпроводящее состояние (Т-пе- рехода ~14,3° К).

Ввиду весьма узкой области перехода (всего около 0,02° К) и большого значения температурного коэффициента сопротивления в данной области (A-R/AT ~ 10 Оміград при R ~ 10 -1 Ом для по­ лосы размером 5x0,25x0,006 мм) чувствительность такого при­ бора оказывается весьма высокой.

Экспериментально было установлено, что фактические шумовые характеристики такого измерителя в несколько раз хуже, чем вы­ числения на основе известных механизмов шумовых эффектов. По­ этому можно допустить существование ряда специфических причин, ответственных за появление избыточного шума. Одной из таких причин, является флуктуация сопротивления между нормальными и сверхпроводящими контактами, либо спонтанные нарушения

78


сверхпроводящей

микроструктуры вещества

болометра,

причем

по своему характеру

такой шум напоминает токовый шум в по­

лупроводниках.

 

 

 

 

 

 

 

 

При некоторой оптимальной величине тока I через болометр

величина а = //[4

Т 0)]

и ke =

0,75 К =

0,75 К 0-

 

 

Формулы для среднего квадрата минимально обнаружимой

мощности излучения

и отношения UflUr

имеют вид:

 

 

 

 

 

 

 

 

4 (0,55 ft2 +

ш2с2) 1

(2.128)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а ТК*

 

 

 

 

и) _

2 ,2 /С2 + 4 со3с2

 

 

 

(2.129)

 

 

 

 

иі

 

а ТК*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для болометра Эндрюса с параметрами а =

1 мм2, f — 300 гц,

А/ =

1 гц

Wmln =

2, Ы 0 - 11

Втігц

и

ЩіѴ% = 1,5-10"2 при

Uj

и

UT,

равных ~

10-11 В.

 

 

 

 

 

к

Данный тип прибора по своим характеристикам весьма близок

идеальному

приемнику излучения.

 

 

 

 

 

Проведем

оценку

величины «аппаратурного» шума,

который

всегда имеет место за счет неточности поддержания температуры сверхпроводящего болометра на постоянном уровне. Обозначим через ДГ величину аппаратурной погрешности температуры бо­

лометра.

Тогда, используя известную формулу

 

 

 

 

 

-^ -W N = &Е A f = c A T A f,

(2.130)

находим

 

 

 

WN = c A T Afm,

(2.131)

 

 

 

 

 

где

m — масса

болометра.

 

= 1

При

значениях

с =

3-10~4 Втіг-град, АТ =

ІО-3 °К, А/ =

гц

и

т =

10~4

Г

получим

 

WN = 3 • 10~пВт]гц,

т. е. величину, соизмеримую с флуктуационной шумовой мощ­ ностью.

Рассмотрим теперь гистерезисные потери и Фуко-потери в жестких сверхпроводниках.

Как известно, жесткими называются такие сверхпроводящие материалы, для которых (в отличие от мягких сверхпроводников) не наблюдается полный эффект Мейснера, имеет место частичное «вмораживание» магнитного потока в некоторых областях массив­ ного сверхпроводника, а также существуют потери на вихревые токи (токи Фуко) ввиду наличия несверхпроводящих «вкраплений». Размеры таких вкраплений зависят как от типа сверхпроводящего материала, его обработки, температуры, так и от величины внеш­ него магнитного поля, приложенного к сверхпроводнику. Следует

79


 

Переменное магнитное пале, э

отметить также,

что

в случае

S O

/ВО

S O B

1030 5 0

W O

5 0 0 W OO

жестких

сверхпроводников,

к

 

 

 

 

 

 

 

числу

которых можно

отнести,

 

 

 

 

 

 

 

например, Та, Nb, а также

 

 

 

 

 

 

 

сплавы Nb+ Sn, Nb+Zr, V—Ga

 

 

 

 

 

 

 

и др.,

наблюдается

частичное

 

 

 

 

 

 

 

проникновение магнитного поля

 

 

 

 

 

 

 

в массу сверхпроводника, а так­

 

 

 

 

 

 

 

же значительное

(по сравнению

 

 

 

 

 

 

 

с мягкими

сверхпроводниками)

 

 

 

 

 

 

 

уширение

области

сверхпрово­

 

 

 

 

 

 

 

дящего

перехода.

 

обусловлен­

 

 

 

 

 

 

 

Помимо потерь,

 

 

 

 

 

 

 

ных вихревыми токами,

в жест­

Рис. 12.

Потери

в

сверхпроводящей

ких сверхпроводниках при опре­

деленных

условиях

могут

воз­

катушке на переменном токе

при на­

никнуть также и гистерезисные

личии постоянного

внешнего

магнит-

ного поля

 

 

 

 

 

потери. Так, например, известно,

 

 

 

 

 

 

 

что у сверхпроводящих сплавов,

которые

находятся в

промежуточном состоянии,

функция

В

=

= В (Я) представляет собой

замкнутую кривую, причем

охвачен- .

ная ею площадь

не равна

нулю. Это говорит о том, что в данном

случае должны быть потери на гистерезис при «перемагничивании» образца из жесткого сверхпроводящего сплава.

Поскольку существует зависимость размеров несверхпроводящих «вкраплений» (а в общем случае — микроструктуры сверхпроводни­ ка) от величины внешнего магнитного поля и учитывая, что гисте­ резисные явления связаны с переупорядочением элементов (или векторов выделенного направления) микроструктуры, то свиде­ тельством существования гистерезисных потерь в жестких сверх­ проводниках может служить влияние магнитного поля на величину потерь.

Эмпирические формулы для величины удельных потерь в сверх­

проводнике Nb — Zr для переменного тока

(или магнитного поля)

частоты

/

имеют

следующий

вид [19]:

 

 

 

 

 

 

\Ѵ_

Вт

= 4-10-м

[ N i f ' t f ,

(2.132)

 

 

 

 

т

г

 

где Нт =

100 т/27;

1 — ток;

х ~ 3

при

4,2° К ^ Т ^ П °

К для

случая

замкнутой

катушки

и

 

 

 

 

 

 

-£- = 92.10-“ [Яуѵ.]*.

 

(2.133)

где X ~ 3

для

случая

разомкнутой

катушки.

 

Графики рис.

12 дают зависимость величины потерь от частоты

f для замкнутой

(а) и разомкнутой

(б) катушек.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

80