Файл: Современная фотоэлектрохимия. Фотоэмиссионные явления.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 27.06.2024

Просмотров: 98

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

и

у == (Йсо — Пщ (0) еф).

График функции Щу) приведен на рис. 6.2.

Наибольший интерес представляет здесь случай у Jg> 1. Он мо­

жет

реализоваться,

когда имеет

место условие

а < ^ 1, что, как

будет показано

ниже,

оказывается возможным при г|/ ^> 0.

Если

й

1, то уже

при

относительно малых

значениях Ет =

Тко —

Йсо0

— еф имеем у ^ > 1 и из

(6.7)

и (6.8)

находим

 

 

I = А (/ко -

 

Ггсо0 (0) -

«p)V,

( l _

y-V.j .

( 6 . 9 )

Как видно из (6.9), мы получаем в рассматриваемом случае суще­ ственное функциональное отличие от закона пяти вторых, причем в интервале энергий й/2?пЬ < Ет < 1 / 2 mb происходит относи­ тельное возрастание фотоэмиссиоппого тока.

"Условия резонанса для рассматриваемого потенциала могут быть получены с помощью анализа общего решения (6.4). При до­

статочно низкой

концентрации

раствора,

когда

величина х - 1

становится столь

велика, что

| фй2 | <

| i p ' x _ 2

|, определяющую

роль играет диффузная часть двойного слоя. В этих условиях

областью 0 < х <

d

при вычислении / {р) можно пренебречь.

Тогда, как видно из

(6.4), условием обращения а, или, что то

же

самое, f(p) | р = 0 , в

нуль служит равенство С/0 (2х_1/Л)|/г2^ге\|/ =

0.

Отсюда, используя численное значение первого нуля функции Бес­ селя С/0 [163], для резонансного значения параметров гр' и х - 1

потенциала

V(x) получим

 

 

(хй)- 1 / 2 ^ ш р = 1,2.

(6.10)

Для конкретных расчетов условие (6.10) удобно записать в виде

х~2гр' = 5,5,

где ар' измеряется в вольтах, а х - 1 — в

ангстремах.

Когда параметры диффузной части двойного слоя таковы, что

выполняется

условие (6.10), возникает поверхностный эмиссион­

ный резонанс, и фототок /(со) (при фиксированном

значении ф)

описывается формулами (6.7)—(6.9). Резонансное возрастание фото­ тока можно наблюдать также при фиксированных значениях

частоты света

и потенциала электрода, исследуя зависимость / от

концентрации

электролита

с э л . В этом случае в окрестности кон­

центрации с э л

=

сЭ Л ' соответствующей резонансному значению

х_ 2 ор', величина

I имеет

максимум.

Экспериментальное исследование влияния ор'-потенциала на фотоэмиссию. Для экспериментального исследования влияния строения двойного электрического слоя на сам акт эмиссии необ­ ходимо, чтобы другие процессы, зависящие также от строения двойного слоя, играли второстепенную роль. При эмиссии электро­ нов в растворы электролитов не слишком высокой концентрации нежелательным процессом может оказаться миграция сольвати­ рованных электронов в поле диффузного слоя, приводящая к до-

100


полнительному влиянию ip'-потенциала на измеряемый ток. Однако

при гр' < 0 поле препятствует

возвращению

электронов

(см. 5.2).

Например, в

разбавленных

растворах

электролита (с э л <

<

0,01 г-экв/л)

при использовании N 2

0 в

качестве

акцептора

концентрации,

соответствующей

насыщенному

раствору)

поле двойного слоя

настолько

тормозит движение электронов, что

их

возвращением

на электрод

можно

практически

пренебречь.

Более того, даже при т|/ ^> 0 возвращение электронов на

электрод

в разбавленных растворах (0,001—0,01 г-экв/л)

очень слабо зависит

от

концентрации электролита,

а следовательно, и

от

величины

г|/-потенциала [94]. Поэтому такие системы являются удобными

объектами для исследования влия­

 

 

 

 

 

 

 

ния строения двойного слоя на

 

 

 

 

 

 

 

собственно акт

фотоэмиссии.

 

}

 

 

 

 

 

 

Экспериментальные

данные

в

0,6

 

 

 

 

 

 

виде зависимостей

]°>Л — ср, полу­

 

 

 

 

 

 

 

ченные для разных

 

 

концентраций

 

 

 

 

 

 

 

K F , приведены

на

 

рис.

6.3

[164].

 

 

 

 

 

 

 

Акцептором электронов во всех 0,1,

 

 

 

 

 

 

растворах

служила

 

закись

азота

 

 

 

 

 

 

 

(насыщенный раствор).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Отметим

прежде всего, что вза­

 

 

 

 

 

 

 

имное

расположение

кривых

сви­

о,г.

 

 

 

 

 

 

детельствует

о

том,

что

влияние

 

 

-ом

 

-0,8

9, в

концентрации электролита на фото­

 

 

 

 

 

 

 

ток не сводится целиком к

изме­

Рис. 6.3. Кривые

— ф в

рас-

нению

структуры

двойного

слоя

творах K F [164]

 

 

 

 

(через лр'-потенциал), а носит более

Концентрация

K F

(г-эк о/л): I

Ю - 3 ;

сложный

характер. Действитель­

г —

Ю - 3 ; з

Ю - 1 ;

4 — 0,5

 

 

но, при потенциале

 

нулевого за­

 

 

 

 

 

 

 

ряда (—0,43

в

относительно

нас.

к. э.), когда

при

любой

кон-

центрации

не

адсорбирующегося

на

электроде

 

электролита

яр' = 0, фототок по мере роста с э л

при с э л

] > 0,01 г-экв/л

монотонно

снижается. Этот эффект,

очевидно,

связан с тем, что (как уже

упоминалось в 5.3)

 

увеличение концентрации электролита

может

сопровождаться снижением среднего расстояния .т0 , на котором гидратируются электроны. Соответственно, с ростом с э л увеличи­ вается доля электронов, возвращающихся обратно на электрод.

Если учесть этот эффект (например, нормируя кривые для раз­

ных концентраций с э л на ток при потенциале

нулевого заряда),

то можно найти явную зависимость фототока

от с э л , вызванную

изменением яр'-потенциала. В области отрицательных потенциалов,

как видно из рис. 6.3,

с уменьшением с э л от 0,8 до

0,01 г-экв/л

фототок увеличивается,

а затем от 0,01 до 0,001 г-экв/л

снижается.

Рост фототока связан с увеличением яр'-потенциала при разбавле­ нии раствора и торможением возвращения электронов на электрод. В более разбавленных растворах, когда все электроны захваты­ ваются акцепторами, влияние яр'-потенциала на диффузионные

101


А<1>[мб

 

I

i

!

:

i

1

 

0

-0,*/

-0,8

-f,2

9,В

Рнс. 6.4.

Разность гр'-потенциалов в 0,001 и 0,01

М растворах

K F как функ­

ция потенциала

электрода

[164]

 

 

 

Сплошная

кривая — расчет по теории

Гун—Чепмена

 

 

процессы практически исчезает. Остается лишь влияние его на сам акт фотоэмиссии. В этом случае, согласно уравнению (6.6), с ростом отрицательного значения гр'-потенциала фототок должен снижаться, что согласуется с экспериментом.

Сопоставление экспериментальных данных с уравнением (6.6) дает принципиальную возможность определения гр'-потенциала. Для этого достаточно сравнить потенциалы, при которых фототок эмиссии в разбавленных растворах электролита и в концентриро­ ванных, гдегр' ~ 0, одинаковы. Такое сравнение правомерно толь­ ко в том случае, если фотоэмиссия не осложнена вторичными про­ цессами или, по крайней мере, скорость возвращения сольватированного электрона к поверхности металла не зависит от концен­ трации электролита. Это обстоятельство не всегда учитывалось должным образом [165, 166].

На основании экспериментальных данных по фотоэмиссии в разбавленных растворах удалось [164] найти разности Дл|)' для таких пар растворов, в которых диффузионные процессы играют второстепенную роль, например 0,001 и 0,01 М K F . Согласно уравнению (6.6), разность потенциалов при одном и том же значе­ нии тока равна разности ар'-потенциалов для этих растворов.

На рис. 6.4 определенная таким образом разность Дгр' для 0,001 и 0,01 М растворов K F [164] как функция потенциала сопо­ ставляется с Аяр', рассчитанной по теории Гун — Чепмепа [26, 27].

102


Хорошее согласие опытных данных с теоретической зависимостью служит дополнительным подтверждением тому, что в разбавленных электролитах при сравнительно высокой концентрации акцеп­ тора (насыщенный раствор закиси азота) строение двойного элек­

трического слоя влияет главным образом на собственно

фото­

эмиссию,

ш

|jg Смена знака эффекта при переходе через точку нулевого заряда указывает на ^применимость в этих системах уравнения (6.6) и при положительных гр'-потенциалах. Это означает, что в разбав­ ленных растворах электрон из металла переходит в энергетиче­ скую яму, которая возникает вблизи электрода, когда ар' ^> 0. Такой переход оказывается возможным, если толщина диффуз­ ного слоя (эффективная ширина ямы) больше как длины волны электрона, так и длины сольватации х0, что имеет место при низ­ ких концентрациях раствора электролита.

Соотношение (6.6) можно использовать для определения потен­ циала нулевого заряда электрода. Дифференцируя (6.6) по ср, находим

dfA/d ( -

ср) = Ае

(1 -

йтр'/йф).

(6.11)

Условия эксперимента

должны

быть

выбраны такими,

чтобы

зависимость / от ср передавалась формулой (6.6) 4 . В точке нулевого заряда производная йгр'/Лр, как известно, максимальна. Поэтому производная dj0,i/d (—ф) при этом же потенциале должна иметь минимум. На рис. 6.5 приведена зависимость df^ld (—ф) — ф, полу­ ченная на ртутном электроде в 0,01 М растворе КС1, насыщенном

N 2 0 (кривая 3).

Минимум кривой практически совпадает с потен­

циалом нулевого

заряда ртути.

Влияние ip'-потенциала на приэлектродную концентрацию ак­

цепторов. Более сложную зависимость фототока от потенциала при различных концентрациях электролита, чем рассмотренная выше, следует ожидать, если акцептор заряжен. Здесь уже концен­ трация акцептора вблизи электрода сама является функцией по­ тенциала. Наиболее сильно зависимость / от ф будет искажаться

вблизи точки нулевого заряда,

когда гр'-потенциал

меняет знак.

Влияние

гр'-потенциал а на

приэлектродную

концентрацию

заряженных

акцепторов (как и

на миграцию сольватированных

электронов) особенно удобно изучать при низких концентрациях

акцепторов, когда измеряемый ток заметно

ниже тока

эмиссии.

На рис. 6.5 показаны кривые /

ср, полученные на ртутном элек­

троде для

двух растворов —

10 ~3 М НС1

и Ю - 3 М

НС1 +

+ 9 - 10 - 3

М КС1 [165]. Обе кривые, различающиеся только общей

* С этой целью применяется незаряженный акцептор, концентрация кото­ рого должна быть достаточно большой (так, чтобы / ~ v / ) . На опыте это не всегда удается сделать, п возникает погрешность, обусловленная зависимостью хо от ср (см. 5.3). Однако если рассматривать очень узкую область потенциалов вблизи нулевой точки, то этой погрешностью можно пренебречь.

103


и с. 6.5. Завпспмости /о,4 — <р для Ю " 3 М НС1 (1) и Э - Ю " 3

М КС1 + 10~3

М

НС1 (2) п d 4 )/<? (—ф)

для 1<Г2ЛГ раствора КС], насыщенного N 2

0 (3) [165]

Рпс. 6.6. Кривые /°>4 -

ш на индиевом электроде в подкисленных

растворах

КС1

[156]

 

 

 

 

Концентрация КС1 (г-эхо/л):

1 — 0; 2 — 0,01; з — 0,03; 4 — 0,1. Концентрация НС1

0,001

г-же/'л

 

 

 

 

концентрацией электролита, пересекаются вблизи точки

нулевого

заряда. В области потенциалов, гдечр' < 0 , при; <

I наблюдается

монотонный рост фототока с уменьшением концентрации раствора

.(в отличие от случая / ж

/ — см . рис. 6.3,—когда при переходе от

10~2 к Ю - 3 М раствору

фототок снижается).

При потенциалах положительное точки нулевого заряда под­ робные исследования в кислых растворах на ртутном электроде не проводились из-за осложнений, связанных с окислением ато­ марного водорода в этой области потенциалов (см. 7.1). Для ме­ таллов с более отрицательным значением потенциала нулевого заряда, например для индия, свинца и висмута, измерения при по­ ложительных зарядах поверхности в этом смысле провести легче [156]. Как и на ртути, на индии (рис. 6.6) кривые для разных концентраций индифферентного электролита пересекаются вблизи потенциала нулевого заряда. При отрицательных зарядах поверх­ ности фототок с увеличением концентрации электролита снижа­ ется, при положительных имеет место обратный эффект 5 . Приве-

5 Такой же характер зависимости фототока от концентрации постороннего электролита наблюдался на висмуте и свинце.

104