Файл: Современная фотоэлектрохимия. Фотоэмиссионные явления.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 27.06.2024
Просмотров: 98
Скачиваний: 0
и
у == (Йсо — Пщ (0) — еф).
График функции Щу) приведен на рис. 6.2.
Наибольший интерес представляет здесь случай у Jg> 1. Он мо
жет |
реализоваться, |
когда имеет |
место условие |
а < ^ 1, что, как |
|||||
будет показано |
ниже, |
оказывается возможным при г|/ ^> 0. |
Если |
||||||
й |
1, то уже |
при |
относительно малых |
значениях Ет = |
Тко — |
||||
Йсо0 |
— еф имеем у ^ > 1 и из |
(6.7) |
и (6.8) |
находим |
|
||||
|
I = А (/ко - |
|
Ггсо0 (0) - |
«p)V, |
( l _ |
y-V.j . |
( 6 . 9 ) |
Как видно из (6.9), мы получаем в рассматриваемом случае суще ственное функциональное отличие от закона пяти вторых, причем в интервале энергий й/2?пЬ < Ет < 1 / 2 mb происходит относи тельное возрастание фотоэмиссиоппого тока.
"Условия резонанса для рассматриваемого потенциала могут быть получены с помощью анализа общего решения (6.4). При до
статочно низкой |
концентрации |
раствора, |
когда |
величина х - 1 |
становится столь |
велика, что |
| фй2 | < |
| i p ' x _ 2 |
|, определяющую |
роль играет диффузная часть двойного слоя. В этих условиях
областью 0 < х < |
d |
при вычислении / {р) можно пренебречь. |
|
Тогда, как видно из |
(6.4), условием обращения а, или, что то |
же |
|
самое, f(p) | р = 0 , в |
нуль служит равенство С/0 (2х_1/Л)|/г2^ге\|/ = |
0. |
Отсюда, используя численное значение первого нуля функции Бес селя С/0 [163], для резонансного значения параметров гр' и х - 1
потенциала |
V(x) получим |
|
|
(хй)- 1 / 2 ^ ш р = 1,2. |
(6.10) |
Для конкретных расчетов условие (6.10) удобно записать в виде |
||
х~2гр' = 5,5, |
где ар' измеряется в вольтах, а х - 1 — в |
ангстремах. |
Когда параметры диффузной части двойного слоя таковы, что |
||
выполняется |
условие (6.10), возникает поверхностный эмиссион |
|
ный резонанс, и фототок /(со) (при фиксированном |
значении ф) |
описывается формулами (6.7)—(6.9). Резонансное возрастание фото тока можно наблюдать также при фиксированных значениях
частоты света |
и потенциала электрода, исследуя зависимость / от |
||
концентрации |
электролита |
с э л . В этом случае в окрестности кон |
|
центрации с э л |
= |
сЭ Л ' соответствующей резонансному значению |
|
х_ 2 ор', величина |
I имеет |
максимум. |
Экспериментальное исследование влияния ор'-потенциала на фотоэмиссию. Для экспериментального исследования влияния строения двойного электрического слоя на сам акт эмиссии необ ходимо, чтобы другие процессы, зависящие также от строения двойного слоя, играли второстепенную роль. При эмиссии электро нов в растворы электролитов не слишком высокой концентрации нежелательным процессом может оказаться миграция сольвати рованных электронов в поле диффузного слоя, приводящая к до-
100
полнительному влиянию ip'-потенциала на измеряемый ток. Однако
при гр' < 0 поле препятствует |
возвращению |
электронов |
(см. 5.2). |
|||||
Например, в |
разбавленных |
растворах |
электролита (с э л < |
|||||
< |
0,01 г-экв/л) |
при использовании N 2 |
0 в |
качестве |
акцептора |
|||
(в |
концентрации, |
соответствующей |
насыщенному |
раствору) |
||||
поле двойного слоя |
настолько |
тормозит движение электронов, что |
||||||
их |
возвращением |
на электрод |
можно |
практически |
пренебречь. |
|||
Более того, даже при т|/ ^> 0 возвращение электронов на |
электрод |
|||||||
в разбавленных растворах (0,001—0,01 г-экв/л) |
очень слабо зависит |
|||||||
от |
концентрации электролита, |
а следовательно, и |
от |
величины |
г|/-потенциала [94]. Поэтому такие системы являются удобными
объектами для исследования влия |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
ния строения двойного слоя на |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
собственно акт |
фотоэмиссии. |
|
} |
|
|
|
|
|
|
||||||||
Экспериментальные |
данные |
в |
0,6 |
|
|
|
|
|
|
||||||||
виде зависимостей |
]°>Л — ср, полу |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
ченные для разных |
|
|
концентраций |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
K F , приведены |
на |
|
рис. |
6.3 |
[164]. |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
Акцептором электронов во всех 0,1, |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
растворах |
служила |
|
закись |
азота |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
(насыщенный раствор). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
Отметим |
прежде всего, что вза |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
имное |
расположение |
кривых |
сви |
о,г. |
|
|
|
|
|
|
|||||||
детельствует |
о |
том, |
что |
влияние |
|
|
-ом |
|
-0,8 |
9, в |
|||||||
концентрации электролита на фото |
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
||||||||||||||
ток не сводится целиком к |
изме |
Рис. 6.3. Кривые |
— ф в |
рас- |
|||||||||||||
нению |
структуры |
двойного |
слоя |
творах K F [164] |
|
|
|
|
|||||||||
(через лр'-потенциал), а носит более |
Концентрация |
K F |
(г-эк о/л): I |
— |
Ю - 3 ; |
||||||||||||
сложный |
характер. Действитель |
г — |
Ю - 3 ; з — |
Ю - 1 ; |
4 — 0,5 |
|
|
||||||||||
но, при потенциале |
|
нулевого за |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
ряда (—0,43 |
в |
относительно |
нас. |
к. э.), когда |
при |
любой |
кон- |
||||||||||
центрации |
не |
адсорбирующегося |
на |
электроде |
|
электролита |
|||||||||||
яр' = 0, фототок по мере роста с э л |
при с э л |
] > 0,01 г-экв/л |
монотонно |
||||||||||||||
снижается. Этот эффект, |
очевидно, |
связан с тем, что (как уже |
|||||||||||||||
упоминалось в 5.3) |
|
увеличение концентрации электролита |
может |
сопровождаться снижением среднего расстояния .т0 , на котором гидратируются электроны. Соответственно, с ростом с э л увеличи вается доля электронов, возвращающихся обратно на электрод.
Если учесть этот эффект (например, нормируя кривые для раз
ных концентраций с э л на ток при потенциале |
нулевого заряда), |
то можно найти явную зависимость фототока |
от с э л , вызванную |
изменением яр'-потенциала. В области отрицательных потенциалов,
как видно из рис. 6.3, |
с уменьшением с э л от 0,8 до |
0,01 г-экв/л |
фототок увеличивается, |
а затем от 0,01 до 0,001 г-экв/л |
снижается. |
Рост фототока связан с увеличением яр'-потенциала при разбавле нии раствора и торможением возвращения электронов на электрод. В более разбавленных растворах, когда все электроны захваты ваются акцепторами, влияние яр'-потенциала на диффузионные
101
А<1>[мб
|
I |
i |
! |
: |
i |
1 |
|
0 |
-0,*/ |
-0,8 |
-f,2 |
9,В |
|
Рнс. 6.4. |
Разность гр'-потенциалов в 0,001 и 0,01 |
М растворах |
K F как функ |
|||
ция потенциала |
электрода |
[164] |
|
|
|
|
Сплошная |
кривая — расчет по теории |
Гун—Чепмена |
|
|
процессы практически исчезает. Остается лишь влияние его на сам акт фотоэмиссии. В этом случае, согласно уравнению (6.6), с ростом отрицательного значения гр'-потенциала фототок должен снижаться, что согласуется с экспериментом.
Сопоставление экспериментальных данных с уравнением (6.6) дает принципиальную возможность определения гр'-потенциала. Для этого достаточно сравнить потенциалы, при которых фототок эмиссии в разбавленных растворах электролита и в концентриро ванных, гдегр' ~ 0, одинаковы. Такое сравнение правомерно толь ко в том случае, если фотоэмиссия не осложнена вторичными про цессами или, по крайней мере, скорость возвращения сольватированного электрона к поверхности металла не зависит от концен трации электролита. Это обстоятельство не всегда учитывалось должным образом [165, 166].
На основании экспериментальных данных по фотоэмиссии в разбавленных растворах удалось [164] найти разности Дл|)' для таких пар растворов, в которых диффузионные процессы играют второстепенную роль, например 0,001 и 0,01 М K F . Согласно уравнению (6.6), разность потенциалов при одном и том же значе нии тока равна разности ар'-потенциалов для этих растворов.
На рис. 6.4 определенная таким образом разность Дгр' для 0,001 и 0,01 М растворов K F [164] как функция потенциала сопо ставляется с Аяр', рассчитанной по теории Гун — Чепмепа [26, 27].
102
Хорошее согласие опытных данных с теоретической зависимостью служит дополнительным подтверждением тому, что в разбавленных электролитах при сравнительно высокой концентрации акцеп тора (насыщенный раствор закиси азота) строение двойного элек
трического слоя влияет главным образом на собственно |
фото |
эмиссию, |
ш |
|jg Смена знака эффекта при переходе через точку нулевого заряда указывает на ^применимость в этих системах уравнения (6.6) и при положительных гр'-потенциалах. Это означает, что в разбав ленных растворах электрон из металла переходит в энергетиче скую яму, которая возникает вблизи электрода, когда ар' ^> 0. Такой переход оказывается возможным, если толщина диффуз ного слоя (эффективная ширина ямы) больше как длины волны электрона, так и длины сольватации х0, что имеет место при низ ких концентрациях раствора электролита.
Соотношение (6.6) можно использовать для определения потен циала нулевого заряда электрода. Дифференцируя (6.6) по —ср, находим
dfA/d ( - |
ср) = А0Ае |
(1 - |
йтр'/йф). |
(6.11) |
Условия эксперимента |
должны |
быть |
выбраны такими, |
чтобы |
зависимость / от ср передавалась формулой (6.6) 4 . В точке нулевого заряда производная йгр'/Лр, как известно, максимальна. Поэтому производная dj0,i/d (—ф) при этом же потенциале должна иметь минимум. На рис. 6.5 приведена зависимость df^ld (—ф) — ф, полу ченная на ртутном электроде в 0,01 М растворе КС1, насыщенном
N 2 0 (кривая 3). |
Минимум кривой практически совпадает с потен |
циалом нулевого |
заряда ртути. |
Влияние ip'-потенциала на приэлектродную концентрацию ак |
цепторов. Более сложную зависимость фототока от потенциала при различных концентрациях электролита, чем рассмотренная выше, следует ожидать, если акцептор заряжен. Здесь уже концен трация акцептора вблизи электрода сама является функцией по тенциала. Наиболее сильно зависимость / от ф будет искажаться
вблизи точки нулевого заряда, |
когда гр'-потенциал |
меняет знак. |
|
Влияние |
гр'-потенциал а на |
приэлектродную |
концентрацию |
заряженных |
акцепторов (как и |
на миграцию сольватированных |
электронов) особенно удобно изучать при низких концентрациях
акцепторов, когда измеряемый ток заметно |
ниже тока |
эмиссии. |
||
На рис. 6.5 показаны кривые / |
— ср, полученные на ртутном элек |
|||
троде для |
двух растворов — |
10 ~3 М НС1 |
и Ю - 3 М |
НС1 + |
+ 9 - 10 - 3 |
М КС1 [165]. Обе кривые, различающиеся только общей |
* С этой целью применяется незаряженный акцептор, концентрация кото рого должна быть достаточно большой (так, чтобы / ~ v / ) . На опыте это не всегда удается сделать, п возникает погрешность, обусловленная зависимостью хо от ср (см. 5.3). Однако если рассматривать очень узкую область потенциалов вблизи нулевой точки, то этой погрешностью можно пренебречь.
103
и с. 6.5. Завпспмости /о,4 — <р для Ю " 3 М НС1 (1) и Э - Ю " 3 |
М КС1 + 10~3 |
М |
|||
НС1 (2) п d (Д4 )/<? (—ф) |
для 1<Г2ЛГ раствора КС], насыщенного N 2 |
0 (3) [165] |
|||
Рпс. 6.6. Кривые /°>4 - |
ш на индиевом электроде в подкисленных |
растворах |
|||
КС1 |
[156] |
|
|
|
|
Концентрация КС1 (г-эхо/л): |
1 — 0; 2 — 0,01; з — 0,03; 4 — 0,1. Концентрация НС1 |
— |
|||
0,001 |
г-же/'л |
|
|
|
|
концентрацией электролита, пересекаются вблизи точки |
нулевого |
||||
заряда. В области потенциалов, гдечр' < 0 , при; < |
I наблюдается |
монотонный рост фототока с уменьшением концентрации раствора
.(в отличие от случая / ж |
/ — см . рис. 6.3,—когда при переходе от |
10~2 к Ю - 3 М раствору |
фототок снижается). |
При потенциалах положительное точки нулевого заряда под робные исследования в кислых растворах на ртутном электроде не проводились из-за осложнений, связанных с окислением ато марного водорода в этой области потенциалов (см. 7.1). Для ме таллов с более отрицательным значением потенциала нулевого заряда, например для индия, свинца и висмута, измерения при по ложительных зарядах поверхности в этом смысле провести легче [156]. Как и на ртути, на индии (рис. 6.6) кривые для разных концентраций индифферентного электролита пересекаются вблизи потенциала нулевого заряда. При отрицательных зарядах поверх ности фототок с увеличением концентрации электролита снижа ется, при положительных имеет место обратный эффект 5 . Приве-
5 Такой же характер зависимости фототока от концентрации постороннего электролита наблюдался на висмуте и свинце.
104