Файл: Пузырев В.А. Тонкие ферромагнитные пленки в радиотехнических цепях.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 04.07.2024

Просмотров: 102

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

ния параметров эквивалентной схемы Т Ф П используются хорошо р а з р а б о т а н н ы е радиотехнические методы измере­

ния с привлечением в основном стандартного

оборудова­

ния. Так как радиотехнические устройства,

с о д е р ж а щ и е

Т Ф П , работают на низких

и высоких частотах, измерения

параметров эквивалентной

схемы замещения

необходимо

осуществлять т а к ж е в соответствующем частотном диа ­ пазоне.

1.9.1. Случай низких частот

При использовании пленок в радиотехнических устройствах на рабочих частотах, существенно меньших частоты ферромагнитного резонанса пленки, эквивалент-

 

 

 

 

 

Р и с .

1.17

 

 

 

 

ная схема

(без

учета потерь)

имеет вид, представленный

на рис. 1.17, и

содержит

только

дифференциальные

ин­

дуктивности. Индуктивности L . n > s n

L 7

i B , определяемые со­

отношениями (1.36) и

(1.37),

могут - быть

найдены

сле­

д у ю щ и м образом:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Z . T S

= Z T H I-B-Ti

 

 

(1 . 55 )

где

1ЛН — измеренная индуктивность,

учитывающая

„воз­

д у ш н у ю " индуктивность

измерительной

обмотки

1ВЛ

и

продольную

индуктивность

 

£лъ,

вносимую

пленкой

при разомкнутых

зажимах

2—2;

Z T H — измеренная

индук ­

тивность,

учитывающая

индуктивность

измерительной

46


обмотки Z.U T и поперечную

индуктивность

Z,T B , вносимую

пленкой при разомкнутых

зажимах

1 — 1.

 

Результаты измерений

L„s и

L r S

достаточны дл я

того, чтобы определить все остальные

 

дифференциаль ­

ные индуктивности эквивалентной схемы при помощи связывающих их выражений (1.27) — (1.31).

 

Д л я

нахождения

коэффициента

взаимоиндукции

Мл

могут быть

использованы

различные

способы измерений.

Например,

для разомкнутых зажимов

2—2 (рис.

\.17,б)

справедливо

соотношение

 

 

 

 

 

 

 

 

M^Ul2JAnf,

 

 

(1.56)

где

U — действующее

значение

напряжения (в

вольтах)

при

разомкнутых зажимах

2—2,

<7Л действующее

зна­

чение тока

(в амперах) в

индуктивности.

 

 

 

 

 

 

 

Р и с .

1.18

 

 

 

 

 

Зная

частоту

колебаний

внешнего

источника

/

и из­

меряя напряжение и ток

(U,Jn),

находим

коэффициент

взаимоиндукции

Мл.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i Д л я

определения

Мл

можно

воспользоваться

т а к ж е

связью

м е ж д у

Мл

и

дифференциальными

индуктивно-

стями: Ма=

V L^L-rn-

В этом случае для определения Мя

достаточно измерить эти индуктивности.

 

 

 

Методика и необходимая дл я измерения дифферен ­

циальных

индуктивных

 

параметров

аппаратура

доста­

точно подробно описаны в литературе [23].

 

 

Вид

измерительной

установки

схематически

приведен

на рис. 1.18. Она состоит из измерителя

добротности;

длинной

линии,

соединяющей измеритель

добротности

с измерительной катушкой; системы ортогональных пло­

ских измерительных катушек, в которые

непосредствен­

но помещается пленка, и системы колец

Гельмгольца,

47


с л у ж а щ и х д л я

создания

однородных

смещающих полей

и компенсации

поля земли, а т а к ж е

постоянных л а б о р а ­

торных полей. Д л и н н а я

линия служит для уменьшения

воздействия на пленку магнитных полей, обусловленных

используемой

аппаратурой . Техника

установки

пленок

в системе

измерительных катушек,

а т а к ж е в системе ко­

лец Гельмгольца та ж е , что и

при измерении

проницае­

мости пленок

[23].

 

 

 

 

 

 

 

Экспериментально

снятые

зависимости

дифферен ­

циальных

индуктивностей

L n

2 и

L t

2 от внешних

полей

ha и hT приведены на

рис.

1.

19 а,

б.

Величина 2 L T K для

используемой системы измерительных катушек изменя­ лась в пределах от 0,18 до 1,44 мкГ.

Н а

рис. 1.20, а, б

приведены

снятые

для различных

пленок

зависимости

от внешних

полей

результирующе ­

го коэффициента взаимной индукции эквивалентной схе­

мы Т Ф П

УМ д , которые вычислялись при помощи

в ы р а ж е ­

ния

(1.56). Зависимости

Л1д от внешних полей

измеря­

лись

как

в направлении

передачи сигналов от

з а ж и м о в

1 — 1 к з а ж и м а м 2—2 (сплошные

кривые), так и в обрат­

ном направлении

(пунктирные

кривые) .

К а к

видно

из

графиков, м е ж д у

значениями

Мл

при

измерении

их

в том и другом направлении имеются

некоторые

расхож ­

дения. С увеличением амплитуды измерительного высо­

кочастотного поля расхождения увеличиваются.

Кривая

У И д неустойчива, т. е. ее амплитудные

значения

меняются

после к а ж д о г о цикла измерения. Это

изменение

связано

с частичным перемагничиванием. Чтобы избежать

изме­

нений М д , необходимо перед к а ж д ы м

снятием этой

зави­

симости производить насыщение пленки вдоль ее легкой

оси. К а к

показала

оценка, относительная

погрешность

измерения

дифференциальных

индуктивностей

не пре­

вышает

20%.

 

 

 

 

Д л я

экспериментального определения диссипативного

параметра эквивалентной схемы G, когда пленка с внеш­

ней цепью

связана

при помощи

многовитковой

катушки,

м о ж н о т а к ж е воспользоваться измерителем

добротности.

Используемая пленка в этом случае помещается в изме­

рительную

катушку,

индуктивность

которой совместно

с емкостью Q-метра

CQ образуют резонансный контур-

Схема

измерения

эквивалентной

проводимости без

учета длинной линии может быть представлена в виде, показанном на рис. 1.21, а. Учитывая, что измерение осу­ ществляется на частотах v, гораздо меньших резонанс-

48


ной частоты колебательной системы эквивалентной схе­

мы,

можно

пренебречь влиянием емкости

С т , так

как

G T

<С vC T . В

этом

случае

схема измерителя

добротности

с присоединенной

к нему

измерительной катушкой

LB .„,

в которую вставлена пленка, будет иметь вид, приведен­

ный на рис. 1, 21,6, где на частоте измерения

(10 М Г ц ) .

г В 1 1 = £ 4 - > Ш * О т ,

(1.57)

XB„^-±-*M*LMGl.

(1.58)

49


Это соответствует емкостной расстройке, т. е. Х011 =

=l/vC B 1 1 .

С учетом того, что Свн > CQ, уравнение для доброт ­

ности

измерительного контура

б у д е т

 

 

 

 

Г)

п

V 1 +

(0.5^лг/^рд)

 

/1 с п \

 

 

У з - У в л

1 + ( Г и н / Г в л )

'

( L 5 y >

где

гал

— сопротивление потерь

в измерительной

обмотке,

QB J I

=

VLBalCQ,irV!l

— добротность резонансного

контура

без

пленки.

 

 

 

 

 

 

Выражая дифференциальные

индуктивные параметры

через смещающие поля, воздействующие на пленку,

уравнение

(1.59) для Л т < 1

приводим

к виду

 

 

V

1 +

^вл

1 - й !

 

 

QBJI

\-П

I i

(1.59а)

 

 

 

 

 

1 +

 

 

 

для Д т >

1:

 

 

^•нл

1

Овл

 

 

(1.596)

 

 

 

 

1

 

 

1

4-

 

( Л , - 1 ) '

 

 

 

 

 

Таким образом, определяя при помощи измерителя добротности r D „ , можно рассчитать С?т . Резонансная частота измерительного контура определяется соотно­ шением

К = V , / V1 + ( 0 , 5 Х Л 2 / £ В Л ) ,

51