Файл: Пузырев В.А. Тонкие ферромагнитные пленки в радиотехнических цепях.pdf

(1.64). Погрешность измерения

С т изложенным способом

не превышает

20%.

Блок-схема

измерительной

установки (рис. 1.24, а)

вая линия

выполнена печатным способом на фольгиро-

ванном

стеклотекстолите.

Ширина шины 0,5 мм.

З а з о р

м е ж д у верхней шиной и земляной платой равняется

при­

мерно

0,5

мм. Измерения проводятся на частоте 1 ГГц.

Из

рис.

1.24, в

видно,

что

при

минимальной

вели­

чине

к.

с.

в. (G =

р0 ) кривая

Д / т , - „ ,

характеризующая

веденной

на

уровне

&l„lin

к з (условный

конец

полосковой

линии, определяемый при ее коротком

замыкании).

Ток

смещения

J C M

(или

поле

/гл),

при

котором

к. с. в.

рав­

няется

р0 ,

a

Mmln

= U m i n

к з

будет резонансным

J C M

=

= t7C M

р е з

или, что

то ж е

самое,

/гл =

/гл р е з .

Д л я

опре­

деления

{йВ1йЦ\~х0

устанавливается

резонансное

поле

смещения

кл

р е з и

изменяется

частота.

При

этом

заме­

ряются значения к. с. в. и Х0 . Используя

круговые

диаграммы

проводимости,

определяем

значение

\В\

в относительных единицах при данной

расстройке

| ^ = ^ 0 1 -

Величина

G определяется

с учетом

того,-что в

корот-

частотной

энергии в

переходах,

соединительных ф и ш к а х

и других

элементах.

Так как

поглощение энергии за

резонансную частоту со и величину

смещающего

поля

Л-лрсз. соответствующего

резонансной

частоте со,

м о ж н о

определить

сок. Пр и

известных со,; и С т не

представляет

труда найти

начальную

индуктивность

L T K

п, наконец, по

известной

величине

частоты сок и поля

анизотропии Нк

оценить

величину

намагниченности

насыщения

пленки

Ms. Результаты измерений основных

параметров

схемы

замещения

пленок приведены в табл .

1. 2.

мент, который

вносит в линию некоторую, зависящую от

частоты

неоднородность

1 Ri*

хв. 1

(рис. 1.25). Ка к у ж е отмеча-

pL

лось выше, активная и реак-

R=W\

тивная составляющие

вноси-

т

мого пленкой

комплексного

0

1

сопротивления

в этом

слу­

чае т а к ж е

определяются вы-

Р

и е - 1

, 2 5

р а ж е н и я м и

(1.61), (1.62).

Частотная

зависимость

мощности

поглощаемой

Т Ф П будет определяться

зави ­

симостью

величины

R-aw от частоты. Пр и подаче высоко­

частотной

мощности в

такую линию часть ее будет

о т р а ж а т ь с я , о с т а в ш а я с я

часть будет распределяться меж ­

П ри

небольших расстройках от частоты Ф М Р

можно

получить уравнение

для определения

добротности:

PjPH

=

K(l-\p\*)~(l+d),

(1.65)

где

К =

Ядад/Рц — коэффициент

передачи линии;

\р\

—

модуль

коэффициента отражения; Рпая

— мощность

па­

д а ю щ е й

волны;

Рпл—

мощность,

поглощаемая пленкой;

Ри—

мощность, рассеиваемая на

сопротивлении

нагруз­

подложке, на которую напылена ТФП, для

определенной

частоты

Ф М Р .

Коаксиальный

Катушки

Кааксиальнь>с

разъем .

"^^ Гельмеольиа ~~~~~~

/

разъемь!

Выносная

Полосновая линии

Выносная

[-L

головка

Согласо­

головка

дпя измере -

ванная

Эля измере­

ни я

затуха­

\нагрузка

ния КСВ

Измеряемый

ния в

линии

образеи ТФП

А втомагпи чес •

Стаби ли зирован-

кий

измеритель

мЮ<*

ный источник

КСВ

питания

Р и с . 1.26

пленки

по

вышеизложенной

методике

приведена

на

рис. 1.

26.

Она

состоит

из автоматического

измерителя

к. с. в., позволяющего измерять

коэффициент

стоячей

вол­

ны и коэффициент передачи в линии К

в диапазоне

ча­

стот от

900

до

1500 М Г ц , системы катушек

Гельмгольца

и отрезка

полосковой

линии,

снабженного

переходами

со = (ок 1/1

+ /^,

где

/гл = Я л / Я к ,

Ня

— напряженность

смещающего

поля

вдоль

направле­

ния легкой оси, а Нк

— поле анизотропии.

Д л я

расчета

по

результатам

измерений

резонансной

кривой

поглощения

высокочастотной

энергии

пленкой

на

основании

(1.65)

используется

выражение

^

=

4 .

1

0 ^ П 1 ^ ? -

( 1 - М ) ,

(1-66)

где к. с. в.— коэффициент

стоячей

волны

п

Л" — коэффи ­

матического измерителя к. с. в. Величина

d

определяется

в начале к а ж д о г о

измерения. Д л я этого

в

полосковую

линию вставляется

стеклянная подложка,

идентичная

частоте Ф М Р производится

измерение

величины

к. с. в. и

коэффициента

передачи линии /<, а затем по

результатам

измерений подсчитывается

значение

d.

Величина

добротности

Q определяется

по

экспери­

ментально снятой

резонансной кривой

Рп.ч/Р^

=

f{Hn):

0 =

0

, 5

(1.67)

1 - у {НК

+

НМ,,)ЦНК

+

НМ)

'

где

Нк — поле

анизотропии;

Нл0

— напряженность

поля,

соответствующего

ФМР ;

Нло,5

— напряженность

поля

на уровне 0,5 от максимума

резонансной

кривой.

Если поле

Ня

было постоянно, а

изменялась

частота,

то

величина

добротности

определяется

из

выражения

Q = со/2Дсо0>5.

(1.68)

ристики

и п а р а м е т р ы

пленки и

ее эквивалентной схемы.

Д л я

определения

величины

# „ пленки замеряются

ния пленки, второе значение

Я т — при ориентации сме­

щ а ю щ е г о поля вдоль трудного

направления пленки.