Файл: Пузырев В.А. Тонкие ферромагнитные пленки в радиотехнических цепях.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 04.07.2024

Просмотров: 106

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

г де

vB J I = ( C Q Z B J - 1 / 2 — резонансная

частота

измеритель­

ного контура без пленки.

 

 

 

 

На рис. 1.22 приведена

теоретическая

зависимость

QS/QBSI

от 7 для идеальной

модели

пленки

и

аналогич­

ные экспериментально снятые зависимости д л я

двух раз -

О

 

1

'2,0

 

 

3,0

h

 

 

 

 

 

Р и' с .

1.22

'

т

 

личных

пленок. Д л я

измерения

Gr

может

быть

использо­

вана та

ж е

методика, что и для

измерения

дифферен-

Т а б л и ц а

1.1

ных параметров [23] . Результаты

измерений

Gr

(проводимых

с

Номер

 

 

 

с длинной линией)

д л я

различных

 

G _ ,

мСм

пленок

при

Лт =

0,6

приведены

пленки

 

 

т

 

в табл .

1.1.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

1,08

Д л я

повышения точности

из­

 

мерений, проводимых с использо­

2

 

2,213

 

ванием

Q-метра,

измерение

на­

3

 

1,08

4

 

7,9

 

пряжений осуществлялось при по­

мощи выносных вольтметров [23],

1.9.2. Случай высоких частот

В радиотехнических устройствах на основе Т Ф П , работающих в диапазоне С В Ч , как правило, в качестве внешних цепей используются полосковые линии. Это обусловлено технологичностью последних.

52


В процессе изготовления прибора и пленки и полосковые линии могут быть изготовлены за единый технологи­

ческий цикл. Поэтому в качестве внешних

измерительных

цепей

т а к ж е целесообразно использовать

полосковые ли­

нии.

Д л я измерения параметров эквивалентной схемы

пленка может быть помещена или в конец короткозамк-

нутой полосковой линии, или в середину

согласованной

полосковой линии. Н и ж е оба возможных

варианта раз ­

мещения пленки будут рассмотрены раздельно.

При измерении параметров эквивалентной схемы на высоких частотах используется Ф М Р пленок. Резонанс ­ ные колебания намагниченности в пленке легче возбу­ дить при приложении к ней ортогонально направленных постояниосмещающего и переменного полей. При этом постоянное поле направлено вдоль трудного (поперечный резонанс) или вдоль легкого (продольный резонанс) на­ правления пленки.

П о д а ч а постояниосмещающего

поля

вдоль

легкого

или

вдоль

трудного

направления

приводит к тому

(при

соответствующей величине п о л я ) ,

что коэффициенты

тл

или

т т в

уравнении

(1.21) имеют

максимальное

значе­

ние,

равное

единице,

что соответствует

максимальному

моменту между внешним высокочастотным полем и на­

магниченностью

пленки. Д л я получения тл,

равного

еди­

нице, требуются

поля большие,

чем д л я получения

т т ,

т а к ж е

равного единице. Следовательно, проще (энерге­

тически

выгодней) проводить исследования с использо­

ванием

продольного

резонанса.

 

 

 

 

При

продольном

резонансе схема замещения

пленки

имеет

вид,

приведенный на рис. 1.7, а. Связь

пленки

с полосковой

линией

(без учета

воздушной

индуктивно­

сти участка

линии, под которым

помещена

пленка)

мо­

ж е т быть представлена эквивалентными схемами: для случая включения пленки в виде оконечной нагрузки —

рис.

1.23, а и в виде

неоднородной

нагрузки

в

согласо­

ванной полосковой

линии — рис. 1.23,6. Так

к а к

измере­

ния

проводятся

при

амплитудах

переменных

полей,

в значительной

степени

меньших

постоянносмещающих

полей, вносимое в полосковые линии для обоих случаев включения пленки сопротивление может быть представ­ лено' в виде 2 в н = # в п + Д в н -

Активная и реактивная срставляющие вносимого пленкой комплексного сопротивления определяются следующими соотношениями:

53


^

Нагнитосвязан -

j

 

 

 

 

 

мая пленка

 

 

 

 

 

 

а

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Р и с . 1.23

 

 

 

 

 

 

От

((0=

 

2 ..4

 

 

(1.60)

 

 

 

 

 

 

 

 

V ^ T K

 

 

 

 

 

(1.61)

где си2 = со2 /"- ' — частота

ферромагнитного

резонанса;

шк — резонансная

частота

ТФП при

отсутствии

внешних

смещаюших полей. Д л я продольного

резонанса Е'==1 + кЯу

Z T 2 / Z . T I =

' ? ? Т = 1 . В рассматриваемом случае поле

смещения

совпадает с направлением

намагниченности пленки,

поэто­

му берется только знак плюс.

 

 

 

 

Зависимость

активной

составляющей Rnn

носит

резо­

нансный

характер и

представляет

собой

зависимость

активного сопротивления параллельного контура от ча­

стоты. Н а

резонансной

частоте Хт =

0, а / ? В и =

1/GT.

Теперь

перейдем к

рассмотрению

методов

определе ­

ния параметров эквивалентной схемы пленки при различ ­ ных ее включениях. Схема замещения пленки, помещен ­ ной в конец короткозамкнутой полосковой линии, пред­ ставляет собой резонатор. Это обстоятельство позволяет д л я измерений параметров эквивалентной схемы исполь­ зовать методы, которые применяются в радиотехнике д л я измерения параметров двухполюсников [24]. Рассматри ­ ваемый способ размещения пленки в полосковой л и н и и может быть использован для измерения параметров эквивалентной схемы пленки, таких, как добротность, проводимость, емкость и т. д.

54


Один из весьма распространенных способов измере­ ния добротности по методу двухполюсника основывается на измерении зависимости к. с. в. в линии, на конце кото­ рой находится резонатор, от тока смещения. Схема из­ мерительной установки изображена на рис- 1.24, а.

ФиксированИзмерительИсследуемая ный пая пленка

ослабитель линия

18

П

16

15

300 J ,мА

Зависимость

к. с. в. в

линии

от тока смещения

в ка­

тушках

Гельмгольца,

в ы т е к а ю щ а я

из

круговой

диа­

граммы

полных

проводимостей,

 

представлена

на

рис. 1.24,6. Н а и м е н ь ш а я величина

к. с в . ,

обозначенная

через

ро, соответствует

току

£ / ш

р и

равна

либо

G,

либо

1/G,

где

G — активная

проводимость

резонатора

(схемы

з а м е щ е н и я ) ,

в ы р а ж е н н а я

в

относительных

единицах

55


в месте

расположения пленки. Д л я разрешения

неопре­

деленности

межд у

случаями

G = р 0

и G =

10

исполь­

зуется сдвиг фаз ы стоячей волны. Величина

ненагружен -

ной

добротности

определяется

из

соотношения

[24]

Q = (A0/2G) (dB/dX)

| л=Ла.

где В — реактивная

 

прово­

димость

рассматриваемого

резонатора,

в ы р а ж е н н а я

в относительных единицах

и

измеренная по

отношению

к той ж е плоскости

отсчета,

по

отношению

к

которой

определяется активная проводимость G. Величина

В яв ­

ляется компонентой соотношения \/ZBH=G-\-jB

 

 

и при

параллельно

смещающе м поле имеет вид

 

 

 

 

 

 

 

 

 

£ = соСт (1

- O J 2 / V 2

) .

 

 

 

(1.62)

Отсюда

видно, что схема замещения пленки,

приведенная

к входным клеммам, будет представлять собой

 

п а р а л ­

лельное соединение проводимости GT , емкости

С т

и ин­

дуктивности

Ь д т .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Величины Яо и G могут

быть непосредственно

опреде­

лены с

помощью

экспериментально

снятых

графиков

к. с . в . = / ( # с м )

и /.щп = ф( J с м ) ,

где / т щ — р а с с т о я н и е от

выбранной плоскости отсчета до одного из

б л и ж а й ш и х

минимумов

напряжения ;

J C M

— ток в катушках

Гельм -

гольца,

создающий

постоянносмещающее

поле.

 

 

 

Д л я

вычисления

значений

Q необходимо

знать

допол ­

нительную величину

dB/dk

или, в силу линейности

зави ­

симости

В = В (Я)

вблизи

разонанса,

величину | В | / | Д Х | .

С

этой

целью

на

графике к. с. в . = /(

JCM)

определяется

значение к. с. в., не

равное

резонансному,

но

близкое

к нему. Проводятся

на круговой д и а г р а м м е

окружности

р =

const и

G =

const. Точки

пересечения

этих

о к р у ж ­

ностей

определяют

абсолютную

величину

 

реактивной

проводимости

| В |

при

данной

расстройке

|Д?.| =

=

— Ао|. После этого величина

ненагруженной

доброт­

ности определяется

из уравнения

 

 

 

 

 

 

 

Д л я

определения

емкости

эквивалентной

схемы маг-

нитосвязанной пленки

воспользуемся выражением (1.62).

Если

частота

вынужденных

колебаний

v

лишь

незна­

чительно

отличается

от

резонансной

частоты

ш, то>

5vxa =

2 С Т (v — со), откуд а

величина емкости

 

 

Сг

=

0,5 (dBldv)^

=

0,51 В\ 11 v -

ш ] .

(1.64)

Таким образом, емкость С т равна скорости изменения реактивной проводимости контура вблизи его резонанс-

56