Файл: Зубченко А.В. Новое в кинетике кристаллизации сахара.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 14.07.2024
Просмотров: 120
Скачиваний: 0
сахара л о отношению к .кристалликам, и расстояние меж ду ними. Это вносит различие между взаимодействием на границе твердой и жидкой фаз, что в свою очередь увеличивает межфазную поверхностную энергию.
.Поверхностный слой за'родыша новой'фазы представ ляет собой неоднородную область между соприкасающи мися фазами [67].
Неоднородность свойств маточной фазы в этой обла сти проявляется на расстояниях 2—5 молекулярных ди аметров. Учитывая толщину 6 поверхностного слоя, по верхностную энергию центра новой фазы радиусом г можно определить по формуле Толмана [104]
1 .
г
где а.» — поверхностное натяжение для плоской поверхности
Возможно, что при перемешивании раствора за счет трения зародышей о вязкую жидкость уменьшается тол щина поверхностного слоя. Тогда по формуле (98) а должна увеличиться, что и наблюдалось нами в получен ных результатах. Однако этот вопрос требует специаль ного исследования.
ВЛИЯНИЕ.ТЕМПЕРАТУРЫ НА СКОРОСТЬ ОБРАЗОВАНИЯ ЦЕНТРОВ НОВОЙ ФАЗЫ
Влияние такого важного фактора, как температура, на скорость образования центров кристаллизации саха розы еще достаточно не исследовано.
С повышением температуры раствора увеличивается абсолютная температура Т, входящая в выражение ра боты образования центра кристаллизации [см. уравне ние (90)]. Как следует из уравнения' (90), с увеличени ем Т Мри прочих равных параметрах раствора ДФ,; уменьшается. Следовательно, скорость образования кри сталлов должна резко возрастать.
Для исследования скорости образования центров но вой фазы в растворах сахарозы с "различной температу рой нами получены [25] кривые / (в) как функции време ни (рис. 37).
71
Из рис. 37 видно, что несимметричность кривых. / (в) больше (проявляется ,при высоких температурах, макси мум скорости образования новых центров здесь практи чески совпадает по времени с завершением латентного •периода. Этого нельзя сказать о кривых / (в), получен ных при температурах-40 и 50° С.
1,Sr
Of z * б 8 w iz r* iswzozz 6>u« 0 |
10 ZO SO 10 50 ef/TW |
Щ |
g |
J (в |
HO? cm~j-c~' |
Щ |
|
n t |
! |
I |
I |
I |
1 1 |
n t - J 1 1 1 1_1 |
1_1 |
"го |
зо |
to |
so |
во |
70в,мин |
too no iio i60 |
180 гвоа»т |
Рис. 37. Скорость образования центров кристаллизации как функция времени при коэффициенте пересыщения
а = 1 , 3 п температурах раствора:
а — 70'С; б — 60'С; в — ЖС; г - ;(ГС.
\ |
\ |
\ \ |
•\ \ |
|
|
уV |
• м s |
|
|
|
\
г
{
10 JO 90 130 ПО 210 250 2S0 J30 370 W
Рис. 38. Зависи мость In / (t) от \jt при коэффици енте пересыщения a =1,3 и темпера
турах раствора:
/ — 40'С; 2 —50"С; •? — 60°С: 4 - 70'С.
« i ? W 103/t,c
72
Восходящие ветви кривых / (0) удовлетворительно
подчиняются |
уравнению |
Зельдовича |
(86). |
Зависимости |
|||
In / (I) |
от |
\/4—прямые |
линии |
(рис. |
38). |
Тангенс угла |
|
наклона |
их |
к |
оси абсцисс равен |
времени |
релаксации т, |
первой стадии процесса кристаллизации. Величина т, по нашим экспериментальным данным, изменяется от 8 мин- (при температуре 70° С) до 958 мин (40° С).
•Время релаксации х нестационарных процессов зави сит от температуры по известному уравнению Аррениуса
т = т 0 схр (UIRT), |
(99V |
где U—энергия активации образования центров новой фазы;
т0 — среднее время пребывания молекулы в положении равнове сия в кристаллической решетке.
Зная величину т при различных температурах растзора, можно построить зависимость In т от 1/Т, по'которой легко найти значение очень важного энергетического па раметра процесса кристаллизации (рис. 39). Из рис. 39 видно, что эта зависимость, построенная по эксперимен тальным данным [55], хорошо удовлетворяет уравнению (99). По тангенсу угла наклона прямой к оси абсцисс находим, что с/=;141069 Дж/моль, это в 4 раза больше энергии активации роста кристаллов, которая, по данным Каганова, равна 36788 Дж/моль [4(5, 46]. Такое различие подтверждается экспериментально. Известно, что рост го товых кристаллов сахарозы возможен при любом, даже незначительном, пересыщении' раствора. Для образова ния центров кристаллизации, в гомогенной среде требу--
шт
б
Рис. 39. Зависи- 5 мость In т от .Ь/Т
при коэффициенте ^ пересыщения рас
твора а = 1 Д
3
2
. _ № 238 302 306 310 314 t '318 10SH
73-'
ется определенное пересыщение, ниже которого они .прак тически не образуются (а>1,2) .
Энергия активации диффузии для насыщенных раст воров сахарозы с ^повышением температуры от 0 до 80° С уменьшается с 33520 до 12570 Дж/моль: jjl'8, .101]. Сравни вая энергетические барьеры процессов, образования цент ров кристаллизации и диффузии молекул сахара, можно заключить, что диффузия незначительно влияет на ско рость возникновения центров новой фазы.
Для определения второго очень важного параметра кристаллизации—поверхностного натяжения на границе зародыш— раствор, величина которого также входит в
работу |
образования |
зародыща |
критического размера, |
||
кривые |
/ (в) |
обрабатывали с помощью объединенного |
|||
уравнения Фольмера—Зельдовича (96). |
|
||||
При |
соответствии |
шолучеиных кривых / (G) этому |
|||
уравнению зависимости In / (t)+x/i |
от 1/ln2 |
С/С» долж |
|||
ны быть линейными. |
|
|
|
||
Из |
рис. 40 |
видно, |
что кривые |
скорости |
образования |
центров кристаллизации при различной температуре ра
створов удовлетворительно соответствуют |
уравнению |
||
(96) на участке до максимума |
и после |
максимума. На |
|
завершающей стадии процесса |
кривые |
/ (в) |
отклоняют |
ся от линейной зависимости. Видимо, концентрационного
и релаксационного |
факторов здесь недостаточно для опи |
|||
сания прямой, а требуется более сложное уравнение. |
||||
injjthvlt |
|
< |
|
|
|
|
Рис. 40. |
Зависимость |
|
|
|
In /(0 + |
x/f |
|
|
|
от 1/1п2 |
С/С™ при ко |
|
|
|
эффициенте |
пересы |
|
|
|
щения а =.1,3 и темпе |
||
|
|
ратурах раствора: |
||
|
|
' - 4 0 ° С ; |
2 - 5 0 ' С ; 3 — |
|
|
|
|
60°С; |
4 - 7 0 ° С . |
, 3 1 1 1 1 |
I |
1 1 1 1 J - — J |
|
|
210 ?30 250 ПО 290 310 . 330 350 370 390 ЩпЧ\С„ |
|
|
74
Учитывая, что отклонение от линейности происходит в момент, когда процесс образования центров кристал
лизации в основном завершился, по тангенсу угла |
цикло |
|||||
на прямых к оси абсцисс |
(см. рис. 40) можно |
найти па |
||||
раметр D, а затем по формуле (57) —; значение а. Полу |
||||||
ченные данные приведены ниже. |
|
|
|
|||
|
|
Величины т и а для растворов |
сахарозы |
|||
|
|
|
|
с температурой |
40—7СРС |
|
т, |
с . . . . . |
571500 |
I1O200 |
2300 |
500 |
|
D |
|
0,0070 |
0,0193 |
0,0Ш |
0,0330 |
|
а |
• 103 Дж/м 2 . . |
0,641 |
0,820 ' |
0,914 |
1,178 |
Известно, что поверхностное натяжение на границе чистая жидкость—пар, раствор — газ линейно убывает с температурой Т
|
с = с7„(1 —а Т), |
|
(100) |
где о"о — поверхностное натяжение при температуре 0° С; |
|
||
а — температурный |
коэффициент. |
|
|
Линейная зависимость а (Т) особенно хорошо |
выра |
||
жается для растворов неактивных веществ, |
к которым |
||
также принадлежит |
сахароза. |
|
|
Рассматриваемая |
намисистема более сложная, чем |
||
двухфазная. Кроме |
того, наличие в растворе |
образовав |
|
шихся центров твердой фазы микроскопических |
разме |
||
ров, для которых мало применимы поверхностные |
явле |
ния макроскопических объектов, делает определение ве личины межфазной поверхностной энергии на границе • зародыш — раствор особенно сложной. Этот вопрос не являлся темой нашего исследования, но он неизбежно возникает, так как величина а определенным образом влияет на появление центров новой фазы, хотя значение ее. в формулах флуктуациониой теории не следует слиш ком переоценивать.
Влияние межфазной поверхностной энергии на ско рость образования центров новой фазы, несомненно, ве лико при стационарных режимах, например, конденсации пересыщенного пара. При фазовом переходе в расплавах или пересыщенных растворах скорость появления цент ров кристаллизации, кроме величины термодинамическо го потенциала ДФк, в выражение которого входит а, за висит от времени .релаксации и других параметров в большей степени, чем от межфазной поверхностной энер гии.
75
Установлено, что при перемешивании пересыщенного раствора поверхностное натяжение на границе заро дыш — раствор увеличивается, но это не может препят ствовать росту скорости фазового перехода. Аналогичная картина наблюдалась нами при исследовании влияния температуры на скорость образования центров кристал лизации. С повышением температуры раствора поверхно стное натяжение на границе зародыш —раствор линейно возрастало по уравнению
- - 0,0179 |
Т— 4,962. |
(101) |
Некоторые исследователи |
[70, 71, 73], наоборот, |
допу |
скают зависимость поверхностной энергии на границе за родыш—раствор от температуры по уравнению (100). Необоснованность этого можно доказать на следующих примерах.
Приближенно [97] |
. |
|
|
О |
|
с = ^ |
7 ' |
002). |
где Q — теплота растворения, Дж/моль.
С повышением температуры теплота растворения са харозы резко возрастает [14,, 64]. Величина б, видимо, изменяется незначительно, поэтому а должно расти. Гор^ еачев и Шлыков-[15], пользуясь уравнениями флуктуа ционной теории, предложили соотношение для определе ния величины межфазового поверхностного натяжения:
о : , = 59,87 Т3 (In С/С»,)'-' _ д u , B R T 2 |
С / С м ) з |
( [ 0 3 ) |
3
Кроме Г и AU все величины, вводящие в это уравне ние, не изменяются, энергия активации вязкого течения с повышением температуры уменьшается, а следователь но, а увеличится. И, наконец, межфазную поверхностную энергию на границе кристалл — раствор 0 2 , 3 можно опре делить по известному уравнению Неймана
J l , 3 = "2,3 + ° l , 2 C O S ( f < |
' |
( l 0 4 ) |
|
где oj з—поверхностная |
энергия между кристаллом и воздухом; |
||
о"]2 —поверхностное |
натяжение на границе раствор — воздух; |
||
ср — краевой угол |
между поверхностями |
кристалла |
и капли |
раствора, нанесенной на кристалл.
Величины в^уравнении (104) е повышением темпера туры изменяются неодинаково. Лишь незначительное
76 •