Файл: Зубченко А.В. Новое в кинетике кристаллизации сахара.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 14.07.2024

Просмотров: 120

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

сахара л о отношению к .кристалликам, и расстояние меж­ ду ними. Это вносит различие между взаимодействием на границе твердой и жидкой фаз, что в свою очередь увеличивает межфазную поверхностную энергию.

.Поверхностный слой за'родыша новой'фазы представ­ ляет собой неоднородную область между соприкасающи­ мися фазами [67].

Неоднородность свойств маточной фазы в этой обла­ сти проявляется на расстояниях 2—5 молекулярных ди­ аметров. Учитывая толщину 6 поверхностного слоя, по­ верхностную энергию центра новой фазы радиусом г можно определить по формуле Толмана [104]

1 .

г

где а.» поверхностное натяжение для плоской поверхности

Возможно, что при перемешивании раствора за счет трения зародышей о вязкую жидкость уменьшается тол­ щина поверхностного слоя. Тогда по формуле (98) а должна увеличиться, что и наблюдалось нами в получен­ ных результатах. Однако этот вопрос требует специаль­ ного исследования.

ВЛИЯНИЕ.ТЕМПЕРАТУРЫ НА СКОРОСТЬ ОБРАЗОВАНИЯ ЦЕНТРОВ НОВОЙ ФАЗЫ

Влияние такого важного фактора, как температура, на скорость образования центров кристаллизации саха­ розы еще достаточно не исследовано.

С повышением температуры раствора увеличивается абсолютная температура Т, входящая в выражение ра­ боты образования центра кристаллизации [см. уравне­ ние (90)]. Как следует из уравнения' (90), с увеличени­ ем Т Мри прочих равных параметрах раствора ДФ,; уменьшается. Следовательно, скорость образования кри­ сталлов должна резко возрастать.

Для исследования скорости образования центров но­ вой фазы в растворах сахарозы с "различной температу­ рой нами получены [25] кривые / (в) как функции време­ ни (рис. 37).

71

Из рис. 37 видно, что несимметричность кривых. / (в) больше (проявляется ,при высоких температурах, макси­ мум скорости образования новых центров здесь практи­ чески совпадает по времени с завершением латентного •периода. Этого нельзя сказать о кривых / (в), получен­ ных при температурах-40 и 50° С.

1,Sr

Of z * б 8 w iz r* iswzozz 6>u« 0

10 ZO SO 10 50 ef/TW

Щ

g

J

HO? cm~j-c~'

Щ

 

n t

!

I

I

I

1 1

n t - J 1 1 1 1_1

1_1

"го

зо

to

so

во

70в,мин

too no iio i60

180 гвоа»т

Рис. 37. Скорость образования центров кристаллизации как функция времени при коэффициенте пересыщения

а = 1 , 3 п температурах раствора:

а — 70'С; б — 60'С; в — ЖС; г - ;(ГС.

\

\

\ \

•\ \

 

уV

• м s

 

 

\

г

{

10 JO 90 130 ПО 210 250 2S0 J30 370 W

Рис. 38. Зависи­ мость In / (t) от \jt при коэффици­ енте пересыщения a =1,3 и темпера­

турах раствора:

/ — 40'С; 2 —50"С; •? — 60°С: 4 - 70'С.

« i ? W 103/t,c

72


Восходящие ветви кривых / (0) удовлетворительно

подчиняются

уравнению

Зельдовича

(86).

Зависимости

In / (I)

от

\/4—прямые

линии

(рис.

38).

Тангенс угла

наклона

их

к

оси абсцисс равен

времени

релаксации т,

первой стадии процесса кристаллизации. Величина т, по нашим экспериментальным данным, изменяется от 8 мин- (при температуре 70° С) до 958 мин (40° С).

•Время релаксации х нестационарных процессов зави­ сит от температуры по известному уравнению Аррениуса

т = т 0 схр (UIRT),

(99V

где U—энергия активации образования центров новой фазы;

т0 — среднее время пребывания молекулы в положении равнове­ сия в кристаллической решетке.

Зная величину т при различных температурах растзора, можно построить зависимость In т от 1/Т, по'которой легко найти значение очень важного энергетического па­ раметра процесса кристаллизации (рис. 39). Из рис. 39 видно, что эта зависимость, построенная по эксперимен­ тальным данным [55], хорошо удовлетворяет уравнению (99). По тангенсу угла наклона прямой к оси абсцисс находим, что с/=;141069 Дж/моль, это в 4 раза больше энергии активации роста кристаллов, которая, по данным Каганова, равна 36788 Дж/моль [4(5, 46]. Такое различие подтверждается экспериментально. Известно, что рост го­ товых кристаллов сахарозы возможен при любом, даже незначительном, пересыщении' раствора. Для образова­ ния центров кристаллизации, в гомогенной среде требу--

шт

б

Рис. 39. Зависи- 5 мость In т от

при коэффициенте ^ пересыщения рас­

твора а = 1 Д

3

2

. _ № 238 302 306 310 314 t '318 10SH

73-'


ется определенное пересыщение, ниже которого они .прак­ тически не образуются (а>1,2) .

Энергия активации диффузии для насыщенных раст­ воров сахарозы с ^повышением температуры от 0 до 80° С уменьшается с 33520 до 12570 Дж/моль: jjl'8, .101]. Сравни­ вая энергетические барьеры процессов, образования цент­ ров кристаллизации и диффузии молекул сахара, можно заключить, что диффузия незначительно влияет на ско­ рость возникновения центров новой фазы.

Для определения второго очень важного параметра кристаллизации—поверхностного натяжения на границе зародыш— раствор, величина которого также входит в

работу

образования

зародыща

критического размера,

кривые

/ (в)

обрабатывали с помощью объединенного

уравнения Фольмера—Зельдовича (96).

 

При

соответствии

шолучеиных кривых / (G) этому

уравнению зависимости In / (t)+x/i

от 1/ln2

С/С» долж­

ны быть линейными.

 

 

 

Из

рис. 40

видно,

что кривые

скорости

образования

центров кристаллизации при различной температуре ра­

створов удовлетворительно соответствуют

уравнению

(96) на участке до максимума

и после

максимума. На

завершающей стадии процесса

кривые

/ (в)

отклоняют­

ся от линейной зависимости. Видимо, концентрационного

и релаксационного

факторов здесь недостаточно для опи­

сания прямой, а требуется более сложное уравнение.

injjthvlt

 

<

 

 

 

 

Рис. 40.

Зависимость

 

 

In /(0 +

x/f

 

 

от 1/1п2

С/С™ при ко­

 

 

эффициенте

пересы­

 

 

щения а =.1,3 и темпе­

 

 

ратурах раствора:

 

 

' - 4 0 ° С ;

2 - 5 0 ' С ; 3 —

 

 

 

60°С;

4 - 7 0 ° С .

, 3 1 1 1 1

I

1 1 1 1 J - — J

 

 

210 ?30 250 ПО 290 310 . 330 350 370 390 ЩпЧ\С„

 

 

74


Учитывая, что отклонение от линейности происходит в момент, когда процесс образования центров кристал­

лизации в основном завершился, по тангенсу угла

цикло­

на прямых к оси абсцисс

(см. рис. 40) можно

найти па­

раметр D, а затем по формуле (57) —; значение а. Полу­

ченные данные приведены ниже.

 

 

 

 

 

Величины т и а для растворов

сахарозы

 

 

 

 

с температурой

40—7СРС

т,

с . . . . .

571500

I1O200

2300

500

D

 

0,0070

0,0193

0,0Ш

0,0330

а

103 Дж/м 2 . .

0,641

0,820 '

0,914

1,178

Известно, что поверхностное натяжение на границе чистая жидкость—пар, раствор — газ линейно убывает с температурой Т

 

с = с7„(1 —а Т),

 

(100)

где о"о — поверхностное натяжение при температуре 0° С;

 

а — температурный

коэффициент.

 

 

Линейная зависимость а (Т) особенно хорошо

выра­

жается для растворов неактивных веществ,

к которым

также принадлежит

сахароза.

 

 

Рассматриваемая

намисистема более сложная, чем

двухфазная. Кроме

того, наличие в растворе

образовав­

шихся центров твердой фазы микроскопических

разме­

ров, для которых мало применимы поверхностные

явле­

ния макроскопических объектов, делает определение ве­ личины межфазной поверхностной энергии на границе • зародыш — раствор особенно сложной. Этот вопрос не являлся темой нашего исследования, но он неизбежно возникает, так как величина а определенным образом влияет на появление центров новой фазы, хотя значение ее. в формулах флуктуациониой теории не следует слиш­ ком переоценивать.

Влияние межфазной поверхностной энергии на ско­ рость образования центров новой фазы, несомненно, ве­ лико при стационарных режимах, например, конденсации пересыщенного пара. При фазовом переходе в расплавах или пересыщенных растворах скорость появления цент­ ров кристаллизации, кроме величины термодинамическо­ го потенциала ДФк, в выражение которого входит а, за­ висит от времени .релаксации и других параметров в большей степени, чем от межфазной поверхностной энер­ гии.

75


Установлено, что при перемешивании пересыщенного раствора поверхностное натяжение на границе заро­ дыш — раствор увеличивается, но это не может препят­ ствовать росту скорости фазового перехода. Аналогичная картина наблюдалась нами при исследовании влияния температуры на скорость образования центров кристал­ лизации. С повышением температуры раствора поверхно­ стное натяжение на границе зародыш —раствор линейно возрастало по уравнению

- - 0,0179

Т— 4,962.

(101)

Некоторые исследователи

[70, 71, 73], наоборот,

допу­

скают зависимость поверхностной энергии на границе за­ родыш—раствор от температуры по уравнению (100). Необоснованность этого можно доказать на следующих примерах.

Приближенно [97]

.

 

 

О

 

с = ^

7 '

002).

где Q — теплота растворения, Дж/моль.

С повышением температуры теплота растворения са­ харозы резко возрастает [14,, 64]. Величина б, видимо, изменяется незначительно, поэтому а должно расти. Гор^ еачев и Шлыков-[15], пользуясь уравнениями флуктуа­ ционной теории, предложили соотношение для определе­ ния величины межфазового поверхностного натяжения:

о : , = 59,87 Т3 (In С/С»,)'-' _ д u , B R T 2

С / С м ) з

( [ 0 3 )

3

Кроме Г и AU все величины, вводящие в это уравне­ ние, не изменяются, энергия активации вязкого течения с повышением температуры уменьшается, а следователь­ но, а увеличится. И, наконец, межфазную поверхностную энергию на границе кристалл — раствор 0 2 , 3 можно опре­ делить по известному уравнению Неймана

J l , 3 = "2,3 + ° l , 2 C O S ( f <

'

( l 0 4 )

где oj з—поверхностная

энергия между кристаллом и воздухом;

о"]2 —поверхностное

натяжение на границе раствор — воздух;

ср — краевой угол

между поверхностями

кристалла

и капли

раствора, нанесенной на кристалл.

Величины в^уравнении (104) е повышением темпера­ туры изменяются неодинаково. Лишь незначительное

76 •