Файл: Данилин Н.С. Теория и методы неразрушающего инфракрасного контроля радиоэлектронных схем.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 15.07.2024

Просмотров: 128

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

их состояние, общий поток ИК излучения представляет суперпо­ зицию двух потоков — активного и пассивного

Ф = Ф„ )- ФЛ.

(4.18)

Для прогнозирования состояний и для определения взаимо­ связи состояний элементов необходим анализ активного потока ИК излучения, который излучается температурным полем Т_ Пассивный поток от температурного поля Т„ является фоновым, мешающим. Для уменьшения ошибки прогнозирования по ИК из­ лучению необходимо определить распределение температурного поля Т„ микросхемы с решением уравнений теплового баланса.

§4.3. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПОЛЯРИЗАЦИОННОЙ ФИЛЬТРАЦИИ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ СОСТОЯНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Система обнаружения неисправностей элементов по их ИК из­ лучению может допускать ошибки при локализации места отказа.

Восновном они объясняются следующими причинами:

конечной точностью используемых измерительных средств;

случайным характером изменения ИК излучения, восприни­ маемого радиометром;

флюктуацией ИК излучения элементов одного и того же

типа из-за различных режимов работы, различных изменений в кристаллических решетках, различного теплоотвод? и т. д.;

неисправностью самой системы обнаружения отказов;

достоверностью, отличной от 1, системы АСОН, которая об­ наружила неисправный блок.

В результате системы обнаружения неисправности по ИК из­ лучению имеет достоверность, меньшую 1. Количественно досто­ верность обнаружения неисправности характеризуется вероятно­

стью Р„ того, что элемент, признанный неисправным, является та­ ковым. Достоверность ИК системы обнаружения неисправности можно записать так:

% Р Ш

 

 

РН= Р О О — я —

(4Л9)

где Р(£) — достоверность автоматической или иной системы конт­ роля, которая обнаруживает неисправный элемент ин­ тегральной микросхемы-;

Р (ГД) — вероятность того, что комплектующий элемент интег­ ральной схемы, признанный ИК системой обнаруже­ ния неисправности неисправным при условии, что дан­ ная интегральная схема признана АСОН неисправной;

Р— количество элементов в исследуемой интегральной схеме.

59



Повышать значение достоверности ИК системы можно, приме­ няя поляризационную фильтрацию ИК излучения элементов и учи­ тывая тепловую взаимосвязь между элементами интегральной микросхемы.

Анализ поляризационных свойств И К излучения

элементов интегральных схем

ИК излучение элементов, состоящее из неполяризованной и полностью поляризованной составляющих, можно описать с по­ мощью четырех параметров Стокса, которые характеризуют интен­ сивность и поляризацию лучистого потока. Поскольку возможны только два независимых состояния поляризации, применим двух­ мерное гильбертово пространство, в котором полностью поляризо­ ванное излучение можно представить нормированным двухком­ понентным комплексным вектором

 

 

 

| V э г

 

(4.20)

 

 

 

! £и

3 2'

 

 

 

 

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

3 |1=1 s 3 ,

■;

 

зц

з 3 .j ■,

(4.21)

причем мы будем

считать, что

 

 

 

 

I

( . - 1|-

-|-

I

I . -

I 2

(4.22)

iRe:3|3,j!

Re[3„3,|- = 1.

Значение гЭ определяет характер поляризации ИК излучения.

Например, при ei3,---0, зи Э., ф 0 или наоборот, ИК излучение

линейно поляризовано. Если £i 3, — + зц Э2,ИК излучение имеет кру­ говую поляризацию. В общем случае, когда ни одно из приведен­ ных условий не выполняется, ИК излучение поляризовано эллип­ тически. В таком случае комплексная матрица плотности поляри­ зованного ИК излучения имеет вид

з,Э,

1

-1

£,*£,

» ^ с

-II “I

 

. !.

а

; * 9

' — ,

 

=113,

 

 

 

L *;

Еигн

 

 

 

С1 ®п

Особенно удобное представление г, справедливое и для сме­ шанных состояний ИК излучения, получается при использовании стоксовых параметров. Для полностью поляризованного состоя­ ния параметры Стокса, позволяющие оценить состояние поляри­

60


зации электромагнитной волны, определяются при условии норми­ ровки следующим образом:

II сю

•*:

 

 

г|Г" 5ц —

1' Zl

 

*

S|

-

^ и * гп;

 

 

 

(4.24)

■' г||

-b sn * V .

h

, ;I; s,

- S,:i: ги 1

Для любого случая состояния ИК излучения можно получить

“ : '

 

1

5 „

5 ,

S., — \ S;,i

(4.25)

 

 

2

!s, -f is3

s„ -

s

|.

 

 

 

 

 

 

>1 I

 

Если ввести в процесс вычисления матрицы Паули

 

■О

1\

 

 

/О - Л

 

/1 О

(4.26)

 

0.

 

 

i

0

 

0

 

 

 

 

 

и обозначить v„

Н

0

то можно записать

 

 

0

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

г - 4 - 15 "

-i-

v2

+

s:! v;I - f s, V, 1^

- I

(1 + JM JvlT-L

(4 97)

В свою очередь, любой параметр Стокса можно найти из г с помощью выражения

= Sp [г Vj|;

/ = 0, 1,2,3 ...

(4.28)

С введением параметров Стокса мы приходим к заключению, что полностью поляризованное состояние ИК излучения будет ха­

рактеризоваться единичным вектором N :

1. (4.29)

Степень поляризации, независимо, от вида поляризации, опре­ деляется выражением

=

(4.30)

Таким образом, для полностью поляризованного излучения сте­ пень поляризации Р = 1, для смешанного состояния Р<1. Полно­ стью хаотическое состояние имеет степень поляризации Р = 0.

61


Плоскость поляризации и степень эллиптичности вычисляются по формулам

 

 

tg 2 9 (/)= А ;

(4.31)

 

sin 2 ®= -у.-------- —----------,

(4.32)

 

 

V S f

+ S f + SJ

 

где О— угол

между

направлением большой оси эллипса

поляри­

зации

и направлением

оси

базиса;

эллипса

Ф — угол, тангенс

которого

равен

отношению осей

поляризации.

С помощью данного математического аппарата можно характе­ ризовать поляризационные свойства ИК излучения элементов ин­ тегральных схем. При прогнозировании отказов в интегральных схемах с помощью анализа поляризационных свойств ИК излуче­ ния необходимо следить за изменениями поляризационной структу­ ры лучистого потока того или иного элемента, чтобы по ним су­ дить о происходящих трансформациях микроструктуры вещества, из которого они изготовлены.

На основе формул (4.30), (4.31), (4.32) мы можем анализиро­ вать поляризационную структуру ИК излучения элементов интег­ ральных схем для обнаружения и прогнозирования отказов, кото­ рые другими методами обнаружить и тем более предсказать не­ возможно, ибо поляризационная часть ИК излучения несет в себе информацию как об имеющейся, так и возникающей анизотропии вещества, из которого изготовлен элемент интегральной схемы.

Однако следует отметить, что приемные и анализирующие уст­ ройства лучистых потоков должны работать с очень низкими уров­ нями сигналов ИК диапазона при наличии интенсивных аддитив­ ных фонов. Возможность анализа таких сигналов заложена в оп­ тимизации приемных устройств ИК диапазона с целью достиже­ ния оптимальной чувствительности и точности поляризационных измерений.

Для уменьшения ошибки прогнозирования состояния интег­ ральных схем наряду с анализом поляризационных свойств излу­ чения элементов микросхем необходимо учитывать распределение температурного поля вдоль основания схемы.

§ 4.4. ТЕПЛОВАЯ ВЗАИМОСВЯЗЬ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Тепло (джоулево и термоэлектрическое), выделяемое компо­ нентами интегральной схемы (ее элементами), в результате про­ текания по ним тока приводит к саморазогреву интегральной схе­ мы, к повышению температуры перехода, а следовательно, к изме­ нению фонового ИК излучения.