Файл: Данилин Н.С. Теория и методы неразрушающего инфракрасного контроля радиоэлектронных схем.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 15.07.2024
Просмотров: 128
Скачиваний: 0
их состояние, общий поток ИК излучения представляет суперпо зицию двух потоков — активного и пассивного
Ф = Ф„ )- ФЛ. |
(4.18) |
Для прогнозирования состояний и для определения взаимо связи состояний элементов необходим анализ активного потока ИК излучения, который излучается температурным полем Т_ Пассивный поток от температурного поля Т„ является фоновым, мешающим. Для уменьшения ошибки прогнозирования по ИК из лучению необходимо определить распределение температурного поля Т„ микросхемы с решением уравнений теплового баланса.
§4.3. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПОЛЯРИЗАЦИОННОЙ ФИЛЬТРАЦИИ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ СОСТОЯНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
Система обнаружения неисправностей элементов по их ИК из лучению может допускать ошибки при локализации места отказа.
Восновном они объясняются следующими причинами:
—конечной точностью используемых измерительных средств;
—случайным характером изменения ИК излучения, восприни маемого радиометром;
—флюктуацией ИК излучения элементов одного и того же
типа из-за различных режимов работы, различных изменений в кристаллических решетках, различного теплоотвод? и т. д.;
—неисправностью самой системы обнаружения отказов;
—достоверностью, отличной от 1, системы АСОН, которая об наружила неисправный блок.
В результате системы обнаружения неисправности по ИК из лучению имеет достоверность, меньшую 1. Количественно досто верность обнаружения неисправности характеризуется вероятно
стью Р„ того, что элемент, признанный неисправным, является та ковым. Достоверность ИК системы обнаружения неисправности можно записать так:
% Р Ш |
|
|
РН= Р О О — я — |
’ |
(4Л9) |
где Р(£) — достоверность автоматической или иной системы конт роля, которая обнаруживает неисправный элемент ин тегральной микросхемы-;
Р (ГД) — вероятность того, что комплектующий элемент интег ральной схемы, признанный ИК системой обнаруже ния неисправности неисправным при условии, что дан ная интегральная схема признана АСОН неисправной;
Р— количество элементов в исследуемой интегральной схеме.
59
Повышать значение достоверности ИК системы можно, приме няя поляризационную фильтрацию ИК излучения элементов и учи тывая тепловую взаимосвязь между элементами интегральной микросхемы.
Анализ поляризационных свойств И К излучения
элементов интегральных схем
ИК излучение элементов, состоящее из неполяризованной и полностью поляризованной составляющих, можно описать с по мощью четырех параметров Стокса, которые характеризуют интен сивность и поляризацию лучистого потока. Поскольку возможны только два независимых состояния поляризации, применим двух мерное гильбертово пространство, в котором полностью поляризо ванное излучение можно представить нормированным двухком понентным комплексным вектором
|
|
|
| V э г |
|
(4.20) |
|
|
|
|
! £и |
3 2' |
|
|
|
|
|
|
|
||
где |
|
|
|
|
|
|
|
3 |1=1 s 3 , |
■; |
|
зц |
з 3 .j ■, |
(4.21) |
причем мы будем |
считать, что |
|
|
|
|
|
I |
( . - 1|- |
-|- |
I |
I . - |
I 2 |
(4.22) |
iRe:3|3,j! |
Re[3„3,|- = 1. |
Значение гЭ определяет характер поляризации ИК излучения.
Например, при ei3,---0, зи Э., ф 0 или наоборот, ИК излучение
линейно поляризовано. Если £i 3, — + зц Э2,ИК излучение имеет кру говую поляризацию. В общем случае, когда ни одно из приведен ных условий не выполняется, ИК излучение поляризовано эллип тически. В таком случае комплексная матрица плотности поляри зованного ИК излучения имеет вид
з,Э, |
1 |
• |
-1 |
£,*£, |
» ^ с |
-II “I |
|||||
|
. !. |
а |
; * 9 |
' — , |
|
=113, |
|
|
|
L *; |
Еигн |
|
|
|
С1 ®п |
Особенно удобное представление г, справедливое и для сме шанных состояний ИК излучения, получается при использовании стоксовых параметров. Для полностью поляризованного состоя ния параметры Стокса, позволяющие оценить состояние поляри
60
зации электромагнитной волны, определяются при условии норми ровки следующим образом:
II сю
•*: |
|
|
г|Г" 5ц — |
1' Zl |
|
||
* |
S| |
- |
^ и * гп; |
|
|
|
(4.24) |
■' г|| |
-b sn * V . |
||
h |
, ;I; s, |
- S,:i: ги 1 |
Для любого случая состояния ИК излучения можно получить
“ : ' |
|
1 |
5 „ |
5 , |
S., — \ S;,i |
(4.25) |
||
|
|
2 |
!s, -f is3 |
s„ - |
s |
|. |
||
|
|
|
|
|
|
>1 I |
|
|
Если ввести в процесс вычисления матрицы Паули |
|
|||||||
■О |
1\ |
|
|
/О - Л |
|
/1 О |
(4.26) |
|
|
0. |
|
|
i |
0 |
|
0 |
|
|
|
|
|
|
||||
и обозначить v„ |
Н |
0 |
то можно записать |
|
|
|||
0 |
1 |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
||
г - 4 - 15 " |
-i- |
v2 |
+ |
s:! v;I - f s, V, 1^ |
- I |
(1 + JM JvlT-L |
(4 97) |
В свою очередь, любой параметр Стокса можно найти из г с помощью выражения
= Sp [г Vj|; |
/ = 0, 1,2,3 ... |
(4.28) |
С введением параметров Стокса мы приходим к заключению, что полностью поляризованное состояние ИК излучения будет ха
рактеризоваться единичным вектором N :
1. (4.29)
Степень поляризации, независимо, от вида поляризации, опре деляется выражением
= |
(4.30) |
Таким образом, для полностью поляризованного излучения сте пень поляризации Р = 1, для смешанного состояния Р<1. Полно стью хаотическое состояние имеет степень поляризации Р = 0.
61
Плоскость поляризации и степень эллиптичности вычисляются по формулам
|
|
tg 2 9 (/)= А ; |
(4.31) |
||
|
sin 2 ®= -у.-------- —----------, |
(4.32) |
|||
|
|
V S f |
+ S f + SJ |
|
|
где О— угол |
между |
направлением большой оси эллипса |
поляри |
||
зации |
и направлением |
оси |
базиса; |
эллипса |
|
Ф — угол, тангенс |
которого |
равен |
отношению осей |
поляризации.
С помощью данного математического аппарата можно характе ризовать поляризационные свойства ИК излучения элементов ин тегральных схем. При прогнозировании отказов в интегральных схемах с помощью анализа поляризационных свойств ИК излуче ния необходимо следить за изменениями поляризационной структу ры лучистого потока того или иного элемента, чтобы по ним су дить о происходящих трансформациях микроструктуры вещества, из которого они изготовлены.
На основе формул (4.30), (4.31), (4.32) мы можем анализиро вать поляризационную структуру ИК излучения элементов интег ральных схем для обнаружения и прогнозирования отказов, кото рые другими методами обнаружить и тем более предсказать не возможно, ибо поляризационная часть ИК излучения несет в себе информацию как об имеющейся, так и возникающей анизотропии вещества, из которого изготовлен элемент интегральной схемы.
Однако следует отметить, что приемные и анализирующие уст ройства лучистых потоков должны работать с очень низкими уров нями сигналов ИК диапазона при наличии интенсивных аддитив ных фонов. Возможность анализа таких сигналов заложена в оп тимизации приемных устройств ИК диапазона с целью достиже ния оптимальной чувствительности и точности поляризационных измерений.
Для уменьшения ошибки прогнозирования состояния интег ральных схем наряду с анализом поляризационных свойств излу чения элементов микросхем необходимо учитывать распределение температурного поля вдоль основания схемы.
§ 4.4. ТЕПЛОВАЯ ВЗАИМОСВЯЗЬ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
Тепло (джоулево и термоэлектрическое), выделяемое компо нентами интегральной схемы (ее элементами), в результате про текания по ним тока приводит к саморазогреву интегральной схе мы, к повышению температуры перехода, а следовательно, к изме нению фонового ИК излучения.