Файл: Курносов, А. И. Технология производства полупроводниковых приборов учеб. пособие.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 14.10.2024
Просмотров: 105
Скачиваний: 0
Т а б л и ц а 2.4
Компоненты и основные режимы золочения
|
|
Компоненты электролита и режим электролиза |
Цианистые |
Железисто |
|||||
|
|
синеродистые |
|||||||
Комплексная цианистая соль |
золота |
в пересчете |
|
|
|||||
на |
металл, |
г / л .......................................................... |
|
|
|
..... |
3—5 |
— |
|
Калий |
цианистый |
общий, |
г / л |
.................................. |
|
15—25 |
|||
Калий |
цианистый |
свободный, |
г / л ........................ |
|
3—6 |
— |
|||
Золотохлористоводородная |
кислота |
в пересчете |
_ |
|
|||||
на |
металл, |
г / л ......................................................... |
|
|
|
: |
2,65 |
||
Калий железистосинеродистый, |
г / л ........................ |
|
|
15—20 |
|||||
Сода безводная, г / л ................................................ |
|
|
|
—■ |
20—25 |
||||
Температура электролита, °С |
................................. |
|
60—70 |
50—55 |
|||||
Катодная |
плотность тока, |
а / д м ? ........................ |
|
0,2—0,3 |
0,1—0,2 |
||||
Выход |
по току,. % |
..................................................... |
|
|
|
60—80 |
25—35 |
Рис. 2.7. Интегральная схема с консольными выводами (вид с непланарной стороны)
В результате поиска эффективной конструкции полупроводни кового кристалла, поддающегося автоматизированной сборке, раз работаны консольные (балочные) и шариковые выводы. Кристал лы первого типа после разделения полупроводниковой пластины на планарной стороне имеют несколько консольно выступающих выво дов (рис. 2.7). Кристаллы второго типа содержат выращенные на
58
контактных площадках полусферы (рис. 2.8). При сборке прибо ров или интегральных схем кристаллы переворачивают выводами вниз и в таком положении закрепляются.
Балочные выводы создают путем золочения. Локализацию осаж дения обеспечивают применением фотолитографической маски, на носимой на сплошной металлический подслой толщиной 0,5—1 мкм из платины, палладия йли никеля. Пластину закрепляют на като де, имеющем электрический контакт с подслоем. Осаждение золо та ведут из железистосинеродистого электролита. На рис. 2.9 пока зана последовательность изготовления балочных выводов на диод ных структурах.
В исходной пластине кремния с эпитаксиальной и окисной плен ками создают р+-анодные и п+-катодные области; после чего с по мощью фотолитографии над этими областями в окисной пленке
Рис. 2.8. Структура кристалла с шариковыми выводами на основе меди
вытравливают отверстия заданного размера (а). Методом терми ческого напыления создают омические контакты (б). Затем по всей поверхности напыляют двухслойное металлическое покрытие (в) и планарную сторону пластины защищают маской из фоторезиста. В маске остаются отверстия нужной конфигурации на тех участ ках, где должны разместиться выводы. Пластину помещают в галь ваническую ванну, где на этих участках осаждаются золотые вы воды (г) толщиной 10—15 мкм. Фоторезист и биметаллическое по крытие под ним удаляют катодным распылением (д). Пластины наклеивают планарной стороной на фторопластовые диски, подвер гают химико-динамическому травлению с противоположной сторо ны до толщины 50—70 мкм, и области будущих диодов защищают маской из фоторезиста или битума (е). Разделение на диоды про изводят путем травления в селективном травителе, поэтому отдель ные структуры после разделения (ж) имеют форму, показанную на рис. 2.7.
При выращивании шариковых выводов наличие сплошного ме таллического подслоя на пластине не обязательно, так как они сво бодно растут над локализованными омическими контактами. Ша риковые выводы могут быть образованы из серебра, меди, олова или из сплавов на их основе. Сплав SnNi осаждается из электро лита
№ С12 • 6НаО - 250 - 303 г/л-,
59
п |
|
S i 0 2 ^ , |
е Л 7 2 ^ 7 0 7 7 \ т г д с т а * y j< № |
|
|
1 |
|
|
/ |
Д л и н а |
|
|
|
|
Кремниевая |
диода, |
|
подложка |
|
|
благородный |
-S i0 2 |
|
п металл |
|
кремниевая подложка
Слой,_ осуществля
ющий сцепление
Токопроводящий слой для гальванического покры т ия_
м аска из
Гальванопластические
Фоторезиста
золотые выводы
Удален фоторезист и м ет алл
д)
Маска для разделения
ш ш 3 /6
е) ш ш ш па
IКремниевая подложка
SnCl2 -2H20 — |
40 — 50 |
г/л; |
|
NaF |
— |
30 |
г/л; |
NH4F |
- |
35 |
г/л. |
Температура электролита 55— |
|||
65° С, плотность |
тока |
0,3— |
|
1,5 а/дм2, |
рН = 3—3,5, |
время |
|
осаждения |
40—60 мин. Диаметр |
||
полусферы10—15 |
мкм, |
состав |
осадка 65% Sn и 35% Ni.
Медь осаждается из электро лита:
CuS04 - 5Н20 - 250 г/л;
H2S 0 4 — 5 г/л; |
|
сегнетовая соль — 0,2 |
г/л. |
При плотности тока |
1 а/дм2 |
в течение 1 ч толщина |
осадка |
достигает 30 мкм. |
|
§ 2.5. Химический участок
Химические участки распола гают в производственных поме щениях, изолированных от дру гих участков завода (термиче ских, измерительных, сбороч ных), так как пары травителей, растворителей, влага, выделяю щиеся при обработке, оказывают отрицательное воздействие на параметры структур и приборов. Удаление различных паров и дру гих загрязнений атмосферы явля ется важной задачей по органи зации рабочих мест на самих химических участках. Рассмот рим основные требования, предъ являемые к чистоте производ ственных помещений и касаю щиеся всех технологических уча стков.
Рис. 2.9. Технологическая последова тельность изготовления балочных вы воде^ на диодных структурах
60
Чистота производственных помещений. К производственным помещениям, в которых изготавливают полупроводниковые прибо ры и интегральные схемы, предъявляют строгие требования в отно шении их чистоты. В зависимости от размеров пылевых частиц и их количества в воздухе производственные комнаты и пылезащитные камеры подразделяют на три класса чистоты. Максимальные коли чества частиц размером 0,5 и 5 мкм в 1 л воздуха не должно пре вышать соответственно: 1-й класс — 3500 и 25, 2-й класс — 300 и 3, 3-й класс — 4 и 0.
При проведении химической обработки пластин рекомендуются комнаты 2-го класса, финишной химической обработки и гальвани ческих покрытий пластин — комнаты 3-го класса. Для других тех нологических операций рекомендуются: 1-й класс —для резки слит ков, исследования физических свойств и надежности; 2-й класс — для шлифовки и полировки пластин, изготовления оригиналов фо тошаблонов, сборки и измерения; 3-й класс — для фотолитографии, изготовления фотошаблонов, эпитаксии, диффузии, напыления тон ких пленок.
По характеру воздушного потока, циркулирующего в помеще нии, чистые комнаты подразделяют на комнаты с ламинарным и с неламинарным потоками. В комнаты с ламинарным потоком через всю площадь потолка или стены подается очищенный кондициони рованный воздух, отводящийся через соответствующие площади пола или противоположную стену. В комнатах с неламинарным по током очищенный кондиционированный воздух подается через воз духораспределительное устройство в потолке, а отводится через устройство, расположенное в полу или на небольшой высоте в сте нах. Скорость протока воздуха лежит в пределах 0,2—0,5 м/сек.
Пылезащитные камеры (скафандры) также бывают с ламинар ным и неламинарным потоками. В зависимости от характера вы полняемой работы в камере устанавливают избыточное давление при работах, не связанных с вредными веществами, и пониженное при наличии вредных веществ.
В чистых комнатах работающему персоналу необходимо соблю дать ряд требований по поддержанию чистоты, например, не раз решается проводить производственную гимнастику, пользоваться карандашом и ластиком, применять косметику, принимать пищу.
Рабочее место. Все химические операции осуществляют в вы тяжных шкафах с местной вытяжной вентиляцией. Стол, сливная раковина и водяные краны этих шкафов обычно изготовлены из винипласта, а стенки — из прозрачного плексигласа. К шкафу под водят холодную и горячую воду, электропитание для нагреватель ных плиток с закрытыми спиралями и других электроприборов, на пример, гальванических ванн.
Для травления, промывки и осаждения гальванических покры тий используют посуду из фторопласта, кварца, платины, винипла ста, плексигласа и термостойкого стекла. Оператор, ведущий хи мическую обработку, работает обязательно в резиновых перчат ках. Пластины полупроводника загружают в приспособления для
61
травления и промывки пинцетами с фторопластовыми наконечни ками. В шкафах хранится дневной запас кислот, щелочей, раство рителей или электролитов. Деионизованную воду либо подводят непосредственно в шкаф, либо подносят в канистрах из полиэти лена для непосредственного употребления в течение смены. Для хранения воды стеклянная и кварцевая посуда непригодна, так как в воду переходят щелочные ионы натрия и калия. Нельзя так же длительное время держать воду на воздухе, потому что она поглощает углекислый газ и загрязняется.
Основные требования техники безопасности. На химических участках сосредоточиваются агрессивные и ядовитые вещества: ки слоты, щелочи, растворители, цианистые соединения и т. п., поэто му необходимо помнить о технике безопасности и мерах оказания первой помощи.
К и с л о т ы . Используются азотная, плавиковая, соляная и сер ная кислоты. При составлении растворов не следует забывать, что заливают кислоту в воду, а не наоборот, во избежание расплески вания кислоты. При попадании кислоты на кожу пораженное ме сто нужно немедленно промыть обильной струей воды, затем ней трализовать раствором двууглекислой соды. При ожоге плавико вой кислотой после промывки нейтрализацию осуществляют раствором нашатырного спирта или 10%-ным раствором углекис лого аммония.
Пролитую кислоту засыпают песком, собирают и выбрасывают или нейтрализуют водой. Концентрированная азотная кислота, яв ляясь сильным окислителем, огнеопасна.
Ще л о ч и : едкий натр и едкое кали. Щелочи разъедают кожу и вызывают ожоги. Если щелочь попала в глаза, то их промывают
большим количеством воды, а затем 2%-ным раствором |
борной |
|
кислоты. Кожу промывают водой и 10%-ным раствором |
борной |
|
кислоты. |
|
|
При приготовлении растворов щелочи отмеренное количество |
||
воды заливают в сосуд со щелочью небольшими порциями |
при пе |
|
ремешивании. |
Четыреххлористый углерод— бесцветная |
|
Р а с т в о р и т е л и . |
жидкость, невоспламеняющаяся, с характерным сладковатым за пахом. Пораженный участок кожи необходимо обмыть спиртом.
Дихлорэтан — бесцветная жидкость со сладковатым запахом. Ядовит, вызывает общее отравление и местное поражение кожи. Большая концентрация дихлорэтана вызывает тяжелые отравле ния как наркотическое средство и воздействует на печень. Предель но допустимое содержание паров дихлорэтана в воздухе 0,05 мг/л. При попадании дихлорэтана на кожу пораженное место необходи мо промыть водой; увлажненную одежду — сменить.
Спирт, ацетон, |
бензин’ толуол — легко воспламеняющиеся ве |
щества. |
с о е д и н е н и я . Все цианистые соединения — |
Ц и а н и с т ы е |
сильные яды. Вдыхание цианистого водорода, являющегося про дуктом разложения цианидов, особенно опасно. Предельно допу-
62