Файл: Курносов, А. И. Технология производства полупроводниковых приборов учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 14.10.2024

Просмотров: 105

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Т а б л и ц а 2.4

Компоненты и основные режимы золочения

 

 

Компоненты электролита и режим электролиза

Цианистые

Железисто­

 

 

синеродистые

Комплексная цианистая соль

золота

в пересчете

 

 

на

металл,

г / л ..........................................................

 

 

 

.....

3—5

Калий

цианистый

общий,

г / л

..................................

 

15—25

Калий

цианистый

свободный,

г / л ........................

 

3—6

Золотохлористоводородная

кислота

в пересчете

_

 

на

металл,

г / л .........................................................

 

 

 

:

2,65

Калий железистосинеродистый,

г / л ........................

 

 

15—20

Сода безводная, г / л ................................................

 

 

 

—■

20—25

Температура электролита, °С

.................................

 

60—70

50—55

Катодная

плотность тока,

а / д м ? ........................

 

0,2—0,3

0,1—0,2

Выход

по току,. %

.....................................................

 

 

 

60—80

25—35

Рис. 2.7. Интегральная схема с консольными выводами (вид с непланарной стороны)

В результате поиска эффективной конструкции полупроводни­ кового кристалла, поддающегося автоматизированной сборке, раз­ работаны консольные (балочные) и шариковые выводы. Кристал­ лы первого типа после разделения полупроводниковой пластины на планарной стороне имеют несколько консольно выступающих выво­ дов (рис. 2.7). Кристаллы второго типа содержат выращенные на

58


контактных площадках полусферы (рис. 2.8). При сборке прибо­ ров или интегральных схем кристаллы переворачивают выводами вниз и в таком положении закрепляются.

Балочные выводы создают путем золочения. Локализацию осаж­ дения обеспечивают применением фотолитографической маски, на­ носимой на сплошной металлический подслой толщиной 0,5—1 мкм из платины, палладия йли никеля. Пластину закрепляют на като­ де, имеющем электрический контакт с подслоем. Осаждение золо­ та ведут из железистосинеродистого электролита. На рис. 2.9 пока­ зана последовательность изготовления балочных выводов на диод­ ных структурах.

В исходной пластине кремния с эпитаксиальной и окисной плен­ ками создают р+-анодные и п+-катодные области; после чего с по­ мощью фотолитографии над этими областями в окисной пленке

Рис. 2.8. Структура кристалла с шариковыми выводами на основе меди

вытравливают отверстия заданного размера (а). Методом терми­ ческого напыления создают омические контакты (б). Затем по всей поверхности напыляют двухслойное металлическое покрытие (в) и планарную сторону пластины защищают маской из фоторезиста. В маске остаются отверстия нужной конфигурации на тех участ­ ках, где должны разместиться выводы. Пластину помещают в галь­ ваническую ванну, где на этих участках осаждаются золотые вы­ воды (г) толщиной 10—15 мкм. Фоторезист и биметаллическое по­ крытие под ним удаляют катодным распылением (д). Пластины наклеивают планарной стороной на фторопластовые диски, подвер­ гают химико-динамическому травлению с противоположной сторо­ ны до толщины 50—70 мкм, и области будущих диодов защищают маской из фоторезиста или битума (е). Разделение на диоды про­ изводят путем травления в селективном травителе, поэтому отдель­ ные структуры после разделения (ж) имеют форму, показанную на рис. 2.7.

При выращивании шариковых выводов наличие сплошного ме­ таллического подслоя на пластине не обязательно, так как они сво­ бодно растут над локализованными омическими контактами. Ша­ риковые выводы могут быть образованы из серебра, меди, олова или из сплавов на их основе. Сплав SnNi осаждается из электро­ лита

№ С12 • 6НаО - 250 - 303 г/л-,

59


п

 

S i 0 2 ^ ,

е Л 7 2 ^ 7 0 7 7 \ т г д с т а * y j< №

 

1

 

 

/

Д л и н а

 

 

 

Кремниевая

диода,

 

подложка

 

 

благородный

-S i0 2

п металл

 

кремниевая подложка

Слой,_ осуществля­

ющий сцепление

Токопроводящий слой для гальванического покры т ия_

м аска из

Гальванопластические

Фоторезиста

золотые выводы

Удален фоторезист и м ет алл

д)

Маска для разделения

ш ш 3 /6

е) ш ш ш па

IКремниевая подложка

SnCl2 -2H20 —

40 — 50

г/л;

NaF

30

г/л;

NH4F

-

35

г/л.

Температура электролита 55—

65° С, плотность

тока

0,3—

1,5 а/дм2,

рН = 3—3,5,

время

осаждения

40—60 мин. Диаметр

полусферы10—15

мкм,

состав

осадка 65% Sn и 35% Ni.

Медь осаждается из электро­ лита:

CuS04 - 5Н20 - 250 г/л;

H2S 0 4 — 5 г/л;

 

сегнетовая соль — 0,2

г/л.

При плотности тока

1 а/дм2

в течение 1 ч толщина

осадка

достигает 30 мкм.

 

§ 2.5. Химический участок

Химические участки распола­ гают в производственных поме­ щениях, изолированных от дру­ гих участков завода (термиче­ ских, измерительных, сбороч­ ных), так как пары травителей, растворителей, влага, выделяю­ щиеся при обработке, оказывают отрицательное воздействие на параметры структур и приборов. Удаление различных паров и дру­ гих загрязнений атмосферы явля­ ется важной задачей по органи­ зации рабочих мест на самих химических участках. Рассмот­ рим основные требования, предъ­ являемые к чистоте производ­ ственных помещений и касаю­ щиеся всех технологических уча­ стков.

Рис. 2.9. Технологическая последова­ тельность изготовления балочных вы­ воде^ на диодных структурах

60


Чистота производственных помещений. К производственным помещениям, в которых изготавливают полупроводниковые прибо­ ры и интегральные схемы, предъявляют строгие требования в отно­ шении их чистоты. В зависимости от размеров пылевых частиц и их количества в воздухе производственные комнаты и пылезащитные камеры подразделяют на три класса чистоты. Максимальные коли­ чества частиц размером 0,5 и 5 мкм в 1 л воздуха не должно пре­ вышать соответственно: 1-й класс — 3500 и 25, 2-й класс — 300 и 3, 3-й класс — 4 и 0.

При проведении химической обработки пластин рекомендуются комнаты 2-го класса, финишной химической обработки и гальвани­ ческих покрытий пластин — комнаты 3-го класса. Для других тех­ нологических операций рекомендуются: 1-й класс —для резки слит­ ков, исследования физических свойств и надежности; 2-й класс — для шлифовки и полировки пластин, изготовления оригиналов фо­ тошаблонов, сборки и измерения; 3-й класс — для фотолитографии, изготовления фотошаблонов, эпитаксии, диффузии, напыления тон­ ких пленок.

По характеру воздушного потока, циркулирующего в помеще­ нии, чистые комнаты подразделяют на комнаты с ламинарным и с неламинарным потоками. В комнаты с ламинарным потоком через всю площадь потолка или стены подается очищенный кондициони­ рованный воздух, отводящийся через соответствующие площади пола или противоположную стену. В комнатах с неламинарным по­ током очищенный кондиционированный воздух подается через воз­ духораспределительное устройство в потолке, а отводится через устройство, расположенное в полу или на небольшой высоте в сте­ нах. Скорость протока воздуха лежит в пределах 0,2—0,5 м/сек.

Пылезащитные камеры (скафандры) также бывают с ламинар­ ным и неламинарным потоками. В зависимости от характера вы­ полняемой работы в камере устанавливают избыточное давление при работах, не связанных с вредными веществами, и пониженное при наличии вредных веществ.

В чистых комнатах работающему персоналу необходимо соблю­ дать ряд требований по поддержанию чистоты, например, не раз­ решается проводить производственную гимнастику, пользоваться карандашом и ластиком, применять косметику, принимать пищу.

Рабочее место. Все химические операции осуществляют в вы­ тяжных шкафах с местной вытяжной вентиляцией. Стол, сливная раковина и водяные краны этих шкафов обычно изготовлены из винипласта, а стенки — из прозрачного плексигласа. К шкафу под­ водят холодную и горячую воду, электропитание для нагреватель­ ных плиток с закрытыми спиралями и других электроприборов, на­ пример, гальванических ванн.

Для травления, промывки и осаждения гальванических покры­ тий используют посуду из фторопласта, кварца, платины, винипла­ ста, плексигласа и термостойкого стекла. Оператор, ведущий хи­ мическую обработку, работает обязательно в резиновых перчат­ ках. Пластины полупроводника загружают в приспособления для

61


травления и промывки пинцетами с фторопластовыми наконечни­ ками. В шкафах хранится дневной запас кислот, щелочей, раство­ рителей или электролитов. Деионизованную воду либо подводят непосредственно в шкаф, либо подносят в канистрах из полиэти­ лена для непосредственного употребления в течение смены. Для хранения воды стеклянная и кварцевая посуда непригодна, так как в воду переходят щелочные ионы натрия и калия. Нельзя так­ же длительное время держать воду на воздухе, потому что она поглощает углекислый газ и загрязняется.

Основные требования техники безопасности. На химических участках сосредоточиваются агрессивные и ядовитые вещества: ки­ слоты, щелочи, растворители, цианистые соединения и т. п., поэто­ му необходимо помнить о технике безопасности и мерах оказания первой помощи.

К и с л о т ы . Используются азотная, плавиковая, соляная и сер­ ная кислоты. При составлении растворов не следует забывать, что заливают кислоту в воду, а не наоборот, во избежание расплески­ вания кислоты. При попадании кислоты на кожу пораженное ме­ сто нужно немедленно промыть обильной струей воды, затем ней­ трализовать раствором двууглекислой соды. При ожоге плавико­ вой кислотой после промывки нейтрализацию осуществляют раствором нашатырного спирта или 10%-ным раствором углекис­ лого аммония.

Пролитую кислоту засыпают песком, собирают и выбрасывают или нейтрализуют водой. Концентрированная азотная кислота, яв­ ляясь сильным окислителем, огнеопасна.

Ще л о ч и : едкий натр и едкое кали. Щелочи разъедают кожу и вызывают ожоги. Если щелочь попала в глаза, то их промывают

большим количеством воды, а затем 2%-ным раствором

борной

кислоты. Кожу промывают водой и 10%-ным раствором

борной

кислоты.

 

 

При приготовлении растворов щелочи отмеренное количество

воды заливают в сосуд со щелочью небольшими порциями

при пе­

ремешивании.

Четыреххлористый углерод— бесцветная

Р а с т в о р и т е л и .

жидкость, невоспламеняющаяся, с характерным сладковатым за­ пахом. Пораженный участок кожи необходимо обмыть спиртом.

Дихлорэтан — бесцветная жидкость со сладковатым запахом. Ядовит, вызывает общее отравление и местное поражение кожи. Большая концентрация дихлорэтана вызывает тяжелые отравле­ ния как наркотическое средство и воздействует на печень. Предель­ но допустимое содержание паров дихлорэтана в воздухе 0,05 мг/л. При попадании дихлорэтана на кожу пораженное место необходи­ мо промыть водой; увлажненную одежду — сменить.

Спирт, ацетон,

бензин’ толуол — легко воспламеняющиеся ве­

щества.

с о е д и н е н и я . Все цианистые соединения —

Ц и а н и с т ы е

сильные яды. Вдыхание цианистого водорода, являющегося про­ дуктом разложения цианидов, особенно опасно. Предельно допу-

62