Файл: Курносов, А. И. Технология производства полупроводниковых приборов учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 14.10.2024

Просмотров: 117

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Медь, окисленная до черноты......................................

0,78

Полированное железо ................................................

0,28

Ровное покрытие черным лаком .............................

0,97

Масляная

окраска

черного ц в е т а .............................

0,92—0,96

Покрытие

тонким

слоем с а ж и .................................

0,95

В о д а ....................................................................

 

....

0,95

Тепловые потери, обусловленные конвекцией воздуха, зависят от температуры поверхности радиатора, его длины по вертикали, положения в пространстве, плотности воздуха, обдува.

При чисто конвекционном теплообмене мощность отводимого теплового потока

Р П = «К ( Р р

Т окр ),

где а к — постоянная теплообмена, зависящая от положения ра­ диаторной пластины и разности температур пластины

иокружающей среды;

Тр — температура радиатора.

Для горизонтальной пластины в случае теплоотдачи вверх

ак — 2,5 • Ю-МТ’р - Т'окр)0-25;

в случае теплоотдачи вниз

ак =

1,3-

Ш-ЧТ’р - Т ’окр)0'23-

Для вертикальной пластины, если

ее

высота h не превышает

30 см

 

 

 

 

_

4,2

■ 10 4 , j

j

у )>25

ак —■

Л

1окР;

При работе на больших высотах, когда давление воздуха мень­ ше атмосферного, конвекционный тепловой поток уменьшается. На очень больших высотах почти весь тепловой поток рассеивается излучением.

Для приборов повышенной мощности применяют принудитель­ ное охлаждение либо путем усиленного воздушного обдува, либо используя корпусы и радиаторы с каналами для циркуляции воды.

Иногда приборы помещают в перемешиваемое масло, что улуч­ шает условия теплоотвода в 5—6 раз.

Для расчетов тепловых режимов полупроводниковых приборов часто применяют эквивалентные тепловые схемы (рис. 11.1).

При стационарных условиях мощность теплового потока Рп, генерируемого в р-я-переходе, проходит через внутреннее тепловое

сопротивление

прибора

R rn и

через внешнее тепловое сопротив­

ление Дгокр .

Емкости

Сп и

Ск соответствуют теплоемкостям

/?-«-перехода и корпуса.

 

 

306


Внутреннее тепловое сопротивление R r n от р-п-перехода до ос­ нования кристаллодержателя может быть принято постоянным. Внешнее тепловое сопротивление RT0Кр от кристаллодержателя до окружающей среды изменяется и может быть представлено в виде параллельной цепи из постоянного теплового сопротивления вдоль

прибора Ятп и теплового сопротивления теплоотводящего радиа­ тора RTp:

 

 

R'T

R t

R T

0KP

= — 7- ^

---------- — .

 

R T

-f

R T

 

 

n

 

ip

Тепловые постоянные р-п-перехода и корпуса вычисляют анало­ гично постоянным времени заряда емкостей:

•г„ Ск/?:окр

Мощность теплового потока

Р =

Джр

Рис. 11.1. Эквивалентная тепловая схема

г Т R 7окр

полупроводникового прибора

 

 

 

Если прибор работает без радиатора, то RTp и Rt okp увеличи­ ваются, что ведет при той же величине рассеиваемой мощности

кувеличению перегрева /?-я-перехода.

§11.2. Корпусы диодов общего назначения

Под диодами общего назначения понимают выпрямительные и импульсные диоды, варикапы, стабилитроны и ряд специальных типов диодов (генераторы шума, диоды с накоплением заряда и ДР-)- Несмотря на большое различие в электрических характери­ стиках и в сфере применения этих приборов, при их производстве можно использовать типовые конструкции корпусов.

Для данного класса приборов используют несколько десятков Различных конструкций корпусов, различных по методам получе­ ния спая и способам монтажа приборов в аппаратуре. Рассмотрим конструктивные особенности и электрические характеристики основ­ ных видов этих корпусов.

 

К о н с т р у к ц и я с т е к л я н н о г о к о р п у с а

Существует три типовых стеклянных корпуса.

На

рис. 11.2,а показана конструкция стеклянного корпуса

^ 1а,

которая состоит из кристаллодержателя с трубкой (стек­

лом) и держателя с контактной пружиной. Кристаллодержатель выполнен на основе спая трубки 1 из стекла С88-1 с платинитовой

307


проволокой 2. Для обеспечения точной геометрической формы спая

иуменьшения возможности перегрева при получении спая трубки

свыводом на платинитовый вывод предварительно напаивают бусу 3 из стекла С88-1. На выступающий внутрь баллона платиннтовый вывод с помощью низкотемпературного припоя 4 (250—300°С) напаивают кристалл проводника 5. Для окончатель­ ной герметизации корпуса прибора используют второй вывод с бусой, на который предварительно приварена игла 6 из сплава МВ 50 или контактная пружина.

/г з

Конструкция 1—16 отличается от конструкции 1 —1а несколько большими габаритными размерами (см. табл. 11.2).

Тип

корпуса

 

D

11а

1,2 0 ,2

116

3—0,6

11в

1,8 - 0,2

Размеры, мм

G

1

2 ,8 0.8

2 0 + 2

7,5—1

25±3

to bo 1 О СО

25±3

 

Т а б л и ц а

11.2

 

Электрические

 

 

параметры

ь

С,

L,

град

пф

нгн

 

 

 

вт

0,3+0,05

0,1

1

900

0,5±0,1

0,25

0,5

500

0,5 ±0,1

0,24

28

150

Для изготовления корпуса 1—1в (рис. 11.2,6) используют труб­ ку из стекла С93-1 или С87-1 и платинитовую проволоку.

Типовой технологический процесс изготовления стеклянных кор­ пусов следующий: получение исходных деталей с необходимыми геометрическими размерами; промывка и химическая обработка стеклянных деталей; окисление платинита перед спаиванием со

308


стеклом; получение спаев вывод—буса и вывод—трубка (держа­ тель с бусой и кристаллодержатель с трубкой); напайка кри­ сталла на вывод (кристаллодержатель с трубкой); приварка про­ волоки к выводу с бусой (держатель с бусой) и формовка кон­ тактной пружины; окончательная заварка прибора с одновремен­ ным обеспечением необходимых электрических характеристик р-п-перехода.

В стеклянной конструкции корпусов 1—la, 1—16, 1—1в основ­ ным является спай платинитовых выводов со стеклом, что обес­ печивает герметичность всей конструкции прибора.

Платинитовая проволока представляет собой ферроникелевый сердечник, покрытый медной рубашкой, поверхность которой окис­ лена до закиси меди. Общее содержание меди в рубашке для получения надежного спая со стеклом без трещин и механических напряжений должно быть в пределах 24—28% веса. Поскольку состояние закиси меди является определяющим' при спаивании платинитового вывода со стеклом, то платинитовая проволока не должна иметь механических' повреждений по всей поверхности спая.

В процессе подготовки к спаиванию платинитовую проволоку на специальном полуавтомате нарезают на части необходимой длины с одновременной рихтовкой. Перед спаиванием ее окисляют

вмуфельной печи при температуре 800°С в течение 15 мин. Стек­ лянные трубки и бусы получают путем разрезания стеклозаготовок на отрезки необходимой длины на станке проволочной резки или алмазным диском. После резки стеклянные детали промывают

вацетоне и травят в плавиковой кислоте. Промывку стеклянных деталей после травления проводят в ультразвуковой ванне горя­ чей водой. Если на стеклянных деталях имеются металлические частицы, то их удаляют травлением в азотной кислоте. Спаивание платинитовой проволоки с бусой осуществляют в муфельной печи или на многопозиционномкарусельном станке с радиационным нагревом. Спай вывода с трубкой получают также на карусельном станке с радиационным нагревом. Для спая платинита со стеклом можно использовать станки с газовыми горелками. Окончательную герметизацию прибора производят с помощью пайки стеклянной бусы и стеклянного баллона.

Рассмотренные стеклянные конструкции являются малогабарит­ ными, простыми в изготовлении и дешевыми. К недостаткам этих

конструкций относятся: значительные остаточные напряжения в стекле, появляющиеся во время окончательной герметизации при охлаждении корпуса со стороны кристалла, и невозможность про­ ведения отжига с целью снятия этих напряжений (температура от­ жига 350—380°С); недостаточная механическая прочность спая и возможность его повреждения при гибке выводов в процессе монтажа. Имеются другие типы стеклянных корпусов, отличаю­ щиеся размерами деталей.

В стеклянных корпусах выпускают импульсные диоды МД-3,. ГД507А, КД503А-Б и др.

30»