Файл: Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 15.10.2024
Просмотров: 110
Скачиваний: 0
ELECTRONIC PROCESSES
I N NON-CRYSTALLINE
MATERIALS
|
|
by |
|
|
|
|
|
N . F . |
M O T T |
|
|
||
Cavendish |
Professor |
of |
Physics |
|
||
in |
the University |
of |
Cambridge |
|||
|
|
and |
|
|
|
|
|
E . |
A . |
D A V I S |
|
||
Royal |
Society Mr. and Mrs. |
John |
Jaffe |
|||
|
Donation |
Research |
|
Fellow |
|
|
Cavendish |
Laboratory, |
University |
of |
Cambridge |
C L A R E N D O N PRESS
OXFORD 1971
н. мотт, э. дэвис
Э Л Е К Т Р О Н Н Ы Е П Р О Ц Е С С Ы
ВН Е К Р И С Т А Л Л И Ч Е С К И Х
ВЕ Щ Е С Т В А Х
Перевод с английского
под редакцией проф. Б. Т. Коломийца
ИЗДАТЕЛЬСТВО «МИР» МОСКВА. 1974
У Д К 539.213.2 ,
I „ Г О С . П У Б Л И Ч Н А Я ^ Т Г
Н А У Ч Н О - Т Е Х Н И Ч Е С К А Я Н Б И Б Л И О Т Е К А С С С Р С
Вкниге, одилы из авторов которой является пзвестнып фпзпк-теоретик Н. Мотт, рассматривают ся электрические, оптические л магнитные свойства некристаллических веществ, теория для которых была развита лпшь в последнее десятилетие.
Впервых шести главах содержится обзор теории
вприложении к жидким металлам п полуметаллам,
к |
полупроводникам, к примесной проводимости |
п |
смежным проблемам, включая переход металл — |
изолятор в некристаллических системах. Послед ние главы посвящены детальному обзору некри сталлических полупроводников, включая германий и кремнии, халькогенпдные стекла и селен, и ин терпретации их свойств в аспекте моделей, предло женных в книге.
Кнпга будет полезна для широкого круга на учных работников, инженеров, а также препода вателей и студентов высших учебных заведенпй.
|
20403-055 |
„ |
_ , |
М |
041(01)-74 |
5 |
Э " 7 4 |
Редакция литературы по физике
© Перевод на русский язык, «Мир», 1974
П Р Е Д И С Л О В И Е Р Е Д А К Т О Р А Р У С С К О Г О И З Д А Н И Я
Последние 10—15 лет отличаются интенсивным развитием экс периментальных и теоретических исследований в области некри сталлических веществ. Достаточно упомянуть, что, например, в 1970 г. было опубликовано более 350 научных статей, имеющих непосредственное отношение it указанной проблеме. Все эти статьи опубликованы в самых разнообразных по своему направле нию журналах и практически во всех странах мира, где ведутся исследования в области физики твердого тела, и в частности физики полупроводников. Столь большое внимание к некристал лическим веществам связано как с общим интересом к неупорядо ченным системам, так и с непрерывно возрастающим использо
ванием этих |
материалов |
в технике. |
В 1963 г. |
появилась |
книга А. И. Губанова «Квантово-элек- |
тронная теория аморфных полупроводников», сыгравшая суще ственную роль в развитии теоретических и экспериментальных исследований в нашей стране и за рубежом. Однако, как это следует из ее названия, она посвящена главным образом теорети ческим вопросам. Монографии же, объединяющей обширный теоретический материал и еще более обширный в области экспе римента, до последнего времени не существовало. Пробел этот,
хотя и |
не в |
полной мере, впервые восполняется книгой Мотта |
и Дэвиса, и в этом ее несомненное достоинство. |
||
Один |
из |
авторов, проф. Н. Мотт,— крупный английский |
физик-теоретик, известный советским читателям-физикам по мно гим оригинальным работам и ряду монографий, изданных в рус ском переводе. В свое время проф. Н. Мотт возглавил за рубежом теоретические исследования в области неупорядоченных систем. Его перу принадлежит цикл фундаментальных работ в этом направлении, в том числе и обзор «Электроны в неупорядоченных структурах», переведенный на русский язык в 1967 г.
Круг вопросов, которые авторы стремились охватить в книге, исключительно широк. Равное место в нем занимают как обзор теоретических построений для электронов в незшорядоченных системах, базирующихся в основном на одноэлектронном подходе (гл. 2—3), так и довольно подробный анализ электрических и оптических явлений (гл. 7), а также анализ структуры, свойств
6 Предисловие редактора русского издания
и способов получения ряда конкретных материалов (гл. 8—10). Весьма уместно в книгу включены главы, посвященные многочастичным эффектам — поляронам, фононам и фазовым переходам «металл — диэлектрик», а также перескоковой проводимости (гл. 4—6), которые хотя и рассматриваются в основном для кри сталлических тел, тем не менее имеют непосредственное отношение к проблемам движения носителей заряда в собственно неупоря доченных системах. В книге нашел отражение огромный факти ческий материал, подкрепленный обширной библиографией ори гинальных работ.
Надо сказать, что в настоящее время в физике неупорядочен ных систем, пожалуй, как ни в какой другой области физики твердого тела, существует огромное разнообразие различных подходов и методов и нет какой-либо общепринятой точки зрения, способной объяснить большую совокупность экспериментальных данных. Это обусловлено, с одной стороны, многообразием и с другой — спецификой возникающих здесь проблем. Во всяком случае, попытка обобщить и связать известные данные теории и эксперимента представляет чрезвычайно сложную задачу, и сле дует признать, что она решена Н. Моттом и Э. Дэвисом довольно успешно.
При этом, естественно, авторам не удалось избежать и некото рых недостатков, наиболее ощутимых для физиков-теоретиков. Так, наряду с очень «физичными» рассуждениями хотелось бы видеть в книге более строгое изложение теорий. Это касается, в частности, вопросов природы электронных состояний в полно стью неупорядоченных полупроводниках, явлений переноса, эффекта Холла и др. Без внимания остались математически более сильные теории, в то время как теория Займана, применимая, строго говоря, лишь к жидким щелочным металлам, рассматри вается весьма подробно. Более детального анализа заслуживают явления перехода «металл — диэлектрик» в неупорядоченных материалах и, в частности, под действием сильного электрического поля (так называемый эффект переключения). В соответствующей же главе авторы останавливаются в основном на переходе такого типа в кристаллах. ^
Отмеченные недостатки не умаляют большой ценности книги, в которой довольно полно отражено состояние исследований некристаллических материалов на конец 1970 г. Однако, посколь ку с того времени появилась весьма обширная литература, касаю щаяся как теории и эксперимента, так и многих технических применений неупорядоченных материалов, представлялось целе сообразным привести в советском издании данной книги ряд дополнительных ссылок на наиболее важные и интересные работы, выполненные в 1971—1972 гг. как в нашей стране, так и за рубе жом. В этот дополнительный список литературы не включены
Предисловие редактора русского издания |
7 |
весьма интересные работы, представленные на I V Международной конференции по аморфным и жидким полупроводникам (АннАрбор, США, 1971 г.) и на Международной конференции по этой
же проблеме, проводившейся |
в |
Софии в 1972 г. Соответствующие |
||
труды |
читатель |
может иайти |
в |
Journal of Non-Crystalline Solids, |
8 — 1 0 |
(1972) и |
в Трудах |
Софийской конференции, изданных |
Болгарской Академией наук. Большая библиография по фото
электрическим явлениям в стеклообразных |
полупроводниках |
||
содержится в обзоре Б. Т. Коломийца и В. М. Любина, |
опублико |
||
ванном в Physica Status Solidi (а), том |
17, |
1973. |
|
Что касается работ советских авторов, то дополнительный' |
|||
перечень литературы охватывает более |
длительный |
период, |
а именно начиная приблизительно с 1965 г. Это продиктовано тем, что авторы книги ссылаются на монографию А. И. Губанова, выпущенную в 1963 г. (английский перевод был издан в 1965 г.) и обзор Б. Т. Коломийца по халькогенидным стеклообразным полупроводникам, опубликованный в Physica Status Solidi в 1964 г., а более поздние обширные теоретические и эксперимен тальные исследования, проведенные в СССР, к сожалению, не нашли должного отражения в книге.
Дополнительная библиография, приводимая в данном издании книги, разумеется, не претендует на исчерпывающий характер. В связи с обилием литературы в нее включены ссылки лишь на наиболее интересные работы. Дополнительная библиография при водится в конце книги, вслед за основным списком цитированной авторами литературы, и разделена на части, соответствующие отдельным главам книги.
Мы искренне признательны проф. Н. Мотту, любезно написав шему предисловие к русскому изданию его книги.
Перевод выполнен А. И. Губановым (гл. 1—4), |
О. В. Констан |
|
тиновым (гл. 5—7) и Т. Ф. Мазец (гл. 8—10 |
и |
приложения). |
|
Б. |
Коломиец |
П Р Е Д И С Л О В И Е А В Т О Р А К Р У С С К О М У И З Д А Н И Ю
Я очень рад предпослать несколько вступительных слов к русскому изданию книги «Электронные процессы в некристал
лических |
веществах», написанной д-ром Э. Дэвисом и |
мной. |
С особым |
удовольствием я узнал, что эта книга будет |
издана |
в Советском Союзе, поскольку именно советские ученые внесли огромный вклад в наши представления о популярной в настоящее время области физики — физике неупорядоченных систем. Мне хотелось бы особо отметить работы проф. Б. Т. Коломийца и его сотрудников, которые установили одно из самых существенных свойств некристаллических полупроводников, а именно то, что эти материалы не поддаются легированию примесями и ведут себя как собственные полупроводники. Эти работы послужили стпдгулом к развитию большого количества как прикладных, так и тео ретических исследований. Первой монографией, посвященной неу порядоченным системам, явилась, как известно, книга А. И. Губа нова «Квантово-электронная теория аморфных проводников»; она сыграла наиболее важную роль в интерпретации эксперименталь ных фактов и показала теоретикам всего мира, какое множество данных еще ждет своего объяснения.
Мы с д-ром Дэвисом надеемся, что наша попытка изложить основы физики некристаллических веществ окажется полезной не только для решения чисто научных проблем, но и для многих технических приложений в области электроники твердого тела.
Невилл Мотт
Кэмбридж, 20 ноября 1972 г.
П Р Е Д И С Л О В И Е А В Т О Р О В К А Н Г Л И Й С К О М У И З Д А Н И Ю
Десять лет назад наше теоретическое представление об элек тронах в некристаллических телах находилось в зачаточном
состоянии. Разделение веществ на металлы, |
полупроводники |
и диэлектрики основывалось на зонной теории, |
которая исходит |
из предположения, что вещество является кристаллом. Согласнозонной теории, диэлектрик — это вещество, имеющее энергети ческую щель между зоной проводимости и валентной зоной, а прозрачным является тот диэлектрик, у которого эта щель больше энергии кванта видимого света. Обычное натриевое стек ло — прозрачный диэлектрик; следовательно, должна существо вать щель. Однако даже сейчас мы еще не знаем, как рассчитать эту щель, но представления, которыми следует пользоваться, достаточно ясны.
Заметной вехой на пути исследования этой проблемы послу жило количественное объяснение электрических свойств жидких металлов, выдвинутое Займаном в 1960 г. Это была теория слабой связи, в которой влияние каждого атома на электрон рассматри
валось |
как малое. Успех теории стимулировал исследование |
вопроса |
о том, что произойдет в случае сильного взаимодействия, |
которое |
должно возникать при наличии энергетического зазора. |
Ключевыми моментами оказались принцип Иоффе и Регеля [257], согласно которому средняя длина свободного пробега не может быть меньше расстояния между атомами, и представление о локализации, введенное Андерсоном в его статье «Отсутствиедиффузии в некоторых хаотических решетках», опубликованной в 1958 г. [18]. В некотором смысле изложение нашей книги скон центрировано вокруг этих двух вопросов. На этой основе мы раз работали качественную теорию, и поскольку добиться математи ческой строгости в данном вопросе отнюдь не легко, мы, не колеб лясь, делали догадки при анализе тех проблем, которые в настоя щее время еще не решены. Наша цель — предложить модели,, которые можно сравнить с экспериментом. Мы выбрали экспери ментальные результаты, также имея в виду сравнение с нашей теорией и нашими догадками. Так, например, приводится доста
точно полная сводка данных, |
полученных |
к октябрю 1970 г- |
об электрических и оптических |
свойствах |
некоторых аморфных |