Файл: Сухвало, С. В. Структура и свойства магнитных пленок железо-никель-кобальтовых сплавов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 15.10.2024

Просмотров: 92

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

от напряженности магнитного поля существенно лишь тогда, когда образующаяся и исходная фазы при фазовом превраще­ нии (здесь процесса кристаллизации) существенно различа­ ются по величине намагниченности. Учитывая это, следует ожидать, что при беспримесной кристаллизации пленок желе- зо-никель-кобальтовых сплавов, в частности в сверхвысоком’ вакууме, влияние напряженности магнитного поля не должно

иметь места.

Обнаружены, однако, некоторые экспериментальные фак­ ты, свидетельствующие об определенном влиянии напряжен­ ности магнитного поля на коэффициент конденсации частиц пара, т. е. на степень пересыщения в конденсированном слое. Весьма большое влияние на степень пересыщения конденсиро­ ванного слоя оказывает наклонное падение частиц пара вследствие их косинусного отражения от приемной поверхно­ сти. Если поступление примесных атомов к фронту кристалли­ зации устранено, то два последних эффекта не оказывают за­ метного влияния на величину Ts, в особенности при высоких Ты и могут иметь значение лишь для кинетических характе­ ристик роста пленок. В этом смысле их действие однотипно с изменением степени пересыщения паровой среды.

Закономерности влияния кристаллизационных параметров на структуру и физические свойства беспримесных пленок определяются изменением величины ДТ. Как правило, изме­ нение характеристик кристаллической структуры и свойств пленок аддитивно изменению значений кристаллизационных параметров.

Совершенно иная картина наблюдается при кристаллиза­ ции пленок в условиях влияния примесей. В этом случае важ­ ную роль начинают играть новые факторы, важнейшие из ко­ торых — образование твердых пересыщенных растворов и химических соединений испаряемых материалов с различного рода примесями. При поступлении к фронту кристаллизации большого количества примеси (низкие вакуум и плотности по­ тока, большие углы наклона пучка пара) доминирующее влия­ ние на протекание кристаллизационного процесса, структуру и свойства пленок оказывает образование химических соедине­ ний. При некотором критическом сочетании значений кристал­ лизационных параметров химические соединения могут образо- - Бывать эвтектику с металлом или сплавом, в результате чего в пленке может наблюдаться более или менее полное разделе­ ние фаз.

В условиях влияния примесей изменение переохлаждения ДТ может быть значительным вследствие снижения или ро­ ста температуры плавления Ts при вариации Тт плотности потока пара, давления остаточных газов и угла напыления. Рост Ts с изменением указанных кристаллизационных пара­

317


метров обусловлен обновлением фазового состава пленки, образованием эвтектических смесей и химических соединений, причем ордината наиболее сильного снижения величины 7\ соответствует эвтектической точке, наибольшего возрастания Ts — образованию стехиометрических соединений. Условия, при которых возникает та или иная эвтектика или химическое соединение, а также полнота протекания процессов их обра­ зования весьма значительно зависят от сочетания значений технологических параметров, определяющего количество участвующих в кристаллизации примесей. Вследствие этого ординаты наименьших (эвтектические точки) и наибольших (образование стехиометрического соединения) величин Ts в зависимости от параметров кристаллизации изменяются весь­ ма существенно как по значениям, так и по местоположению.

Характер изменения Ts в зависимости от температуры под­ ложки, плотности потока пара, давления остаточных газов, угла наклона пучка и напряженности магнитного поля опре­ деляет особенности изменения АТ в функции тех же парамет­ ров. Следовательно, характерной особенностью зависимости АТ от параметров кристаллизации является то обстоятель­ ство, что величина АТ оказывается чувствительной к вариации не только Ти, но и других условий, связанных с количеством поступающих в пленку примесей. Вместе с тем величина АТ в случае кристаллизации пленок в присутствии примесей далеко не полностью определяет степень отклонения кристаллизаци­ онного процесса от равновесных условий. С изменением фазо­ вого состава пленок и вследствие этого величины Ts не оста­ ются постоянными термодинамические характеристики кри­ сталлизационного процесса и получаемых пленок. Такие важ­ ные параметры, как энтропия, энтальпия, свободная энергия активации и ряд других характеристик, в зависимости от со­ четания условий роста пленок непрерывно изменяются, при­ чем степень отмеченного изменения зависит от типа и полно­ ты образования химических соединений. Поэтому для полной характеристики процесса кристаллизации в присутствии при­ месей необходима информация не только о АТ (или Ар), но

и о термодинамических параметрах кристаллизующихся фаз,

вчастности величины Д5, т. е. предполагается знание по крайней мере величины термодинамического пересыщения

AZn~ A T -AS.

Таким образом, в рассматриваемом случае полноценный анализ влияния условий кристаллизации на структуру и

•свойства пленок возможен лишь на основе учета термодина­ мического пересыщения, кинетики процесса роста и кристаллохимических свойств фаз, содержащихся в пленке.

Фазовый состав пленок, как было показано, непрерывно изменяется при изменении условий их получения и в ряде

318


случаев оказывается весьма сложным. Совершенно очевидно, что подобную особенность структуры пленок в известном от­ ношении можно расценивать как характеристику, присущую фазам с переменным составом. Для понимания закономерно­ стей изменения свойств этих фаз весьма важен учет возмож­ ности изменения их состава. В рассматриваемом случае со­ став возникающих фаз путем изменения условий кристалли­ зации можно существенно варьировать.

Внастоящее время фазы переменного состава привлекают

ксебе все нарастающий научный и практический интерес. Общий структурный и термодинамический анализ проблемы фаз переменного состава дан в [493]. Проблема фаз перемен­ ного состава в случае тонких пленок имеет важное практиче­ ское значение, так как промышленное получение тонкопле­ ночных элементов часто осуществляется в вакууме не выше 10-5—10~7 мм рт. ст. при низких плотностях потока пара. По­ добные условия могут вызывать заметное изменение фазового состава пленок.

Многие характерные особенности зависимости структуры и свойств пленок от условий получения при действии примеси определяются полнотой развития эвтектик испаряемых спла­ вов с химическими соединениями. При значительном количе­ стве примесей зависимость большинства физических свойств от условий кристаллизации пленок обнаруживает экстремаль­ ное прохождение через один или несколько минимумов или максимумов в соответствии с количеством развивающихся эвтектик. Наиболее резкое возрастание количества примесей, участвующих в кристаллизации, может достигаться при уве­ личении угла падения частиц пара. При этом напыление пле­ нок при максимальных углах наклона даже в относительно высоком вакууме (10_6—10-7 мм рт. ст.) может быть эквива­ лентным напылению при нормальном падении потока пара, но в условиях низкого вакуума. В присутствии примесей весь­ ма существенно влияние напряженности магнитного поля на кристаллизацию пленок некоторых составов.

Таким образом, очевидно, что характеристики пленок, полученных в присутствии примесей (к таким условиям от­ носится, в частности, и вакуум 10-5—10-7 мм рт. ст.), опреде­ ляются во многом гетерофазностыо структуры, физико-хими­ ческими и кристалло-химическими свойствами содержащихся в них соединений переменного состава. Подобный факт нель­ зя игнорировать при исследовании и практическом использо­ вании тонких пленок многих материалов, способных образо­ вывать химические соединения с остаточными газами.



ЛИТЕРАТУРА

1. И. Н. С т р а н с к н й , Р. К а и ш е в . УФН, 21, 408, 1939.

2.Д. X и р с, Г. П а у н д . Испарение и конденсация. М , «Металлур­ гия», 1966.

3.К. М е й е р . Физико-химическая кристаллография. М., «Металлур­

гия», 1972.

4. В. К- С е м е н ч е н к о. Избранные главы теоретической физики.

М„ Учпедгиз, 1960.

5.Н. Н. С и р о т а . В кн.: Кристаллизация и фазовые превращения. Минск, «Наука и техника», 1971, стр. 333.

6. Дж. В. Г и б б с .

Термодинамические работы,

ч. III. М., Гостехиз-

дат, 1950.

П. М а з у р . Неравновесная

термодинамика. М.,

7. С. д е Г р о о т ,

«Мир», 1964.

 

 

8.Н. Н. С и р о т а . Термодинамика и статистическая физика. Минск, «Вышэйшая школа», 1969, стр. 62.

9.С. Я. П и н е с. Очерки по металлофизике. Харьков, Изд-во Харь­

ковского университета, 1961.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10.

R. С. R u h 1. Mater. Sci. Eng., I, 313, 1967.

of Crystals.

N. Y., 1958,

 

11.

W. В. H i 11 i g.

Growth

and

Perfection

p. 356.

J. J. K r a m e r ,

W. A. T i l l e r .

J. Chem. Phys.,

37, 841, 1962.

 

12.

 

13.

W. К о s t. Z. Elektrochem., 57, 431,

1953.

 

9,

695,

1961.

 

14.

K. N e u m a n n ,

W. C a h n . Acta

Metallurgica,

 

15.

G. F a 1 k e n h a

g e n , W. H a f

f m a n. Z. Metallk.,

43,

 

369, 1952.

25,

16.

И. С. М и р о ш н и ч е н к о , И. В. С а л л и . Заводская лаборатория,

1398,

1959.

 

 

 

 

литейного

производства.

 

17. А. А. Р ы ж и к о в . Теоретические основы

М., Машгиз, 1954, стр. 69.

 

 

 

 

 

 

der Akademie

 

18.

N. G 1a d k i с h,

R. N i d е г m a u е г. Kurznachrichten

- -der Wissenschaften in Gottingen, №

16, 69, 1965.

S p i e g e l .

Phys. Stat.

 

19.

N.

G 1 a d к i c h,

R. N i d e r m a u e r , K.

Sol., 15,

181,

1966.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20.M. J. T а к a у i. Phys. Soc. Japan, 9, 359, 1954.

21.Л. С. П а л а т н и к, Ю. Ф. К о м н и к. ФММ, 9, 374, 1960.

22.

Д. Е. О в с и е н к о, В. В. М а с л о в ,

В. П. К о с т ю ч е и к о. Крис­

таллография, 16, 405, 1971.

 

и др. В кн.: Проблемы

металловедения и

23.

Е. И. К а м е н е ц к а я

физика

металлов, вып. 6. М.,

Металлургиздат, 1959;

G. A. C o l l i g a n ,

V. S и г р r e n a n t , F. L e m k e y . J. Metals,

13, 691, 1961.

24.

Л. С. П а л а т н и к,

М. Я. Ф у к с,

В. М. К о с е в н ч. Механизм

образования и субструктура

конденсированных пленок. М., «Наука», 1972.

320