Файл: Прикладная спектрометрия с полупроводниковыми детекторами..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 15.10.2024

Просмотров: 130

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Четвертый компонент— шум диэлектрических потерь, рас­ смотренный выше.

Так как ток затвора /у при охлаждении уменьшается, а кру­ тизна 5 увеличивается, то существует оптимальная температу­ ра, при которой шумовой вклад полевого транзистора будет минимальным. При охлаждении до 100— 130 К шум уменьша­ ется в 2—3 раза по сравнению с нормальными условиями. Не исключено, что это обусловлено также и уменьшением шума диэлектрических потерь. На рис. 2.7 приведены результаты из­

мерения шумов

полевых

 

 

 

 

 

транзисторов,

выпускае­

 

 

 

 

 

мых

зарубежными

фир­

 

 

 

 

 

мами. Наилучшими ха­

 

 

 

 

 

рактеристиками обладают

 

 

 

 

 

полевые

транзисторы с

 

 

 

 

 

цоколем,

изготовленным

 

 

 

 

 

из керамических материа­

 

 

 

 

 

лов

(ВеО,

А12 0 3).

Стек­

 

 

 

 

 

лянный цоколь ТО-18

 

 

 

 

 

обусловливает увеличение

 

 

 

 

 

шума при комнатной тем­

 

 

 

 

 

пературе на 200—300 эВ

 

 

 

 

 

Некоторое

снижение

шу­

Рис. 2.7.

Влияние

конструкционных мате­

ма можно получить, выб­

риалов

на шумы

полевых

транзисторов.

рав

режимные

значения

Числа — количества

проверенных

транзисторов;,

тока

стока

и напряжения

горизонтальные

риски — разброс

параметров. Со­

став керамики:

/,

3 — ВеО; 2 — AI2O3. Фирмы-

сток — исток,

затвор —

изготовители: 1,

2,

5 — «Юнион

Карбид», 3, 4,

сток.

Лучшие экземпляры

 

6 — «Тексас Инструменте».

 

 

 

 

 

полевых транзисторов характеризуются уровнем шума A£Si< <100 эВ [42]. Некоторые вопросы, касающиеся технологии из­ готовления керамических корпусов и их конструктивных осо­ бенностей, рассмотрены в работе [43].

Микрофонный шум. Микрофонный шум органически не свя­ зан с процессом усиления сигналов, но он может быть источни­ ком, ухудшающим разрешающую способность спектрометров. Особую опасность представляют элементы и провода, находя­ щиеся под высоким напряжением. Их паразитная связь с вход­ ной цепью Ссв приводит к появлению индуцированного заряда (2=НдСсв. Изменение Ссв при вибрациях вызвано «бульканием» кипящего азота и посторонними шумами рабочего помещения. Например, если t/д = 1 000 В, то даже изменение Ссв на 10- 8 пФ приводит к появлению индуцированного заряда 10- 1 7 Кл, что приблизительно на два порядка больше заряда электрона. Спектр микрофонного шума расположен в низкочастотной об­ ласти (единицы герц) и влияние этого компонента можно эф­ фективно ослабить последующими фильтрами.

Значения шумовых параметров основных источников шума рассмотренных выше элементов (ППД, резистора Rf, полевого

83-


транзистора) приведены в табл. 2 .1 , в последнем столбце таб­ лицы даны формулы для расчета парциальных вкладов отдель­

ных источников в шумовую

ширину

линии

при постоянной

CR—/?С-формирования, равной Тф, и

рабочей температуре 7 =

= 100 К.

 

 

 

Помимо собственного уровня шума при нулевой внешней ем­

кости предусилители обычно

характеризуются

энергетическим

эквивалентом шума при изменении входной емкости. Величина этого параметра зависит от относительного вклада источников последовательного шума в полную ширину линии, что в свою ■очередь определяется крутизной входного элемента и свойства­ ми формирующих цепей. Существенного уменьшения наклона шумовой характеристики можно достичь, используя параллель­ ное включение 2—3—4 полевых транзисторов, т. е. увеличивая крутизну входного элемента в 2—3—4 раза. При этом, однако, возрастает значение ДЕ для нулевой внешней емкости. Так как в спектрометрах с высокой разрешающей способностью емкость детекторов не превышает десятка ппкофарад, то наилучшие результаты получаются с одним полевым транзистором.

Следует иметь в виду, что шум предусилителя зависит от конструктивного расположения отдельных компонентов во вход­ ной цепи головного каскада, примененных диэлектрических ма­ териалов п т. п. Как правило, необходим тщательный отбор ис­ пользуемых элементов, прежде чем будет достигнуто высокое энергетическое разрешение. Для иллюстрации ниже приводятся данные [43], показывающие относительный вклад в шумовую ширину аппаратурной линии лучших из доступных в настоя­ щее время компонентов.

Стеклянный цоколь

корпуса полевого тран­

 

 

зистора .................................................................

 

240

эВ

Цоколь из AloOji или ВеО ..............................

10

эВ

Конденсатор калибровочный 0,2—0,5 пФ . .

10 эВ

Резистор /^ = 5 - 1010

О м ...................................

50

эВ

Наибольшее распространение в головных каскадах низко- ■щумящих предусилителей получили кремниевые полевые тран­ зисторы с каналом п-типа. Имеются работы, в которых были исследованы возможности германиевых полевых приборов [44—47]; наилучший результат составляет A£Ge=280 эВ при крутизне шумовой характеристики 18 эВ/пФ [44]. Однако при этом требуется охладить триод головного каскада до 4,2 К. Конструкция криостата в подобных системах значительно усложнена, так как необходимо применять жидкий гелий для охлаждения, и эксплуатировать такой спектрометр в производ­ ственных условиях чрезвычайно трудно. Поэтому в настоящее время в спектрометрах с ППД применяют кремниевые полевые транзисторы, параметры которых позволяют получить лучшее энергетическое разрешение, чем германиевые трганзпсторы, ра­ ботающие при температуре 4,2 К-

-84


§ 2.4. О П Т И М И З А Ц И Я О Т Н О Ш Е Н И Я С И Г Н А Л /Ш У М

Электронное оборудование, используемое в усилительном тракте спектрометров с ППД, должно обеспечивать высокое „ энергетическое разрешение. Частично эту задачу можно решить, применяя специальные предусилители (см. § 2.2 н 2.3). Однако ■существует предел уменьшения собственного шума электронных устройств и, что еще более важно, информация, поступающая на вход предусилителей, уже искажена шумами, обусловленны-

e{t)^E(s)

Передаточная

r(t)^ = R (s)

 

функция

r(t)=h(t)*e(t)

 

H(s)

 

 

R(s)=H(s) E(s)

Частные случаи:

 

 

а) единичная функция

 

 

e(t)= 1 (t)

 

r(t)= p (t)

E fs )= l

 

p(t)=z=P(S)

б) d -функция

 

r(t)= h(t)

e(t)= 6(t)

 

 

h(t)^=.H(s)

E(s)=l

 

Pnc. 2.8. Передаточная H (s) и операторная P(s) функции линейных цепей.

ми физическими процессами в самом детекторе. Поэтому не менее важно применять для последующего усиления и преобра­ зования сигналов ППД устройства, обеспечивающие макси­ мально возможное в практических задачах отношение сигнал/шум.

При анализе характеристик предусилителя было использо­ вано понятие передаточной функции. Свойства передаточной функции и импульсной характеристики позволяют однозначно ■определить параметры устройств, преобразующих сигнал детек­ тора, и их необходимо рассмотреть более подробно.

Импульсная характеристика h(t) (рис. 2.8) есть зависимость, ■связывающая реакцию цепи r(t), которой соответствует изо­ бражение Лапласа R(s), с входным сигналом e(t), имеющим изображение Е (s ):

r(t) = h(t)%e(t)

(2.9)

[в дальнейшем соответствие оригинала и изображения функ­ ции будут обозначаться символом например, /•(/')^^(s)].

85


Линейные цепи характеризуются тем, что реакция цепи Rx (s) на входные сигналы е,-(/) есть сумма частных решении

R:(s)-

 

 

 

 

 

 

 

 

Ri{s) ~

Н (s)£, (s);

З Д ^

/ ) ;

 

 

 

 

.

=

 

 

 

 

 

 

Особую роль

при исследовании

линейных

цепей

играют

входные сигналы

двух

типов: единичная функция

е(/) =

1 (/) и

6 -функция е(/)=5(/).

Реакцию

цепи на

сигнал

1 (/)

назы­

вают переходной характеристикой p(t), а на сигнал 8(1)

— им­

пульсной характеристикой li(t).

Функции

p(t)

и

h(i)

играют

важную роль при исследовании линейных цепей и связаны за­ висимостью p(t) = j h(t)dt.

В дальнейшем под передаточной функцией Я (s) мы будем, понимать изображение импульсной характеристики Я (s)+±h(t). Изображение реакции p(t) называют операторной функцией P(s)+±p(t), причем передаточная и операторная функции свя­ заны зависимостью P(s) = Н (s)/s.

Еще одно замечание относится к связи передаточной функ­ ции Я (s) и Фурье-изображения импульсной характеристики Я(/о>). Согласно определению изображения Лапласа

Я (s) =

\h(t)exр(— st)di\

(2.10)

 

6

 

h ( 0 =-

(' Н (s) exp (st) ds,

(2 .1 1 )

 

2.4j b

 

где D — контур, не содержащий особых точек функции Я (s) справа от оси Осо. В установившемся режиме синусоидальных колебаний, когда па входе и выходе действуют сигналы с оди­ наковой частотой, оператор s = a + j 10 становится равным s = = j со. Подставляя это значение в (2.11), имеем

h(t) —

( Я (jco) exp (/со/) Ясо,

(2.12)

2 Л

—со

 

что является одной из форм записи интеграла Фурье. Следо­ вательно, Фурье-изображение Я (jco) получается при замене пе­ ременной передаточной функции s оператором /со.

В общем случае передаточную функцию Я (s) можно запи­ сать в виде

Я (s) — Я 0

П.(5~ г<)

0

П (s — рр)

где 2 ; и pi — нули и полюса передаточной функции соответст­ венно. Так, например, передаточные функции дифференцирую­ щего и интегрирующего фильтров имеют полюс в точке s = = 1 /т, а дифференцирующего— нуль в точке s = 0 .

86


Используя свойства импульсной характеристики и передаточ­ ной функции, рассмотрим характеристики «идеального» фор­ мирователя, имеющего наивысшее теоретически возможное зна­ чение сигнал/шум. Так как шумы типа l/f ослабляются сущест­

вующими фильтрами

незна­

 

 

 

 

 

 

 

чительно [48], то целесооб­

 

 

 

 

 

 

 

разно их не рассматривать.

 

 

 

 

 

 

 

Если

пренебречь

вкла­

 

 

 

 

 

 

 

дом шума типа

1 //, то вход­

 

 

 

 

 

 

 

ную

 

цепь

предусилителя

 

 

 

 

 

 

 

можно представить на экви­

 

 

 

 

 

 

 

валентной схеме

(рис. 2.9, а)

 

 

 

 

 

 

 

двумя генераторами «бело­

 

 

 

 

 

 

 

го» шума со спектральной

 

 

 

 

 

 

 

плотностью на единицу ча­

 

 

 

 

 

 

 

стоты:

е2

= 4

kTRs,

i2m —

 

 

 

 

 

 

 

= 4kT(\/Rp) , где

Rs и

Rp —

 

 

 

 

 

 

 

■суммарные значения эквива­

 

 

 

 

 

 

 

лентных шумовых сопротив­

 

 

 

 

 

 

 

лений

последовательных и

 

 

 

 

 

 

 

параллельных

 

источников

 

 

 

 

 

 

 

шума

 

Rs= T,Rs

 

1 /ЯР =

 

 

 

 

 

 

 

= 2(1 /RPi).

Замещая

гене­

 

 

 

 

 

 

 

ратор тока

i 2m

эквивалент­

 

 

 

 

 

 

 

ным

 

генератором

шумового

 

 

 

 

 

 

 

напряжения, получим, что

 

 

 

 

 

 

 

эквивалентную

схему

голов­

 

 

 

 

 

 

 

ного

каскада можно

пред­

 

 

 

 

 

 

 

ставить

одним

генератором

 

 

 

 

 

 

 

■напряжения со спектраль-

 

 

 

 

 

 

 

ной

плотностью

 

(рис. Рис.

2.9. Эквивалентные схемы голов­

2.9,6):

 

 

 

 

 

ного

каскада на

полевом

транзисторе:

 

 

 

 

 

 

 

 

а — двухгенераторная;

б — с

одним

генера­

^

=

4£r[(l/tfpco2 cL) + t f J .

тором

о 2 v;

в — с двумя

генераторами тока:

I — сигнал;

2—-источник

сигнала;

3 — нешу-

 

 

 

 

 

 

 

(2.13)

 

 

 

 

 

 

 

 

мшцкП головной

каскад.

 

Физическая мощность шума Ц7ш(со) равна половине математи­ ческой мощности:

№ш(©) = бшх/2 .

 

Используя формулу (2.13) и вводя обозначение

 

т0 = Е*вх ] R PRS,

(2.14)

■представим спектральную плотность шума в виде

 

Ww(о?) = (4kTRs/2) [1 + ( 1/со2 т20)],

(2.15)

87