Файл: Ширман, Я. Д. Разрешение и сжатие сигналов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 16.10.2024

Просмотров: 137

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Управление законом дисперсии сводится к выбору м0 и параметра р. Воз­ можности получения линейного закона изменения ^гр в функции частоты огра­ ничены. Линейный участок характеристики звена (рис. 1.5.8) мал и для полу­ чения большого укорочения необходимо значительное число звеньев.

Рис. 1.5.7. Звенья цепочечной линии задержки:

а — крестообразное; б — мостиковое Т-об- разное

Рис. 1.5.8. Зависимость группового за­ паздывания от частоты для мостикового

звена (рис. 1.5.7, б).

§ 1.5.5. ВОЗМОЖНОСТИ УПРАВЛЕНИЯ ЗАКОНОМ ДИСПЕРСИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЛИНИИ ЗАДЕРЖКИ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ

Две разновидности линий задержки с распределенными параметрами — к р у г л а я и п л о с к а я — приведены на рис. 1.5.9. Для каждой показана обмотка в виде спирали и анизотропно-проводящий экран, не имеющий проводи­ мости вдоль витков-спирали. Это существенно при получении больших замедле­ ний и малых потерь на кольцевые токи.Провода экрана замыкаются только на концах линии.

В качестве простейшей модели линий была взята система ч е т ы р е х а н и- з о т р о п н о - п р о в о д я щ и х п л о с к о с т е й (рис. 1.5.10, а) в однород­ ном изотропном диэлектрике, достаточно близко соответствующая плоской ли­

нии задержки.

Еще более простой является модель (рис.

1.5.10, б) в виде си­

стемы д в у х

п л о с к о с т е й , которая также отражает

свойства реальных

линий задержки. Для каждой из моделей показаны диэлектрические слои і = = 0,1, 2, ... со скоростями распространения Oj. Чтобы исследовать допусти­ мость использования моделей (рис. 1.5.10) при анализе круглых линий, была рас­ смотрена также модель в виде двух анизотропно-проводящих цилиндров.

Уравнения электромагнитного поля для диэлектрических слоев решаются применительно к режиму стационарных гармонических колебаний при опреде­ ленных граничных условиях. По обе стороны от каждой из анизотропно-прово­ дящих поверхностей:

100

§ 1.5.5.

1)тангенциальные составляющие электрического поля, параллельные на­ правлению проводимости, обращаются в нуль;

2)тангенциальные составляющие электрического поля, перпендикулярные направлению проводимости, равны между собой;

3)тангенциальные составляющие магнитного поля, параллельные направ­

лению проводимости, также равны между собой.

С целью моделирования поля, вызываемого током в замкнутых витках спи­

рали, в системе плоскостей используется дополнительное условие

(0) —

Hz2 (2а) = 0 .

 

Пусть диэлектрические и магнитные проницаемости сред одинаковы. Исхо­ дя из распределений поля в поперечном сечении вида ек£г, е—ку для плоской

и / 0 (кг), Ко (кг) для цилиндрической системы,

придем в обоих случаях к диспер­

сионному уравнению

 

Ф (к) = 2яf ,

(I)

Рис. 1.5.9. Электрические линии за-

Рис. 1.5.10. Модели плоских линий в

держки с распределенными парамет-

виде четырех (а) и двух (б) анизотроп-

рами (спиральные линии):

по-проводящих плоскостей.

а —круглая; б —плоская.

где для плоской системы (рис. 1.5.10, а) [38]

Ф (к) = ко tg a"|/sh kö/sh к -ф-6) eka|,2t

(2)

а для цилиндрической с радиусом внутреннего цилиндра (экрана) а и внешнего цилиндра (обмотки) а -{- b = с [39]

Ко с) (Ко (ка) /„ (к с )-/„

(кд) Ко (кс)]

(3)

Ф (к) = ко tg а

(кс)

Ко (ка) h (кс) Кг

 

В обоих случаях ѵ= 1/~|/ер,.

Последовательно задавая различные значения к, можно вычислить значения

2я/ =

ф (к), определяя при этом:

 

 

замедление фазовой

скорости

 

 

 

 

3 =

о/Цфдгкп/2я/,

(4)

время фазового и группового запаздывания

 

 

 

 

t/ иф— t о 3,

(5)

 

 

=

« [ф'

(6)

Здесь

I — длина, а ta =

1/ѵ — время запаздывания

в отсутствие замедления.

§ 1.5.5.

 

 

 

101


Полагая с > Ь =

с а,

раздельно рассмотрим следующие частные случаи:

1)

весьма низких

частот

ка < ], kb <

1;

2)

промежуточный

kö <

1, ека » 1 ;

 

3)

весьма высоких частот е1<6 > I, ка >

1.

В случае весьма низких частот

 

S ^ V a /b ß c tg a ,

(7)

где ß «= 1 для плоскостей и ß = 2 для цилиндрической модели.

 

В промежуточном случае для обеих моделей

 

3 Ä (v/4nb) */3/ - И 3 ctg2/ 3 a .

(8)

В случае весьма высоких частот также для обеих моделей

 

3 яг ctg а.

. (9)

Рис. 1.5.11. Пример дисперсионной кривой замедления круглой спиральной линии задержки (с разрывом по оси абсцисс и изменением масштаба).

Ход дисперсионной кривой в диапазоне частот зависит от р а с п р е д е л е ­ н и я э л е к т р о м а г н и т н о г о п о л я по поперечному сечению замед­ ляющей системы. Чем выше частота, тем больше концентрируется поле у спира­ ли и менее глубоко проникает в диэлектрик по обе ее стороны. Прижимаясь к спи­ рали, электромагнитное поле в конце концов отрывается от экрана. Поэтому за­ медление зависит только от а и не зависит от а и Ь. В промежуточной области частот магнитное поле, заходя за экран, еще не заполняет полностью охватывае­ мого им пространства. Будучи независимым от размера а, замедление зависит от b и изменяется обратно пропорционально корню кубическому из частоты. С пони­ жением частоты глубина проникновения увеличивается, магнитное поле запол­ няет пространство внутри экрана, а электрическое поле концентрируется между экраном и спиралью. Наряду с величиной а, характеризующей угол наклона

витков, замедление определяется величиной 1/аТЪ, которая пропорциональна произведению погонных емкости и индуктивности.

На рис. 1.5.11 приведена экспериментальная кривая замедления круглой

линии задержки

с параметрами: е = 2,25;

2а =

16 мм, b = 0,05 мм, ѵ =

= arctg (s/2jia),

s = 0,3 мм — шаг намотки.

Точки,

рассчитанные для системы

анизотропно-проводящих плоскостей с-расстоянием между экранными плоскос­ тями 2аэкв = а = 8 мм, укладываются вдоль этой кривой.

Модель плоскостей можно использовать при анализе сложных линий за­

держки с н е о д н о р о д н ы м и с р е д а м и : плоских

и круглых.

Пусть

диэлектрическая проницаемость среды между экраном и спиралью

будет ex>

е0,

магнитная проницаемость среды внутри экрана равна

р2 >

р0, а

все

ос­

тальные диэлектрические и магнитные проницаемости составляют е0 и р0.

В этом

случае придем к дисперсионному уравнению (1), где для плоской модели

 

 

Ф (к) = kn tg а

И-i/ М'О~Ф~Р

 

 

 

( 10)

е0/е і-ф-ctli kb

 

 

 

V

 

 

 

 

102

 

 

 

§ 1.5.5.


Здесь

o1 = l / e 1[i1

а

 

1-г (iu/Pi) th ка tli кб

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

th кб -|- (f-іг/И-і) th ка

( И )

 

 

 

 

 

 

 

 

На очень низких частотах,

когда кя s 0,

k i s 0 и р = щ/карг,

значение фазо­

вой скорости будет

 

 

 

 

 

 

 

 

 

^Ä ürT/V atgos,

(12)

 

 

 

 

где ог => "l/eitl2 — фазовая

ско­

 

 

 

 

рость

в гипотетической

среде

с

 

 

 

 

диэлектрической проницаемостью

 

 

 

 

ег и с магнитной проницае­

 

 

 

 

мостью

ра.

высоких частотах,

 

 

 

 

На

очень

 

 

 

 

когда th ka »

thkft » 1

н р »

1,

 

 

 

 

фазовая

скорость

имеет

другое

 

 

 

 

значение:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ѵФ= ~Ѵ'(1 / Но"Ф“l/(J.i)/(e0 +

Еі) t g а .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(13)

Рис.

1.5.12.

Пояснение

возможности

Подбирая

параметры

сред,

можно

регулировать ход диспер­

управления

дисперсией за

счет подбора

сионной кривой*'*.

Ряд методов та­

 

параметров слоистых сред.

кой

регулировки

исследовался

 

 

 

 

3. А. Вайнорисом. Выяснилось, что можно обеспечить нарастание (а не убывание) времени фазового запаздыва­

ния с частотой (рис. 1.5.12). Для этого достаточно выполнить условие s0 > еІР прижимая диэлектрик с большей диэлектрической проницаемостью е0 к спирали снаружи или, наоборот, наматывая спираль на этот диэлектрик и размещая экран над спиралью.

§1.5.6. МЕТОД «ЗАПАЗДЫВАЮЩЕЙ МГНОВЕННОЙ ЧАСТОТЫ»

ИЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ДЛЯ АНАЛИЗА ДИСПЕРСИОННЫХ СИСТЕМ

Пусть частотно-модулированное

колебание А (()е,ф Ю проходит

через линейную

систему

с

частотной

характеристикой К (©) =

= J К (со) I е_ Мш\

где f ТС (со) |

и

Ѳ (со) — вещественные функции. На­

пряжение на выходе системы представим в виде

 

 

 

со

 

 

 

 

 

 

 

W ( t ) = ^

Р (со, s) &iQ(ш- s’ l)ds dal2п,

 

 

 

— со

 

 

 

 

 

 

 

 

/>(©,*)=

I/с и

IЛ (s),

 

(1)

 

Q (©, s, t) =

Ф (s)—Ѳ (со) -f со (t — s).

 

 

Для вычисления двойного интеграла (1) используем

принцип

с т а ­

ц и о н а р н о й

ф а з ы,

полагая,

что

функции

и

е~

быстро осциллируют по сравнению с А (t)

и | К (со) |

соответственно.

Стационарная точка (§ 1.5.2) определяется из условия

 

 

 

dQcT_ дфст _Q

 

 

/2)

 

 

Зсо

~

ds ~

 

 

к '

*> Аналогичные соображения распространяются на многослойные ультра­ звуковые волноводы (см. § 1.8.2).

§ 1.5.6.

103


откуда

^ С Т

^ ® ( ® с т ) > Ф

( ® с т ) ® с т

(3)

Величина сост = Ф '(sCT) — это частота

входного сигнала в

момент

времени sCT. Величина

sCT — это время

воздействия группы

частот

сост на вход системы. Оно соответствует моменту наблюдения t на вы­ ходе за вычетом соответствующего группового запаздывания 0' (сост) =

= trp. Если система уравнений (3) имеет единственное решение

соот —

=

озст (t), / ст = t от (/),

то,

аналогично [(18),

§ 1.5.2],

 

 

W ( 0 = А (s ст)

1К ((Ост) I e J~Q ( а ст- -Ѵ г п

+ AWV),

(4)

 

~\/1

Ф "

(S c t )

0 " ( ( О с т )

 

 

где

AW (t) — поправочный член, а

Q (сост, sCT, f) — фаза колебаний

в момент наблюдения:

 

 

 

 

 

 

 

Q ( ® С Т > ^ С Т > 0

 

®

( ^ с т )

[ 3 ( ® С т )

® С Т ^ г р ] ‘

( ^ )

 

При достаточно глубокой

частотной модуляции (или достаточно

ярко выраженной дисперсии системы) поправочный член AW (/) ока­ зывается малым. Огибающая, каждой группы колебаний с близкими ча­ стотами распространяется со своей скоростью, образуя участок коле­ бания соответствующей «мгновенной» частоты. Для каждой группы колебаний можно оценить свое время запаздывания ігр = 0' (соот), что характеризует деформацию огибающей частотно-модулированного радиоимпульса. Фаза Q (соОТ| sCT, t) в момент наблюдения t группы зависит от значения фазы Ф (sCT) в момент излучения sCT огибающей группы. Поскольку фаза в отличие от огибающей передается с фазо­ вой, а не с групповой скоростью, в формулу (5) входит разность фазо­ вых запаздываний монохроматических колебаний в диспергирующей Ѳ (сост) и в недиспергирующей о)от?Гр средах при одинаковом груп­ повом запаздывании.

Рис. 1.5.13 иллюстрирует деформацию огибающей частотно-модули­ рованного радиоимпульса, прошедшего через диспергирующую си­ стему. На рис. 1.5.13, а показан закон модуляции амплитуды и часто­

ты входного радиоимпульса: за время от

до /2 его частота изменяет­

ся от ссц до а 2, амплитуда не меняется.

На рис. 1.5.13, б показаны

амплитудно-частотная характеристика и частотная характеристика времени группового запаздывания диспергирующей системы. В зави­

симости от частоты групповое запаздывание меняется от

trn

до ?гр2,

а значение

коэффициента

передачи напряжения — от

/Сг

до К*.

Рис. 1.5.13, в

иллюстрирует

закон изменения частоты и амплитуды

выходного импульса в функции времени. Заметно сжатие импульса и искажение его огибающей.

Сравнение результатов расчета по принципу стационарной фазы и прямого расчета для колокольного радиоимпульса с большим пара­ метром частотной модуляции показало их хорошее совпадение. Для прямоугольного радиоимпульса расчет на основе принципа стацио-

104

§ 1.5.6.


нарной фазы становится н е с п р а в е д л и в ы м н а к р а я х , где имеют место резкие изменения амплитуды. Аппарат стационарной фазы начинает отказывать, кроме того, в с л у ч а е п р е д е л ь н о ­ г о у к о р о ч е н и я , когда несовпадение во времени различных групп частот компенсируется полностью. Длительность выходного колебания уменьшается в этом случае не до нуля, а лишь до опреде­ ленной величины, определяемой шириной спектра. Условия примени­ мости принципа стационарной фазы в его обычной форме нарушаются уже по мере приближения к предельному укорочению.

В)

Рис. 1.5.13. Пояснение деформации огибающей частотно-модулированного им­ пульса при прохождении его через диспергирующую систему.

Метод мгновенной запаздывающей частоты применим

при

а н а ­

л и з е и м п у л ь с н ы х

х а р а к т е р и с т и к д и с п е р г и ­

р у ю щ и х

с и с т е м .

 

Полагая в (1) А (s) = б (s)

и

Ф

(0) = О

и заменяя W

(t) = V (t),

К (со) = (со) | e_J’e(“>, где (со) |

и

Ѳ(со) —

вещественные функции, приходим к интегралу

 

 

 

 

V( t ) —

со

1АС(со)! е.і [ис-ѳ (“)] deо/2я.

 

 

 

 

^

 

 

(6)

Импульсный характер функции А (t) не мешает применить принцип стационарной фазы, так как эта функция не входит в подынтеграль­

ное выражение (6).

Функцию же | /С (со) |

считаем медленно меняющей­

ся

по сравнению с

еЯ®*—Ѳ<ШД Стационарную

точку со =

сост найдем

из

условия ct [со/ — Ѳ (со)]/сісо |a>=toOT = 0

или

Ѳ' (coCT) =

t. Ограни-

§ 1.5.6.

105